阅读说明：本技术 波导器件及其形成方法 (Waveguide device and method of forming the same ) 是由 何来胜 向鹏飞 于 2020-04-27 设计创作，主要内容包括：本发明涉及一种波导器件及其形成方法。所述波导器件的形成方法包括如下步骤：提供一具有波导芯层的衬底；形成图案化的掩膜层于所述波导芯层表面,所述图案化的掩膜层包括多个子掩膜以及位于相邻所述子掩膜之间的开口；进行多次如下循环步骤,形成多个波导结构,所述循环步骤包括：选择一子掩膜作为目标子掩膜；遮蔽除所述目标子掩膜之外的其他所述子掩膜、并沿与所述目标子掩膜相邻的所述开口刻蚀,形成一波导结构。本发明有利于稳定波导的侧壁形貌,降低波导的传输损耗,同时有利于控制脊型波导的刻蚀深度,得到稳定的光栅、调制器和探测器结构。(The invention relates to a waveguide device and a method of forming the same. The forming method of the waveguide device comprises the following steps: providing a substrate with a waveguide core layer; forming a patterned mask layer on the surface of the waveguide core layer, wherein the patterned mask layer comprises a plurality of sub-masks and openings positioned between the adjacent sub-masks; performing a plurality of the following cycling steps to form a plurality of waveguide structures, the cycling steps comprising: selecting a sub-mask as a target sub-mask; and shielding other sub-masks except the target sub-mask, and etching along the opening adjacent to the target sub-mask to form a waveguide structure. The invention is beneficial to stabilizing the side wall appearance of the waveguide, reducing the transmission loss of the waveguide, and simultaneously is beneficial to controlling the etching depth of the ridge waveguide, thereby obtaining stable grating, modulator and detector structures.)

波导器件及其形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种波导器件及其形成方法。

背景技术

现有的波导结构包括条形波导结构和脊形波导结构，为了满足各种光学装置的需要，在形成波导结构的过程中通常需要同时形成条形波导结构和脊形波导结构，还有可能需要形成多种具有不同刻蚀深度的脊形波导结构。但是，当前形成包括多种不同结构的波导的工艺较为复杂，且条形波导结构的侧壁形貌和脊形波导的刻蚀深度难以控制。

例如，当形成具有一个条形波导结构和两种不同深度的脊形波导结构(例如浅刻蚀脊形波导和深刻蚀脊形波导)时，通常有两种方法：第一种方法是，于波导芯层表面沉积掩膜层，通过三次光刻/刻蚀依次形成条形波导结构、浅刻蚀脊形波导结构和深刻蚀脊形波导结构，在每次刻蚀过程中都需要对掩膜层和波导芯层进行刻蚀；第二种方法是，于波导芯层表面沉积掩膜层，通过三次光刻/刻蚀依次形成浅刻蚀脊形波导结构、深刻蚀脊形波导结构和条形波导结构，即先刻蚀掩膜层并浅刻蚀波导芯层，形成浅刻蚀脊形波导结构，深刻蚀脊形波导结构和条形波导结构在浅刻蚀的基础上进行光刻和刻蚀。但是，第一种方法中每次刻蚀都需要刻蚀掩膜层和波导芯层，刻蚀工艺复杂，浅刻蚀和深刻蚀的刻蚀深度难以精确控制；第二种方法中条形波导的形成需要对波导芯层进行两次或者三次刻蚀，条形波导的侧壁形貌和粗糙度难以控制。

因此，如何减小具有多种波导结构的波导器件的制造复杂度，降低波导传输损耗，得到性能稳定的光栅、调制器、探测器等装置，是当前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供的波导器件及其形成方法，用于解决现有技术中具有多种波导结构的波导器件的制造复杂度较高的问题，以确保波导结构的形貌，降低波导传输损耗，到性能稳定的光栅、调制器、探测器等装置。

