阅读说明：本技术 具有老化效应降低技术的张弛振荡器 (Relaxation oscillator with aging effect reduction technique ) 是由 大仓铁郎 于 2018-11-27 设计创作，主要内容包括：一种具有老化效应降低技术的张弛振荡器,其包括：比较器(CP),其中其输入侧(CP1、CP2)耦接到包括至少一个电容器(C、C1、C2)的网络；多个晶体管(M1、M2、M3、M4)；以及多个可控开关(SW11、…、SW8、SW111、…、SW180)。张弛振荡器使用一种切换方法,使得电流/电压发生器的晶体管和电流镜晶体管的作用通过张弛振荡器的输出信号而周期性地交换。对电流/电压发生器与电流镜晶体管之间的工作点的失配的降低实现了由老化效应所引起的频率退化的减少。(A relaxation oscillator with aging effect reduction techniques, comprising: a Comparator (CP) with its input side (CP1, CP2) coupled to a network comprising at least one capacitor (C, C1, C2); a plurality of transistors (M1, M2, M3, M4); and a plurality of controllable switches (SW11, …, SW8, SW111, …, SW 180). The relaxation oscillator uses a switching method such that the roles of the transistors of the current/voltage generator and the current mirror transistors are periodically exchanged by the output signal of the relaxation oscillator. The reduction of the mismatch of the operating point between the current/voltage generator and the current mirror transistor achieves a reduction of the frequency degradation caused by aging effects.)

具有老化效应降低技术的张弛振荡器

技术领域

本公开涉及一种通过降低沟道热载流子(CHC)效应而具有老化效应降低技术的张弛振荡器。

背景技术

张弛振荡器的性能通常在振荡器的运行时间期间由于频率退化而发生退化，所述频率退化由老化效应导致，特别是由热沟道载流子注入(HCI)和负偏压温度不稳定性(NBTI)导致。张弛振荡器包括比较器，该比较器的输入侧耦接到晶体管的网络。晶体管实现了参考电流/电压发生器和电流镜。在非常小的技术领域中，沟道热载流子注入在振荡器电路中引起阈值电压偏移。这种老化效应导致张弛振荡器电路中的频率退化。

能够通过周期性地将比较器的正输入节点和负输入节点连接件从斜坡信号切换到参考电压来消除由比较器偏移退化导致的频率改变。

用于在弛张振荡器中实现对比较器的老化效应的降低的自动归零比较器的使用由K.Choe,O.Bernal,D.Nuttman和M.Je在"A Precision Relaxation Oscillator with aSelf-Clocked Offset-Cancellation Scheme for Implantable Biomedical SoCs,"IEEEISSCC Dig.Tech.Papers,2009中描述。自动归零用于消除属于比较器偏移的退化。

频率退化的另外的原因与参考电流/电压发生器的晶体管与电流镜晶体管之间的工作点的失配有关。然而，无法消除由参考电流/电压发生器的晶体管与电流镜晶体管之间的工作点的失配所引起的退化。

期望提供一种具有老化效应降低技术的张弛振荡器，该张弛振荡器能够降低电流/电压发生器与电流镜晶体管之间的工作点的失配，来实现由老化效应、特别是由通道热载流子注入所引起的频率退化的减少。

权利要求1中说明了一种具有老化效应降低技术以降低在张弛振荡器的电流/电压发生器与电流镜晶体管之间的工作点的失配的张弛振荡器的实施例。

张弛振荡器包括具有第一输入节点和第二输入节点的比较器，其中，参考信号施加到第一输入节点和第二输入节点中的至少一个。张弛振荡器包括：至少一个电容器，其连接到比较器的第一输入节点和第二输入节点中的至少一个；以及多个晶体管和多个可控开关。

在张弛振荡器的运行周期期间控制多个可控开关，使得产生将至少一个电容器充电的充电电流，并且该充电电流流过多个晶体管中的至少第一晶体管；并且使得产生用于提供参考信号的参考电流，并且该参考电流流过晶体管中的至少第二晶体管。

在张弛振荡器的随后的运行周期期间控制多个可控开关，使得产生将至少一个电容器放电的放电电流，并且该放电电流流过多个晶体管中的至少第三晶体管；并且使得产生提供参考信号的参考电流，并且该参考电流流过晶体管中的至少第四晶体管。

