具体实施方式

以下，对本发明的优选方式进行说明。

另外，在本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指将记载于“～”的前后的数值作为下限值及上限值而包含的范围。

并且，在本说明书中，“有机膜”(后述的第1有机膜～第3有机膜)是指包含碳原子的膜，可以包含除碳原子以外的杂原子(例如，硅原子、氮原子、氧原子等)。

作为本发明的导电性层叠体的特征点，可以举出使用含水率低的有机膜这一点。在本发明中，通过用含水率低的有机膜包围包括粘附层及金属导电层的金属细线，粘附层与金属导电层的剥离得到抑制，从而断线得到抑制。

＜第1实施方式＞

以下，参考附图对本发明的导电性层叠体的第1实施方式进行说明。在图1中示出本发明的导电性层叠体的第1实施方式的剖视图。

导电性层叠体10A包括第1有机膜12、金属细线14A及第2有机膜16。金属细线14A从第1有机膜12侧依次包括黑化层20、粘附层22及金属导电层24。配置于第1有机膜12上的金属细线14A被第2有机膜16覆盖。即，金属细线14A被第1有机膜12及第2有机膜16包围。另外，当将导电性层叠体10A适用于触摸面板时，优选以金属细线14A中的黑化层20配置于比金属导电层24更靠视觉辨认侧的方式，将导电性层叠体10A配置于触摸面板中。

以下，对导电性层叠体10A中所包括的各部件进行详细叙述。

(第1有机膜)

第1有机膜为支撑金属细线的部件之一。

第1有机膜的含水率小于3.00％。其中，在高温环境下静放导电性层叠体时金属细线的断线进一步得到抑制的观点(以下，也简称为“本发明的效果更优异的观点”。)上，优选小于1.00％，更优选0.40％以下。下限并不受特别限制，但0.001％以上的情况较多。

作为上述含水率的测定方法，可以举出如下方法：在温度25℃、湿度50％的环境下，将测定对象物调湿24小时，并通过卡尔·费休法(150℃，气化法)测定含水率。

另外，在本说明书中，“卡尔·费休法(150℃，气化法)”是指按照JIS K0113的记载，使用卡尔·费休水分测定仪在气化温度150℃下利用水分气化法测定水分量。

第1有机膜的厚度并不受特别限制，但在本发明的效果更优异的观点上，优选0.5～5.0μm，更优选1.0～3.0μm。

构成第1有机膜的材料并不受特别限制，只要是满足上述含水率的材料即可，优选树脂。例如，可以举出(甲基)丙烯酸树脂、聚苯乙烯树脂、聚烯烃树脂、氟树脂、聚酰亚胺树脂、氟化聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚醚醚酮树脂、聚碳酸酯树脂及含硅树脂，优选(甲基)丙烯酸树脂或含硅树脂。

另外，(甲基)丙烯酸树脂为包括丙烯酸树脂及甲基丙烯酸树脂这两者的书面语。

并且，含硅树脂是指包含硅原子的有机树脂。作为含硅树脂，例如可以举出具有有机基团的聚硅氮烷及包含硅倍半氧烷结构的有机树脂。

从有机膜中的含水率变得更低的观点考虑，(甲基)丙烯酸树脂优选具有碳环。作为碳环，可以举出环己烷环等脂肪环、以及苯环、萘环、芴环、蒽环及菲环等芳环。

碳环可以为单环，也可以为杂环。

作为碳环，优选苯环或芴环，更优选芴环。

作为能够构成(甲基)丙烯酸树脂中所包含的重复单元的单体，可以举出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯及丙烯酸丁酯等丙烯酸酯、以及甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯及甲基丙烯酸丁酯等甲基丙烯酸酯。

(甲基)丙烯酸树脂可以为(甲基)丙烯酸的一种衍生物的均聚物，也可以为(甲基)丙烯酸的两种以上衍生物的共聚物，还可以为它们与能够与它们共聚的其他单体的共聚物。

在本发明的效果更优异的观点上，(甲基)丙烯酸树脂的重均分子量Mw优选20,000以上，更优选25,000以上，且优选600,000以下，更优选350,000以下。

上述重均分子量(以下，缩写为Mw)设为基于凝胶渗透色谱(GPC)的聚苯乙烯换算的值。作为GPC的具体测定条件，可以举出以下测定条件。

GPC装置：HLC-8320(TOSOH CORPORATION制造)

柱：并用TSK gel SuperHZM-H、TSK gel SuperHZ4000、TSK gel SuperHZ2000(TOSOH CORPORATION制造，4.6mmID(内径)×15.0cm)