为了解决上述问题，本发明提供了一种波导器件的形成方法，包括如下步骤：

提供一具有波导芯层的衬底；

形成图案化的掩膜层于所述波导芯层表面，所述图案化的掩膜层包括多个子掩膜以及位于相邻所述子掩膜之间的开口；

进行多次如下循环步骤，形成多个波导结构，所述循环步骤包括：

选择一子掩膜作为目标子掩膜；

遮蔽除所述目标子掩膜之外的其他所述子掩膜、并沿与所述目标子掩膜相邻的所述开口刻蚀所述波导芯层，形成一波导结构。

可选的，形成图案化的掩膜层于所述波导芯层表面的具体步骤包括：

沉积掩膜材料于所述波导芯层表面，形成掩膜层；

刻蚀所述掩膜层，形成沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩膜层的多个子掩膜、以及位于相邻所述子掩膜之间、且沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩膜层的开口。

可选的，沉积掩膜材料于所述波导芯层表面之前还包括如下步骤：

形成缓冲层于所述波导芯层表面。

可选的，所述图案化的掩膜层包括第一子掩膜、第二子掩膜、以及位于所述第一子掩膜和所述第二子掩膜之间的第一开口，所述波导结构包括第一波导结构和第二波导结构；还包括：

第一次循环步骤：

选择所述第一子掩膜作为目标子掩膜；

遮蔽所述第二子掩膜、并沿所述第一开口刻蚀所述波导芯层，形成第一波导结构；

第二次循环步骤：

选择所述第二子掩膜作为目标子掩膜；

遮蔽所述第一子掩膜和所述第一波导结构、并沿所述第一开口刻蚀除所述第一波导结构之外的所述波导芯层，形成第二波导结构。

可选的，所述第一波导结构为条形波导结构；形成第一波导结构的具体步骤包括：

形成包覆所述第二子掩膜的第一遮蔽层；

沿所述第一开口刻蚀所述波导芯层至贯穿所述波导芯层。

可选的，遮蔽所述第一子掩膜和所述第一波导结构的具体步骤包括：

形成包覆所述第一子掩膜并覆盖所述第一波导结构的侧壁的第二遮蔽层。

可选的，所述第二波导结构为脊形波导结构；沿所述第一开口刻蚀除所述第一波导结构之外的所述波导芯层的具体步骤包括：

沿所述第一开口刻蚀所述波导芯层至第一预设深度。

可选的，所述图案化的掩膜层还包括第三子掩膜、以及位于所述第三子掩膜和所述第二子掩膜之间、且贯穿所述图案化的掩膜层的第二开口；所述第一遮蔽层包覆所述第二子掩膜和所述第三子掩膜，所述第二遮蔽层包覆所述第一子掩膜和第三子掩膜、并覆盖所述第一波导结构的侧壁；形成第二波导结构之后，还包括如下步骤：

第三次循环步骤：

选择所述第三子掩膜作为目标子掩膜；

遮蔽所述第一子掩膜、所述第二子掩膜、所述第一波导结构和所述第二波导结构、并沿所述第二开口刻蚀除所述第一波导结构和所述第二波导结构之外的所述波导芯层，形成第三波导结构。

可选的，所述第三波导结构为脊形波导结构；沿所述第二开口刻蚀除所述第一波导结构和所述第二波导结构之外的所述波导芯层的具体步骤包括：

沿所述第二开口刻蚀除所述第一波导结构和所述第二波导结构之外的所述波导芯层至第二预设深度，所述第二预设深度不同于所述第一预设深度。

可选的，所述衬底包括底层硅、覆盖于所述底层硅表面的绝缘埋层、以及覆盖于所述绝缘埋层表面的顶层硅，所述顶层硅作为所述波导芯层。

可选的，形成第二波导结构之后，还包括如下步骤：

去除所述图案化的掩膜层并形成上包层，所述上包层覆盖多个所述波导结构、并填充满相邻所述波导结构之间的间隙。

可选的，去除所述图案化的掩膜层并形成上包层的具体步骤包括：

沉积覆盖多个所述波导结构表面、所述图案化的掩膜层侧壁、并填充满相邻所述波导结构之间的间隙的第一包层材料；

去除所述图案化的掩膜层，暴露多个所述波导结构；

沉积第二包层材料于暴露的多个所述波导结构表面和所述第一包层材料表面，形成包括所述第一包层材料和所述第二包层材料的上包层。

为了解决上述问题，本发明还提供了一种波导器件，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的多个波导结构，多个所述波导结构采用如上述任一项所述的波导器件的形成方法形成。