根据张弛振荡器的实施例，比较器包括用于提供输出信号、例如时钟信号的输出节点。张弛振荡器的可控开关由比较器的输出信号/时钟信号控制。

张弛振荡器使用切换方法，通过降低沟道热载流子效应来提高张弛振荡器的频率精度。在切换方法中，电流/电压发生器的晶体管和电流镜晶体管的作用通过张弛振荡器自身的输出/时钟信号而周期性地交换。

包含附图以提供进一步的理解，并将其并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了张弛振荡器的几个实施例，并且与说明书一起用于解释各种实施例的原理和操作。

具体实施方式

图1示出了张弛振荡器1的实施例，该张弛振荡器产生输出/时钟信号clk、clkb。张弛振荡器1包括比较器电路CP，该比较器电路具有用于施加输入信号VIP的输入节点CP1和用于施加输入信号VIM的输入节点CP2。第一参考信号VRP和第二参考信号VRN能够通过由输出/时钟信号clk、clkb控制的可控开关SW7和SW8施加到输入节点CP2。比较器电路CP的输入节点CP1连接到电容器C。

第一参考信号VRP和第二参考信号VRN由包括晶体管M1和M3以及电阻器R的电流/电压发生器产生。在晶体管M1的控制/栅极端子处提供参考信号VRP。在晶体管M3的控制/栅极端子处提供参考信号VRN。电容器C可以通过将电容器C经由可控开关SW5连接到晶体管M2来充电。电容器C由晶体管M1和M3以及电阻器R通过电流镜M2产生的参考电流来充电。电容器C能够通过将电容器C经由可控开关SW6耦接到晶体管M4来放电。电容器C由晶体管M1和M3以及电阻器R通过电流镜M4产生的参考电流来放电。

图2示出了张弛振荡器2的另一个实施例，该张弛振荡器产生输出/时钟信号clkn和clkp。张弛振荡器包括比较器电路CP，该比较器电路具有：输出节点，以产生输出/时钟信号clkn和clkp；以及输入节点CP1，以施加参考信号Vap；以及输入节点CP2，以施加参考信号Van。张弛振荡器还包括电流/电压发生器，该电流/电压发生器包括晶体管MR和电阻器R。晶体管M1和M2提供电流镜，以通过由晶体管MR和电阻器R产生的参考电流给电容器C1和C2充电。参考信号VR可以产生为电阻器R两端的电势/电压降。电容器C1可以通过闭合可控开关SW112来充电，并且可以通过闭合可控开关SW130来放电。电容器C2可以通过闭合可控开关SW122来充电，并且可以通过闭合可控开关SW140来放电。

斜坡信号Vap可以通过将输入节点CP1经由可控开关SW150耦接到电势Vcp来施加到比较器电路的输入节点CP1。参考信号VR可以通过将输入节点CP1经由可控开关SW170耦接到电势VR来施加到比较器电路的输入节点CP1。斜坡信号Van可以通过将输入节点CP2经由可控开关SW160耦接到电势Vcn，或者通过将输入节点CP2经由可控开关SW180耦接到电势VR来施加到比较器电路的输入节点CP2。

在纳米级工艺中，沟道热载流子(CHC)导致NMOS和PMOS晶体管的阈值电压退化。CHC的作用表示为

其中V_gs、V_ds、V_dsat和L是栅极-源极电压、漏极-源极电压、漏极-源极饱和电压和沟道长度。图1和图2的张弛振荡器的实施例示出了参考发生器的晶体管与电流源的晶体管的平均漏极-源极电压之间的差异。因此，在图1和图2的实施例中发生振荡频率的退化。