洗脱液：四氢呋喃(THF)

作为(甲基)丙烯酸树脂，可以使用通过公知的方法制造的(甲基)丙烯酸树脂，也可以使用市售品。作为市售品，例如可以举出DELPET 60N、80N(Asahi Kasei ChemicalsCorporation制造)、Dianal BR80、BR83、BR85、BR88、BR95、BR110、BR113(MITSUBISHI RAYONCO.,LTD.制造)。

当构成第1有机膜的材料为树脂时，树脂可以具有交联结构。

作为形成具有交联结构的树脂的方法，可以举出使多官能单体固化而得到树脂的方法。

多官能单体所具有的聚合性基团的种类并不受特别限制，可以举出自由基聚合性基团(例如，(甲基)丙烯酰基)及阳离子聚合性基团。

多官能单体所具有的聚合性基团的数量并不受特别限制，但优选2以上，更优选3～6。

当在制造第1有机膜时使用单体时，根据需要可以配合使用聚合引发剂。作为聚合引发剂，可以根据聚合形式选择最佳的引发剂，例如可以举出自由基聚合引发剂及阳离子聚合引发剂。

第1有机膜的形成方法并不受特别限制，可以举出公知的方法。例如，可以举出使用包含规定单体的组合物形成涂膜，并使涂膜固化而形成第1有机膜的方法、涂布包含规定树脂的组合物，根据需要实施干燥处理来形成第1有机膜的方法及使树脂熔融而成型为薄膜状的方法。

(金属细线)

金属细线包括黑化层、粘附层及金属导电层。以下，对各层进行详细叙述。

黑化层为用于抑制光的反射来降低金属细线的可见性的层。

构成黑化层的材料并不受特别限制，能够适用公知的材料。其中，黑化层优选包含：选自包括Mo、Nb、Cr、Ti、W、Ni、Ta、V、Fe、Co、Cu、Sn及Mn的组中的至少一种金属原子，更优选包含：选自包括Mo、Nb、Cr、Ti及W的组中的至少一种金属原子。

黑化层可以包含除上述金属的原子以外的其他原子(例如，碳原子、氧原子、氮原子及氢原子)。

黑化层也可以包含由上述金属原子构成的金属单体或由两种以上的金属原子构成的金属合金。并且，黑化层也可以包含上述金属原子的氧化物、氮化物或氮氧化物。

黑化层的厚度并不受特别限制，但从能够充分抑制光的反射且工业性优异的观点考虑，优选1～100nm，更优选3～30nm。

粘附层为用于确保黑化层与金属导电层之间的粘附性的层。

构成粘附层的材料并不受特别限制，能够适用公知的材料。其中，粘附层优选包含：选自包括Mo、Nb、Cr、Ti、W、Ni、Ta、V、Fe、Co、Cu、Sn及Mn的组中的至少一种金属原子，更优选包含：选自包括Mo、Nb、Cr、Ti及W的组中的至少一种金属原子。

粘附层可以包含除上述金属的原子以外的其他原子(例如，碳原子、氧原子、氮原子及氢原子)。

粘附层也可以包含由上述金属原子构成的金属单体或由两种以上的金属原子构成的金属合金。并且，粘附层也可以包含上述金属原子的氧化物、氮化物或氮氧化物。

从粘附层与黑化层的粘附性变得更良好的观点考虑，黑化层和粘附层优选包含相同的金属原子。

并且，也存在即使粘附层和黑化层的构成成分相同，其功能也会根据密度不同而不同的情况。另外，粘附层及黑化层的密度有时根据形成时的条件(例如，溅射法的条件)而变化。

粘附层的厚度并不受特别限制，但在本发明的效果更优异的观点上，优选1～100nm，更优选20～60nm。

金属导电层为能够对导电性层叠体赋予导电性的部件。

构成金属导电层的材料并不受特别限制，能够适用公知的材料。其中，金属导电层优选包含选择包括Cu、Al、Ag、Pt、Ni及Pd的组中的至少一种金属原子，更优选包含：选自包括Cu、Al及Ag的组中的至少一种金属原子。

