阅读说明：本技术 光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法、显示装置的制造方法 (Method and apparatus for correcting photomask, method for manufacturing photomask with protective film, and method for manufacturing display device ) 是由 宫崎由宽 于 2020-03-04 设计创作，主要内容包括：提供光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法、显示装置的制造方法,能够在不从光掩模卸下保护膜的情况下对转印用图案的缺陷进行修正。一种光掩模的修正方法,对光掩模的转印用图案中所产生的缺陷进行修正,该光掩模在透明基板的主表面上具有所述转印用图案,其中,该光掩模的修正方法具有成膜工序,在该成膜工序中,在所述光掩模上粘贴有保护膜的状态下,将原料气体导入到由所述光掩模和所述保护膜形成的保护膜空间中,并且透过所述保护膜具有的保护膜膜体朝缺陷部位照射激光,使所述原料气体发生反应,由此使修正膜堆积在所述缺陷部位。(Provided are a method and a device for correcting a photomask, a method for manufacturing a photomask with a protective film, and a method for manufacturing a display device, which can correct defects in a transfer pattern without detaching the protective film from the photomask. A method of correcting a defect generated in a transfer pattern of a photomask having the transfer pattern on a main surface of a transparent substrate, the method comprising a film formation step of introducing a source gas into a protective film space formed by the photomask and a protective film in a state where the protective film is attached to the photomask, and irradiating a defect portion with a laser beam through a protective film body of the protective film to react the source gas, thereby depositing a correction film on the defect portion.)

光掩模的修正方法及修正装置、带保护膜的光掩模的制造方 法、显示装置的制造方法

技术领域

本发明涉及光掩模的修正方法、光掩模的修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法和显示装置的制造方法。

背景技术

作为光掩模的制造方法，已知有对在透明基板上形成有至少1个薄膜的光掩模基板应用光刻法形成转印用图案的方法。近年来，显示装置用光掩模的图案尺寸存在细微化的动向。另一方面，在光掩模的制造过程中，由于薄膜的图案形成的不完全或异物的附着等，难以完全避免转印用图案的缺陷。

以往，作为光掩模的缺陷的修正方法，已知有激光CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法(参照专利文献1)。此外，为了抑制异物附着到已完成的光掩模上，根据需要，有时在形成有光掩模的转印用图案的面侧粘贴被称作保护膜(Pellicle)的部件。该保护膜例如记载在专利文献2中。

专利文献1：日本特开平2-140744号公报

专利文献2：日本特开平9-68792号公报

发明内容

但是，专利文献1、2中均未公开对粘贴有保护膜的光掩模的缺陷进行修正的方法。在需要在粘贴保护膜之后进行修正的情况下，需要从光掩模取下保护膜以进行修正，在修正完成之后将新的保护膜粘贴到光掩模。因此，生产性能的降低、成本的增加成为问题。

因此，本发明的目的在于提供一种能够在不从光掩模取下保护膜的情况下对转印用图案的缺陷进行修正的光掩模的修正方法。

本发明的目的还在于提供光掩模的修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法和显示装置的制造方法。

(第1方式)

根据本发明的第1方式，提供一种光掩模的修正方法，对光掩模的转印用图案中所产生的缺陷进行修正，该光掩模在透明基板的主表面上具有所述转印用图案，其中，该光掩模的修正方法具有成膜工序，在该成膜工序中，在所述光掩模上粘贴有保护膜的状态下，将原料气体导入到由所述光掩模和所述保护膜形成的保护膜空间中，并且透过所述保护膜具有的保护膜膜体朝缺陷部位照射激光，使所述原料气体发生反应，由此使修正膜堆积在所述缺陷部位。

(第2方式)

根据本发明的第2方式，提供根据第1方式所述的光掩模的修正方法，其中，

在所述成膜工序中，从设置在所述保护膜所具有的保护膜框上的保护膜通气口导入所述原料气体。

(第3方式)

根据本发明的第3方式，

提供根据第2方式所述的光掩模的修正方法，其中，所述保护膜被夹具夹持，该夹具具有能够与所述保护膜通气口紧贴的开口部，

在所述成膜工序中，通过所述开口部从所述保护膜通气口导入所述原料气体。

(第4方式)

