具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明实施例作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明实施例，而非对本发明实施例的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明实施例相关的部分而非全部结构。

图1为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图1，该声表面波谐振器包括压电层110；第一金属膜层120，第一金属膜层120位于压电层110的一侧，其中，第一金属膜层120包括叉指式换能器121和信号传输器122，信号传输器122与叉指式换能器121连接；第一温度补偿膜层130，第一温度补偿膜层130位于叉指式换能器121的远离压电层110的一侧，第一温度补偿膜层130覆盖叉指式换能器121，且第一温度补偿膜层130不覆盖信号传输器122；阻挡层140，阻挡层140位于第一温度补偿膜层130远离压电层110的一侧，阻挡层140覆盖第一温度补偿膜层130，且阻挡层140不覆盖信号传输器122；第二温度补偿膜层150，第二温度补偿膜层150位于阻挡层140远离压电层110的一侧，第二温度补偿膜层150覆盖阻挡层140，且第二温度补偿膜层150不覆盖信号传输器122；第二金属膜层160，第二金属膜160层位于信号传输器122远离压电层110一侧，第二金属膜层160覆盖信号传输器122。

具体的，压电层110的材料可以是钽酸锂、铌酸锂或者石英等。第一金属膜层120的材料包括钛、铬、铜、银、铝、铂或者它们的组合。第二金属膜层160的材料也包括钛、铬、铜、银、铝、铂或者它们的组合。第一温度补偿膜层130包括具有正的温度系数的材料，第一温度补偿膜层130的材料可以是氟氧化硅，阻挡层140用于防止第一温度补偿膜层130中部分元素的迁移，示例性的，当第一温度补偿膜层130的材料是氟氧化硅时，阻挡层140可以阻挡氟元素的迁移，从而保证第一温度补偿膜层130可以正常工作。第二温度补偿膜层150的材料包括二氧化硅或者二氧化锗，第二温度补偿膜层150既可起到温度补偿的作用，又可用于调节声表面波谐振器的带宽，由于声表面波滤波器包括声表面波谐振器，因此，也达到提升声表面波滤波器的一致性和降低温度系数的目的，图2为本发明实施例提供的声表面波谐振器的实测结果图，参考图2，图2中的纵坐标表示导纳幅值，图2中的横坐标表示频率，从图2可以得出，本实施例提供的声表面波谐振器的相对带宽达到4.2％，且从图2可以看出，本实施例提供的声表面波谐振器通带内曲线光滑，无任何的杂波模式。图3为本发明实施例提供的声表面波谐振器在不同占空比下与实测谐振器相对带宽的关系图，参考图3，当占空比在0.5以上时，本实施例提供的声表面波谐振器的相对带宽大于4％，比常规声表面波谐振器的带宽大，实现了更大的带宽。信号传输器122分别与叉指式换能器121和第二金属膜层160连接，用于将叉指式换能器121检测的信息传递至第二金属膜层160，第二金属膜层160再将信息传递到其他设备中。图4为本发明实施例提供的声表面波谐振器的在不同占空比下的温度系数实测值图，参考图4，声表面波谐振器的占空比在0.4～0.55的范围内时，本实施例提供的声表面波谐振器的温度系数在-6～+8ppm/K的范围内，相比于传统的温度补偿型声表面波滤波器的温度系数在-15ppm/K～-25ppm/K范围内，本实施例提供的声表面波谐振器的温度系数能够达到0，从而确保包括本发明实施例提供的声表面波谐振器的声表面波滤波器的温度系数达到0。本实施例提供的声表面波谐振器可以在更大的温度范围内正常工作，从而降低声表面波滤波器对温度的依赖性。

本发明实施例提供一种声表面波谐振器，通过在第一金属膜层远离压电层的一侧设置第一温度补偿膜层，能够提高声表面波谐振器的温度耐受性，使声表面波谐振器在更大范围内的温度下工作，通过在第一温度补偿膜层远离压电层的一侧覆盖有阻挡层，阻挡层能够阻挡第一温度补偿膜层中部分元素的迁移，从而提高第一温度补偿膜层的稳定性，在阻挡层远离第一温度补偿膜层的一侧设置第二温度补偿膜层，可以进一步降低声表面波谐振器的温度系数，最终实现零温度系数。设置信号传输器与叉指式换能器连接且设置第二金属膜层覆盖信号传输器使信号传输器接收到叉指式换能器检测的信息后通过第二金属膜层传递到其他设备中。由于滤波器由谐振器组成，因此，本发明实施例提供的声表面波谐振器，能够实现声表面波滤波器的零温度系数，从而使声表面波滤波器的在全温范围下稳定工作。

