阅读说明：本技术 电子照相感光体、处理盒及图像形成装置 (Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus ) 是由 牧洪太 岩崎真宏 梶原贤志 于 2019-09-02 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种光灵敏度优异且抑制残余电位的电子照相感光体、处理盒及图像形成装置。本发明的电子照相感光体包括：导电性基体、配置在所述导电性基体上的底涂层、以及配置在所述底涂层上的感光层,且所述底涂层含有钛酸金属化合物粒子、电子传输性化合物及粘结树脂。(The invention provides an electrophotographic photoreceptor, a process cartridge and an image forming apparatus, which have excellent light sensitivity and can suppress residual potential. The electrophotographic photoreceptor of the present invention comprises: the conductive substrate comprises a conductive substrate, an undercoat layer disposed on the conductive substrate, and a photosensitive layer disposed on the undercoat layer, wherein the undercoat layer contains metal titanate compound particles, an electron-transporting compound, and a binder resin.)

电子照相感光体、处理盒及图像形成装置

技术领域

本发明涉及一种电子照相感光体、处理盒(process cartridge)及图像形成装置。

背景技术

在专利文献1中公开有一种电子照相感光体，其在导电性支撑体上依序设置中间层及感光层，且中间层含有聚烯烃树脂及苯并咪唑系化合物。

在专利文献2中公开有一种电子照相感光体，其在导电性支撑体上依序设置底涂层及感光层，且底涂层含有烯烃树脂及苯并咪唑系化合物，所述烯烃树脂包含具有羧酸基及羧酸酐基中的至少一种的化合物作为构成成分。

在专利文献3中公开有一种电子照相感光体，依序包括支撑体、导电层及感光层，且导电层含有：由含有导电性材料的被覆层被覆的钛酸锶粒子或钛酸钡粒子；以及粘结材料。

在专利文献4中公开有一种电子照相感光体，其是在导电性基体上依次层叠中间层及有机感光层而得，且中间层是通过涂布中间层形成用涂布液并进行热硬化而获得，具有超过10μm且50μm以下的厚度，所述中间层形成用涂布液是使封端异氰酸酯化合物、具有能够与封端异氰酸酯化合物中的异氰酸酯基反应的活性氢含有基的树脂、无机氧化物微粒子、及电子传输剂溶解或分散于水性介质中而成。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2011-095665号公报

[专利文献2]日本专利特开2009-288621号公报

[专利文献3]日本专利特开2018-141972号公报

[专利文献4]日本专利特开2010-122440号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

本公开的问题在于提供一种电子照相感光体，与底涂层中不含钛酸金属化合物粒子而含有电子传输性化合物的情况相比，光灵敏度优异且抑制残余电位。

[解决问题的技术手段]

在用于解决所述问题的具体手段中，包含下述实施方式。

[1]一种电子照相感光体，包括：导电性基体；底涂层，配置在所述导电性基体上，含有钛酸金属化合物粒子、电子传输性化合物及粘结树脂；以及感光层，配置在所述底涂层上。

[2]根据[1]所述的电子照相感光体，其中，所述电子传输性化合物含有选自由下述通式(1)所表示的化合物及下述通式(2)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种紫环酮(perinone)化合物。

[化1]

通式(1)中，R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶、R¹⁷及R¹⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基烷基、芳氧基羰基烷基或卤素原子。R¹¹与R¹²、R¹²与R¹³以及R¹³与R¹⁴可各自独立地相互连结而形成环。R¹⁵与R¹⁶、R¹⁶与R¹⁷以及R¹⁷与R¹⁸可各自独立地相互连结而形成环。

通式(2)中，R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R²⁶、R²⁷及R²⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基烷基、芳氧基羰基烷基或卤素原子。R²¹与R²²、R²²与R²³以及R²³与R²⁴可各自独立地相互连结而形成环。R²⁵与R²⁶、R²⁶与R²⁷以及R²⁷与R²⁸可各自独立地相互连结而形成环。

[3]根据[1]或[2]所述的电子照相感光体，其中，所述钛酸金属化合物粒子包含选自由钛酸锶粒子、钛酸钡粒子、钛酸钙粒子及钛酸镁粒子所组成的群组中的至少一种。

[4]根据[1]至[3]中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述钛酸金属化合物粒子的平均一次粒径为30nm以上且1μm以下。

[5]根据[1]至[4]中任一项所述的电子照相感光体，其中，相对于所述底涂层中所含的所述电子传输性化合物的总含量，所述底涂层中所含的所述钛酸金属化合物粒子的总含量为5质量％以上且100质量％以下。

[6]根据[1]至[5]中任一项所述的电子照相感光体，其中，相对于所述底涂层的总固体成分量，所述钛酸金属化合物粒子的总含量为5质量％以上且40质量％以下。

[7]根据[1]至[6]中任一项所述的电子照相感光体，其中，相对于所述底涂层的总固体成分量，所述电子传输性化合物的总含量为30质量％以上。

[8]根据[1]至[7]中任一项所述的电子照相感光体，其中，所述粘结树脂含有聚氨基甲酸酯。

[9]一种处理盒，包括根据[1]至[8]中任一项所述的电子照相感光体，且所述处理盒可拆装地设置在图像形成装置中。

[10]一种图像形成装置，包括：根据[1]至[8]中任一项所述的电子照相感光体；带电机构，使所述电子照相感光体的表面带电；静电潜像形成机构，在已带电的所述电子照相感光体的表面形成静电潜像；显影机构，利用包含色粉(toner)的显影剂，对形成于所述电子照相感光体的表面的静电潜像进行显影而形成色粉图像；以及转印机构，将所述色粉图像转印至记录介质的表面。

[发明的效果]

根据[1]、[3]、[4]、[6]、[7]或[8]的发明，提供一种电子照相感光体，与底涂层中不含钛酸金属化合物粒子而含有电子传输性化合物的情况相比，光灵敏度优异且抑制残余电位。

根据[2]的发明，提供一种电子照相感光体，与底涂层中含有钛酸金属化合物粒子、且不含紫环酮化合物而含有酰亚胺化合物的情况相比，光灵敏度优异且抑制残余电位。

根据[5]的发明，提供一种电子照相感光体，与相对于底涂层中所含的电子传输性化合物的总含量，底涂层中所含的钛酸金属化合物粒子的总含量小于10质量％的情况相比，光灵敏度优异且抑制残余电位。

根据[9]的发明，提供一种包括电子照相感光体的处理盒，所述电子照相感光体与底涂层中不含钛酸金属化合物粒子而含有电子传输性化合物的情况相比，光灵敏度优异且抑制残余电位。

根据[10]的发明，提供一种包括电子照相感光体的图像形成装置，所述电子照相感光体与底涂层中不含钛酸金属化合物粒子而含有电子传输性化合物的情况相比，光灵敏度优异且抑制残余电位。

附图说明

图1是表示本实施方式的电子照相感光体的层构成的一例的概略部分剖面图。

图2是表示本实施方式的图像形成装置的一例的概略构成图。

图3是表示本实施方式的图像形成装置的另一例的概略构成图。

图4是实施例中为了评价画质而形成的图像的概略图。

[符号的说明]

1：底涂层

2：电荷产生层

3：电荷传输层

4：导电性基体

5：感光层

7A：电子照相感光体

7：电子照相感光体

8：带电装置

9：曝光装置

11：显影装置

13：清洁装置

14：润滑剂

40：转印装置

50：中间转印体

100：图像形成装置

120：图像形成装置

131：清洁刮板

132：纤维状构件(辊状)

133：纤维状构件(平刷状)

300：处理盒

具体实施方式

以下，对本公开的实施方式进行说明。这些说明及实施例是对实施方式进行例示，并不限制实施方式的范围。

在本公开中，使用“～”来表示的数值范围表示分别包含“～”的前后所记载的数值作为最小值及最大值的范围。

在本公开中分段记载的数值范围中，一个数值范围的上限值或下限值可替换为其他数值范围的上限值或下限值。另外，在本公开中记载的数值范围中，所述数值范围的上限值或下限值也可替换为实施例中示出的值。

在本公开中，“工序”这一用语不仅是指独立的工序，在无法与其它工序明确地区分的情况下，只要达成所述工序的预期目的，则也包含在本用语中。

在本公开中，各成分可含有多种相应的物质。在本公开中，在提及组合物中的各成分的量的情况下，当组合物中存在多种与各成分相应的物质时，只要没有特别说明，则是指组合物中存在的所述多种物质的合计量。