金属导电层也可以包含由上述金属原子构成的金属单体或由两种以上的金属原子构成的金属合金。

金属导电层的厚度并不受特别限制，但从导电性的观点考虑，优选10～700nm，更优选100～600nm。

另外，金属细线可以包括除上述黑化层、粘附层及金属导电层以外的层。

例如，金属细线可以在金属导电层的与粘附层侧相反的一侧的表面上包括粘附层及保护层。

配置于金属导电层与保护层之间的粘附层为用于确保两者的粘附的层。作为粘附层的构成，可以举出上述的配置于黑化层与金属导电层之间的粘附层的构成。

保护层为具有保护金属导电层的作用的层。

作为保护层的构成，可以举出与上述黑化层相同的构成。

金属细线的形状并不受特别限制，但优选金属细线的线宽从第1有机膜侧朝向第2有机膜侧逐渐变小的形状(参考图1)。即，金属细线优选具有锥状的剖面形状。当金属细线具有上述形状时，金属细线更不易被视觉辨认。

具有锥状的剖面形状的金属细线的倾斜面与第1有机膜表面所成的角度(图1中的θ1。以下，也称为锥角。)并不受特别限制，但优选60～80°。

并且，黑化层的第1有机膜侧的线宽和金属导电层的第1有机膜侧的线宽可以不同，金属导电层的第1有机膜侧的线宽W2相对于黑化层的第1有机膜侧的线宽W1的比例{(W2/W1)×100(％)}(参考图1)优选90～99.9％。若在上述范围内，则金属细线更不易被视觉辨认。

金属细线的线宽并不受特别限制，优选30μm以下，更优选15μm以下，进一步优选10μm以下，尤其优选9μm以下，最优选7μm以下，且优选0.5μm以上，更优选1.0μm以上。若在上述范围内，则能够形成低电阻且不易被视觉辨认的电极。

另外，上述金属细线的线宽是指金属细线中最大的线宽，在如图1那样具有锥状的剖面形状的金属细线的情况下，黑化层的第1有机膜侧的线宽对应于金属细线的线宽。

金属细线的厚度并不受特别限制，优选0.01～20μm，更优选0.01～10μm，进一步优选0.01～5μm。若在上述范围内，则能够形成低电阻且不易被视觉辨认的电极。

金属细线可以形成图案，例如，该图案并不受特别限制，优选为正三角形、等腰三角形及直角三角形等三角形、四边形(例如，正方形、矩形、菱形、平行四边形及梯形等)、(正)六边形、(正)八边形等(正)n边形、圆、椭圆、星形、以及将它们组合而成的几何学图形，更优选为网格状(网格图案)。

网格状可以举出如图2所示包含由交叉的金属细线14A构成的多个开口部18的形状。开口部18的一边的长度L并不受特别限制，但优选1500μm以下，更优选1300μm以下，进一步优选1000μm以下，且优选5μm以上，更优选30μm以上，进一步优选80μm以上。

当开口部的一边的长度在上述范围内时，导电性层叠体的透明性变得更良好。

在图2中，开口部18具有菱形的形状，但也可以为其他形状。例如，可以设为多边形(例如，三角形、四边形、六边形及随机多边形)。并且，一边的形状除了直线状以外，可以设为弯曲形状，也可以设为圆弧状。当设为圆弧状时，例如可以将对置的两边设为向外凸出的圆弧状，将其他对置的两边设为向内凸出的圆弧状。并且，也可以将各边的形状设为向外凸出的圆弧和向内凸出的圆弧连续的波线形状。当然也可以将各边的形状设为正弦曲线。

从可见光透射率的观点考虑，由金属细线形成的网格图案的开口率优选为85％以上，更优选为90％以上，进一步优选为95％以上。开口率相当于除金属细线所在的区域以外的第1有机膜上的区域在整体中所占的比例。

金属细线的形成方法并不受特别限制，可以举出公知的方法，例如可以举出溅射法、离子镀法及蒸镀法。

并且，关于将金属细线形成于规定位置的方法，也可以举出公知的方法。作为一例，可以举出如下方法：通过溅射法在第1有机膜的整个面形成黑化层、粘附层及金属导电层之后，在金属导电层上形成图案化的抗蚀剂膜，并去除抗蚀剂膜的开口部的黑化层、粘附层及金属导电层，由此在规定位置配置金属细线。

另外，作为去除无用层的方法，可以为湿式蚀刻(例如，使用蚀刻液的蚀刻)及干式蚀刻中的任一方法。

(第2有机膜)