本发明提供的波导器件及其形成方法，在形成一波导结构的过程中，对于与其他波导区域对应的其他子掩膜进行了遮盖，使得形成一个所述波导结构的过程无需对其他子掩膜进行刻蚀。本发明通过一次刻蚀形成波导刻蚀所需的掩膜层，避免了对掩膜层的多次刻蚀，最终所需的条形波导和/或不同深度的脊形波导都可以通过一次刻蚀波导芯层形成，有利于稳定波导的侧壁形貌，降低波导的传输损耗，同时有利于控制脊形波导的刻蚀深度，得到性能稳定的光栅、调制器、探测器等结构。

附图说明

附图1是本发明

具体实施方式

中波导器件的形成方法流程图；

附图2A-2M是本发明具体实施方式在形成波导器件的过程中主要的工艺截面示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的波导器件及其形成方法的具体实施方式做详细说明。

本具体实施方式提供了一种波导器件的形成方法，附图1是本发明具体实施方式中波导器件的形成方法流程图，附图2A-2M是本发明具体实施方式在形成波导器件的过程中主要的工艺截面示意图。如图1、图2A-图2M所示，本具体实施方式提供的波导器件的形成方法，包括如下步骤：

步骤S11，提供一具有波导芯层22的衬底，如图2A所示。

可选的，所述衬底包括底层硅20、覆盖于所述底层硅20表面的绝缘埋层 21、以及覆盖于所述绝缘埋层21表面的顶层硅，所述顶层硅作为所述波导芯层22。所述绝缘埋层21可以作为后续形成的所述波导器件的下包层。

具体来说，所述衬底可以为SOI衬底，所述SOI衬底中的所述顶层硅作为所述波导芯层22。本领域技术人员也可以采用其他材料来形成所述波导芯层 22，例如氮化硅，本具体实施方式对此不作限定。

步骤S12，形成图案化的掩膜层于所述波导芯层22表面，所述图案化的掩膜层包括多个子掩膜以及位于相邻所述子掩膜之间的开口，如图2B所示。

可选的，形成图案化的掩膜层于所述波导芯层22表面的具体步骤包括：

沉积掩膜材料于所述波导芯层22表面，形成掩膜层24；

刻蚀所述掩膜层24，形成多个子掩膜、以及位于相邻所述子掩膜之间、且沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩膜层的开口，如图2B所示。

可选的，沉积掩膜材料于所述波导芯层22表面之前还包括如下步骤：

形成缓冲层23于所述波导芯层22表面。

以下所述图案化的掩膜层包括第一子掩膜241、第二子掩膜242和位于所述第一子掩膜241与所述第二子掩膜242之间的第一开口251为例进行说明。具体来说，可以采用化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺或者炉管氧化工艺于所述波导芯层22表面形成所述缓冲层23，以避免在通过刻蚀工艺图案化所述掩膜层24的过程中对所述波导芯层22造成损伤。其中，所述缓冲层23的材料可以与所述绝缘埋层21的材料相同，例如均为氧化物材料(如二氧化硅)。之后，沉积掩膜材料于所述缓冲层23的表面，形成所述掩膜层24。所述掩膜材料可以是氮化硅等硬掩膜材料，也可以是有机掩膜材料，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择。接着，采用干法刻蚀工艺对所述掩膜层24进行刻蚀，形成所述图案化的掩膜层。如图2B所示，所述图案化的掩膜层包括沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩膜层24的开口251、以及位于所述第一开口 251相对两侧的所述第一子掩膜241和第二子掩膜242。其中，所述第一子掩膜241对应于所述波导芯层22中用于形成第一波导结构的第一波导芯层区域，所述第二子掩膜242对应于所述波导芯层22中用于形成第二波导结构的第二波导芯层区域。即通过对所述掩膜层24进行刻蚀，形成与所述波导芯层22中用于形成多个波导结构多个波导芯层区域一一对应的多个子掩膜。以上仅是以所述图案化的掩膜层包括第一子掩膜241和第二子掩膜242为例进行说明，本领域技术人员可以根据实际需要设置子掩膜的数量，例如图2B中示出的所述图案化的掩膜层包括第一子掩膜241、第二子掩膜242和第三子掩膜243，一沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩膜层的第二开口252用于隔离所述第二子掩膜242和所述第三子掩膜243。本具体实施方式中的多个是指两个及两个以上。