在本公开中，主成分是指主要的成分。例如在多种成分的混合物中，主成分是指占混合物的总质量的30质量％以上的成分。

在本公开中，电子照相感光体也简称为感光体。

＜电子照相感光体＞

本实施方式的感光体包括：导电性基体、配置在导电性基体上的底涂层、以及配置在底涂层上的感光层。

图1概略地示出了本实施方式的感光体的层构成的一例。图1所示的感光体7A具有在导电性基体4上依序层叠有底涂层1、电荷产生层2及电荷传输层3的构造。电荷产生层2及电荷传输层3构成感光层5。感光体7A也可为在电荷传输层3上还设置有保护层的层构成。

本实施方式的感光体可为如图1所示的感光体7A那样，电荷产生层2与电荷传输层3分离的功能分离型，也可为电荷产生层2与电荷传输层3一体化的单层型感光层。

本实施方式的感光体中，底涂层含有钛酸金属化合物粒子、电子传输性化合物及粘结树脂。

本实施方式的感光体中，通过底涂层含有钛酸金属化合物粒子及电子传输性化合物，光灵敏度优异且抑制残余电位。作为其理由，可推测出以下机制。

通过底涂层含有作为强介电体的钛酸金属化合物粒子，底涂层的介电常数变高。若底涂层的介电常数变高，则带电时施加至感光层的电压变高，因此推测感光体的光灵敏度优异。但是，若带电时施加至感光层的电压变高，则在除电后感光体表面的电位难以衰减的地方，含有电子传输性化合物，感光体表面的电位容易衰减。因此推测，本实施方式的感光体中，通过底涂层含有钛酸金属化合物粒子及电子传输性化合物，光灵敏度优异且抑制残余电位。

作为电子传输性化合物，优选为选自由后述的通式(1)所表示的化合物及通式(2)所表示的化合物所组成的群组中的至少一种紫环酮化合物。在本公开中，通式(1)所表示的化合物也称为紫环酮化合物(1)，通式(2)所表示的化合物也称为紫环酮化合物(2)。

若将紫环酮化合物(1)及紫环酮化合物(2)中至少一种作为底涂层的主要的电子传输性材料，则与将其他电子传输性化合物(例如后述的酰亚胺化合物(A)、酰亚胺化合物(B)或酰亚胺化合物(C))作为主要的电子传输性材料的底涂层相比，感光体表面的电位变得更容易衰减，残余电位得到进一步抑制。推测其原因在于，与其他电子传输性化合物相比，空穴容易自紫环酮化合物(1)或紫环酮化合物(2)向感光层所含的电荷产生材料(例如酞菁颜料)扩散移动。

以下，对本实施方式的感光体的各层进行详细说明。

[底涂层]

底涂层含有：钛酸金属化合物粒子、电子传输性化合物及粘结树脂。底涂层也可含有钛酸金属化合物粒子以外的粒子、其他添加材。

-钛酸金属化合物粒子-

在本实施方式中，底涂层含有至少一种钛酸金属化合物粒子。

作为构成钛酸金属化合物粒子的金属，可列举：锶、钡、钙、镁、铅等。

底涂层中所含的钛酸金属化合物粒子优选为n型半导体，更优选为钙钛矿(perovskite)型的结晶结构。

作为钙钛矿型的钛酸金属化合物粒子，例如可列举：钛酸锶粒子、钛酸钡粒子、钛酸钙粒子、钛酸镁粒子。

底涂层可仅含有一种钛酸金属化合物粒子，也可含有两种以上。

就对底涂层的分散性的观点而言，底涂层中所含的钛酸金属化合物粒子的平均一次粒径优选为30nm以上且1μm以下，更优选为50nm以上且600nm以下，进而优选为60nm以上且400nm以下，进而更优选为80nm以上且300nm以下。

底涂层中所含的钛酸金属化合物粒子的平均一次粒径是通过以下方式而求出，即，测量在利用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)的观察中随机选择的100个钛酸金属化合物粒子的长径，将100个长径平均。供于SEM观察的试样是作为底涂层的材料的钛酸金属化合物粒子、或者自底涂层中提取出的钛酸金属化合物粒子。自底涂层中提取钛酸金属化合物粒子的方法没有限制，例如可列举：将底涂层加热至800℃左右，使粘结树脂消失，提取钛酸金属化合物粒子的方法；将底涂层浸渍在有机溶剂中，利用有机溶剂使粘结树脂溶解，提取钛酸金属化合物粒子的方法等。

就兼顾光灵敏度的高度及残余电位的抑制的观点而言，相对于底涂层中所含的电子传输性化合物的总含量，底涂层中所含的钛酸金属化合物粒子的总含量优选为5质量％以上且100质量％以下，更优选为7质量％以上且50质量％以下，进而优选为10质量％以上且35质量％以下。

就兼顾光灵敏度的高度及残余电位的抑制的观点而言，相对于底涂层的总固体成分量，钛酸金属化合物粒子的总含量优选为5质量％以上且40质量％以下，更优选为7质量％以上且30质量％以下，进而优选为10质量％以上且20质量％以下。

-电子传输性化合物-

底涂层含有电子传输性化合物。作为电子传输性化合物，可列举：对苯醌、氯醌、溴醌、蒽醌等醌系化合物；四氰基醌二甲烷系化合物；2,4,7-三硝基芴酮等芴酮化合物；呫吨酮系化合物；二苯甲酮系化合物；氰基乙烯基系化合物；乙烯系化合物；酰亚胺化合物；紫环酮化合物等。电子传输性化合物可使用一种，也可并用两种以上。

就将底涂层的体积电阻率控制为所期望的范围的观点而言，相对于底涂层的总固体成分量，电子传输性化合物的总含量优选为30质量％以上，更优选为30质量％以上且90质量％以下，进而优选为40质量％以上且80质量％以下，进而更优选为45质量％以上且75质量％以下，进一步优选为50质量％以上且70质量％以下。

-紫环酮化合物(1)、紫环酮化合物(2)-

底涂层优选为含有紫环酮化合物(1)及紫环酮化合物(2)中的至少一种。紫环酮化合物(1)是下述通式(1)所表示的化合物。紫环酮化合物(2)是下述通式(2)所表示的化合物。

[化2]

通式(1)中，R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶、R¹⁷及R¹⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基烷基、芳氧基羰基烷基或卤素原子。R¹¹与R¹²、R¹²与R¹³以及R¹³与R¹⁴可各自独立地相互连结而形成环。R¹⁵与R¹⁶、R¹⁶与R¹⁷以及R¹⁷与R¹⁸可各自独立地相互连结而形成环。

通式(2)中，R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R²⁶、R²⁷及R²⁸各自独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、芳烷基、芳基、芳氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基烷基、芳氧基羰基烷基或卤素原子。R²¹与R²²、R²²与R²³以及R²³与R²⁴可各自独立地相互连结而形成环。R²⁵与R²⁶、R²⁶与R²⁷以及R²⁷与R²⁸可各自独立地相互连结而形成环。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷基，可列举经取代或未经取代的烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷基，可列举碳数1以上且20以下(优选为碳数1以上且10以下，更优选为碳数1以上且6以下)的直链状的烷基、碳数3以上且20以下(优选为碳数3以上且10以下)的分支状的烷基、碳数3以上且20以下(优选为碳数3以上且10以下)的环状的烷基。

作为碳数1以上且20以下的直链状的烷基，可列举：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基等。

作为碳数3以上且20以下的分支状的烷基，可列举：异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基、异十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、叔十四烷基、叔十五烷基等。

作为碳数3以上且20以下的环状的烷基，可列举：环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、这些单环的烷基连结而成的多环(例如，二环、三环、螺环)的烷基等。

所述之中，作为未经取代的烷基，优选为甲基、乙基等直链状的烷基。

作为烷基中的取代基，可列举：烷氧基、羟基、羧基、硝基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对烷基中的氢原子进行取代的烷氧基，可列举与通式(1)中的R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基，可列举经取代或未经取代的烷氧基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基，可列举碳数1以上且10以下(优选为1以上且6以下，更优选为1以上且4以下)的直链状、分支状或环状的烷氧基。

作为直链状的烷氧基，具体而言，可列举：甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基等。

作为分支状的烷氧基，具体而言，可列举：异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基等。

作为环状的烷氧基，具体而言，可列举：环丙氧基、环丁氧基、环戊氧基、环己氧基、环庚氧基、环辛氧基、环壬氧基、环癸氧基等。

这些之中，作为未经取代的烷氧基，优选为直链状的烷氧基。

作为烷氧基中的取代基，可列举：芳基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、羟基、羧基、硝基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对烷氧基中的氢原子进行取代的芳基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳基同样的基。