根据本发明的第4方式，提供根据第1方式～第3方式中的任意一个所述的光掩模的修正方法，其中，

在所述成膜工序之后具有气体置换工序，在该气体置换工序中，通过将置换气体导入到所述保护膜空间内，将所述原料气体从所述保护膜空间排出。

(第5方式)

根据本发明的第5方式，提供根据第1方式～第4方式中的任意一个所述的光掩模的修正方法，

其中，在所述成膜工序中，对所述光掩模进行加温。

(第6方式)

根据本发明的第6方式，提供一种带保护膜的光掩模的制造方法，其中，

使用第1方式～第5方式中的任意一个所述的光掩模的修正方法，对形成在所述光掩模上的转印用图案的缺陷进行修正。

(第7方式)

根据本发明的第7方式，提供一种显示装置的制造方法，其具有以下工序：

准备通过第6方式所述的制造方法来制造的带保护膜的光掩模；以及

使用曝光装置对所述带保护膜的光掩模进行曝光，将转印用图案转印至被转印体。

(第8方式)

根据本发明的第8方式，提供一种光掩模的修正装置，对光掩模的转印用图案中所产生的缺陷进行修正，该光掩模在透明基板的主表面上具有所述转印用图案，其中，该光掩模的修正装置具有：

掩模保持架，其保持在所述主表面上粘贴有保护膜的状态的所述光掩模；

气体导入管，其用于将原料气体导入到由所述光掩模和所述保护膜形成的保护膜空间中；

激光照射单元，其透过所述保护膜具有的保护膜膜体朝缺陷部位照射激光；

激光水平移动单元，其使所述激光照射单元在XY平面内移动；以及

控制单元，其对所述激光水平移动单元进行控制。

(第9方式)

根据本发明的第9方式，提供根据第8方式所述的光掩模的修正装置，其中，

该光掩模的修正装置还具有夹具，该夹具具有中空的一对臂，

所述一对臂中的至少一方具有开口部，该开口部与所述气体导入管连接，并且能够与设置在所述保护膜具有的保护膜框上的保护膜通气口紧贴，

所述夹具利用所述一对臂夹持所述保护膜框，使得所述开口部与所述保护膜通气口紧贴。

(第10方式)

根据本发明的第10方式，提供根据第8方式或第9方式所述的光掩模的修正装置，其中，

该光掩模的修正装置还具有气体排出管，该气体排出管用于将剩余的所述原料气体从所述保护膜空间排出。

(第11方式)

根据本发明的第11方式，提供根据第8方式～第10方式中的任意一个所述的光掩模的修正装置，其中，

该光掩模的修正装置还具有加热器，该加热器对所述光掩模进行加温。

根据本发明，可以提供一种能够在不从光掩模卸下保护膜的情况下对光掩模的缺陷进行修正的光掩模的修正方法、光掩模的修正装置、带保护膜的光掩模的制造方法和显示装置的制造方法。

附图说明

图1是示出本发明一个实施方式的光掩模的修正方法的概要的说明图，图1的(a)是示出对缺陷部位照射激光的状态的概要图，图1的(b)是示出在激光的照射后、在缺陷部位堆积有修正膜的状态的概要图。

图2是示出本发明一个实施方式的光掩模的修正装置的臂夹持保护膜框(Pellicle frame)的状态的概要图。

图3是例示本发明一个实施方式的光掩模的修正装置的概要的结构图。

标号说明

1：光掩模：1a：透明基板：1b：转印用图案：2：保护膜：2a：保护膜膜体：2b：保护膜框：3：保护膜通气口：4：缺陷部位：5：保护膜空间：6：修正膜：7：夹具：8：激光振荡器：9：激光：10：开口部：15：掩模保持架：20：气体导入管：30：激光水平移动部：35：上部XYZ机器人控制部：40：控制单元：100：修正装置。

具体实施方式

首先，对本实施方式的光掩模、保护膜和转印用图案的缺陷进行说明。

<1.光掩模、保护膜和转印用图案的缺陷的例子>

对本发明一个实施方式的光掩模、保护膜和转印用图案的缺陷的一例进行说明。

(光掩模)

如图1所示，本实施方式的光掩模1对透明基板1a上的至少1个薄膜进行图案形成而形成转印用图案1b。例如，能够通过对在透明基板1a的一个主表面上形成有遮光膜等薄膜的光掩模基板应用光刻法(Photolithography)而形成转印用图案1b，从而获得光掩模1。

