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转动或移动熔体或晶体的机构
一种晶体制备装置
本说明书涉及一种晶体制备装置。该装置包括:炉膛;温场,所述温场至少部分位于所述炉膛内,所述温场与真空装置密封连接;提拉杆,所述提拉杆的至少一部分位于所述温场内;以及运动装置,所述运动装置与所述提拉杆传动连接以带动所述提拉杆上下运动和/或旋转。
2021-11-02
访问量:33
冷坩埚
本发明涉及一种冷坩埚。所述冷坩埚可用于单晶材料的高温生产领域。根据本发明的冷坩埚(1)包括:冷笼(10),所述冷笼包括扇形部(100),所述扇形部由具有良好导电性的材料制成,并且装料在所述扇形部中熔融;以及具有传热流体的冷却装置(11),所述冷却装置被配置成从内部冷却所述冷笼的每个扇形部(100)。所述冷坩埚设计成进一步包括至少一个用于产生静磁场的装置(12),每个发电装置被容纳在所述冷坩埚的所述扇形部(100)之一内。由此产生的每个静磁场都具有减慢熔融装料的电磁搅拌的效果,从而有可能生产出直径明显大于引发其生长的晶种直径的单晶锭。
2021-10-29
访问量:74
自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、单晶炉系统及稳定方法
本发明提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构,包括提升装置和定位装置,定位装置与提升装置连接,提升装置设于单晶炉副室的顶部,定位装置设于单晶炉副室内部,定位装置可相对于单晶炉副室滑动,通过提升装置动作,带动定位装置动作,对籽晶进行定位、稳定。本发明的有益效果是应用于直拉单晶过程中,能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定,使得籽晶稳定这一过程实现自动进行,实现籽晶的自动稳定,降低了劳动的强度,提高了生产效率。
2021-10-26
访问量:36
自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、单晶炉系统及稳定方法
本发明提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构,设于单晶炉副室的顶端,包括连接装置和定位装置,连接装置的一端与单晶炉副室连接,连接装置的另一端与定位装置连接;以及,定位装置两端均与外界连通,且定位装置与副室同轴设置,以便于对籽晶进行定位、稳定。本发明的有益效果是应用于直拉单晶过程中,能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定,使得籽晶稳定这一过程实现自动进行,实现籽晶的自动稳定,降低了劳动的强度,提高了生产效率。
2021-10-26
访问量:61
自动稳定籽晶的单晶炉定位机构、单晶炉系统及稳定方法
本发明提供一种自动稳定籽晶的单晶炉定位机构,包括对称设于单晶炉副室上的定位装置,且对称设置的定位装置可相对移动,用于对籽晶进行定位、稳定;其中,定位装置包括移动装置和移动驱动装置,移动装置与移动驱动装置连接,移动装置设于单晶炉副室上,且移动装置可相对于单晶炉副室移动,对籽晶稳定、定位;移动装置沿着单晶炉副室直径设置。本发明的有益效果是应用于直拉单晶过程中,能够在直拉单晶过程中对籽晶进行稳定,使得籽晶稳定这一过程实现自动进行,实现籽晶的自动稳定,降低了劳动的强度,提高了生产效率。
2021-10-26
访问量:73
一种直拉单晶硅棒取晶装置及其取晶工艺
本发明提供一种直拉单晶硅棒取晶装置,包括第一转轴、第二转轴、绕设于所述第一转轴设置的缆绳、用于驱动所述第一转轴旋转的第一驱动件和用于驱动所述第二转轴的第二驱动件,所述缆绳一端与所述第一转轴连接,另一端通过籽晶与单晶硅棒连接;所述第一驱动件带动所述第一转轴使所述单晶硅棒沿所述单晶硅棒轴线方向上下移动;所述第二驱动件带动所述第二转轴使所述单晶硅棒沿所述单晶硅棒轴线旋转移动。本发明还提出一种直拉单晶硅棒取晶工艺。本发明提出的取晶装置,结构设计简单且易于操作,能安全地使单晶硅棒取出并放置在取晶筒中,提高了取晶装置的使用寿命,适合各种直径的单晶硅棒的取晶操作,适普性广,取晶效果好,工作效率高。
2021-10-26
访问量:36
一种金属单晶制备装置及工艺
本发明公开了一种金属单晶制备装置及工艺,包括炉体以及炉体内自上而下依次设置的籽晶杆、与籽晶杆固定的籽晶、保温层、与保温层固定的坩埚盖、与坩埚盖固定的模具、位于保温层围成的空间内的坩埚以及用于支撑坩埚的坩埚支柱,炉体上设进气口且下设出气口,保温层外壁设有为坩埚加热的感应线圈。本发明大幅度提升铜原料的成晶率,提升制备材料的单晶质量和工艺重复性;通过模具的介入,可以使得铜熔体按照成品件的形状进行拉制,减少加工成本。
2021-10-01
访问量:66
一种锗晶体生长设备复合减速器装置
本发明公开了一种锗晶体生长设备复合减速器装置,包括驱动机构,驱动机构包括基杆,基杆的表面通过固定组件固定连接有电机,电机的输出端固定连接有第一齿轮,本发明的有益效果是:通过设置组合式减速器,使提拉杆的抬升与旋转速度稳定,不会间断性的抬升,有效减少锗晶体表面横纹,使生长出的锗晶体更加均匀,在锗晶体生长过程中,电机旋转带动第一齿轮和第二齿轮旋转,经过第一行星减速器和第二行星减速器减速后,输出杆带动提拉杆缓慢旋转,通过第一行星减速器带动圆筒上移,圆筒通过圆块带动提拉杆缓慢提升,其中第一行星减速器和第二行星减速器的减速比例不同,方便适应锗晶体的生产速度。
2021-10-01
访问量:42
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技术分类
电解法
盐溶剂,例如助熔剂生长
金属溶剂
使用其他溶剂的
使用晶体组成之一种组分作溶剂的
熔融溶液冷却法
熔融态溶剂的蒸发法
使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长
由溶液中的化学反应生成的结晶化材料
电解法
加压法,例如水热法
溶液冷却法
用非水溶剂的
用水溶剂的
溶剂蒸发法
常温液态溶剂之溶液,例如水溶液的单晶生长;用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00;在保护流体下的入C30B27/00)
添加掺杂材料的
凝胶的单晶生长
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
在气体气氛或等离子体内
在溶液或熔体内
侵蚀
晶体的接合
用电场或磁场或粒子辐射
热处理
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
离子注入法
电磁波辐照或粒子辐射法掺杂
控制或调节
气体供给或排出的装置;气流的变换
衬底夹持器或基座
反应室的加热
反应室;其所用材料的选择
扩散材料为被扩散元素之化合物的
同气态扩散材料接触的
同液态扩散材料接触的
同固态扩散材料接触的
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之扩散或掺杂工艺;其所用装置
在微重力或零重力条件下的
用机械振荡的
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