作为对烷氧基中的氢原子进行取代的烷氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基羰基同样的基。

作为对烷氧基中的氢原子进行取代的芳氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基羰基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳烷基，可列举经取代或未经取代的芳烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳烷基，优选为碳数7以上且30以下的芳烷基，更优选为碳数7以上且16以下的芳烷基，进而优选为碳数7以上且12以下的芳烷基。

作为碳数7以上且30以下的未经取代的芳烷基，可列举：苄基、苯基乙基、苯基丙基、4-苯基丁基、苯基戊基、苯基己基、苯基庚基、苯基辛基、苯基壬基、萘基甲基、萘基乙基、蒽基甲基、苯基-环戊基甲基等。

作为芳烷基中的取代基，可列举：烷氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对芳烷基中的氢原子进行取代的烷氧基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基同样的基。

作为对芳烷基中的氢原子进行取代的烷氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基羰基同样的基。

作为对芳烷基中的氢原子进行取代的芳氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基羰基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳基，可列举经取代或未经取代的芳基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳基，优选为碳数6以上且30以下的芳基，更优选为碳数6以上且14以下的芳基，进而优选为碳数6以上且10以下的芳基。

作为碳数6以上且30以下的芳基，可列举：苯基、联苯基、1-萘基、2-萘基、9-蒽基(9-anthryl)、9-菲基、1-芘基、5-并四苯基、1-茚基、2-薁基、9-芴基、亚联苯基(biphenylenyl)、二环戊二烯并苯基(indacenyl)、荧蒽基(fluoranthenyl)、苊基(acenaphthylenyl)、乙烯合蒽基(aceanthrylenyl)、丙烯合萘基(phenalenyl)、芴基、蒽基、联蒽基(bianthracenyl)、联三蒽基(teranthracenyl)、联四蒽基(quarteranthracenyl)、蒽醌基(anthraquinolyl)、菲基、三亚苯基(triphenylenyl)、芘基、

基(chrysenyl)、并四苯基(naphthacenyl)、七曜烯基(pleiadenyl)、苉基(picenyl)、苝基(perylenyl)、五苯基、并五苯基(pentacenyl)、联四苯基(tetraphenylenyl)、六苯基、并六苯基(hexacenyl)、玉红省基(rubicenyl)、蔻基(coronenyl)等。所述之中，优选为苯基。

作为芳基中的取代基，可列举：烷基、烷氧基、烷氧基羰基、芳氧基羰基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对芳基中的氢原子进行取代的烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷基同样的基。

作为对芳基中的氢原子进行取代的烷氧基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基同样的基。

作为对芳基中的氢原子进行取代的烷氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基羰基同样的基。

作为对芳基中的氢原子进行取代的芳氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基羰基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基(-O-Ar，Ar表示芳基)，可列举经取代或未经取代的芳氧基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基，优选为碳数6以上且30以下的芳氧基，更优选为碳数6以上且14以下的芳氧基，进而优选为碳数6以上且10以下的芳氧基。

作为碳数6以上且30以下的芳氧基，可列举：苯基氧基(苯氧基)、联苯基氧基、1-萘基氧基、2-萘基氧基、9-蒽基氧基、9-菲基氧基、1-芘基氧基、5-并四苯基氧基、1-茚基氧基、2-薁基氧基、9-芴基氧基、亚联苯基氧基、二环戊二烯并苯基氧基、荧蒽基氧基、苊基氧基、乙烯合蒽基氧基、丙烯合萘基氧基、芴基氧基、蒽基氧基、联蒽基氧基、联三蒽基氧基、联四蒽基氧基、蒽醌基氧基、菲基氧基、三亚苯基氧基、芘基氧基、

基氧基、并四苯基氧基、七曜烯基氧基、苉基氧基、苝基氧基、五苯基氧基、并五苯基氧基、联四苯基氧基、六苯基氧基、并六苯基氧基、玉红省基氧基、蔻基氧基等。所述之中，优选为苯基氧基(苯氧基)。

作为芳氧基中的取代基，可列举：烷基、烷氧基羰基、芳氧基羰基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对芳氧基中的氢原子进行取代的烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷基同样的基。

作为对芳氧基中的氢原子进行取代的烷氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基羰基同样的基。

作为对芳氧基中的氢原子进行取代的芳氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基羰基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基羰基(-CO-OR，R表示烷基)，可列举经取代或未经取代的烷氧基羰基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基羰基中的烷基链的碳数，优选为1以上且20以下，更优选为1以上且15以下，进而优选为1以上且10以下。

作为烷基链的碳数为1以上且20以下的烷氧基羰基，可列举：甲氧基羰基、乙氧基羰基、丙氧基羰基、异丙氧基羰基、正丁氧基羰基、仲丁氧基羰基、叔丁氧基羰基、五氧基羰基、六氧基羰基、七氧基羰基、八氧基羰基、九氧基羰基、十氧基羰基、十二氧基羰基、十三氧基羰基、十四氧基羰基、十五氧基羰基、十六氧基羰基、十七氧基羰基、十八氧基羰基、十九氧基羰基、二十氧基羰基等。

作为烷氧基羰基中的取代基，可列举芳基、羟基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对烷氧基羰基中的氢原子进行取代的芳基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基羰基(-CO-OAr，Ar表示芳基)，可列举经取代或未经取代的芳氧基羰基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基羰基中的芳基的碳数，优选为6以上且30以下，更优选为6以上且14以下，进而优选为6以上且10以下。

作为具有碳数6以上且30以下的芳基的芳氧基羰基，可列举：苯氧基羰基、联苯基氧基羰基、1-萘基氧基羰基、2-萘基氧基羰基、9-蒽基氧基羰基、9-菲基氧基羰基、1-芘基氧基羰基、5-并四苯基氧基羰基、1-茚基氧基羰基、2-薁基氧基羰基、9-芴基氧基羰基、亚联苯基氧基羰基、二环戊二烯并苯基氧基羰基、荧蒽基氧基羰基、苊基氧基羰基、乙烯合蒽基氧基羰基、丙烯合萘基氧基羰基、芴基氧基羰基、蒽基氧基羰基、联蒽基氧基羰基、联三蒽基氧基羰基、联四蒽基氧基羰基、蒽醌基氧基羰基、菲基氧基羰基、三亚苯基氧基羰基、芘基氧基羰基、

基氧基羰基、并四苯基氧基羰基、七曜烯基氧基羰基、苉基氧基羰基、苝基氧基羰基、五苯基氧基羰基、并五苯基氧基羰基、联四苯基氧基羰基、六苯基氧基羰基、并六苯基氧基羰基、玉红省基氧基羰基、蔻基氧基羰基等。所述之中，优选为苯氧基羰基。

作为芳氧基羰基中的取代基，可列举烷基、羟基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对芳氧基羰基的氢原子进行取代的烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基羰基烷基(-(C_nH_2n)-CO-OR，R表示烷基，n表示1以上的整数)，可列举经取代或未经取代的烷氧基羰基烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基羰基烷基中的烷氧基羰基(-CO-OR)，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基羰基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷氧基羰基烷基中的亚烷基链(-C_nH_2n-)，可列举：碳数1以上且20以下(优选为碳数1以上且10以下，更优选为碳数1以上且6以下)的直链状的亚烷基链、碳数3以上且20以下(优选为碳数3以上且10以下)的分支状的亚烷基链、碳数3以上且20以下(优选为碳数3以上且10以下)的环状的亚烷基链。

作为碳数1以上且20以下的直链状的亚烷基链，可列举：亚甲基、亚乙基、正亚丙基、正亚丁基、正亚戊基、正亚己基、正亚庚基、正亚辛基、正亚壬基、正亚癸基、正亚十一烷基、正亚十二烷基、正亚十三烷基、正亚十四烷基、正亚十五烷基、正亚十七烷基、正亚十八烷基、正亚十九烷基、正亚二十烷基等。

作为碳数3以上且20以下的分支状的亚烷基链，可列举：异亚丙基、异亚丁基、仲亚丁基、叔亚丁基、异亚戊基、新亚戊基、叔亚戊基、异亚己基、仲亚己基、叔亚己基、异亚庚基、仲亚庚基、叔亚庚基、异亚辛基、仲亚辛基、叔亚辛基、异亚壬基、仲亚壬基、叔亚壬基、异亚癸基、仲亚癸基、叔亚癸基、异亚十二烷基、仲亚十二烷基、叔亚十二烷基、叔亚十四烷基、叔亚十五烷基等。