第2有机膜为与上述第1有机膜一同支撑金属细线的部件之一。

第2有机膜的构成与上述第1有机膜的构成相同。例如，第2有机膜的含水率的范围与上述第1有机膜的含水率的范围相同。

在覆盖金属细线且第2有机膜的表面变平滑的观点上，第2有机膜的厚度优选0.5～5.0μm，更优选1.0～3.0μm。

另外，构成第2有机膜的材料的优选方式与构成第1有机膜的材料的优选方式相同。

第2有机膜的形成方法与上述第1有机膜的形成方法相同。

在本发明的效果更优异的观点上，优选第1有机膜和第2有机膜由相同的材料构成。通过由相同的材料构成，第1有机膜与第2有机膜的粘附性也得到提高。

上述导电性层叠体能够通过公知的方法来制造。

其中，优选通过具有以下工序的方法来制造：形成第1有机膜的工序；在第1有机膜上形成金属细线的工序；及以覆盖金属细线的方式形成第2有机膜的工序。

另外，各部件(第1有机膜、金属细线、第2有机膜)的具体制造方法如上所述。

另外，在上述导电性层叠体中，可以包括除上述以外的部件。

例如，可以在第1有机膜与第2有机膜之间配置有除金属细线以外的其他导电部(例如，配置于由金属细线构成的网格图案的两端的导电性端子部)。

＜第2实施方式＞

以下，参考附图对本发明的导电性层叠体的第2实施方式进行说明。在图3中示出本发明的导电性层叠体的第2实施方式的剖视图。

导电性层叠体10B包括第1有机膜12、金属细线14A、无机膜26及第2有机膜16。金属细线14A从第1有机膜12侧依次包括黑化层20、粘附层22及金属导电层24。

导电性层叠体10B除了无机膜26以外，具有与导电性层叠体10A相同的构成，因此对相同的构成要件标注相同的参考符号，并省略其说明。

以下，对无机膜26进行详细叙述。

(无机膜)

无机膜为以覆盖金属细线的方式配置于第1有机膜与第2有机膜之间的膜。通过配置无机膜，本发明的效果更优异。

构成无机膜的材料并不受特别限制，优选包含：选自包括Si、Al及Ti的组中的至少一种金属原子。

无机膜也可以包含除上述金属的原子以外的其他原子(例如，碳原子、氧原子、氮原子及氢原子)。

无机膜也可以包含上述金属原子的氧化物、氮化物或氮氧化物，优选包含：选自包括SiO₂、SiON、SiN、Al₂O₃及TiO₂的组中的至少一种。

无机膜的厚度并不受特别限制，优选10～1000nm，更优选20～200nm。

如图3所示，无机膜可以以覆盖第1有机膜及金属细线的方式配置，也可以以仅覆盖金属细线的方式配置。

无机膜的形成方法并不受特别限制，可以举出公知的方法，例如可以举出溅射法、离子镀法、化学气相沉积法(CVD)、以及电镀法及溶胶凝胶法等液相沉积法。

＜第3实施方式＞

以下，参考附图对本发明的导电性层叠体的第3实施方式进行说明。在图4中示出本发明的导电性层叠体的第3实施方式的剖视图。

导电性层叠体10C包括支撑体28、第1有机膜12、金属细线14A、第2有机膜16、金属细线14B、无机膜26及第3有机膜30。金属细线14A及金属细线14B从第1有机膜12侧依次包括黑化层20、粘附层22及金属导电层24。

另外，当将导电性层叠体10C适用于触摸面板时，优选以金属细线14A中的黑化层20配置于比金属导电层24更靠视觉辨认侧的方式，将导电性层叠体10C配置于触摸面板中。即，在触摸面板中，优选支撑体28配置于视觉辨认侧。在该情况下，支撑体28可以在触摸面板中构成触摸面。

导电性层叠体10C中的第1有机膜12、金属细线14A及第2有机膜16分别对应于导电性层叠体10A的第1有机膜12、金属细线14A及第2有机膜16，因此省略其说明。

以下，对导电性层叠体10C中所包括的支撑体28、金属细线14B(以下，也称为“第2金属细线”)、无机膜26及第3有机膜30进行详细叙述。

(支撑体)

支撑体为用于支撑其他部件的部件。更具体而言，作为形成第1有机膜时的部件发挥作用。

支撑体的种类并不受特别限制，例如可以举出玻璃基板及树脂基板，从透明性及耐光性的观点考虑，优选玻璃基板。

另外，作为构成树脂基板的材料，可以举出热塑性树脂，作为热塑性树脂，例如可以举出聚对苯二甲酸乙二酯等聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、甲基丙烯酸-马来酸共聚物、聚苯乙烯树脂、透明氟树脂、聚酰亚胺、氟化聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、纤维素酰化物树脂、聚氨酯树脂、聚醚醚酮树脂、聚碳酸酯树脂、脂环式聚烯烃树脂、聚芳酯树脂、聚醚砜树脂、聚砜树脂、环烯烃共聚物、芴环改性聚碳酸酯树脂、脂环改性聚碳酸酯树脂及芴环改性聚酯树脂。