具体而言，光掩模1是通过如下所述的方法来制造的。

首先，准备在透明基板1a上形成有薄膜的光掩模基板。接着，通过对薄膜进行图案形成(patterning)，形成转印用图案1b。也可以根据需要进行多次的该薄膜的图案形成。在形成有已完成的转印用图案1b的主表面上粘贴保护膜2。接着，使用检查装置检查转印用图案1b是否存在缺陷。在发现了缺陷的情况下，使用本发明的光掩模的修正方法修正缺陷。综上所述，完成带保护膜的光掩模。

(保护膜)

如图1所示，在构成光掩模1的透明基板的主表面上粘贴有四边形的保护膜2。通过将保护膜2粘贴于主表面，能够抑制异物附着到转印用图案1b上。另外，在本说明书中，将构成光掩模1的透明基板具有的2个主面中的、形成有转印用图案1b的面称作“主表面”、另一个主面称为“背面”。

保护膜2具有保护膜框2b和保护膜膜体2a。通过将保护膜框2b粘贴于光掩模1的主表面的4个边的外缘附近，能够对保护膜2进行固定。如图2所示，保护膜框2b利用4个边部形成为四边形框状。虽然未图示详细内容，但是，4个边部分别具有经由粘接剂等与光掩模1的主表面接触的下端面、与下端面相对的上端面、将下端面与上端面连接的外周面、与外周面相对的内周面。内周面位于保护膜框2b的内侧。另外，保护膜膜体2a能够使用公知的保护膜膜体作为显示装置制造用的光掩模用。

如图2所示，在保护膜框2b上按照规定的间隔设置有多个通气口3(以下，也称作保护膜通气口3)，该通气口3能够调整保护膜2的内部与外部的气压差。通气口3从保护膜框2b的外周面贯穿到内周面。这里，在保护膜框2b的彼此相对的2个边部上分别各设置有2个保护膜通气口3，但是，仅是一例，保护膜通气口3的数量、设置方式是任意的。

(转印用图案的缺陷)

光掩模1的转印用图案1b的缺陷有光透射率比容许值低的黑缺陷和光透射率比容许值高的白缺陷。黑缺陷是由于残存于不需要的部分的薄膜或异物附着等原因而产生的缺陷。白缺陷是由于必要的薄膜的缺失等原因而产生的缺陷，例如，在对透明基板1a上的薄膜进行图案形成时产生(参照图1的(a))。

接着，根据附图对本发明的光掩模的修正方法进行说明。

<2.光掩模的修正方法例>

对本发明一个实施方式的光掩模的修正方法的一例进行说明。

图1是示出本实施方式的光掩模1的修正方法的概要的说明图。

形成在本实施方式的粘贴有保护膜2的光掩模1上的转印用图案1b的缺陷部位4能够通过进行成膜工序来修正，在该成膜工序中，将原料气体导入保护膜空间5中(参照图1的(a))，并且透过保护膜膜体2a朝缺陷部位4照射激光9而使修正膜6堆积在缺陷部位4(参照图1的(b))。

以下，使用附图对成膜工序进行说明。另外，缺陷部位4是指产生有缺陷的区域。此外，保护膜空间5是指由光掩模1和保护膜2形成的空间(即，由光掩模的主表面、保护膜框2b和保护膜膜体2a包围的空间)。

(成膜工序)

首先，如图1的(a)所示，将用于形成修正膜6的原料气体从保护膜通气口3导入保护膜空间5中。由此，产生白缺陷的转印用图案1b的附近成为原料气体的气氛。利用图1的(a)的右侧涂黑箭头表示将原料气体导入保护膜空间5中的情形。另外，之后叙述原料气体。

接着，如图1的(a)所示，在缺陷部位4成为原料气体气氛的状态下，透过保护膜膜体2a从激光振荡器8向缺陷部位4照射规定波长的激光9。这时，通过聚焦到转印用图案1b的缺陷部位4来照射激光9，如图1的(b)所示，在缺陷部位4堆积原料气体发生反应而生成的修正膜6。此外，在保护膜膜体2a的位置处，激光9处于散焦状态，因此，实质上不发生保护膜膜体2a的损伤。

通过持续进行规定时间的原料气体的导入，充满在保护膜空间5内的气体(包含原料气体)的一部分从其他保护膜通气口3排出。由此，能够抑制保护膜空间5内的气压大幅超过保护膜空间外部的气压的情况。

