本发明公开了一种MOCVD系统反应腔清理装置,包括自带加热装置的反应腔,反应腔上设置有氯气进气口和清扫进气口,氯气进气口与氯气储存瓶联通,清扫进气口与吹扫系统连通,反应腔上还设置有出气口,该出气口连接有过滤器,过滤器包括箱体,箱体上设置有分隔板,分隔板将箱体分隔成为进气腔室和出气腔室,分隔板上设置有连通孔,分隔板上位于进气腔室内固定有滤芯组件,出气腔室上设置有排气口且内部固定有抽气风机,滤芯组件的内腔与连通孔相互连通,所述进气腔室上设置有补气口,该补气口与补气冷却系统相互连通。该清理装置能够对反应腔进行在线清理,从而减少停机次数,提高生产效率,保证产品的一致性。

于此描述用于外延腔室的热屏蔽组件。所述热屏蔽组件具有热屏蔽构件及预热构件。热屏蔽构件设置于预热构件上。热屏蔽构件具有切口部分,所述切口部分暴露预热构件的一部分。预热构件具有凹陷部分以接收热屏蔽构件。

本发明属于半导体材料技术领域。本发明公开了一种尾气中镓源回收装置,回收装置包括腔体及设于腔体内的回收容器；腔体内壁顶面为弧形；回收装置内部的温度为300-800℃；本发明还公开了一种尾气处理装置及HVPE反应器。HVPE反应后尾气经过本发明中的尾气中镓源回收装置处理后,能够富集尾气中的镓源,并进行回收,同时回收后的镓源中不含有氯化铵等杂质或含有极少杂质。本发明中的尾气处理装置能够很好的分离尾气中的镓源和氯化铵等杂质,实现尾气中高纯镓源的回收。本发明中的HVPE反应器具有镓源回收装置,能够很好的回收HVPE反应中进入尾气中的镓源,提高原料的使用率,降低生产成本。

本发明涉及GaN制备相关技术领域,且公开了一种用于气相外延反应腔结构的自公转基座,包括基板支架和内嵌基板,所述内嵌基板设置在基板支架的内侧,内嵌基板的表面环形阵列开设有多个嵌入开口。该用于气相外延反应腔结构的自公转基座,工艺气体通过空腔基板主体与嵌入开口内侧壁之间缝隙溢出时,环形阻流坡能够有效阻止工艺气体垂直向下的溢出,而环形阻流槽的设置对向下垂直溢出回流的工艺气体进行阻流,同时环形限流坡和环形限位槽的设置,进一步的减少溢出回流气体通过环形嵌入圈和环形嵌入槽之间的缝隙导出,在保障结构之间配合活动稳定的前提下,最大限度的减少工艺气体的溢出,从而有效保障工艺气体的供给反应效率。

本发明提供了外延生长装置,其特征在于包括反应腔室和真空锁,反应腔室具有若干个加热器排列成圆圈,反应腔室具有进气和排气通路,反应腔室还设有分隔装置能够喷出气体来屏蔽每个加热器,反应腔室还设有晶圆装卸器装卸加热器上的晶圆；真空锁中具有晶圆匣用于运送晶圆。本发明提高了外延工艺的产能通量。

本发明涉及GaN制备技术领域,且公开了一种防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构,包括安装基板和沉积底座,所述安装基板的底部表面以其中心为圆心由内向外安装有多个用于隔离气体的环形导流圈,安装基板的底部表面中心处安装有混合导流圈,混合导流圈的内腔中心处安装有多个用于工艺气体导流的隔离圈,所述安装基板的底部表面中心处通过连接杆安装有混流挡板。该防止工艺气体回流的气相外延反应腔结构,未沉积的工艺气体呈辐射状扩散在工艺气体回流区内回流,隔离气体气膜层对未沉积的工艺气体进行引导回收,从而有效的降低工艺气体回流对设备表面产生腐蚀,降低或避免回流工艺气体对沉积的GaN材料成长的影响。

本发明公开了一种半导体腔室的进排气结构和半导体腔室,其中进排气结构设置于半导体腔室的上下盖之间,其特征在于,进排气结构包括：环形主体和朝向半导体腔室内部延伸设置的环形支撑部,其中,环形支撑部的内缘用于承载半导体腔室的预热环,且环形支撑部的上方为上腔室,环形支撑部的下方为下腔室；环形主体具有向上腔室通气的进气通道以及将上腔室气体排出的排气通道；环形支撑部靠近排气通道的一侧具有连通上腔室和下腔室的纵向贯穿孔,下腔室中的气体经纵向贯穿孔沿排气通道排出。本发明纵向贯通孔与排气通道距离更近,压力更低,下腔室的氢气会趋向于流向压力更低的纵向贯通孔,避免出现下腔室的氢气与工艺气体碰撞产生紊流的情况。

本发明提供一种排气装置,用于连接半导体设备中的工艺腔室和排气管路,排气装置包括排气腔体、加热组件和阻挡部件,排气腔体两端分别设有进气口和排气口,进气口能够与工艺腔室连通,排气口能够与排气管路连通,阻挡部件设置在排气腔体内,且阻挡部件位于进气口和排气口之间,用于对流经排气腔体的部分气体进行阻挡；加热组件与阻挡部件连接,用于对阻挡部件进行加热,以对流经排气腔体的气体进行加热。本发明提供的排气装置及半导体设备,能够降低半导体工艺中晶圆受污染的概率,改善半导体工艺结果,提高产品良率。

本发明涉及化学气相沉积技术领域,特别涉及一种基于气流系统结构控制金刚石沉积速率的方法,包括步骤如下：步骤一：加工反应腔室；步骤二：加工钼托；步骤三：放置钼托；步骤四：抽真空处理；步骤五：维持反应气压,激发等离子体；步骤六；调节气体流量上升反应气压,控制基底温度；步骤七；控制气体流量比例,保持反应气压稳定；步骤八：维持气体流量比例,持续进行金刚石沉积生长；步骤九：调节气体流量降低反应气压,直至关机。采用具有一定的角度空气气体的进入,搭建气流系统结构,气体能够从钼托周围附近流过,使得钼托周围的气体分子数量增加,离解出更多的可供于金刚石生长的活性基团。