作为碳数3以上且20以下的环状的亚烷基链，可列举：环亚丙基、环亚丁基、环亚戊基、环亚己基、环亚庚基、环亚辛基、环亚壬基、环亚癸基等。

作为烷氧基羰基烷基中的取代基，可列举芳基、羟基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对烷氧基羰基烷基的氢原子进行取代的芳基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基羰基烷基(-(C_nH_2n)-CO-OAr，Ar表示芳基，n表示1以上的整数)，可列举经取代或未经取代的芳氧基羰基烷基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基羰基烷基中的芳氧基羰基(-CO-OAr，Ar表示芳基)，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基羰基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的芳氧基羰基烷基中的亚烷基链(-C_nH_2n-)，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基羰基烷基中的亚烷基链同样的基。

作为芳氧基羰基烷基中的取代基，可列举烷基、羟基及卤素原子(氟原子、溴原子、碘原子等)。

作为对芳氧基羰基烷基的氢原子进行取代的烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的未经取代的烷基同样的基。

通式(1)中，作为R¹¹～R¹⁸所表示的卤素原子，可列举氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等。

通式(1)中，作为R¹¹与R¹²、R¹²与R¹³、R¹³与R¹⁴、R¹⁵与R¹⁶、R¹⁶与R¹⁷或R¹⁷与R¹⁸相互连结而形成的环结构，可列举：苯环、碳数10以上且18以下的稠环(萘环、蒽环、菲环、

环(苯并[α]菲环)、并四苯环、苯并蒽环(苯并[α]蒽环)、三亚苯环等)等。所述之中，作为所形成的环结构，优选为苯环。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的烷基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷氧基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的芳烷基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的芳基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳氧基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基羰基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳氧基羰基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基羰基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的烷氧基羰基烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的烷氧基羰基烷基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的芳氧基羰基烷基，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的芳氧基羰基烷基同样的基。

通式(2)中，作为R²¹～R²⁸所表示的卤素原子，可列举与通式(1)中R¹¹～R¹⁸所表示的卤素原子同样的原子。

通式(2)中，作为R²¹与R²²、R²²与R²³、R²³与R²⁴、R²⁵与R²⁶、R²⁶与R²⁷或R²⁷与R²⁸相互连结而形成的环结构，可列举：苯环、碳数10以上且18以下的稠环(萘环、蒽环、菲环、环(苯并[α]菲环)、并四苯环、苯并蒽环(苯并[α]蒽环)、三亚苯环等)等。所述之中，作为所形成的环结构，优选为苯环。

就进一步抑制反复形成图像时产生的光灵敏度的降低及残余电位的上升的观点而言，通式(1)中的R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R¹⁶、R¹⁷及R¹⁸优选为各自独立地为氢原子、烷基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基烷基或芳氧基羰基烷基。

就进一步抑制反复形成图像时产生的光灵敏度的降低及残余电位的上升的观点而言，通式(2)中的R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R²⁶、R²⁷及R²⁸优选为各自独立地为氢原子、烷基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、烷氧基羰基烷基或芳氧基羰基烷基。

以下，示出紫环酮化合物(1)及紫环酮化合物(2)的具体例，但本实施方式并不限定于此。下述结构式中，Ph表示苯基。

[化3]

[化4]

[化5]

[化6]

[化7]

[化8]

紫环酮化合物(1)与紫环酮化合物(2)存在异构体的关系(即顺式体与反式体的关系)。作为一般的合成法，是将2摩尔的邻苯二胺化合物与1摩尔的萘四羧酸化合物加热缩合来进行合成，获得顺式体与反式体的混合物，混合比通常为顺式体比反式体多。关于顺式体与反式体的分离，例如通过利用氢氧化钾的醇溶液进行加热洗涤，能够将可溶性的顺式体与难溶性的反式体分离。

就将底涂层的体积电阻率控制为理想的范围的观点及成膜性的观点而言，相对于底涂层的总固体成分量，紫环酮化合物(1)及紫环酮化合物(2)的总含量优选为30质量％以上，更优选为30质量％以上且90质量％以下，进而优选为40质量％以上且80质量％以下，进而更优选为50质量％以上且70质量％以下。

-粘结树脂-

作为用于底涂层的粘结树脂，例如可列举：缩醛树脂(例如聚乙烯缩丁醛等)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨基甲酸酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、脲树脂、酚树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等已知的高分子化合物；锆螯合化合物；钛螯合化合物；铝螯合化合物；钛醇盐化合物；有机钛化合物；硅烷偶联剂等已知的材料。

作为用于底涂层的粘结树脂，例如还可列举：具有电荷传输性基的电荷传输性树脂、导电性树脂(例如聚苯胺等)等。

这些之中，作为用于底涂层的粘结树脂，适宜为不溶于上层的涂布溶剂的树脂，尤其适宜为脲树脂、酚树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨基甲酸酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂、环氧树脂等热硬化性树脂；利用选自由聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯醇树脂及聚乙烯缩醛树脂所组成的群组中的至少一种树脂与硬化剂的反应而获得的树脂。在将这些粘结树脂的两种以上组合使用的情况下，视需要对其混合比例进行设定。

作为底涂层中使用的粘结树脂，就紫环酮化合物及钛酸金属化合物粒子良好地分散的观点而言，优选为聚氨基甲酸酯。聚氨基甲酸酯一般是通过多官能异氰酸酯与多元醇的聚加成反应而合成。

作为多官能异氰酸酯，例如可列举：亚甲基二异氰酸酯、亚乙基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、1,4-环己烷二异氰酸酯、2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-亚二甲苯基二异氰酸酯、1,5-萘二异氰酸酯、间苯二异氰酸酯、对苯二异氰酸酯、3,3'-二甲基-4,4'-二苯基甲烷二异氰酸酯、3,3'-二甲基联苯二异氰酸酯、4,4'-联苯二异氰酸酯、二环己基甲烷二异氰酸酯、亚甲基双(4-环己基异氰酸酯)等二异氰酸酯；所述二异氰酸酯三聚体化而得的异氰脲酸酯；利用封端剂将所述二异氰酸酯的异氰酸酯基封端而得的封端异氰酸酯等。多官能异氰酸酯可使用一种，也可并用两种以上。

作为多元醇，例如可列举：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,3-丁二醇、2,3-丁二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇、1,2-戊二醇、1,4-戊二醇、1,5-戊二醇、2,4-戊二醇、3,3-二甲基-1,2-丁二醇、2-乙基-2-甲基-1,3-丙二醇、1,2-己二醇、1,5-己二醇、1,6-己二醇、2,5-己二醇、2-甲基-2,4-戊二醇、2,2-二乙基-1,3-丙二醇、2,4-二甲基-2,4-戊二醇、1,7-庚二醇、2-甲基-2-丙基-1,3-丙二醇、2,5-二甲基-2,5-己二醇、2-乙基-1,3-己二醇、1,2-辛二醇、1,8-辛二醇、2,2,4-三甲基-1,3-戊二醇、1,4-环己烷二甲醇、氢醌、二乙二醇、三乙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚(氧四亚甲基)二醇、4,4'-二羟基-二苯基-2,2-丙烷、4,4'-二羟基苯基砜等二醇。

作为多元醇，还可列举例如聚酯多元醇、聚碳酸酯多元醇、聚己内酯多元醇、聚醚多元醇、聚乙烯缩丁醛等。

多元醇可使用一种，也可并用两种以上。

作为聚氨基甲酸酯硬化催化剂(即，多官能异氰酸酯与多元醇的聚加成反应的催化剂)，可使用已知的有机酸金属盐或有机金属络合物。

关于底涂层中所含的粘结树脂，优选为粘结树脂总量的80质量％以上且100质量％以下为聚氨基甲酸酯，更优选为90质量％以上且100质量％以下为聚氨基甲酸酯，进而优选为95质量％以上且100质量％以下为聚氨基甲酸酯。

为了提升电气特性、提升环境稳定性、提升画质，也可在底涂层中包含各种添加剂。

作为添加剂，可列举：多环缩合系、偶氮系等电子传输性颜料、锆螯合化合物、钛螯合化合物、铝螯合化合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物、硅烷偶联剂等已知的材料。

关于作为添加剂的硅烷偶联剂，例如可列举：乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氯丙基三甲氧基硅烷等。

作为锆螯合化合物，例如可列举：锆丁醇盐、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺合锆、乙酰丙酮锆丁醇盐、乙酰乙酸乙酯锆丁醇盐、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸酯锆丁醇盐、硬脂酸酯锆丁醇盐、异硬脂酸酯锆丁醇盐等。