此外，为了促进气体的排出并且抑制所排出的原料气体滞留于保护膜通气口3的出口附近，也可以从上述的其他保护膜通气口3的外部进气。

另外，在上述的成膜工序中，为了减少原料气体堆积在不需要的部位的风险，优选利用配置于光掩模1的背面的加热器75对光掩模1进行加温，间接地对主表面附近的原料气体进行加热。

能够在转印用图案1b的缺陷的修正结束之后，利用保护膜通气口3排出剩余的原料气体。例如，能够将1个或多个保护膜通气口3用于原料气体导入，将其他保护膜通气口3用于排气。这里，剩余的原料气体是指存在于保护膜空间5的原料气体中的、对修正膜6的形成没有贡献的气体。例如，通过将后述的置换气体导入保护膜空间5中，能够将剩余的原料气体从保护膜空间5排出。

接着，根据附图对本发明的光掩模的修正装置进行说明。

<3.光掩模的修正装置的结构例>

对本发明一个实施方式的光掩模的修正装置的结构例进行说明。

图3是例示本实施方式的光掩模的修正装置100的概要的结构图。

(整体结构)

如图1所说明的那样，在本实施方式中举例说明的光掩模的修正装置100构成为通过使用激光CVD法对粘贴有保护膜2的光掩模1进行处理，而在缺陷部位4形成修正膜6，能够在不从光掩模1卸下保护膜2的情况下对转印用图案1b所产生的缺陷进行修正。

光掩模的修正装置100主要具有掩模保持架15、夹具7、气体导入管20、激光振荡器(激光照射单元)8、激光水平移动部(激光水平移动单元)30和上部XYZ机器人控制部(控制单元)35。

(掩模保持架)

掩模保持架15用于保持粘贴有保护膜2的光掩模1。掩模保持架15上的光掩模1以主表面为上，被保持为实质上水平。实质上水平包含光掩模1存在稍微挠曲的情况。此外，掩模保持架15的尺寸根据光掩模1的尺寸适当选择。

(夹具)

夹具7夹持保护膜框2b。夹具7具有：一对臂7a(之后叙述详细内容)，它们用于夹持保护膜框2b；以及连结部7b，其将臂之间连结。在图3中，示出了一对连结部7b作为一例，但是连结部的数量没有限制。此外，“夹持”不仅是一对臂7a分别与保护膜框2b接触(紧贴)并夹着的方式，还包括将一对臂7a配置成在一对臂7a中的任意一方与保护膜框2b之间设置若干空间(即，使一对臂7a中的任意一方不与保护膜框2b接触)而夹着保护膜框2b的方式。虽然之后叙述详细内容，但是，能够将一对臂7a中的一方用于导入原料气体，并且将另一方用于排气。例如，能够选择如下等方式：使一个臂7a与保护膜框2b紧贴来进行气体向保护膜空间5内的导入，在排出保护膜空间5内的气体时，选择使另一个臂7a不与保护膜框2b接触来进行。在不接触的情况下，只要为了使得从保护膜空间5排出的气体不会滞留于保护膜通气口3的出口附近，而在能够从设置于该另一个臂7a上的后述的开口部10吸入该气体的位置处配置该另一个臂7a即可。

(臂)

臂7a构成为中空以使原料气体通过。为了实现原料气体的导入、剩余的原料气体的排出等，在臂7a上设置有与保护膜通气口3对应的多个开口部10。臂7a的内部的结构未特别限定，只要为中空以使原料气体能够通过即可。例如，也可以在臂7a的内部设置有通气通道(未图示)，该通气通道与气体导入管20和开口部10连通。

夹具7通过用一对臂7a从设置有保护膜通气口3的2个外周面侧夹着保护膜框2b，能够使开口部10与保护膜通气口3紧贴。由此，能够通过开口部10将原料气体从保护膜通气口3导入保护膜空间5中。此外，作为检测利用臂7a进行的保护膜框2b的夹持状态的传感器，也可以将限位开关(Limit switch)设置于臂7a。

