公开了声波谐振器器件和滤波器。压电板附接到基板,压电板的一部分形成横跨基板中的空腔的隔膜。第一导体图案,在压电板的表面上形成。第一导体图案包括布置在隔膜上的叉指换能器的交错指状物,以及第一多个接触焊盘。第二导体图案,在基部的表面上形成,第二导体图案包括第二多个接触焊盘。第一多个接触焊盘中的每个焊盘直接接合到第二多个接触焊盘中的相应焊盘。在压电板的周边和基部的周边之间形成环形密封。

本申请人提供一种复合单晶压电基板及其制备方法,所述复合单晶压电基板由底至顶依次包括高声阻衬底层(1)、低声阻层(2)、缓冲层(3)和单晶压电层(4),其中,所述低声阻层(2)孔隙率为8×10～(19)～1×10～(22)H atoms/cm～(3),常温下对水的扩散大于3×10～(-17)cm～(2)/s,从而使键合所生成的水能够被所述低声阻层(2)吸收,或者,沿所述低声阻层(2)的疏松结构逸出所述复合单晶压电基板,从而减少甚至消除在高声阻衬底层(1)与低声阻层(2)之间的界面形成空洞等缺陷,所述方法能够方便地制备获得具有预设结构的复合单晶压电基板。

本发明公开了一种声表面波器件,包括：压电基板；叉指换能器,设置在所述压电基板上；桥结构,设置在所述压电基板上且其内侧在所述叉指换能器上方形成空腔；电感,其设置在所述桥结构梁部之中、外侧或内侧；所述电感位于所述叉指换能器的上方。本发明还公开了一种声表面波器件制造方法。本发明中采用在前道工序中直接制作电感,降低了声表面波器件的封装成本,为后道工序提供了更多的选择。

本发明公开了一种压电复合薄膜及其制备方法,压电复合薄膜具体包括依次叠加的衬底层、低声阻层以及压电层,其中,低声阻层中掺有一定含量的氯离子,氯离子均匀分布在低声阻层之中或者位于低声阻层中的局部区域。本发明的技术方案中,加入氯离子能够有效地捕获低声阻层中的可移动的碱金属离子,形成中性的氯化物,避免低声阻层中的碱金属离子对声表面波滤波器激发的电磁场造成影响,保证声表面波滤波器的稳定性。

本发明着重于通过使用机械声学结构和连接电路系统产生热辐射器来使滤波器芯片上的热斑最小。金属与晶圆的关系逐渐增加,以提供更好的热耗散和热消散。优选地,SAW谐振器(RS1、RS2、RS3)的阶梯型布置的分流线包括加宽段(BBCN)。串联信号线中彼此相继布置的每两个串联谐振器(RS1、RS2、RS3)经由在该后续串联谐振器的整个长度上延伸的公共母线(BBCN)连接,公共母线的横向延伸代表每个相应分流线的第一部分,节点与分流线(SLS1)的并联谐振器(RP1,RP2)之间的每个第一分流线部分包括比公共母线更宽的加宽段(BS),加宽段在并联谐振器(RP1)的整个宽度上延伸,面对横向相邻的串联谐振器的并联谐振器的第一反射器(REF1)由加宽段(BS)形成。

本发明提供一种声表面波谐振器及其制作方法,该声表面波谐振器包括：压电层；第一金属膜层,第一金属膜层位于压电层的一侧,其中,第一金属膜层包括叉指式换能器和信号传输器,信号传输器与叉指式换能器连接；第一温度补偿膜层,第一温度补偿膜层位于叉指式换能器的远离压电层的一侧,第一温度补偿膜层覆盖叉指式换能器,且第一温度补偿膜层不覆盖信号传输器；阻挡层,阻挡层位于第一温度补偿膜层远离压电层的一侧,阻挡层覆盖第一温度补偿膜层,且阻挡层不覆盖信号传输器。本发明实施例提供的声表面波谐振器及其制作方法,能够实现声表面波滤波器的零温度系数,从而使声表面波滤波器的在全温范围下稳定工作。