作为钛螯合化合物，例如可列举：钛酸四异丙基酯、钛酸四正丁基酯、钛酸丁基酯二聚体、钛酸四(2-乙基己基)酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮钛、亚辛基乙醇酸钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸乙酯钛、三乙醇胺合钛、多羟基硬脂酸钛等。

作为铝螯合化合物，例如可列举：异丙醇铝、单丁氧基二异丙醇铝、丁醇铝、二乙酰乙酸乙酯二异丙醇铝、三(乙酰乙酸乙酯)铝等。

这些添加剂可单独使用，或者也可作为多种化合物的混合物或缩聚物来使用。

就耐泄漏性的观点而言，底涂层的层厚优选为3μm以上，更优选为5μm以上，进而优选为8μm以上。就抑制反复使用时的残余电位的上升的观点而言，底涂层的层厚优选为30μm以下，更优选为20μm以下，进而优选为10μm以下。

底涂层的体积电阻率优选为1×10¹⁰Ω·cm以上、1×10¹²Ω·cm以下。

底涂层的维氏硬度宜为35以上。

为了抑制云纹(moire)像，宜将底涂层的表面粗糙度(十点平均粗糙度)调整为所使用的曝光用激光波长λ的1/(4n)(n为上层的折射率)至1/2。

为了调整表面粗糙度，也可在底涂层中添加树脂粒子等。作为树脂粒子，可列举硅酮树脂粒子、交联型聚甲基丙烯酸甲酯树脂粒子等。另外，为了调整表面粗糙度，也可对底涂层的表面进行研磨。作为研磨方法，可列举：软皮(buff)研磨、喷砂处理、湿式珩磨、磨削处理等。

底涂层的形成并无特别限制，可利用已知的形成方法，例如通过如下方式进行：形成将所述成分加入至溶剂中所得的底涂层形成用涂布液的涂膜，对所述涂膜进行干燥，并视需要进行加热。

作为用于制备底涂层形成用涂布液的溶剂，可列举已知的有机溶剂，例如：醇系溶剂、芳香族烃溶剂、卤化烃溶剂、酮系溶剂、酮醇系溶剂、醚系溶剂、酯系溶剂等。

具体而言，这些溶剂例如可列举：甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等通常的有机溶剂。

紫环酮化合物(1)及紫环酮化合物(2)由于难以溶解在有机溶剂中，因而理想为分散在有机溶剂中。作为其分散方法，例如可列举：辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶体磨机、油漆搅拌器等已知的方法。钛酸金属化合物粒子也理想为利用同样的分散方法分散在有机溶剂中。

作为将底涂层形成用涂布液涂布于导电性基体上的方法，例如可列举：刮板涂布法、线棒涂布法、喷雾涂布法、浸渍涂布法、液滴涂布(bead coating)法、气刀涂布法、幕式涂布法等通常方法。

[导电性基体]

作为导电性基体，例如可列举包含金属(铝、铜、锌、铬、镍、钼、钒、铟、金、铂等)或合金(不锈钢等)的金属板、金属鼓及金属带等。另外，作为导电性基体，例如还可列举将导电性化合物(例如导电性聚合物、氧化铟等)、金属(例如铝、钯、金等)或合金涂布、蒸镀或层压而成的纸、树脂膜、带等。此处，所谓“导电性”，是指体积电阻率小于1×10¹³Ω·cm。

在将电子照相感光体用于激光打印机中的情况下，优选为对导电性基体的表面进行粗糙化，使得其中心线平均粗糙度Ra为0.04μm以上且0.5μm以下，以便抑制在照射激光光时所产生的干涉条纹。在将非相干光用于光源中的情况下，并不特别需要用于防止干涉条纹的表面粗糙化，但其抑制由导电性基体的表面凹凸引起的缺陷的产生，因此适合更长寿命化。

作为表面粗糙化的方法，例如可列举：通过使研磨剂悬浮于水中并喷附于导电性基体上而进行的湿式珩磨(honing)、将导电性基体压接于旋转的磨石并连续进行磨削加工的无心磨削、阳极氧化处理等。

作为表面粗糙化的方法，还可列举如下方法：不对导电性基体的表面进行粗糙化，而使导电性或半导电性粉体分散于树脂中，在导电性基体的表面上形成层，并利用分散于所述层中的粒子进行表面粗糙化。

利用阳极氧化进行的表面粗糙化处理是通过将金属制(例如铝制)的导电性基体作为阳极并在电解质溶液中进行阳极氧化而在导电性基体的表面形成氧化膜。作为电解质溶液，例如可列举硫酸溶液、草酸溶液等。但是，通过阳极氧化而形成的多孔阳极氧化膜在维持原样的状态下有化学活性，且容易被污染，由环境引起的电阻变动也大。因此，优选为对多孔阳极氧化膜进行封孔处理：在加压水蒸气或沸水中(也可加入镍等金属盐)，利用由水合反应引起的体积膨胀将氧化膜的微细孔堵塞，从而变为更稳定的水合氧化物。

阳极氧化膜的膜厚例如优选为0.3μm以上且15μm以下。若所述膜厚处于所述范围内，则存在发挥相对于注入而言的阻隔性的倾向，另外存在抑制因反复使用所引起的残余电位上升的倾向。

也可对导电性基体实施利用酸性处理液的处理或者水铝石(boehmite)处理。

利用酸性处理液的处理例如以如下方式实施。首先，制备包含磷酸、铬酸及氢氟酸的酸性处理液。关于酸性处理液中的磷酸、铬酸及氢氟酸的调配比例，例如磷酸为10质量％以上且11质量％以下的范围、铬酸为3质量％以上且5质量％以下的范围、氢氟酸为0.5质量％以上且2质量％以下的范围，这些酸整体的浓度宜为13.5质量％以上且18质量％以下的范围。处理温度例如优选为42℃以上且48℃以下。被膜的膜厚优选为0.3μm以上且15μm以下。

关于水铝石处理，例如是将所述导电性基体在90℃以上且100℃以下的纯水中浸渍5分钟至60分钟、或者使其与90℃以上且120℃以下的加热水蒸气接触5分钟至60分钟来进行。被膜的膜厚优选为0.1μm以上且5μm以下。也可进一步对其使用己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐、柠檬酸盐等被膜溶解性低的电解质溶液进行阳极氧化处理。

[中间层]

图示虽省略，但也可在底涂层与感光层之间进一步设置中间层。

中间层例如为包含树脂的层。作为用于中间层的树脂，例如可列举：缩醛树脂(例如聚乙烯缩丁醛等)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨基甲酸酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂等高分子化合物。

中间层也可为包含有机金属化合物的层。作为用于中间层的有机金属化合物，可列举含有锆、钛、铝、锰、硅等金属原子的有机金属化合物等。

这些用于中间层的化合物可单独使用，或者也可作为多种化合物的混合物或缩聚物来使用。

这些之中，中间层优选为包含含有锆原子或硅原子的有机金属化合物的层。

中间层的形成并无特别限制，可利用已知的形成方法，例如通过如下方式进行：形成将所述成分加入至溶剂中所得的中间层形成用涂布液的涂膜，对所述涂膜进行干燥，并视需要进行加热。

作为形成中间层的涂布方法，可使用浸渍涂布法、上推涂布法、线棒涂布法、喷雾涂布法、刮板涂布法、刮刀涂布(knife coating)法、幕式涂布法等通常方法。

中间层的膜厚例如优选为设定于0.1μm以上且3μm以下的范围内。

[电荷产生层]

电荷产生层例如为包含电荷产生材料与粘结树脂的层。另外，电荷产生层也可为电荷产生材料的蒸镀层。电荷产生材料的蒸镀层适合于使用发光二极管(Light EmittingDiode，LED)、有机电致发光(Electro-Luminescence，EL)图像阵列等非相干性光源的情形。

作为电荷产生材料，可列举：双偶氮、三偶氮等偶氮颜料；二溴蒽嵌蒽醌等稠环芳香族颜料；苝颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；三方晶系硒等。

这些之中，为了应对近红外区域的激光曝光，作为电荷产生材料，优选为使用金属酞菁颜料或无金属酞菁颜料。具体而言，例如更优选为：日本专利特开平5-263007号公报、日本专利特开平5-279591号公报等所公开的羟基镓酞菁；日本专利特开平5-98181号公报等所公开的氯镓酞菁；日本专利特开平5-140472号公报、日本专利特开平5-140473号公报等所公开的二氯锡酞菁；日本专利特开平4-189873号公报等所公开的氧钛酞菁。