可选的，继续参考图1，该声表面波谐振器还包括第一介质层170，第一介质层170位于叉指式换能器121的远离压电层110的一侧，第一介质层170覆盖叉指式换能器121，且第一介质层170不覆盖信号传输器122；第二介质层180，第二介质层180位于第一介质层170与第一温度补偿膜层130之间，第二介质层180覆盖第一介质层170，且第二介质层180不覆盖信号传输器122；第三介质层190，第三介质层190位于第二温度补偿膜层150远离压电层110的一侧，第三介质层190覆盖第二温度补偿膜层150，且第三介质层190不覆盖第二金属膜层160。

具体的，第一介质层170与第二介质层180的设置，提高了本实施例提供的声表面波谐振器的功率耐受性，也提高了包括本发明实施例提供的声表面波谐振器的滤波器的功率耐受性，防止声表面波滤波器因功率较大而被烧坏，从而进一步延长声表面波滤波器的使用寿命，此外，第一介质层170和第二介质层180也用于防止第一温度补偿膜层130中部分元素的迁移，示例性的，当第一温度补偿膜层130的材料是氟氧化硅时，第一介质层170和第二介质层180可以阻挡氟元素的迁移，从而保证第一温度补偿膜层130可以正常工作。第三介质层190的材料可以是氮化硅，第三介质层190用于保护第二温度补偿膜层150不易受空气中的水分的影响，第三介质层190还用于调节声表面波谐振器的工作频率，从而提升产品的良率。

可选的，继续参考图1，第一温度补偿膜层130的材料包括氟氧化硅；第一温度补偿膜层130的最大厚度h包括0.5～1μm。

具体的，第一温度补偿膜层130最大厚度表示第一温度补偿膜层130远离压电层110的表面到邻近压电层110的表面的最大距离h，设置第一温度补偿膜层130的材料为氟氧化硅及将第一温度补偿膜层130的最大厚度h设置在0.5～1μm范围内，可以提高声表面波谐振器温度耐受性，进一步提高声表面波滤波器的温度耐受性。

可选的，第一介质层的材料包括二氧化硅，第一介质层的厚度包括10～50nm；第二介质层的材料包括二氧化硅、二氧化锗或三氧化二铝，第二介质层的厚度包括10～50nm。

具体的，将第一介质层的厚度控制在10～50nm，将第二介质层的厚度控制10～50nm，以及设置第一介质层选取的材料包括二氧化硅，设置第二介质层的材料包括二氧化硅、二氧化锗或三氧化二铝，可以提高本实施例提供的声表面波谐振器的功率耐受性，也提高了包括本发明实施例提供的声表面波谐振器的滤波器的功率耐受性，防止声表面波滤波器功率较大而被烧坏，从而进一步延长声表面波滤波器的使用寿命，也可以使第一介质层和第二介质层防止第一温度补偿膜层中部分元素的迁移，示例性的，当第一温度补偿膜层的材料是氟氧化硅时，第一介质层和第二介质层可以阻挡氟元素的迁移，从而保证第一温度补偿膜层可以正常工作。

可选的，压电层的厚度包括0.1～0.15mm。

具体的，设置压电层的厚度在0.1～0.15mm的范围内，可以减小声表面波谐振器的体积，使声表面波谐振器向小型化发展。

可选的，阻挡层的材料包括三氧化二铝；阻挡层的厚度包括10～50nm。

具体的，三氧化二铝是一种稳定氧化物，具有很好的密闭性，能够防止第一温度补偿膜层部分元素的迁移，另外，三氧化二铝的成本低，材料易于获取，能够降低声表面波谐振器的制作成本，进而降低声表面波滤波器的制作成本。