支撑体的厚度并不受特别限制，25～500μm的情况较多。

支撑体的总透光率优选85～100％。

另外，作为支撑体，也能够使用临时支撑体(剥离性支撑体)。当使用临时支撑体作为支撑体时，能够将配置于临时支撑体上的部件转印到其他被贴合物上。在该情况下，在临时支撑体与第1有机膜之间产生剥离，能够剥离出临时支撑体。

(第2金属细线)

第2金属细线为配置于第2有机膜与第3有机膜之间的细线。

第2金属细线的构成与在上述第1实施方式中说明的金属细线的构成相同。

(无机膜)

无机膜为以覆盖第2金属细线的方式配置于第2有机膜与第3有机膜之间的膜。通过配置无机膜，本发明的效果更优异。

无机膜的构成与在上述第2实施方式中说明的无机膜的构成相同。

(第3有机膜)

第3有机膜为以覆盖第2金属细线的方式配置的膜。

第3有机膜的构成与在上述第1实施方式中说明的第1有机膜的构成相同。例如，第3有机膜的含水率的范围与上述第1有机膜的含水率的范围相同。

并且，第3有机膜的厚度的优选范围与上述第1有机膜的厚度的优选范围相同。

另外，构成第3有机膜的材料的优选方式与构成第1有机膜的材料的优选方式相同。

第3有机膜的形成方法与上述第1有机膜的形成方法相同。

本发明的导电性层叠体能够优选用于触摸面板。

具有本发明的导电性层叠体的触摸面板的种类并不受特别限制，能够根据目的适当选择，例如可以举出表面型静电电容方式触摸面板、投影型静电电容方式触摸面板及电阻膜式触摸面板。另外，触摸面板包括所谓的触摸传感器及触摸板。

上述触摸面板适用于各种显示装置(液晶显示装置、有机电致发光显示装置等)。

实施例

以下，通过实施例对本发明进行进一步详细的说明，但本发明并不限定于这些。

＜实施例1＞

(支撑体的准备)

对10cm见方的玻璃基板(Corning Incorporated Co.,Ltd.制造，EAGLE XG玻璃)的表面实施了5分钟UV(紫外线)臭氧处理。然后，将所得到的玻璃基板浸渍于将AS ONECorporation制造的CLEAN ACE稀释成30质量％的水溶液中，使用AION Co.,Ltd.制造的BELCLEAN擦洗了玻璃基板的表面。然后，将所得到的玻璃基板浸渍于纯水中，与上述同样地使用BELCLEAN擦洗了玻璃基板的表面。然后，对所得到的玻璃基板进行鼓风，在200℃下在30分钟内进行了干燥。

(第1有机膜的形成)

将三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TOAGOSEI CO.,LTD.制造)和光聚合引发剂(Lamberti S.p.A制造的ESACURE KTO46)以95.5质量％:4.5质量％混合之后，在甲基乙基酮中溶解成固体成分浓度成为10质量％而得到了有机膜形成用组合物。

接着，利用TESTER SANGYO CO,.LTD.制造的自动涂布机PI1210并使用涂敷棒(applicate bar)(有效宽度20mm)，在上述中进行了清洗处理的玻璃基板上涂布有机膜形成用组合物，然后在120℃下干燥3分钟而形成了涂膜。另外，涂布速度设为100mm/sec。

接着，使用Nippon Denchi Kabushiki Kaisha制造的金属卤化物灯MAL625NL，在氧浓度200体积ppm、温度80℃的条件下对涂膜进行UV照射(600mJ/cm²)而得到了固化膜。然后，在真空下，在80℃下历时12小时将固化膜进行干燥而得到了第1有机膜(厚度：1.5μm)。

(第1金属细线的形成)

通过磁控溅射法，在所得到的第1有机膜上形成了膜厚10nm的MoNb膜(Mo含量：80质量％、Nb含量：20质量％)。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率7kW、成膜速度0.8nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在MoNb膜上形成了膜厚40nm的MoNb膜(Mo含量：80质量％、Nb含量：20质量％)。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率8kW、成膜速度0.6nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在MoNb膜上形成了膜厚200nm的Cu膜。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率5kW、成膜速度0.4nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在Cu膜上形成了膜厚80nm的CuNi膜(Cu含量：75质量％、Ni含量：25质量％)。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率6kW、成膜速度0.8nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在CuNi膜上形成了膜厚100nm的MoNb膜(Mo含量：80质量％、Nb含量：20质量％)。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率4kW、成膜速度0.5nm/min。