进行多次如下循环步骤，形成多个波导结构，所述循环步骤包括：

步骤S13，选择一子掩膜作为目标子掩膜；

步骤S14，遮蔽除所述目标子掩膜之外的其他所述子掩膜、并沿与所述目标子掩膜相邻的所述开口刻蚀所述波导芯层22，形成一波导结构。

可选的，所述图案化的掩膜层包括第一子掩膜241、第二子掩膜242、以及位于所述第一子掩膜241和所述第二子掩膜242之间的第一开口251，所述波导结构包括第一波导结构281和第二波导结构30；还包括：

第一次循环步骤：

选择所述第一子掩膜241作为目标子掩膜；

遮蔽所述第二子掩膜242、并沿所述第一开口251刻蚀所述波导芯层22，形成第一波导结构，如图2D所示；

第二次循环步骤：

选择所述第二子掩膜作为目标子掩膜；

遮蔽所述第一子掩膜和所述第一波导结构、并沿所述第一开口刻蚀除所述第一波导结构之外的所述波导芯层，形成第二波导结构，如图2G所示。

可选的，所述第一波导结构281为条形波导结构；形成所述第一波导结构 281的具体步骤包括：

形成包覆所述第二子掩膜242的第一遮蔽层26；

沿所述第一开口251刻蚀所述波导芯层22至贯穿所述波导芯层22。

以下以所述第一波导结构281为条形波导结构、所述图案化的掩膜层包括第一子掩膜241、第二子掩膜242和第三子掩膜243为例进行说明。在形成所述第一波导结构281之前，形成覆盖所述第二子掩膜242的顶面(即所述第二子掩膜242背离所述波导芯层22的表面)和侧壁、以及所述第三子掩膜243 的顶面和侧壁(即包覆所述第三子掩膜243)的所述第一遮蔽层26，如图2C 所示。所述第一遮蔽层26相对于所述波导芯层22具有刻蚀选择性，以便于后续在刻蚀所述波导芯层22形成所述第一波导结构281的过程中不会对所述第一遮蔽层26造成损伤，从而避免对所述第一遮蔽层26遮蔽的所述第二子掩膜 242和所述第三子掩膜243进行再次刻蚀。例如，所述波导芯层22与所述第一遮蔽层26之间的刻蚀选择比大于3。所述第一遮蔽层26的材料可以是但不限于光阻材料。

所述第一遮蔽层26可以连续包覆所述第一子掩膜242和所述第三子掩膜 243，也可以使得包覆所述第二子掩膜242的第一遮蔽层26与包覆所述第三子掩膜243的第一遮蔽层26不连续(即相互之间存在一间隔)。在本具体实施方式中，为了进一步简化后续的制程工艺，可以使得包覆所述第二子掩膜242的第一遮蔽层26与包覆所述第三子掩膜243的第一遮蔽层26不连续，即所述第二开口252中未填充满所述第一遮蔽层26，还具有暴露所述缓冲层23的间隙，以便于在刻蚀形成所述第一波导结构281的过程中能够将与所述第二子掩膜242对应的第二波导芯层区域和与所述第三子掩膜243对应的第三波导芯层区域分隔开。此时，覆盖于所述第二子掩膜242朝向所述第一子掩膜241一侧侧壁上的所述第一遮蔽层26的厚度、覆盖于所述第二子掩膜242远离所述第一子掩膜241一侧侧壁上的所述第一遮蔽层26的厚度、与所述第二子掩膜242 的宽度之和应大于或者等于后续所要形成的所述第二波导结构的宽度，且小于所述第一开口251的宽度，以避免影响后续所述第一波导结构和所述第二波导结构的形成工艺。

接着，以所述绝缘埋层21为刻蚀截止层，采用干法刻蚀工艺沿剩余的所述第一开口251(即未覆盖所述第一遮蔽层26的部分)向下刻蚀所述缓冲层 23和所述波导芯层22，形成所述第一波导结构281。本具体实施方式通过一次刻蚀形成具有条形波导结构的所述第一波导结构281，从而确保了所述第一波导结构281侧壁的形貌和粗糙度，有助于降低所述第一波导结构281的传输损耗。

