本发明涉及一种降噪的5032 SMD型温补晶体振荡器基座及其使用方法,该基座适用于5032 SMD型温补晶振,使用该基座研制的5032型温补晶振具有超低相位噪声。该基座改变行业内通用的选用5032晶体谐振器组装在TCXO基座上的5032TCXO结构形式。选用3225晶体谐振器安装在TCXO基座中间,且TCXO基座内部增加四根引线引至基座上的4个焊盘,用于焊接2颗滤波电容,从而对两路补偿电压进行滤波,有效降低TCXO产品的相位噪声。使用该基座研制的5032型温补晶体振荡器具有以下优点：1)超低相位噪声：-150dBc/Hz@1kHz(20MHz产品),2)该产品生产过程没有新增工艺过程和工序,便于大批量生产,具有极高的推广价值。

本发明提供一种滤波器及包括滤波器的前端模块,所述滤波器可包括：一个或更多个串联单元；及分路单元,设置在所述一个或更多个串联单元与地之间。所述一个或更多个串联单元包括选择性地操作的多个串联谐振器,所述多个串联谐振器中的每个包括薄膜体声波谐振器。

本公开提供了一种用于双工器的封装基板。双工器包括用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器。根据本公开的封装基板包括：用于形成第一电感器的第一子基板；用于形成第二电感器的第二子基板；以及用于支承第一子基板和第二子基板的支承子基板。根据本公开的实施方式,通过在不同的子基板上制造用于发射端的第一电感器和用于接收端的第二电感器,可以减小第一电感器和第二电感器之间的相互干扰,从而提高隔离度。

提供了一种具有增加带宽的RF滤波器。该滤波器包括半格型拓扑结构和移相器(PS),该移相器包括并联支路中的电感耦合电感元件,该并联支路与滤波器的第一端口(P1)和第二端口(P2)之间的信号路径(SP)的第一分段(S1)平行。

提供一种弹性波装置及复合滤波器装置,能够充分地抑制谐振频率的2.2倍的频率下的高阶模式。本发明的弹性波装置(1)具备面取向为(111)的硅基板(2)、氮化硅层(3)、氧化硅层(4)、钽酸锂层(5)、以及设置在钽酸锂层(5)上的IDT电极(6)。在将由IDT电极(6)的电极指间距规定的波长设为λ时,氮化硅层(3)的厚度SiN[λ]、氧化硅层(4)的厚度SiO2[λ]、钽酸锂层(5)的厚度LT[λ]及钽酸锂层(5)的欧拉角中的LTθ[deg.]为通过式1导出的第一高阶模式的相位成为-20[deg.]以下的范围内的厚度及角度。

本发明提供一种声波谐振器及其制备方法,所述声波谐振器包括：支撑衬底；压电层,形成于所述支撑衬底的上表面,其中所述压电层包括贯通槽、边缘支撑结构、接合臂及N个有效压电结构；N个底电极,形成于N个所述有效压电结构和所述支撑衬底之间,并通过底电极连通结构相互连通；N个顶电极,形成于N个所述有效压电结构的上表面,并通过N个顶电极引出结构一一引出。其中,N为大于等于2的正整数。通过本发明提供的声波谐振器及其制备方法,解决了现有技术中横纵电场激发产生杂波的问题以及声波谐振器频率调节的问题。

本公开提供了一种体声波谐振器,所述体声波谐振器包括：第一电极,设置在基板上方；压电层,设置为覆盖所述第一电极的至少一部分；以及第二电极,设置为覆盖所述压电层的至少一部分。在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极全部设置为彼此叠置的有效区域中,在所述第一电极、所述压电层和所述第二电极中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合中形成至少一个台阶。

本发明着重于通过使用机械声学结构和连接电路系统产生热辐射器来使滤波器芯片上的热斑最小。金属与晶圆的关系逐渐增加,以提供更好的热耗散和热消散。优选地,SAW谐振器(RS1、RS2、RS3)的阶梯型布置的分流线包括加宽段(BBCN)。串联信号线中彼此相继布置的每两个串联谐振器(RS1、RS2、RS3)经由在该后续串联谐振器的整个长度上延伸的公共母线(BBCN)连接,公共母线的横向延伸代表每个相应分流线的第一部分,节点与分流线(SLS1)的并联谐振器(RP1,RP2)之间的每个第一分流线部分包括比公共母线更宽的加宽段(BS),加宽段在并联谐振器(RP1)的整个宽度上延伸,面对横向相邻的串联谐振器的并联谐振器的第一反射器(REF1)由加宽段(BS)形成。

本发明涉及水晶振动元件、以及具备该水晶振动元件的水晶振子。具备：水晶片(11),其具有规定的结晶方位且在俯视时具有第一方向以及第二方向；以及激励电极(14a、14b),其分别设置在水晶片(11)的表背面以便在施加交变电场时对水晶片(11)激励厚度剪切振动,水晶片(11)中的以厚度剪切振动为主要振动的振动分布具有在水晶片(11)的第二方向上呈带状地延伸的振动区域(40)、和在水晶片(11)的第一方向上分别与振动区域(40)的两侧邻接的非振动区域(50)。

本公开的各方面涉及一种带通滤波器,其包括在输入端子和输出端子处具有两个匹配电感器的全晶格布置中的四个BAW谐振器。本公开的另外方面涉及将BAW滤波器芯片与嵌入式3D电感器组合。通过将正面和背面RDL(960、970、980；1667、1675)与过模具通孔、TMV(930)、或过基板通孔(1630)进行组合来将3D电感器嵌入模具(850)或载体基板(1610)中。BAW芯片与TMV电感器位于同一模具中,或位于包含TSV电感器的载体基板上。