另外，在上述磁控溅射法中使用了氩气作为惰性气体。

接着，在所形成的上述层叠膜上涂布了Tokyo Ohka Kogyo Co.,Ltd.制造的OAP。接着，作为图案形成用抗蚀剂，进一步涂布了Tokyo Ohka Kogyo Co.,Ltd.制造的NovolacOFPR800。上述涂布中使用了MIKASA CO.,LTD.制造的旋涂器1H-D7。上述涂布之后，在90℃下干燥3分钟而得到了膜厚1μm的抗蚀剂膜。

接着，使用网格光掩模并利用MIKASA CO.,LTD.制造的掩模对准器MA-20(汞光源)，历时10秒钟对抗蚀剂膜进行了光照射。然后，在Tokyo Ohka Kogyo Co.,Ltd.制造的NMD-W2.38％水溶液中浸渍5分钟，接着，在纯水中浸渍1分钟，并在120℃下干燥3分钟而得到了图案状的抗蚀剂膜。

将具有图案状的抗蚀剂膜的玻璃基板在保温为50℃的蚀刻液(TOAGOSEI CO.,LTD.制造：氯化铁液)中浸渍1分钟，接着，在纯水中浸渍5分钟，并进行鼓风，并且在120℃下干燥3分钟而得到了如图2所示的网格状的金属细线。

所形成的金属细线依次包括MoNb膜(黑化层)、MoNb膜(粘附层)、Cu膜(金属导电层)、CuNi膜(粘附层)及MoNb膜(保护层)。并且，如图1所示，金属细线具有锥状的剖面形状，金属细线的线宽(对应于黑化层的第1有机膜侧的线宽)为4.0μm，锥角θ1为70°，金属导电层的第1有机膜侧的线宽W2相对于黑化层的第1有机膜侧的线宽W1的比例为97％。

并且，如图5所示，在第1有机膜上配置有20个单元44，该单元44由以上述网格状的第1金属细线形成的网格图案40和夹住网格图案40的2个电阻值测定用端子42构成。并且，网格图案的网格状的开口部的一边的长度为500μm，菱形的开口部的一个角度(图2中的角度θ2)为65°。电阻值用测定用端子42的大小为2mm×1mm，各单元44的间隔为2mm。

(第2有机膜的形成)

按照与上述(第1有机膜的形成)相同的步骤，在形成有金属细线的第1有机膜上形成了厚度2.5μm的第2有机膜。

(第2金属细线的形成)

按照与上述(第1金属细线)相同的步骤，在第2有机膜上形成了网格状的第2金属细线。其中，以由第1金属细线形成的网格图案的交点位于由第2金属细线形成的网格图案的开口部的方式形成了网格状的第2金属细线。

并且，如图6所示，在第2有机膜上配置有20个单元44，该单元44由以上述网格状的第2金属细线形成的网格图案40和夹住网格图案40的2个电阻值测定用端子42构成。电阻值用测定用端子42的大小为2mm×1mm，各单元44的间隔为2mm。另外，在图5及图6中，单元的排列方向不同，第2金属细线的单元的排列方向与第1金属细线的单元的排列方向正交。

(无机膜的形成)

通过等离子体CVD法，在配置有第2金属细线的第2有机膜上形成了厚度50nm的SiO₂膜。

在等离子体CVD法中，使用了硅烷气体、氢气及氧气作为原料气体。硅烷气体的流量设为100sccm，氢气的流量设为1000sccm，氧气的流量设为200sccm。真空度设为50Pa，基板温度设为30℃，电极投入功率设为6.5kW，成膜速度设为10nm/min。

(第3有机膜的形成)

按照与上述(第1有机膜的形成)相同的步骤，在SiO₂膜上形成了厚度2.0μm的第2有机膜。

通过上述步骤得到了如图4所示的导电性层叠体1。另外，从上表面观察导电性层叠体1时，如图7那样配置有网格图案。

＜实施例2＞

如以下的(制造条件2)那样变更了上述(第1金属细线的形成)中的各层的制造条件，除此以外，按照与实施例1相同的步骤得到了导电性层叠体2。

导电性层叠体2中的第1金属细线及第2金属细线依次包括Mo₂N膜(黑化层)、Mo膜(粘附层)、Al膜(金属导电层)、Mo膜(粘附层)及Mo₂N膜(保护层)。

(制造条件2)