关于图1所示的振荡器电路1，参考电压表示为：

VRP-VRN＝[I_d+Δ(t)]·R，

其中I_d和Δ(t)分别是晶体管M1/M3的初始漏极电流和由CHC效应引起的漏极电流退化。

晶体管M2和M4的漏极-源极电流表示为：

I_dM2＝I_d+Δ(t)+Δ₂(t)和

I_dM4＝I_d+Δ(t)+Δ₄(t)，

其中Δ₂(t)和Δ₄(t)分别是晶体管M2和晶体管M4的漏极电流退化。

时钟周期为：

因此，振荡频率由以下公式表示：

关于图2的振荡器电路2，参考电压表示为：

VR＝[I_dMR+Δ_R(t)]·R，

其中I_dMR和Δ_R(t)分别是晶体管MR的初始漏极电流和由CHC效应引起的漏极电流退化。

晶体管M1和M2的漏极-源极电流表示为：

I_dM1＝I_dMR+Δ(t)+Δ₁(t)和

I_dM2＝I_dMR+Δ(t)+Δ₂(t)，

其中Δ₁(t)和Δ₂(t)分别是晶体管M1和M2的漏极电流退化。

时钟周期为：

因此，图2的振荡器电路的振荡频率由以下公式表示：

对于张弛振荡器1和2的两个实施例，振荡频率取决于晶体管的退化。

图3A、4A和5A示出了张弛振荡器3、4和5的不同实施例，并且通过所述实施例实现了新型切换方法。新型切换方法通过降低CHC效应来提高张弛振荡器的频率精度。在新型切换方法中，张弛振荡器的电流/电压发生器的晶体管和电流镜晶体管的作用通过它们自身的输出/时钟信号而周期性地交换。对电流/电压发生器与电流镜晶体管之间的工作点的失配的降低实现了由老化效应CHC所引起的频率退化的减少。

根据图3A、4A和5A所示的张弛振荡器的实施例，张弛振荡器包括具有第一输入节点CP1和第二输入节点CP2的比较器CP。参考信号VRP、VRN(图3A)或VR(图4A和图5A)施加到比较器电路的第一输入节点和第二输入节点CP1、CP2中的至少一个。振荡器包括至少一个电容器C(图3A)，或C1、C2(图4A和5A)，其连接到比较器CP的第一输入节点和第二输入节点CP1、CP2中的至少一个。

参照图3A，张弛振荡器包括多个晶体管M1、M2、M3、M4和多个可控开关SW11、...、SW8。在张弛振荡器的运行周期、例如图3B所示的运行周期OC2期间控制多个可控开关，使得给电容器C充电的充电电流流过晶体管M1和可控开关SW5，并且由晶体管M2和M3以及电阻器R产生充电电流和参考信号/电压VRP和VRN。

在张弛振荡器后续运行周期、例如图3B所示的运行周期OC3期间控制多个可控开关，使得使电容器C放电的放电电流流过晶体管M3和可控开关SW6，并且由晶体管M2和M4以及电阻器R产生放电电流和参考信号/电压VRP、VRN。

参照图4A和图5A，张弛振荡器包括多个晶体管M1、M2以及多个可控开关SW111、...、SW180(图4A)和SW111、...、SW140(图5A)。在张弛振荡器的运行周期、例如图4B/5B所示的clkp＝1的运行周期期间控制多个可控开关，使得给电容器C2充电的充电电流流过晶体管M2和可控开关SW112，并且由晶体管M1和电阻器R产生参考电流和参考信号/电压VR。另一方面，电容器C1由可控开关SW130放电。

在张弛振荡器后续运行周期、例如图4B/5B所示的运行周期clkn＝1期间控制多个可控开关，使得给电容器C1充电的充电电流流过晶体管M1和可控开关SW112，并且由晶体管M2和电阻器R产生参考电流和参考信号/电压VR。另一方面，电容器C2由可控开关SW140放电。

比较器CP包括输出节点CP3(图3A)或CP3a、CP3b(图4A和图5A)，以提供输出信号clk(图3A)或clkn、clkp(图4A和图5A)。图3A、4A和5A的张弛振荡器的可控开关由比较器CP的输出信号clk或clkn、clkp控制。控制可控开关的相应输出信号被直接写入图3A、4A和5A中的相应可控开关。

输出/时钟信号clk、clkhn和clkhp可以具有高/1电平或低/0电平。当可控开关之一由具有高/1电平的相关联的输出/时钟信号控制时，相应可控开关转换为闭合状态，即切换成导通状态。当可控开关之一由具有低/0电平的相关联的输出/时钟信号控制时，相应可控开关转换为断开状态，即切换为非导通状态。

图3A、4A和5A中所示的张弛振荡器包括布置在电源电势Vdd与接地电势Vss之间的多个可激活的参考电流路径。可控开关配置为激活可激活的参考电流路径之一，使得电源电势Vdd和接地电势Vss通过激活的参考电流路径导电地连接，并且参考电流在激活的参考电流路径中流动。