图5为本发明实施例提供的一种声表面波谐振器的制作方法的流程示意图，参考图5，本实施例提供的声表面波谐振器的制作方法包括：

S210、提供一压电层。

S220、在压电层一侧形成第一金属膜层，其中，第一金属膜层包括叉指式换能器和信号传输器，信号传输器与叉指式换能器连接。

S230、在第一金属膜层远离压电层的一侧依次形成第一温度补偿膜层、阻挡层和第二温度补偿膜层；其中，第一温度补偿膜层覆盖叉指式换能器，阻挡层覆盖温度补偿层，第二温度补偿膜层覆盖阻挡层，且第一温度补偿膜层、阻挡层以及第二温度补偿膜层均不覆盖信号传输器。

S240、在信号传输器远离压电层一侧形成第二金属膜层，第二金属膜层覆盖信号传输器。

可选的，在第一金属膜层远离压电层的一侧依次形成第一温度补偿膜层、阻挡层和第二温度补偿膜层包括：在第一金属膜层远离压电层的一侧形成第一温度补偿过渡膜层；在第一温度补偿过渡膜层远离压电层的一侧形成阻挡过渡层；在阻挡过渡层远离压电层的一侧形成第二温度补偿过渡膜层；刻蚀第二温度补偿过渡膜层、阻挡过渡层和第一温度补偿过渡膜层直到信号传输器远离压电层的表面全部裸露，其中，刻蚀后的第二温度补偿过渡膜层为第二温度补偿膜层、刻蚀后的阻挡过渡层为阻挡层以及刻蚀后的第一温度补偿过渡膜层为第一温度补偿膜层。

可选的，在第一金属膜层远离压电层的一侧形成第一温度补偿过渡膜层具体包括：向真空腔室内输入混合气体形成温度补偿材料膜层，其中，混合气体包括Ar、SiH₄、Sif₄和N₂O；对温度补偿材料膜层进行机械化学抛光，使机械化学抛光后的温度补偿材料膜层远离压电层的表面平齐，形成第一温度补偿过渡膜层。

可选的，在第一金属膜层远离压电层的一侧形成第一温度补偿过渡膜层之前还包括：在第一金属膜层远离压电层的一侧形成第一介质过渡层；在第一介质过渡层远离压电层的一侧形成第二介质过渡层；在第一金属膜层远离压电层的一侧形成第一温度补偿过渡膜层包括：在第二介质过渡层远离压电层的一侧形成第一温度补偿过渡膜层；刻蚀第二温度补偿过渡膜层、阻挡过渡层和第一温度补偿过渡膜层直到信号传输器远离压电层的表面全部裸露具体包括：刻蚀第一介质过渡层、第二介质过渡层、第二温度补偿过渡膜层、阻挡过渡层和第一温度补偿过渡膜层直到信号传输器远离压电层的表面全部裸露，其中，刻蚀后的第一介质过渡层为第一介质层，刻蚀后的第二介质过渡层为第二介质层；在信号传输器远离压电层的一侧形成第二金属膜层之后还包括：在第二温度补偿膜层远离压电层的一侧形成第三介质过渡层；刻蚀第三介质过渡层，直到第二金属膜层远离信号传输器的表面全部裸露，其中，刻蚀后的第三介质过渡层为第三介质层。

需要说明的是，上述实施例提供的声表面波谐振器的制作方法是在压电层的一侧制作第一金属膜层、第一介质层、第二介质层、第一温度补偿膜层、阻挡层、第二温度补偿膜层、第二金属膜层以及第三介质层形成本发明实施例提供的声表面波谐振器，为了制作出性能更好的声表面波谐振器，可以通过压电过渡层代替压电层实现声表面波谐振器的制作，在下述实施例中，以压电过渡层代替压电层为例进行详细说明。