通过磁控溅射法，在所得到的第1有机膜上形成了膜厚10nm的Mo₂N膜。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率10kW、成膜速度0.5nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在Mo₂N膜上形成了膜厚40nm的Mo膜。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率8kW、成膜速度0.6nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在Mo膜上形成了膜厚200nm的Al膜。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率6kW、成膜速度0.4nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在Al膜上形成了膜厚80nm的Mo膜。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率4kW、成膜速度0.3nm/min。

接着，通过磁控溅射法，在Mo膜上形成了膜厚100nm的Mo₂N膜。作为磁控溅射法的条件，为磁场强度1000Gauss、基板温度30℃、真空度5.0×10^-2Pa、功率7kW、成膜速度0.4nm/min。

另外，在上述磁控溅射法中，使用氮气作为反应气体，并使用氩气作为惰性气体。

＜实施例3～5＞

代替三羟甲基丙烷三丙烯酸酯而使用了表1中所记载的材料，除此以外，按照与实施例1相同的步骤得到了导电性层叠体3～5。

＜实施例6～7＞

如以下那样变更了上述(第1有机膜的形成)的步骤，除此以外，按照与实施例1相同的步骤得到了导电性层叠体6～7。

另外，在导电性层叠体6～7中，第1有机膜～第3有机膜均使用表1中所记载的材料来形成。并且，导电性层叠体6～7的第1有机膜～第3有机膜的厚度与导电性层叠体1的第1有机膜～第3有机膜的厚度相同。

(第1有机膜的形成)

将BR113(Mitsubishi Rayon Co.,Ltd.制造)或BR95(Mitsubishi Rayon Co.,Ltd.制造)在甲基乙基酮中溶解成固体成分浓度成为10质量％而得到了有机膜形成用组合物。

接着，利用TESTER SANGYO CO,.LTD.制造的自动涂布机PI1210并使用涂敷棒(有效宽度20mm)，在上述中进行了清洗处理的玻璃基板上涂布有机膜形成用组合物，然后在120℃下干燥3分钟而形成了第1有机膜。另外，涂布速度设为100mm/sec。

＜实施例8＞

如以下那样变更了上述(第1有机膜的形成)的步骤，除此以外，按照与实施例1相同的步骤得到了导电性层叠体8。

另外，在导电性层叠体8中，第1有机膜～第3有机膜均使用表1中所记载的材料来形成。导电性层叠体8的第1有机膜～第3有机膜的厚度与导电性层叠体1的第1有机膜～第3有机膜的厚度相同。

(第1有机膜的形成)

利用TESTER SANGYO CO,.LTD.制造的自动涂布机PI1210并使用涂敷棒(有效宽度20mm)，在上述中进行了清洗处理的玻璃基板上涂布Silplus HT100(Shin NittetsuSumikin Kabushiki kaisha制造)，然后在120℃下干燥3分钟而形成了涂膜。另外，涂布速度设为100mm/sec。

接着，使用Nippon Denchi Kabushiki Kaisha制造的金属卤化物灯MAL625NL，在氧浓度200体积ppm的条件下对涂膜进行UV照射(1000mJ/cm²)，从而得到了固化膜。

＜实施例9～12＞

如以下那样变更了上述(第1有机膜的形成)的步骤，且如表1那样变更了金属细线的线宽(对应于黑化层的第1有机膜侧的线宽)及金属导电层的厚度，除此以外，按照与实施例1相同的步骤得到了导电性层叠体9～12。

另外，在导电性层叠体9～12中，第1有机膜～第3有机膜均使用表1中所记载的材料来形成。导电性层叠9的第1有机膜～第3有机膜的厚度与导电性层叠体1的第1有机膜～第3有机膜的厚度相同。

(第1有机膜的形成)

将20质量％的无催化剂的全氢聚硅氮烷的二丁醚溶液(AQUAMICA NN120-20：AZElectronic Materials Co.,Ltd.制造)及包含5质量％(固体成分)胺催化剂(N,N,N’,N’-四甲基-1,6-二氨基己烷)的二丁醚溶液(AQUAMICA NAX120-20：AZ Electronic MaterialsCo.,Ltd.制造)进行混合而制备出有机膜形成用组合物。另外，所得到的有机膜形成用组合物中的胺催化剂的含量相对于总固体成分为1质量％。

接着，利用TESTER SANGYO CO,.LTD.制造的自动涂布机PI1210并使用涂敷棒(有效宽度20mm)，在上述中进行了清洗处理的玻璃基板上涂布有机膜形成用组合物，然后在120℃下干燥3分钟而形成了涂膜。另外，涂布速度设为100mm/sec。