另一方面，为了应对近紫外区域的激光曝光，作为电荷产生材料，优选为：二溴蒽嵌蒽醌等稠环芳香族颜料；硫靛系颜料；紫菜嗪化合物；氧化锌；三方晶系硒；日本专利特开2004-78147号公报、日本专利特开2005-181992号公报所公开的双偶氮颜料等。

当使用在450nm以上且780nm以下存在发光的中心波长的LED、有机EL图像阵列等非相干性光源时，也可使用所述电荷产生材料，但就分辨率的观点而言，当在20μm以下的薄膜中使用感光层时，感光层中的电场强度变高，容易产生来自基体的电荷注入所引起的带电降低、被称为所谓黑点的图像缺陷。所述情况在使用三方晶系硒、酞菁颜料等容易在p-型半导体中产生暗电流的电荷产生材料时变得显著。

相对于此，在使用作为电荷产生材料的稠环芳香族颜料、苝颜料、偶氮颜料等的n-型半导体的情况下，难以产生暗电流，即使制成薄膜，也能抑制被称为黑点的图像缺陷。作为n-型的电荷产生材料，例如可列举日本专利特开2012-155282号公报的段落[0288]～段落[0291]中记载的化合物(CG-1)～化合物(CG-27)，但并不限定于此。

n-型的判定可利用通常所使用的飞行时间(Time of Flight)法并根据流动的光电流的极性来判定，将相较于空穴而更容易使电子作为载流子流动者设为n-型。

作为用于电荷产生层的粘结树脂，可自广泛的绝缘性树脂中选择，另外，作为粘结树脂，也可自聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘、聚硅烷等有机光导电性聚合物中选择。

作为粘结树脂，例如可列举：聚乙烯缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(双酚类与芳香族二元羧酸的缩聚物等)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯基吡啶树脂、纤维素树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂、聚乙烯吡咯烷酮树脂等。此处，所谓“绝缘性”，是指体积电阻率为1×10¹³Ω·cm以上。

这些粘结树脂可单独使用一种或混合使用两种以上。

电荷产生材料与粘结树脂的调配比优选为以质量比计为10：1至1：10的范围内。

此外，在电荷产生层中也可包含已知的添加剂。

电荷产生层的形成并无特别限制，可利用已知的形成方法，例如通过如下方式进行：形成将所述成分加入至溶剂中所得的电荷产生层形成用涂布液的涂膜，对所述涂膜进行干燥，并视需要进行加热。电荷产生层的形成也可通过电荷产生材料的蒸镀来进行。电荷产生层的利用蒸镀的形成尤其适合于利用稠环芳香族颜料、苝颜料作为电荷产生材料的情形。

作为用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂，可列举：甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯、甲苯等。这些溶剂单独使用一种或混合使用两种以上。

作为使粒子(例如电荷产生材料)分散于电荷产生层形成用涂布液中的方法，例如利用球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、卧式砂磨机等介质分散机；或者搅拌机、超声波分散机、辊磨机、高压均质机等无介质分散机。作为高压均质机，例如可列举：在高压状态下使分散液进行液-液碰撞或液-壁碰撞并分散的碰撞方式、或者在高压状态下使分散液贯穿微细流路并分散的贯穿方式等。

当进行所述分散时，有效的是将电荷产生层形成用涂布液中的电荷产生材料的平均粒径设为0.5μm以下、优选为0.3μm以下、进而优选为0.15μm以下。

作为将电荷产生层形成用涂布液涂布于底涂层上(或中间层上)的方法，例如可列举：刮板涂布法、线棒涂布法、喷雾涂布法、浸渍涂布法、液滴涂布法、气刀涂布法、幕式涂布法等通常方法。

电荷产生层的膜厚例如设定于优选为0.1μm以上且5.0μm以下、更优选为0.2μm以上且2.0μm以下的范围内。

[电荷传输层]

电荷传输层例如为包含电荷传输材料与粘结树脂的层。电荷传输层也可为包含高分子电荷传输材料的层。

作为电荷传输材料，可列举：对苯醌、氯醌、溴醌、蒽醌等醌系化合物；四氰基醌二甲烷系化合物；2,4,7-三硝基芴酮等芴酮化合物；呫吨酮系化合物；二苯甲酮系化合物；氰基乙烯基系化合物；乙烯系化合物等电子传输性化合物。作为电荷传输材料，还可列举：三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、芳基烷烃系化合物、芳基取代乙烯系化合物、二苯乙烯系化合物、蒽系化合物、腙系化合物等空穴传输性化合物。这些电荷传输材料可单独使用一种或使用两种以上，但并不限定于这些。

作为电荷传输材料，就电荷迁移率的观点而言，优选为由下述结构式(a-1)表示的三芳基胺衍生物、及由下述结构式(a-2)表示的联苯胺衍生物。

[化9]

结构式(a-1)中，Ar^T1、Ar^T2及Ar^T3各自独立地表示经取代或未经取代的芳基、-C₆H₄-C(R^T4)＝C(R^T5)(R^T6)、或-C₆H₄-CH＝CH-CH＝C(R^T7)(R^T8)。R^T4、R^T5、R^T6、R^T7及R^T8各自独立地表示氢原子、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的芳基。

作为所述各基的取代基，可列举：卤素原子、碳数1以上且5以下的烷基、碳数1以上且5以下的烷氧基。另外，作为所述各基的取代基，还可列举经碳数1以上且3以下的烷基取代而成的取代氨基。

[化10]

结构式(a-2)中，R^T91及R^T92各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳数1以上且5以下的烷基、或者碳数1以上且5以下的烷氧基。R^T101、R^T102、R^T111及R^T112各自独立地表示卤素原子、碳数1以上且5以下的烷基、碳数1以上且5以下的烷氧基、经碳数1以上且2以下的烷基取代而成的氨基、经取代或未经取代的芳基、-C(R^T12)＝C(R^T13)(R^T14)、或-CH＝CH-CH＝C(R^T15)(R^T16)，R^T12、R^T13、R^T14、R^T15及R^T16各自独立地表示氢原子、经取代或未经取代的烷基、或者经取代或未经取代的芳基。Tm1、Tm2、Tn1及Tn2各自独立地表示0以上且2以下的整数。

作为所述各基的取代基，可列举：卤素原子、碳数1以上且5以下的烷基、碳数1以上且5以下的烷氧基。另外，作为所述各基的取代基，还可列举经碳数1以上且3以下的烷基取代而成的取代氨基。

此处，在由结构式(a-1)表示的三芳基胺衍生物及由所述结构式(a-2)表示的联苯胺衍生物中，就电荷迁移率的观点而言，尤其优选为具有“-C₆H₄-CH＝CH-CH＝C(R^T7)(R^T8)”的三芳基胺衍生物、及具有“-CH＝CH-CH＝C(R^T15)(R^T16)”的联苯胺衍生物。

作为高分子电荷传输材料，可使用聚-N-乙烯基咔唑、聚硅烷等具有电荷传输性的已知者。尤其优选为日本专利特开平8-176293号公报、日本专利特开平8-208820号公报等所公开的聚酯系的高分子电荷传输材料。高分子电荷传输材料可单独使用，但也可与粘结树脂并用。

用于电荷传输层的粘结树脂可列举：聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、硅酮树脂、硅酮醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑、聚硅烷等。这些之中，作为粘结树脂，适宜为聚碳酸酯树脂或聚芳酯树脂。这些粘结树脂单独使用一种或使用两种以上。

电荷传输材料与粘结树脂的调配比以质量比计优选为10：1至1：5。

此外，在电荷传输层中也可包含已知的添加剂。

电荷传输层的形成并无特别限制，可利用已知的形成方法，例如通过如下方式进行：形成将所述成分加入至溶剂中所得的电荷传输层形成用涂布液的涂膜，对所述涂膜进行干燥，并视需要进行加热。

作为用于制备电荷传输层形成用涂布液的溶剂，可列举：苯、甲苯、二甲苯、氯苯等芳香族烃类；丙酮、2-丁酮等酮类；二氯甲烷、氯仿、二氯乙烷等卤化脂肪族烃类；四氢呋喃、***等环状或直链状的醚类等通常的有机溶剂。这些溶剂单独使用或混合使用两种以上。

作为将电荷传输层形成用涂布液涂布于电荷产生层上时的涂布方法，可列举：刮板涂布法、线棒涂布法、喷雾涂布法、浸渍涂布法、液滴涂布法、气刀涂布法、幕式涂布法等通常方法。

电荷传输层的膜厚例如设定于优选为5μm以上且50μm以下、更优选为10μm以上且30μm以下的范围内。

[保护层]

