本公开公开了一种外延托盘及外延托盘应用的发光二极管外延片制备方法,属于外延生长技术领域。外延托盘具有圆形凹槽,在圆形凹槽的底面增加多个延伸至外延托盘的另一端的孔洞。将衬底放置在圆形凹槽内,反应腔压力大于外延托盘的孔洞内的压力,压差作用下,衬底会吸附在孔洞上,减小衬底位置出现偏离的可能。衬底被孔洞的吸附力吸附在圆形凹槽的中部,抵消离心力对衬底的影响,减小衬底的外周壁与圆形凹槽的侧壁直接接触的可能性。衬底主要是端面与圆形凹槽的底面相接触,衬底的端面接收的热量与衬底本身的温度较为均匀,因此在衬底各处生长的外延材料也较为均匀,可以提高得到的外延片的质量与均匀程度来提高发光均匀度。

本发明涉及一种碳化硅外延生长的控制方法,包括将衬底置于封闭腔室,通入碳源和硅源,在所述衬底表面生长外延层,定义所述碳源的流量初始值为asccm,结束值为b sccm；所述硅源的流量初始值为a＇sccm,结束值为b＇sccm,当所述碳源的流量为b sccm,并且所述硅源的流量为b＇sccm时开始所述外延层的生长；则在T s内分k段,将所述碳源的流量由a sccm变化至b sccm,同时在T s内分k＇段将所述硅源的流量由a＇sccm变化至b＇sccm,所述碳源和所述硅源的流量变化使用分段式控制法,与常规线性缓变变化相比,该方法有利于提高外延表面质量,同时可以生长出更薄厚度的过渡层,提高外延长层的厚度精度。

一种形貌可控的单层六方氮化硼生长方法,涉及二维材料合成领域；包括以下步骤：S1,将金属箔作为生长基底置于支撑材料上,然后将载有金属箔的支撑材料放入化学气相沉积装置的反应区中；S2,将含有氮源和硼源的前驱体置于化学气相沉积装置的上游区,所述上游区位于所述反应区之沿载气流动方向的上游方向；S3,通入载气,加热反应区,直至金属箔呈完全熔融状态,然后加热所述上游区,上游区的温度为75～90℃,进行化学气相沉积反应5～40min,冷却,得到六方氮化硼二维材料。采用熔融金属表面作为二维六方氮化硼的生长基底,具有成核均匀,生长快速等优点；通过控制前驱体的加热温度,在熔融铜表面上获得高质量的形状可控的六方氮化硼晶畴。

一种M形同轴天线915MHz微波等离子体化学气相沉积装置。包括微波入口、上圆柱谐振腔、真空石英环、M形同轴天线、下圆柱谐振腔、测温窗口、第二调谐结构、排气口、第一调谐结构、沉积台、衬底、等离子体区、进气口、偏压电极。M形同轴天线的M形顶角对微波具有强汇聚作用,可提高微波耦合效率,并强化电场和等离子体强度。真空石英环置于M形同轴天线顶部。M形同轴天线底部中心放置偏压电极,偏压电极无需从M形同轴天线底部进一步突出就可形成强偏压电场,避免偏压电极伸出影响微波耦合；沉积台、第一调谐结构、第二调谐结构均可上下运动,调谐电场和等离子体。本装置主要用于制备单晶金刚石和多晶金刚石膜,可实现高功率、高或低腔压下单一等离子体高效沉积。

本发明公开了一种镀膜方法,包括以下步骤：向工艺腔室内输入待镀膜工件；对所述工艺腔室内的待镀膜工件进行预热,预热过程中采用氩等离子体对所述工艺腔室的内壁进行预清洗处理,以减少工艺腔室内镀膜颗粒污染；将经过预清洗处理后的所述工艺腔室抽至镀膜所需的底压,在所述工艺腔室内对待镀膜工件进行镀膜。在镀膜工艺前,采用氩等离子体对所述工艺腔室的内壁进行预清洗处理,可以使工艺腔室内壁较为松动的薄膜提前脱落,留下附着力良好的薄膜,进而大幅度降低镀膜工艺过程中的膜颗粒的掉落风险；而且,氩等离子处理过程中对工艺腔室有一定的升温作用,可缩短待镀膜工件在工艺腔室中的加热过程,不会影响生产效率。

本发明公开了制备钙钛矿膜层的系统和方法及其应用,所述系统包括：近空间升华设备、气相输送设备和基片退火设备,其中,所述近空间升华设备包括第一准备腔室、近空间升华腔室和第一出片腔室；所述气相输送设备包括第二准备腔室、气相反应腔室、第二出片腔室和气相输送腔室。采用该系统制备钙钛矿膜层不依赖基底的平整度,可在绒面基底上或具有较大粗糙度的基底上制备大面积均匀的钙钛矿膜层,同时采用该系统可以同时掺杂有机成分和无机成分,并且可以实现各组分含量的精确掺杂,钙钛矿膜层的晶体纯度高且形貌可控,从而显著提高钙钛矿太阳能电池的稳定性和电性能。

本发明提供了外延生长装置,其特征在于包括反应腔室和真空锁,反应腔室具有若干个加热器排列成圆圈,反应腔室具有进气和排气通路,反应腔室还设有分隔装置能够喷出气体来屏蔽每个加热器,反应腔室还设有晶圆装卸器装卸加热器上的晶圆；真空锁中具有晶圆匣用于运送晶圆。本发明提高了外延工艺的产能通量。

本发明涉及化学气相沉积技术领域,特别涉及一种基于气流系统结构控制金刚石沉积速率的方法,包括步骤如下：步骤一：加工反应腔室；步骤二：加工钼托；步骤三：放置钼托；步骤四：抽真空处理；步骤五：维持反应气压,激发等离子体；步骤六；调节气体流量上升反应气压,控制基底温度；步骤七；控制气体流量比例,保持反应气压稳定；步骤八：维持气体流量比例,持续进行金刚石沉积生长；步骤九：调节气体流量降低反应气压,直至关机。采用具有一定的角度空气气体的进入,搭建气流系统结构,气体能够从钼托周围附近流过,使得钼托周围的气体分子数量增加,离解出更多的可供于金刚石生长的活性基团。