接着，使用Nippon Denchi Kabushiki Kaisha制造的金属卤化物灯MAL625NL，在氧浓度200体积ppm、温度100℃的条件下对涂膜进行UV照射(5000mJ/cm²)，从而得到了固化膜。然后，将所得到的固化膜在80℃下干燥12小时而得到了第1有机膜。

＜实施例13＞

如上述的(制造条件2)那样变更了上述(第1金属细线的形成)中的各层的制造条件，除此以外，按照与实施例9相同的步骤得到了导电性层叠体13。

＜比较例1～3＞

代替三羟甲基丙烷三丙烯酸酯而使用了表1中所记载的单体，除此以外，按照与实施例1相同的步骤得到了导电性层叠体C1～C3。

另外，在比较例3中，将苯乙烯与A9300以质量比1:1进行了混合。

＜评价＞

(含水率评价)

按照实施例1～13及比较例1～3(第1有机膜的形成)的步骤，在玻璃支撑体上分别制造出有机膜(厚度：1.5μm)。

从玻璃支撑体上削取所得到的有机膜，在温度25℃、湿度50％的环境下静放24小时，使用所得到的有机膜，通过卡尔·费休法(150℃，气化法)测定了有机膜的含水率。另外，装置使用了Hiranuma Sangyo Co.,Ltd.制造的AQV-2100。

将结果总结示于表1。

(断线评价)

分别制作出100个实施例及比较例的导电性层叠体。

将导电性层叠体在50℃的环境下静放1周之后，将探针分别接触位于各单元两端的电阻测定用端子部，利用电阻测定机测定了电阻值。在各导电性层叠体中的合计40个单元中，只要有1个单元发生了断线，就作为断线发生数进行了计数。

在所测定的100个试样中，将发生了断线的试样数为10个以上设为1分，将3～9个设为2分，将1～2个设为3分，将0个设为4分。

表1中的“材料”栏的各记号表示以下。

TMPTA：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TOAGOSEI CO.,LTD.制造)

AD-TMP：双三羟甲基丙烷四丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co,Ltd.制造)

A-DCP：三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co,Ltd.制造)

EA-0250P：9,9-双[4-(2-丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴(Osaka Gas ChemicalsCo.,Ltd.制造)

BR-113：Dianal BR-113(Mitsubishi Rayon Co.,Ltd.制造)

BR95：Dianal BR-95(Mitsubishi Rayon Co.,Ltd.制造)

Silplus HT100：Silplus HT100(Shin Nittetsu Sumikin Kabushiki kaisha制造)

聚硅氮烷：全氢聚硅氮烷的二丁醚溶液(AQUAMICA NN120-20：AZ ElectronicMaterials Co.,Ltd.制造)与包含胺催化剂(N,N,N’,N’-四甲基-1,6-二氨基己烷)的二丁醚溶液(AQUAMICA NAX120-20：AZ Electronic Materials Co.,Ltd.制造)的混合液

A9300：乙氧基化异氰脲酸三丙烯酸酯(Shin-Nakamura Chemical Co,Ltd.制造)

表1中的“含水率”表示各导电性层叠体中的有机膜(第1有机膜～第3有机膜)的含水率。

在表1中的“金属细线”栏中，将所形成的金属细线包括MoNb膜(黑化层)、MoNb膜(粘附层)、Cu膜(金属导电层)、CuNi膜(粘附层)及MoNb膜(保护层)的情况表示为“A”，将所形成的金属细线包括Mo₂N膜(黑化层)、Mo膜(粘附层)、Al膜(金属导电层)、Mo膜(粘附层)及Mo₂N膜(保护层)的情况表示为“B”。

表1中的“金属细线的线宽(μm)”表示金属细线的线宽(黑化层的第1有机膜侧的线宽)。

表1中的“金属导电层厚度(nm)”表示金属细线中的金属导电层的厚度。

[表1]

如表1所示，本发明的导电性层叠体显示出所期望的效果。

其中，当有机膜的含水率小于1.00％时(尤其，当0.40％以下时)，确认到显示出更优异的效果。

符号说明

10A、10B、10C-导电性层叠体，12-第1有机膜，14A、14B-金属细线，16-第2有机膜，18-开口部，20-黑化层，22-粘附层，24-金属导电层，26-无机膜，28-支撑体，30-第3有机膜，40-网格图案，42-电阻值测定用端子，44-单元。