保护层视需要而设置于感光层上。保护层例如是出于防止带电时的感光层的化学变化或进一步改善感光层的机械强度的目的而设置。

因此，保护层可应用包含硬化膜(交联膜)的层。作为这些层，例如可列举下述1)或2)所示的层。

1)包含含有在相同的分子内具有反应性基及电荷传输性骨架的含反应性基的电荷传输材料的组合物的硬化膜的层(即，包含所述含反应性基的电荷传输材料的聚合体或交联体的层)

2)包含含有非反应性的电荷传输材料、与不具有电荷传输性骨架而具有反应性基的含反应性基的非电荷传输材料的组合物的硬化膜的层(即，包含非反应性的电荷传输材料、与所述含反应性基的非电荷传输材料的聚合体或交联体的层)

作为含反应性基的电荷传输材料的反应性基，可列举：链聚合性基、环氧基、-OH、-OR[其中，R表示烷基]、-NH₂、-SH、-COOH、-SiR^Q1 _3-Qn(OR^Q2)_Qn[其中，R^Q1表示氢原子、烷基或者取代或未经取代的芳基，R^Q2表示氢原子、烷基、三烷基硅烷基；Qn表示1～3的整数]等已知的反应性基。

作为链聚合性基，只要为可进行自由基聚合的官能基，则并无特别限定，例如为至少具有含有碳双键的基的官能基。具体而言，可列举含有选自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、苯乙烯基(乙烯基苯基)、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及这些的衍生物中的至少一个的基等。其中，就其反应性优异的方面而言，作为链聚合性基，优选为含有选自乙烯基、苯乙烯基(乙烯基苯基)、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及这些的衍生物中的至少一个的基。

作为含反应性基的电荷传输材料的电荷传输性骨架，只要为电子照相感光体中的已知的结构，则并无特别限定，例如可列举源自三芳基胺系化合物、联苯胺系化合物、腙系化合物等含氮的空穴传输性化合物的骨架且为与氮原子共轭的结构。这些之中，优选为三芳基胺骨架。

这些具有反应性基及电荷传输性骨架的含反应性基的电荷传输材料、非反应性的电荷传输材料、含反应性基的非电荷传输材料可自已知的材料中选择。

此外，在保护层中也可包含已知的添加剂。

保护层的形成并无特别限制，可利用已知的形成方法，例如通过如下方式进行：形成将所述成分加入至溶剂中所得的保护层形成用涂布液的涂膜，对所述涂膜进行干燥，并视需要进行加热等硬化处理。

作为用于制备保护层形成用涂布液的溶剂，可列举：甲苯、二甲苯等芳香族系溶剂；甲基乙基酮、甲基异丁基酮、环己酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶剂；四氢呋喃、二噁烷等醚系溶剂；乙二醇单甲醚等溶纤剂系溶剂；异丙醇、丁醇等醇系溶剂等。这些溶剂可单独使用或混合使用两种以上。

保护层形成用涂布液也可为无溶剂的涂布液。

作为将保护层形成用涂布液涂布于感光层(例如电荷传输层)上的方法，可列举：浸渍涂布法、上推涂布法、线棒涂布法、喷雾涂布法、刮板涂布法、刮刀涂布法、幕式涂布法等通常方法。

保护层的膜厚例如设定于优选为1μm以上且20μm以下、更优选为2μm以上且10μm以下的范围内。

[单层型感光层]

单层型感光层(电荷产生/电荷传输层)例如为包含电荷产生材料与电荷传输材料、以及视需要的粘结树脂及其他已知的添加剂的层。这些材料与在电荷产生层及电荷传输层中所说明的材料相同。

而且，在单层型感光层中，相对于总固体成分，电荷产生材料的含量宜为0.1质量％以上且10质量％以下，优选为0.8质量％以上且5质量％以下。另外，在单层型感光层中，相对于总固体成分，电荷传输材料的含量宜为5质量％以上且50质量％以下。

单层型感光层的形成方法与电荷产生层或电荷传输层的形成方法相同。

单层型感光层的膜厚例如宜为5μm以上且50μm以下，优选为10μm以上且40μm以下。

[图像形成装置、处理盒]

本实施方式的图像形成装置包括：电子照相感光体；带电机构，使电子照相感光体的表面带电；静电潜像形成机构，在经带电的电子照相感光体的表面形成静电潜像；显影机构，利用包含色粉的显影剂，对形成于电子照相感光体的表面的静电潜像进行显影而形成色粉图像；及转印机构，将色粉图像转印至记录介质的表面。而且，作为电子照相感光体，可应用所述本实施方式的电子照相感光体。

本实施方式的图像形成装置可应用如下等已知的图像形成装置：包括定影机构的装置，所述定影机构将转印至记录介质的表面的色粉图像加以定影；将形成于电子照相感光体的表面的色粉图像直接转印至记录介质的直接转印方式的装置；将形成于电子照相感光体的表面的色粉图像一次转印至中间转印体的表面，并将转移至中间转印体的表面的色粉图像二次转印至记录介质的表面的中间转印方式的装置；包括清洁机构的装置，所述清洁机构在色粉图像的转印后，对带电前的电子照相感光体的表面进行清洁；包括除电机构的装置，所述除电机构在色粉图像的转印后且带电前，对电子照相感光体的表面照射除电光而进行除电；包括电子照相感光体加热构件的装置，所述电子照相感光体加热构件用于使电子照相感光体的温度上升并减低相对温度。

在中间转印方式的装置的情况下，转印机构例如可应用如下构成，所述构成包括：中间转印体，表面供色粉图像转印；一次转印机构，将形成于电子照相感光体的表面的色粉图像一次转印至中间转印体的表面；及二次转印机构，将转印至中间转印体的表面的色粉图像二次转印至记录介质的表面。

本实施方式的图像形成装置可为干式显影方式的图像形成装置、湿式显影方式(利用液体显影剂的显影方式)的图像形成装置的任一者。

在本实施方式的图像形成装置中，例如，包括电子照相感光体的部分可为相对于图像形成装置可拆装地设置的盒(cartridge)结构(处理盒)。作为处理盒，例如可适宜地使用包括本实施方式的电子照相感光体的处理盒。除电子照相感光体以外，在处理盒中也可包括例如选自由带电机构、静电潜像形成机构、显影机构、转印机构所组成的群组中的至少一个。

以下示出本实施方式的图像形成装置的一例，但并不限定于此。对图中所示的主要部分进行说明，其他部分省略其说明。

图2是表示本实施方式的图像形成装置的一例的概略构成图。

如图2所示，本实施方式的图像形成装置100包括具备电子照相感光体7的处理盒300、曝光装置9(静电潜像形成机构的一例)、转印装置40(一次转印装置)及中间转印体50。在图像形成装置100中，曝光装置9配置于可自处理盒300的开口部对电子照相感光体7进行曝光的位置，转印装置40介隔中间转印体50而配置于与电子照相感光体7相对向的位置，中间转印体50是以其一部分与电子照相感光体7接触的方式配置。虽未图示，但也具有将转印至中间转印体50的色粉图像转印至记录介质(例如纸张)的二次转印装置。中间转印体50、转印装置40(一次转印装置)及二次转印装置(未图示)相当于转印机构的一例。

图2中的处理盒300在壳体内一体地支撑着电子照相感光体7、带电装置8(带电机构的一例)、显影装置11(显影机构的一例)及清洁装置13(清洁机构的一例)。清洁装置13具有清洁刮板(清洁构件的一例)131，清洁刮板131是以与电子照相感光体7的表面接触的方式配置。清洁构件并非清洁刮板131的形态，也可为导电性或绝缘性的纤维状构件，可单独使用纤维状构件，或也可与清洁刮板131并用。

图2中，作为图像形成装置，示出有包括将润滑剂14供给至电子照相感光体7的表面的纤维状构件132(辊状)及辅助清洁的纤维状构件133(平刷状)的例子，这些可视需要而配置。

以下，对本实施方式的图像形成装置的各构成进行说明。

-带电装置-

作为带电装置8，例如可利用使用导电性或半导电性的带电辊、带电刷、带电膜、带电橡胶刮板、带电管等的接触型带电器。另外，也可使用非接触方式的辊带电器、利用电晕放电的有栅格电极式(scorotron)带电器或无栅格电极式(corotron)带电器等其自身已知的带电器等。