在用一对臂7a夹着保护膜框2b时，开口部10的位置有可能从保护膜通气口3的位置稍微偏离，因此，优选开口部10比保护膜通气口3大。例如，开口部10的纵横的内径也可以比保护膜通气口3的外缘大1～2mm左右。由此，即使开口部10的位置从保护膜通气口3的位置稍微偏离，也能够将保护膜通气口3的外缘收于开口部10内。

此外，为了抑制利用原料气体形成不需要的膜，优选对臂7a进行加温。加温方法未特别限定，能够使用加热器等公知的加热方法。

臂7a能够利用移动机构(未图示)沿着连结部7b在X方向或Y方向(在图3中，为Y方向)上移动。由此，夹具7能够夹持各种大小的保护膜。臂7a的X方向或Y方向上的移动通过对移动机构进行控制的夹具移动控制部(未图示)来控制。夹具移动控制部也可以通过控制单元40来控制。

在本实施方式中，还包含如下情况：设与光掩模1的主表面之间的相隔距离实质上为固定的面为与主表面平行的面，主表面产生挠曲。而且，设设想了光掩模1的主表面未产生挠曲的情况时、与主表面平行的面为XY平面、与主表面的长边或短边平行的方向为X方向、与XY平面内的X方向垂直的方向为Y方向。并且，设与X方向和Y方向垂直的方向为Z方向。

(气体导入管)

气体导入管20构成为与夹具7的臂7a连接，用于将从原料箱70供给的原料气体导入保护膜空间5中。在图3中，例示了1个气体导入管20，但是，气体导入管的数量也可以为多个。设置于夹具7的臂7a上的开口部10能够与气体导入管20直接或经由其他部件间接地连接。因此，原料气体通过气体导入管20，并通过夹具7的臂7a的开口部10从保护膜通气口3导入保护膜空间5中。

用于将原料气体导入保护膜空间5中的气体导入系统除了气体导入管20以外，还具有原料箱70和载体气体供给管(未图示)。

(载体气体供给管)

载体气体供给管将由惰性气体构成的载体气体(例如，氩气)供给到原料箱70。

(原料箱)

原料箱70用于通过将加热升华而气化的、用于形成修正膜6的原料与载体气体混合来生成原料气体。

原料箱70例如能够与后述的气体控制部65连接，能够通过该气体控制部65的控制将原料气体从原料箱70供给到气体导入管20。原料气体通过气体导入管20从保护膜通气口3中的任意一个保护膜通气口导入到保护膜空间5中。也可以用绝热材料覆盖气体导入管20，以抑制通过气体导入管20的原料气体被外部气体冷却而形成不需要的膜的情况。此外，原料箱70和载体气体供给管不一定需要设置于修正装置100内，也可以与修正装置100分开地设置。

(原料气体)

如在图1中所说明的那样，原料气体通过由所照射的激光9产生的光CVD反应来分解，由此，能够使修正膜6堆积在缺陷部位4。作为原料气体，优选使用羰基金属(Metalcarbonyl)。具体而言，可举出羰基铬(Cr(CO)₆)、羰基钼(Mo(CO)₆)、羰基钨(W(CO)₆)等。羰基铬的耐药性高，特别优选。

(激光振荡器)

激光振荡器8对转印用图案1b照射激光9，配置于保护膜膜体2a的上侧，构成为能够在XY平面内相对于光掩模1相对地移动。并且，激光振荡器8构成能够相对于光掩模1在Z方向上也相对地移动，使得即使光掩模1产生挠曲，也能够使激光9调整聚焦到缺陷部位4。根据这样的结构，激光振荡器8能够到达转印用图案1b的上侧的任意位置，在聚焦到缺陷部位4的状态下照射激光9。另外，相对地移动表示在光掩模1和激光振荡器8中的一方静止的状态下另一方移动、或双方移动。

所照射的激光9在成为原料气体气氛的缺陷部位4处产生光CVD反应。由此，能够使修正膜6堆积在缺陷部位4。根据修正装置100，修正膜6的膜厚能够形成为此外，可修正的白缺陷的尺寸能够为0.3～50μm左右。

激光9的照射通过激光控制部(未图示)来控制，激光控制部通过控制单元40来控制。使用的激光9的波长λ根据原料气体的种类、光掩模1的透明基板1a的材质和保护膜膜体2a的材质等适当地选择最佳的波长λ即可。激光9的波长λ优选为200nm～600nm，更优选为265nm～530nm。如果采用这些波长，则能够更高精度地使修正膜6堆积在缺陷部位4。