可控开关配置为停用可激活的参考电流路径的剩余部分，使得在电源电势(Vdd)与接地电势(Vss)之间的通过可激活的参考电流路径的剩余部分的导电连接被阻断。参考信号的电平取决于参考电流，参考电流在激活的参考电流路径中流动。

图3A、4A和5A中的张弛振荡器包括电阻器R。可激活的参考电流路径布置为使得在可激活的参考电流路径中的每一个中布置有电阻器R。参考信号的电平取决于电阻器R处的电压降。

图3A、4A和5A中所示的张弛振荡器包括多个可激活的充电电流路径。可激活的充电电流路径中的每一个配置为，当可激活的充电电流路径的相应一个在激活状态下运行时，将电源电势Vdd导电地连接到至少一个电容器C(图3A)或C1、C2(图4A和5A)，以提供给至少一个电容器C或C1、C2充电的充电电流。可激活的充电电流路径中的每一个配置为，当可激活的充电电流路径的相应一个在停用状态下运行时，将电源电势Vdd与至少一个电容器C或C1、C2隔离。

图3A、4A和5A中所示的张弛振荡器包括多个可激活的放电电流路径。可激活的放电电流路径中的每一个配置为，当可激活的放电电流路径的相应一个在激活状态下运行时，将接地电势Vss导电地连接到至少一个电容器C(图3A)或C1、C2(图4A和5A)，以提供放电电流以使至少一个电容器C或C1、C2放电。在图4A/5A的实施例中，电容器C1或C2通过可控开关SW130或SW140直接复位到接地电势Vss。可激活的放电电流路径中的每一个配置为，当可激活的放电电流路径的相应一个在停用状态下运行时，将接地电势Vss与至少一个电容器C或C1、C2隔离。

图3A示出了张弛振荡器3的第一实施例，其通过降低沟道热载流子效应而具有提高的频率精度。根据张弛振荡器3的实施例，比较器CP的第二输入节点CP2能够经由可控开关SW7连接到参考信号中的第一参考信号VRP。比较器CP的第二输入节点CP2能够经由可控开关SW8连接到参考信号中的第二参考信号VRN。

多个可激活的参考电流路径中的第一可激活的参考电流路径包括至少一个第一晶体管M1、可控开关SW11、可控开关SW31和至少一个第三晶体管M3。在第一可激活的参考电流路径的激活状态下，至少一个第一晶体管M1连接到电源电势Vdd，并且经由可控开关SW11连接到电阻器R。在第一可激活的参考电流路径的激活状态下，至少一个第三晶体管M3连接到接地电势Vss，并且经由可控开关SW31连接到电阻器R。

多个可激活的放电电流路径中的第一可激活的放电电流路径包括至少一个第四晶体管M4和可控开关SW42。在第一放电电流路径的激活状态下，至少一个第四晶体管M4连接到接地电势Vss，并且经由可控开关SW42连接到至少一个电容器C。

多个可激活的参考电流路径中的第二可激活的参考电流路径包括至少一个第二晶体管M2、可控开关SW31、可控开关SW21和至少一个第三晶体管M3。在第二可激活的参考电流路径的激活状态下，至少一个第二晶体管M2连接到电源电势Vdd，并且经由可控开关SW21连接到电阻器R。在第二可激活的电流路径的激活状态下，至少一个第三晶体管M3连接到接地电势Vss，并且经由可控开关SW31连接到电阻器R。

多个可激活的充电电流路径中的第一可激活的充电电流路径包括至少一个第一晶体管M1和可控开关SW12。在第一可激活的充电电流路径的激活状态下，至少一个第一晶体管M1连接到电源电势Vdd，并且经由可控开关SW12连接到至少一个电容器C。

多个可激活的参考电流路径中的第三可激活的参考电流路径包括至少一个第二晶体管M2、可控开关SW21、可控开关SW41和至少一个第四晶体管M4。在第三可激活的参考电流路径的激活状态下，至少一个第二晶体管M2连接到电源电势Vdd，并且经由可控开关SW21连接到电阻器R。在第三可激活的参考电流路径的激活状态下，至少一个第四晶体管M4连接到接地电势Vss，并且经由可控开关SW41连接到电阻器R。