提供一压电过渡层。图6为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图6，在压电过渡层111一侧形成第一金属膜层之前，需要在压电过渡层111一侧涂覆一层第一光刻胶层210，第一光刻胶层210用于防止其他污染物污染压电过渡层111的表面。图7为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图7，在压电过渡层111远离第一光刻胶层的一侧制作金属反射层220，然后去除第一光刻胶层。图8为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图8，在压电过渡层111远离金属反射层220的一侧涂覆第二光刻胶层，对第二光刻胶层进行曝光、烘烤、显影及坚膜形成第一光刻胶图案层230，第一光刻胶图案层230包括多个第一光刻胶图案231，每一第一光刻胶图案231的侧面与第一光刻胶图案231靠近压电过渡层111表面的夹角θ大于90°。图9为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图9，在压电过渡层111及第一光刻胶图案层上沉积金属材料，去除第一光刻胶图案层及第一光刻胶图案层表面的金属材料，形成第一金属膜层120。金属反射层220具有不透光的特性，将金属反射层220设置在压电过渡层111的一侧，在压电过渡层111远离金属反射层220的一侧形成第一光刻胶图案层时，可以提高光刻的精确度，防止因压电过渡层111透光而影响刻蚀效果。图10为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图10，在第一金属膜层120远离压电过渡层111的一侧采用等离子体增强化学的气相沉积法形成第一介质过渡层171。图11为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图11，在第一介质过渡层171远离压电过渡层111的一侧采用等离子体增强化学的气相沉积法形成第二介质过渡层181。图12为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图12，在第二介质过渡层181远离压电过渡层111的一侧形成温度补偿材料膜层131，形成温度补偿材料膜层131具体包括：控制腔室内的温度为250℃，控制镀膜机的功率在130～280W范围内，控制腔室内的压力为1.4Torr，向腔室内输入的Ar流量在375～1000sccm范围内，向腔室内输入的SiH₄的流量包括10sccm，向腔室内输入的SiF₄的流量包括40sccm，向腔室内输入的N₂O流量在300～1000sccm范围内，通过控制镀膜温度，功率，压力，以及Ar、SiH₄、Sif₄、N₂O等气体的流量比，从而控制温度补偿材料膜层131的应力，防止温度补偿材料膜层131应力过大造成压电过渡层111的形变，也可以控制氟氧化硅中氟的含量，氟含量比例不宜过高，优选在2％～4％区间。图13为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图13，采用机械化学抛光的方法对温度补偿材料膜层进行平坦化减薄处理，形成第一温度补偿过渡膜层132。图14为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图14，在第一温度补偿过渡膜层132远离压电过渡层111的一侧形成阻挡过渡层141。图15为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图15，在阻挡过渡层141远离压电过渡层111的一侧形成第二温度补偿过渡膜层151。图16为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图16，在第二温度补偿过渡膜层远离压电过渡层111的一侧形成第三光刻胶层，对第三光刻胶层进行掩膜、曝光及显影形成第二光刻胶图案层，刻蚀第一介质过渡层、第二介质过渡层、第二温度补偿过渡膜层、阻挡过渡层和第一温度补偿过渡膜层直到信号传输器远离压电过渡层的表面全部裸露，图16表示形成第一介质层170、第二介质层180、第二温度补偿膜层150、阻挡层140及第一温度补偿膜层130的声表面波谐振器的结构示意图。图17为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图17，在信号传输器122远离压电过渡层111的一侧形成第二金属膜层160，第二金属膜层160覆盖信号传输器122，第二金属膜层160远离压电过渡层111的表面可以与第二温度补偿膜层150远离压电过渡层111的表面平齐。图18为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图18，在第二温度补偿膜层150远离压电过渡层111的一侧形成第三介质过渡层191。图19为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图19，刻蚀第三介质过渡层，直到第二金属膜层160远离信号传输器122的表面全部裸露，刻蚀后的第三介质过渡层为第三介质层190。图20为本发明实施例提供的又一种声表面波谐振器的结构示意图，参考图20，去除金属反射层。继续参考图1，对压电过渡层进行减薄处理，形成压电层110，图1可以表示对压电过渡层进行减薄处理后的声表面波谐振器的结构示意图。

本实施例提供的声表面波谐振器的制作方法与本发明任意实施例提供的声表面波谐振器属于相同的发明构思，具有相应的有益效果，未在本实施例详尽的技术细节，详尽本发明任意实施例提供的声表面波谐振器。

注意，上述仅为本发明实施例的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明实施例不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明实施例的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明实施例进行了较为详细的说明，但是本发明实施例不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明实施例构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明实施例的范围由所附的权利要求范围决定。