(激光水平移动部)

激光水平移动部30使激光振荡器8在XY平面内移动。激光水平移动部30具有上部X机器人30a和上部Y机器人30b。

(控制部)

作为控制部的上部XYZ机器人控制部35对激光水平移动部30进行控制。

修正装置100还具有激光位移计45。

(激光位移计)

激光位移计45检测掩模保持架15上的光掩模1的位置。激光位移计45设置于光掩模的上侧，构成为能够在XY平面内和Z方向上移动。激光位移计45通过针对掩模保持架15上的光掩模1在Z方向上射出检查光并检测反射光，能够检测以掩模保持架15表面为基准时的主表面的高度。由此，能够检测掩模保持架15上的光掩模1的位置。

修正装置100还具有气体排出管50。

(气体排出管)

气体排出管50用于排出残留在保护膜空间5内的修正完成后的剩余的原料气体。另外，在图3中，例示了1个气体排出管50，但是，气体排出管的数量也可以为多个。气体排出管50能够与设置于夹具7的臂7a上的1个或多个开口部10直接或经由其他部件间接地连接。由此，剩余的原料气体通过1个或多个开口部10排出。为了高效地进行排气，例如，也可以在臂7a的内部设置有通气通道，该通气通道与气体排出管50和开口部10连通。

为了抑制从保护膜空间5排出的原料气体滞留于保护膜通气口3的出口附近的情况，优选从开口部10进气。在该情况下，能够使得还同时吸入保护膜空间外的空气，以使保护膜空间5内的气压不会由于过剩的进气而过度地小于保护膜空间外的气压。例如，也可以在用于进气的开口部10的附近设置空气孔，该空气孔用于吸入保护膜空间外的空气。

通过将贮存于置换气体箱(未图示)的置换气体导入到保护膜空间5中，能够排出剩余的原料气体。置换气体箱可以设置于修正装置100内，也可以分开设置。作为置换气体，例如可举出如氮那样的惰性气体和干燥气体。

与原料气体同样，置换气体通过气体导入管20，从与夹具7的开口部10紧贴的1个或多个保护膜通气口3导入到保护膜空间5中。也可以通过导入置换气体，将剩余的原料气体从其他保护膜通气口3推出，并通过与气体排出管50连接的1个或多个开口部10排出。这样，保护膜空间5内的原料气体被置换为置换气体。

另外，原料气体和置换气体的导入和排出也可以通过气体控制部65来控制。此外，原料气体导入和置换气体导入可以使用公共的气体导入管，也可以使用不同的气体导入管。在使用公共的气体导入管的情况下，能够利用气体控制部65对原料气体箱与气体导入管的连接、和置换气体箱与气体导入管的连接进行切换。气体控制部65通过控制单元40来控制。

修正装置100还具有观察用光学系统55和观察用照明60。

(观察用光学系统、观察用照明)

观察用光学系统55和观察用照明60用于能够观察光掩模1上的任意的位置。观察用光学系统55和观察用照明60能够配置于在它们之间放置被载置在掩模保持架15上的光掩模1的状态下相互对置的位置。修正装置100能够利用观察用光学系统55和观察用照明60，观察缺陷的位置和形状等之后照射激光9，因此，能够进行精度更高的缺陷的修正。另外，优选地，观察用光学系统55和观察用照明60能够通过观察用光学系统控制部(未图示)的控制，与激光振荡器8的运动同步地移动。

优选地，激光振荡器8和观察用光学系统55能够在与光掩模1的主表面垂直的方向(Z方向)上，相对于载置在掩模保持架15上的光掩模1相对地移动。由此，即使光掩模1产生挠曲，激光9也能够到达适合主表面的聚焦位置。即，激光振荡器8能够在Z方向上移动，以使能够相对于缺陷部位4进行聚焦调整。

优选地，激光振荡器8和观察用光学系统55能够在XY平面内和Z方向上移动。因此，优选地，本实施方式的光掩模的修正装置100具有使激光振荡器8和观察用光学系统55在XY平面内移动的上部X机器人30a和上部Y机器人30b、以及使激光振荡器8和观察用光学系统55在Z方向上移动的上部Z机器人30c。上部X机器人30a、上部Y机器人30b和上部Z机器人30c通过上部XYZ机器人控制部35来控制。上部XYZ机器人控制部35通过控制单元40来控制。