以上仅以所述图案化的掩膜层包括三个子掩膜为例进行说明，当所述图案化的掩膜层包括三个以上的子掩膜时，每次形成一个波导结构的过程中只需暴露一个与形成该波导结构的区域对应的子掩膜，而其余的子掩膜都可以进行遮盖。

可选的，遮蔽所述第一子掩膜241和所述第一波导结构281的具体步骤包括：

形成包覆所述第一子掩膜241并覆盖所述第一波导结构281的侧壁的第二遮蔽层29，如图2F所示。

可选的，所述第二波导结构29为脊形波导结构；沿所述第一开口251刻蚀除所述第一波导结构281之外的所述波导芯层22的具体步骤包括：

沿所述第一开口251刻蚀除所述第一波导结构281之外的所述波导芯层22 至第一预设深度。

以下以所述第二波导结构29为脊形波导结构、所述图案化的掩膜层包括第一子掩膜241、第二子掩膜242和第三子掩膜243为例进行说明。首先，除去所述第一遮蔽层26，得到如图2E所示的结构。在形成所述第一波导结构281 之后，所述波导芯层22被分割为用于形成所述第一波导结构281的部分和剩余部分，所述缓冲层23被分割为位于所述第一波导结构281表面的第一子缓冲层271和剩余部分。由于所述第一遮蔽层26不连续，剩余的所述波导芯层22也可以被分割为与所述第二子掩膜242对应的第二初始波导结构282和与所述第三子掩膜243对应的第三初始波导结构283，剩余的所述缓冲层23也被分割为与所述第二子掩膜242对应的第二初始子缓冲层272和与所述第三子掩膜 243对应的第三初始子缓冲层273。

之后，形成包覆所述第一子掩膜241、所述第一子缓冲层271、所述第一波导结构281、所述第三子掩膜243、所述第三初始子缓冲层273和所述第三初始波导结构283的所述第二遮蔽层29，如图2F所示。接着，采用干法刻蚀工艺沿剩余的所述第一开口251(即覆盖所述第二遮蔽层29的部分)向下刻蚀所述第二初始子缓冲层272和所述第二初始波导结构282至所述第一预设深度，形成第二波导结构30和位于所述第二波导结构30表面的第二子缓冲层31，如图2G所示。本具体实施方式由于在形成具有第一预设深度的所述第二波导结构30的过程中，对所述图案化掩膜层的其他部分均进行了遮盖，一方面可以确保不对后续形成的其他波导结构造成影响，另一方面也便于精确控制所述第二波导结构30的刻蚀深度。

可选的，所述图案化的掩膜层还包括第三子掩膜243、以及位于所述第三子掩膜243和所述第二子掩膜242之间、且贯穿所述图案化的掩膜层的第二开口252；所述第一遮蔽层26包覆所述第二子掩膜242和所述第三子掩膜243，所述第二遮蔽层29包覆所述第一子掩膜241和第三子掩膜243、并覆盖所述第一波导结构281的侧壁；形成第二波导结构30之后，还包括如下步骤：

第三次循环步骤：

选择所述第三子掩膜243作为目标子掩膜；

遮蔽所述第一子掩膜241、所述第二子掩膜242、所述第一波导结构281 和所述第二波导结构30、并沿所述第二开口252刻蚀除所述第一波导结构281 和所述第二波导结构30之外的所述波导芯层22，形成第三波导结构33，如图 2J所示。

可选的，所述第三波导结构33为脊形波导结构；沿所述第二开口252刻蚀除所述第一波导结构281和所述第二波导结构30之外的所述波导芯层22的具体步骤包括：

沿所述第二开口252刻蚀除所述第一波导结构281和所述第二波导结构30 之外的所述波导芯层22至第二预设深度，所述第二预设深度不同于所述第一预设深度。

具体来说，在形成所述第二波导结构30之后，去除所述第二遮蔽层29，得到如图2H所示的结构。之后，形成连续包覆所述第一子掩膜241、所述第二子掩膜242、所述第一子缓冲层271、所述第二子缓冲层31、所述第一波导结构281和所述第二波导结构30的第三遮蔽层32，如图2I所示。接着，沿剩余的所述第二开口252向下刻蚀所述第三初始子缓冲层273和所述第三初始波导结构283至第二预设深度，形成第三波导结构33和位于所述第三波导结构 33表面的第三子缓冲层34，如图2J所示。所述第二预设深度可以大于或者小于所述第一预设深度。