多个可激活的放电电流路径中的第二可激活的放电电流路径包括至少一个第三晶体管M3和可控开关SW32。在第二可激活的放电电流路径的激活状态下，至少一个第三晶体管M3连接到接地电势Vss，并且经由可控开关SW32连接到至少一个电容器C。

多个可激活的参考电流路径中的第四参考电流路径包括至少一个第一晶体管M1、可控开关SW11、可控开关SW41和至少一个第四晶体管M4。在第四可激活的参考电流路径的激活状态下，至少一个第一晶体管M1连接到电源电势Vdd，并且经由可控开关SW11连接到电阻器R。在第四可激活的参考电流路径的激活状态下，至少一个第四晶体管M4连接到接地电势Vss，并且经由可控开关SW41连接到电阻器R。

多个可激活的充电电流路径中的第二可激活的充电电流路径包括至少一个第二晶体管M2和可控开关SW22。在第二可激活的充电电流路径激活状态下，至少一个第二晶体管M2连接到电源电势Vdd，并且经由可控开关SW22连接到至少一个电容器C。

下面参考图3B的时序图说明图3A的张弛振荡器的运行。

如图3B所示，在运行周期OC1期间，输出/时钟信号clk、clkhn和clkhp具有高/1电平。由于可控开关SW42和SW6转换为导通状态，晶体管M4的漏极节点连接到电容器C和比较器CP的正输入节点CP1。电容器C通过晶体管M4的漏极电流放电。参考电压VRP、VRN和参考电流由晶体管M1、M3和电阻器R产生。在运行周期OC1期间，通过输出信号clkhp和clkp的高电平将可控开关SW11和SW31转换为导通状态来激活参考电流路径。

一旦比较器CP的正输入节点CP1的电压变得低于VRN，则输出/时钟信号clk和clkhp在运行周期OC2期间转换为低/0电平。因此，电容器C由晶体管M1的漏极电流来充电，该晶体管通过闭合的可控开关SW12和SW5连接到电容器C，直到在比较器CP的输入节点CP1处的电势达到通过闭合的可控开关SW7而施加到输入节点CP2的电势VRP。晶体管M2、M3和电阻器R产生参考信号/电势VRP和参考电流。为此，通过将可控开关SW21和SW31转换为导通状态来将包括晶体管M2、M3和电阻器R的参考电流路径切换成激活状态。

在比较器的输入节点CP1处的电势VIP变得大于电势VRP之后，在运行周期OC3期间，输出/时钟信号clk和clkhn分别转换为高/1电平和低/0电平。因此，可控开关SW32和SW6转换为导通状态，并且晶体管M3的漏极电流使电容器C放电。通过将可控开关SW21和SW41转换为导通状态而使包括晶体管M2、M4和电阻器R的参考电流路径在激活状态下运行来产生电势/参考信号VRN和参考电流。

在运行周期OC4期间，当在比较器CP的输入节点CP1处的电势VIP达到施加到比较器的输入节点CP2的电势VRN时，时钟/输出信号clk和clkhp分别转换为低/0电平和高/1电平。在这个阶段，通过使包括晶体管M1M4和电阻器R的参考电流路径在激活状态下运行来产生参考电压和电流。为此，可控开关SW11和SW41转换为导通状态。电容器C由包括晶体管M2的激活的充电路径充电，该晶体管通过闭合的可控开关SW22和SW5连接到电容器C。

张弛振荡器使用电容器的充电和放电次数来产生输出/时钟信号。可控开关SW11、SW12、SW21和SW22周期性地交换晶体管M1和M2的作用。以相似的方式，通过可控开关SW31、SW32、SW41和SW42来交换晶体管M3和M4的作用。

通过以上行为，晶体管M1和M2(M3和M4)的每个平均漏极-源极电压变得相同。由CHC引起的晶体管的漏极电流的退化取决于漏极-源极电压。因此，晶体管M1(M3)的漏极电流通过老化而与晶体管M2(M4)相同地退化。能够消除由在晶体管M1(M3)与晶体管M2(M4)的平均漏极-源极电压中的每个之间的失配所引起的张弛振荡器的频率退化。

图4A示出了张弛振荡器4的另一个实施例，该张弛振荡器通过降低沟道热载流子效应而具有提高的频率精度。张弛振荡器4产生输出/时钟信号clkn、clkp。振荡器4包括具有输入节点CP1和CP2的比较器CP。输入信号Vap施加到输入节点CP1，并且输入信号Van施加到比较器CP的输入节点CP2。