此外，优选地，观察用照明60也能够在XY平面内和Z方向上移动，以便能够与激光振荡器8和观察用光学系统55的移动同步。因此，优选地，修正装置100具有使观察用照明60在XY平面内移动的下部X机器人80和下部Y机器人85、以及使观察用照明60在Z方向上移动的下部Z机器人90。另外，优选地，观察用照明60的X方向和Y方向上的位置与观察用光学系统55的X方向和Y方向上的位置一致。下部X机器人80、下部Y机器人85和下部Z机器人90通过下部XYZ机器人控制部(未图示)来控制。下部XYZ机器人通过控制单元40来控制。

为了抑制由原料气体在光掩模1的主表面上形成不需要的膜，优选对原料气体进行加温。原料气体的加温手段无特别限定，但是，例如，修正装置100也可以具有作为加温单元的加热器75。通过使用加热器75对例如光掩模1进行加温，可间接地对保护膜空间5内的原料气体进行加温，能够抑制主表面上的不需要的膜的形成。保护膜空间5内的原料气体优选加温至40℃以上，更优选加温成处于40～50℃的范围内。

如果能够对保护膜空间5内的原料气体均匀地进行加温，则加热器75的配置位置无特别限定，但是，加热器75例如能够配置于光掩模1的背面侧。作为加热器75，可以使用对于可见光透明的耐热性的玻璃基板。具体而言，可举出具有透明导电膜和电极的透明的玻璃加热器。

通过使用如上所述的玻璃基板，能够对光掩模1均匀地进行加温。此外，由于在使用玻璃基板的加温中难以产生气流，所以还能够抑制异物向光掩模1的附着。

<4.本实施方式的效果>

根据本实施方式，实现以下所述的一个或多个效果。

(a)根据本实施方式的光掩模的修正方法或修正装置100，能够通过保护膜膜体2a对光掩模1的缺陷部位4进行修正。由此，即使在需要在粘贴保护膜2之后进行白缺陷的修正的情况下，也能够在不卸下保护膜2的情况下对该白缺陷进行修正。因此，在粘贴保护膜2之后所发生的修正中，能够削减卸下保护膜2的工序，能够进行光掩模1(带保护膜的光掩模)的迅速修正和出厂。并且，由于也无需在修正之后粘贴新的保护膜，所以还能够削减成本。

(b)根据本实施方式的光掩模的修正方法或修正装置100，由于能够在将光掩模1放置于大气中的状态下进行缺陷的修正，所以能够实现简单的作业。

(c)根据本实施方式的光掩模的修正方法或修正装置100，例如，能够对使用遮光膜或半透光膜作为形成在透明基板1a上的薄膜的光掩模进行修正。此外，还能够对通过投影曝光进行转印的光掩模进行修正。另外，在本实施方式中，作为一例，记载了进行未曝光(在用于转印到被转印体之前)的光掩模的修正，但是，还能够进行曝光后(在用于转印到被转印体之后)的光掩模的修正。

<5.光掩模的用途>

光掩模的用途无限定。但是，本实施方式的光掩模的修正装置100和修正方法能够优选应用于特别用于平板显示器(FPD)制造的光掩模(带保护膜的光掩模)中所产生的缺陷的修正。

例如，例示LCD(液晶显示装置)或OLED(有机EL显示装置)等显示装置制造用的光掩模。关于这样的用途的光掩模，例如，其主表面是一边为300～2000mm的四边形，具体尺寸根据作为目标的平板的规格而存在各种不同。显示装置制造用包含搭载于显示装置的显示装置用器件的制造用。此外，还包含通过曝光装置来制造的显示装置用的光掩模，该曝光装置应用投影曝光、具有NA(数值孔径)为0.08～0.15左右的光学系统。作为用于曝光的光源，能够使用i线～g线的范围中的任意的波长，特别是使用包含该波段的光作为曝光光源是有利的。

上述用途的光掩模包含1～300μm左右的光掩模的情况很多，作为转印用图案1b的图案宽度(CD：Critical Dimension：临界尺寸)。在这样的图案产生了白缺陷的情况下，如果应用本实施方式的修正方法，则能够进一步高效且精致地进行修正。