-曝光装置-

作为曝光装置9，例如可列举将半导体激光光、发光二极管(LED)光、液晶快门光等光如所规定的像那样对电子照相感光体7表面进行曝光的光学系统设备等。光源的波长设为电子照相感光体的分光灵敏度区域内。作为半导体激光的波长，主流是在780nm附近具有振荡波长的近红外。但是，并不限定于所述波长，也可利用600nm左右的振荡波长激光或作为蓝色激光的在400nm以上且450nm以下具有振荡波长的激光。另外，为了形成彩色图像，可输出多波束的类型的面发光型激光光源也有效。

-显影装置-

作为显影装置11，例如可列举使显影剂接触或非接触来进行显影的通常的显影装置。作为显影装置11，只要具有所述功能，则并无特别限制，可根据目的来选择。例如可列举具有如下功能的已知的显影器等：使用刷、辊等而使单组分系显影剂或双组分系显影剂附着于电子照相感光体7。其中，优选为使用将显影剂保持于表面的显影辊者。

用于显影装置11中的显影剂可为单独色粉的单组分系显影剂，也可为包含色粉与载体的双组分系显影剂。另外，显影剂可为磁性，也可为非磁性。这些显影剂可应用已知者。

-清洁装置-

清洁装置13可使用包括清洁刮板131的清洁刮板方式的装置。

除清洁刮板方式以外，也可采用毛刷清洁方式、显影同时清洁方式。

-转印装置-

作为转印装置40，例如可列举：使用带、辊、膜、橡胶刮板等的接触型转印带电器、利用电晕放电的有栅格电极式转印带电器或无栅格电极式转印带电器等其自身已知的转印带电器。

-中间转印体-

作为中间转印体50，可使用包含赋予有半导电性的聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡胶等的带状者(中间转印带)。另外，作为中间转印体的形态，除带状以外，也可使用滚筒状者。

图3是表示本实施方式的图像形成装置的另一例的概略构成图。

图3所示的图像形成装置120为搭载有四个处理盒300的串联(tandem)方式的多色图像形成装置。图像形成装置120成为如下构成：四个处理盒300分别并列配置于中间转印体50上，且针对一种颜色，使用一个电子照相感光体。除为串联方式以外，图像形成装置120具有与图像形成装置100同样的构成。

[实施例]

以下，列举实施例来对本公开的电子照相感光体进行更具体说明。只要不脱离本公开的主旨，则以下实施例中示出的材料、使用量、比例、处理程序等可适当地变更。因此，本公开的电子照相感光体的范围不应由以下所示的具体例限定地解释。

＜感光体的制作＞

[实施例1]

(底涂层的形成)

将封端化异氰酸酯(苏米都(Sumidur)BL3175，住友拜耳聚氨酯(Bayer Urethane)公司制造，固体成分75质量％)20质量份、缩丁醛树脂(埃斯莱克(S-LEC)BL-1，积水化学工业公司制)7.5质量份溶解于甲基乙基酮150质量份中。在所述溶液中混合作为聚氨基甲酸酯硬化催化剂的羧酸铋(K-KAT XK-640，金工业(King Industries)公司制造)0.005质量份、钛酸锶粒子(平均一次粒径100nm)7.5质量份、紫环酮化合物(1-1)45质量份，使用直径1mm的玻璃珠并利用砂磨机进行10小时的分散，从而获得底涂层形成用的涂布液。将所述涂布液浸渍涂布于圆筒状铝基材上，在160℃下进行60分钟的干燥硬化，形成厚度20μm的底涂层。

(电荷产生层的形成)

作为电荷产生材料，准备在使用CuKα特性X射线的X射线衍射光谱的布拉格(Bragg)角度(2θ±0.2°)至少为7.3°、16.0°、24.9°、28.0°的位置具有衍射峰值的羟基镓酞菁。将羟基镓酞菁15质量份、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂(VMCH，日本尤尼卡(Unicar)公司制造)10质量份及乙酸正丁酯200质量份混合而成的混合物，使用直径1mm的玻璃珠并利用砂磨机分散4小时。向所得的分散液中添加乙酸正丁酯175质量份及甲基乙基酮180质量份，进行搅拌而获得电荷产生层形成用的涂布液。将所述涂布液浸渍涂布于底涂层上，在150℃下干燥15分钟，形成厚度0.2μm的电荷产生层。

(电荷传输层的形成)

将电荷传输剂(HT-1)38质量份、电荷传输剂(HT-2)10质量份及聚碳酸酯树脂(A)(粘度平均分子量4.6万)52质量份加入至四氢呋喃800质量份中进行溶解，并加入四氟化乙烯树脂(路布龙(LUBRON)L5，大金工业(Daikin Industries)制造，平均粒径300nm)8质量份，使用均质机(乌特拉特拉斯(ULTRA-TURRAX)，艾卡(IKA)公司制造)以5500rpm分散2小时，获得电荷传输层形成用的涂布液。将所述涂布液浸渍涂布于电荷产生层上，在140℃下干燥40分钟，形成厚度29μm的电荷传输层。通过以上处理，获得实施例1的感光体。

[化11]

[化12]

[实施例2～实施例17]

在底涂层的形成中，如表1中记载的那样变更钛酸金属化合物粒子的种类及添加量、或者紫环酮化合物的种类及添加量，除此以外，以与实施例1相同的方式制作感光体。

[实施例18～实施例20]

在底涂层的形成中，将紫环酮化合物变更为酰亚胺化合物，除此以外，以与实施例1相同的方式制作感光体。以下示出实施例18～实施例20中使用的酰亚胺化合物(A)、酰亚胺化合物(B)或酰亚胺化合物(C)的化学结构。

[化13]

[比较例1]

在底涂层的形成中，不使用钛酸金属化合物粒子，除此以外，以与实施例1相同的方式制作感光体。

[比较例2～比较例4]

在底涂层的形成中，不使用钛酸金属化合物粒子且将紫环酮化合物变更为酰亚胺化合物，除此以外，以与实施例1相同的方式制作感光体。比较例2～比较例4中使用的酰亚胺化合物(A)、酰亚胺化合物(B)或酰亚胺化合物(C)的化学结构如上所述。

＜感光体的性能评价＞

[电特性]

将各实施例或各比较例的感光体搭载于富士施乐(Fuji Xerox)公司制造的激光打印机改造扫描仪(XP-15改造机)。在温度20℃且相对湿度40％的环境下，利用栅极施加电压为-700V的有栅格电极式带电器使感光体带电，并使用780nm的半导体激光器在1秒后照射10.0erg(尔格)/cm²的光进行放电，在3秒后照射50.0erg/cm²的红色LED光进行除电(charge erasing)。在放电后及除电后分别测定感光体的电位。

将放电后的感光体的电位作为光灵敏度的指标，分类为下述的A～D。将评价结果示于表1中。

-光灵敏度-

A：-240V以上

B：-280V以上且小于-240V

C：-300V以上且小于-280V

D：-小于300V

将放电后的感光体的电位与除电后的感光体的电位的差分类为下述的A～D。将评价结果示于表1中。

-残余电位-

A：-20V以上

B：-40V以上且小于-20V

C：-80V以上且小于-40V

D：-小于80V

[画质(1)]

-灰度性(gradation property)-

将各实施例或各比较例的感光体搭载于富士施乐公司制造的图像形成装置：彩色复合机多文件中心(Docu Centre Color)500，在温度20℃且相对湿度40％的环境下，在A4尺寸的用纸上输出10张，接着，输出包含图像浓度为5％、10％、20％、80％、90％、100％的半色调图像及整面图像(solid image)(均为黑色)的图像图表，通过目视来进行观察，分类如下。将评价结果示于表1中。

A：与设定浓度没有差异。

B：相对于设定浓度有差异，但在实用上是容许范围。

C：相对于设定浓度有差异，是实用上不能容许的程度。

[画质(2)]

将各实施例或各比较例的感光体搭载于富士施乐公司制造的图像形成装置：彩色复合机多文件中心(Docu Centre Color)500，在温度20℃且相对湿度40％的环境下，在A4用纸上连续输出10张图4所示的图像(包括在图像浓度为100％的黑色图像中具有5个白色文字“G”的区域、及图像浓度为40％的黑色半色调图像区域的图像)。通过目视来比较第一张与第十张，将重影及浓度不均分类为下述的A～C。将评价结果示于表1中。

-重影-

A：文字“G”上没有浓度变化。

B：文字“G”上有一些浓度变化，但在实际使用上可容许。

C：文字“G”上有浓度变化，实际使用上不能容许。

-浓度不均-

A：半色调图像没有浓度变化。

B：半色调图像有若干浓度变化，但在实际使用上可容许。

C：半色调图像有浓度变化，在实际使用上不能容许。

[表1]