张弛振荡器4包括电流/电压发生器，该电流/电压发生器包括晶体管M1和M2以及电阻器R。电容器C1可以通过包括晶体管M1和可控开关SW112的充电电流路径来充电，该可控开关由输出/时钟信号clkn控制。电容器C1通过由输出/时钟信号clkp控制的可控开关SW130放电。电容器C2可以通过包括晶体管M2和可控开关SW122的充电电流路径充电，该可控开关由输出/时钟信号clkp控制。电容器C2能够通过由输出/时钟信号clkn控制的可控开关SW140放电。

通过在电阻器R处的电压降产生参考电势VR。能够通过参考电流路径产生通过电阻器R的参考电流，该参考电流路径包括晶体管M1和由输出/时钟信号clkp控制的可控开关SW111。此外，可以通过另一个参考电流路径产生通过电阻器R的参考电流，该另一参考电流路径包括晶体管M2和由输出/时钟信号clkn控制的可控开关SW121。

参考信号VR能够通过可控开关SW170和SW180施加到比较器CP的输入节点CP1、CP2之一。比较器CP的输入节点CP1能够耦接到电容器C1，以借助于由输出/时钟信号clkn控制的可控开关SW150施加输入信号/电势Vcp。比较器CP的输入节点CP2可以耦接到电容器C2，以借助于由输出/时钟信号clkp控制的可控开关SW160施加输入信号/电势Vcn。信号Vcp将通过比较器CP与信号VR进行比较。

图4B示出了用于控制张弛振荡器4的可控开关的电势和输出/时钟信号的时序图，以示出张弛振荡器的运行。

图4A示出了当输出/时钟信号clkp具有低/0电平并且输出/时钟信号clkn具有高/1电平时的弛张振荡器4的配置。包括晶体管M2和电阻器R激活的参考电流路径产生参考电流和参考电压VR。晶体管M1的漏极-源极电流给电容器C充电，直到电势Vcp变得大于电势VR。电容器C2由闭合的可控开关SW140放电。

一旦电势Vcp变得大于电势VR，输出/时钟信号clkp和clkn改变它们的电平，使得输出/时钟信号clkp具有高/1电平并且输出/时钟信号clkn具有低/0电平。在这个运行阶段，激活包括晶体管M1和电阻器R的参考电流路径以产生参考电流和电压VR，并且晶体管M2的漏极-源极电流给电容器C2充电。电容器C1由闭合的可控开关SW130放电。

关于张弛振荡器4，参考电压VR表示为：

VR_clkp＝0＝l_dM2.R(@clkp＝0)，

VR_clkp＝1＝I_dM1·R(@clkp＝1)。

因为对开关进行交换，晶体管M1和M2的CHC效应完全相同。因此，老化后的I_dM1与I_dM2之间的关系为：

I_dM1＝I_dM2。

时钟周期和振荡频率表示为：

f≈1/2CR。

振荡频率不包括CHC效应。比较器的正输入节点和负节点的每个平均电压通过开关SW150、SW160、SW170和SW180的周期性地交换变为相同的电压。此外，晶体管M1的平均漏极-源极电压通过可控开关SW111和SW121变得与晶体管M2的平均漏极-源极电压相同。

图5A示出了张弛振荡器5的另一个实施例，该张弛振荡器通过降低沟道热载流子效应而具有提高的频率精度。图5B示出了控制图5A的张弛振荡器5的内部节点的可控开关和电势Vdp、Vdn、Vcp和Vcn的输出/时钟信号的相关联时序图。

张弛振荡器5的实施例类似于张弛振荡器4的实施例。具体地，当比较两个实施例时，很明显张弛振荡器5不包括可控开关SW150、SW160、SW170和SW180。如果电阻器R的电阻足够大于可控开关SW112和SW122的导通电阻，则可以去除可控开关SW150、SW160、SW170和SW180。

附图标记

1、...、5 张弛振荡器的实施例

CP 比较器

CP1、CP2 比较器的输入节点

CP3、CP3a、CP3b 比较器的输出节点

CD 时钟分频器

C、C1、C2 电容器

SWxx 可控开关

M1、…、M4 晶体管

R 电阻器

clk 输出/时钟信号

clkb 反相输出/时钟信号