<6.光掩模的修正装置中的处理动作例>

接着，对上述结构的光掩模的修正装置100中的处理动作例进行说明。

在使用本实施方式的修正装置100的缺陷的修正中，依次进行后述的设置(set)工序、位置检测工序、坐标轴确定工序、连接工序、成膜工序和气体置换工序。另外，在以下的说明中，构成修正装置100的各部件的动作主要通过控制单元40来控制。

(设置工序)

在设置工序中，准备在主表面上粘贴有保护膜2的光掩模1，将该光掩模1设置于掩模保持架15。并且，将掩模保持架15移动至修正装置100内。

(位置检测工序)

在使掩模保持架15移动时，掩模保持架15上的光掩模1的位置有时发生偏离。因此，在位置检测工序中，利用配置于光掩模1的上侧的激光位移计45测量主表面的高度而取得包含主表面的高度的分布的数据，利用该数据检测光掩模1在掩模保持架15上的位置。

(坐标轴确定工序)

在坐标轴确定工序中，读取光掩模1的外周附近所形成的对准标记等，掌握转印用图案1b的大致配置方向。并且，通过读取转印用图案1b，精致地掌握转印用图案1b的配置方向，确定转印用图案的坐标轴。通过确定坐标轴，如后所述，能够进行缺陷位置的确定。另外，对准标记表示为了进行转印用图案1b的对准而形成的图案。

(连接工序)

在连接工序中，通过用夹具7的一对臂7a夹着保护膜框2b，使和气体导入管20连接的夹具7的开口部10与保护膜通气口3紧贴并连接。通过在夹具7的臂7a上具有与保护膜通气口3对应的开口部10，能够使保护膜通气口3与臂7a的开口部10可靠地紧贴，从而提高导入原料气体的作业效率。

(成膜工序)

在成膜工序中，首先，将原料气体导入由光掩模1和保护膜2形成的保护膜空间5中。原料气体通过气体导入管20从与开口部10紧贴的1个或多个保护膜通气口3导入。

优选地，在导入原料气体时，调整成从1个或多个其他保护膜通气口3排气，从而使保护膜空间5内的气压不会大幅度超过保护膜空间外的气压。由此，能够抑制保护膜膜体2a膨胀。该排气持续至后述的气体置换工序完成。

另外，也可以从开口部10进气，以抑制所排出的原料气体滞留于保护膜通气口3的出口附近的情况。在该情况下，如上所述，也可以通过在用于进气的开口部10的附近设置空气孔等，也同时吸入保护膜空间外的空气，以使保护膜空间5内的气压不会由于过剩的进气而过度地小于保护膜空间外的气压。

此外，为了抑制由原料气体在主表面形成不需要的膜，对保护膜空间5内的原料气体进行加温直到后述的气体置换工序结束为止。

另外，光掩模1在形成转印用图案1b之后，经由检查装置的缺陷检查，预先掌握了缺陷部位4的位置(坐标)。为了使该检查装置中的坐标与修正装置100中的坐标一致，使检查装置中的基准点和修正装置100中的基准点一致而形成为坐标的原点。

接着，透过保护膜膜体2a向缺陷部位4照射激光9而使原料气体发生反应，由此，使修正膜6堆积在缺陷部位4。

具体而言，根据通过上述的坐标轴确定工序获得的坐标轴和上述原点，取得缺陷部位4的位置坐标，透过保护膜膜体2a对缺陷部位4照射激光9。

利用激光9使原料气体发生反应，使修正膜6堆积在缺陷部位4。以这样的方式对光掩模1的缺陷进行修正。另外，也可以包含在照射激光9之前调整激光9的焦点的聚焦工序。在聚焦工序中，激光9调整成聚焦于作为修正对象的缺陷部位4，并对保护膜膜体2a散焦。

(气体置换工序)

在气体置换工序中，在成膜工序之后，为了排出保护膜空间5内的剩余的原料气体，将剩余的原料气体置换为别的气体(置换气体)。由此，能够抑制不需要的膜在光掩模1的主表面上的堆积。

通过将置换气体从1个或多个保护膜通气口3导入到保护膜空间5中，从在附近配置有开口部10的1个或多个其他保护膜通气口3排出剩余的气体。由此，保护膜空间5内的原料气体被置换为置换气体。

也可以与成膜工序同样，从开口部10进气，以抑制所排出的剩余的原料气体滞留于保护膜通气口3的出口附近的情况。