本具体实施方式在形成任一波导结构的过程中，都对已形成的其他波导结构和其他的图案化的掩膜层区域进行了遮盖，使得仅仅与预形成的波导结构对应的波导芯层区域和图案化的掩膜层区域暴露，从而可以根据实际预形成的一个波导结构的需要调整刻蚀参数，无需考虑对其他波导结构或者图案化掩膜层的其他区域的影响，也无需对图案化的掩膜层进行多次刻蚀，提高了波导器件的制造灵活性，简化了波导器件的制程工艺。

本具体实施方式是以依次形成所述第一波导结构281、所述第二波导结构 30和所述第三波导结构33为例进行说明，本领域技术人员也可以根据实际需要调整所述第一波导结构281、所述第二波导结构30和所述第三波导结构33 的形成顺序，本具体实施方式对此不作限定。

可选的，形成多个波导结构之后，还包括如下步骤：

去除所述图案化的掩膜层并形成上包层，所述上包层覆盖多个所述波导结构、并填充满相邻所述波导结构之间的间隙。

可选的，去除所述图案化的掩膜层并形成上包层的具体步骤包括：

沉积覆盖多个所述波导结构表面、所述图案化的掩膜层侧壁、并填充满相邻所述波导结构之间的间隙的第一包层材料35；

去除所述图案化的掩膜层，暴露多个所述波导结构；

沉积第二包层材料36于暴露的多个所述波导结构表面和所述第一包层材料35表面，形成包括所述第一包层材料35和所述第二包层材料36的上包层。

举例来说，在形成所述第三波导结构33之后，除去所述第三遮蔽层32，如图2K所示，并沉积覆盖所述第一波导结构281表面、所述第二波导结构30 表面、所述第三波导结构33表面、所述图案化的掩膜层表面、并填充满所述第一波导结构281与所述第二波导结构30之间的间隙、所述第二波导结构30 和所述第三波导结构33之间的间隙的第一包层材料35。之后，通过化学机械研磨等工艺暴露所述图案化的掩膜层，如图2L所示。接着，刻蚀部分所述第一包层材料35，使得剩余的所述第一包层材料35的顶面与所述图案化的掩膜层的底面平齐。然后，剥离所述图案化的掩膜层，并沉积第二包层材料36于暴露的所述第一波导结构281表面、暴露的所述第二波导结构30表面和所述第一包层材料35表面，形成包括所述第一包层材料35和所述第二包层材料36 的上包层。

在本具体实施方式中，所述第一包层材料35、所述第二包层材料36和所述缓冲层23的材料可以相同，例如均为氧化物材料(如二氧化硅)，以进一步简化所述波导器件的形成工艺。当所述第一包层材料35、所述第二包层材料 36和所述缓冲层23的材料均相同时，最终得到的结构如图2M所示。

不仅如此，本具体实施方式还提供了一种波导器件。所述波导器件的结构可参见图2K和图2M。如图2K和图2M所示，本具体实施方式提供的波导器件，包括：

衬底；

位于所述衬底表面的多个波导结构，所述波导结构采用如上述任一项所述的波导器件的形成方法形成。

本具体实施方式提供的波导器件及其形成方法，在形成一波导结构的过程中，对于与其他波导区域对应的其他子掩膜进行了遮盖，使得形成所述第一波导结构的过程无需对其他子掩膜进行刻蚀。本发明通过一次刻蚀形成波导刻蚀所需的掩膜层，避免了对掩膜层的多次刻蚀，最终所需的条形波导和/或不同深度的脊形波导都可以通过一次刻蚀波导芯层形成，有利于稳定波导的侧壁形貌，降低波导的传输损耗，同时有利于控制脊形波导的刻蚀深度，得到性能稳定的光栅、调制器、探测器等结构。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。