阅读说明：本技术 电子器件的制造方法及电子器件 (Method for manufacturing electronic device and electronic device ) 是由 井上裕康 岸川英司 赤对真人 于 2018-12-12 设计创作，主要内容包括：本发明的一个实施方式的电子器件(1)的制造方法具备：准备工序,是准备在基板(10)上设有第1电极层(20)的带有电极的基板(2)的准备工序,第1电极层具有第1导电层(21)和设于第1导电层上的第2导电层(22),在第1电极层的缘部的规定区域(A)的至少一部分,形成有在从基板的厚度方向观察时第2导电层相对于第1导电层向外侧突出的檐部(24)；器件功能部形成工序,在第1电极层上形成器件功能部(30)；第2电极层形成工序,以将第2电极层的一部分配置于第1电极层的规定区域上的方式,在器件功能部上形成第2电极层；以及非导电部形成工序,在第2电极层形成工序前,在规定区域的至少一部分上形成非导电部(40)。(A method for manufacturing an electronic device (1) according to an embodiment of the present invention includes: a preparation step of preparing a substrate (2) with an electrode, wherein a 1 st electrode layer (20) is provided on a substrate (10), the 1 st electrode layer has a 1 st conductive layer (21) and a 2 nd conductive layer (22) provided on the 1 st conductive layer, and a brim (24) in which the 2 nd conductive layer protrudes outward from the 1 st conductive layer when viewed in the thickness direction of the substrate is formed in at least a part of a predetermined region (A) at the edge of the 1 st electrode layer; a device function part forming step of forming a device function part (30) on the 1 st electrode layer; a 2 nd electrode layer forming step of forming a 2 nd electrode layer on the device functional portion so that a part of the 2 nd electrode layer is disposed on a predetermined region of the 1 st electrode layer; and a non-conductive portion forming step of forming a non-conductive portion (40) on at least a part of the predetermined region before the 2 nd electrode layer forming step.)

电子器件的制造方法及电子器件

技术领域

本发明涉及电子器件的制造方法及电子器件。

背景技术

电子器件具备具有基板和设于基板上的第1电极层的带有电极的基板、器件功能部及第2电极层。通过在带有电极的基板所具有的第1电极层上依次形成器件功能部及第2电极层而制造电子器件。

作为带有电极的基板的例子，有专利文献1中记载的透明导电体。上述透明导电体是依次包含透明基板、第1高折射率层、透明金属膜、和第2高折射率层的层叠体。包含第1高折射率层、透明金属膜及第2高折射率层的多层结构部作为第1电极层发挥作用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2014/167835号

发明内容

发明所要解决的问题

专利文献1中，作为包含第1高折射率层、透明金属膜及第2高折射率层的第1电极层的制造方法，例如公开有以下的方法。首先，在透明基板上，形成第1高折射率层、透明金属膜及第2高折射率层。其后，将包含第1高折射率层、透明金属膜及第2高折射率层的多层结构部利用蚀刻液图案化为所期望的形状，由此形成第1电极层。

然而，由于第1高折射率层、透明金属膜及第2高折射率层的材料不同，所以它们的蚀刻速率也不同。因此，当如上所述地形成第1电极层时，在从多层结构部的厚度方向观察的情况下，第2高折射率层从透明金属膜的缘部向外侧突出，第2高折射率层当中的从透明金属膜的突出部分形成檐部。在使用像这样具有檐部的第1电极层制造电子器件的情况下，在制造过程中，檐部有可能向与基板相反的一侧弯折而形成突起。一旦形成上述突起，则不能确保包含突起的第1电极层与第2电极层的充分的绝缘性，因此第1电极层与第2电极层发生短路、或者产生电流漏泄。

因而，本发明的目的在于，提供能够更加可靠地将第1电极层与第2电极层绝缘的电子器件的制造方法及电子器件。

用于解决问题的方法

本发明的一个方面具备：准备工序，准备在基板上设有第1电极层的带有电极的基板，上述第1电极层具有第1导电层和相对于上述第1导电层设于与上述基板相反的一侧的第2导电层，在上述第1电极层的缘部的规定区域的至少一部分，形成有在从上述基板的厚度方向观察时上述第2导电层相对于上述第1导电层向外侧突出的檐部；器件功能部形成工序，在上述带有电极的基板所具有的上述第1电极层上，形成包含一个或多个功能层的器件功能部；第2电极层形成工序，在上述器件功能部上形成第2电极层，以将上述第2电极层的一部分配置于上述规定区域上的方式形成上述第2电极层；和非导电部形成工序，在上述第2电极层形成工序前，在上述规定区域的上述至少一部分上形成非导电部。

上述制造方法中，利用非导电部形成工序，在上述第2电极层形成工序前，在上述规定区域的至少一部分上形成非导电部。由此，即使在准备工序中准备的带有电极的基板所具有的第1电极层的上述檐部例如向与基板相反的一侧弯折而形成突起，也在突起与第2电极层之间设有非导电部。因此，能够更加可靠地将第1电极层与第2电极层绝缘。

在上述非导电部形成工序中，可以在上述规定区域的全部区域上形成上述非导电部。该情况下，即使上述檐部变形而产生上述突起，无论形成有该突起的规定区域内的位置如何，都在突起与第2电极层之间可靠地设有非导电部。因此，能够更加可靠地将第1电极层与第2电极层绝缘。

在上述器件功能部形成工序中，从上述基板的厚度方向观察可以在上述第1电极层的内侧形成上述器件功能部。

在上述非导电部形成工序中，可以以在假定上述檐部变形而在与上述基板相反的一侧形成突起的情况下将上述突起与上述第2电极层绝缘的方式形成上述非导电部。由此，能够更加可靠地将第1电极层与第2电极层绝缘。

上述第2导电层在上述规定区域的上述至少一部分，在与上述基板相反的一侧具有突起，在上述非导电部形成工序中，可以以将上述突起与上述第2电极层绝缘的方式形成上述非导电部。该情况下，由于在突起与第2电极层之间可靠地设有非导电部，因此能够更加可靠地将第1电极层与第2电极层绝缘。

在上述非导电部形成工序中，可以将感光性树脂组合物涂布于上述规定区域的上述至少一部分上，并利用光照射使上述感光性树脂组合物固化，由此形成上述非导电部。该情况下，上述非导电部为上述感光性树脂组合物的固化物。

上述准备工序可以具有：在上述基板上依次形成第1材料层及第2材料层的工序，上述第1材料层包含与上述第1导电层的材料相同的材料，上述第2材料层包含与上述第2导电层的材料相同的材料；和通过利用蚀刻将上述第1材料层及上述第2材料层一起图案化为规定的图案而形成上述第1电极层的工序，上述第2导电层的材料可以是在上述蚀刻中蚀刻速率比上述第1导电层的材料慢的材料。

该情况下，由于成为第2导电层的第2材料层的材料的蚀刻速率比成为第1导电层的第1材料层的材料的蚀刻速率慢，因此在第2导电层形成上述檐部。

本发明的另一个方面的电子器件具备：基板；第1电极层，其设于上述基板上；器件功能部，其设于上述第1电极层上，且包含一个或多个功能层；第2电极层，其设于上述器件功能部上，且上述第2电极层的一部分位于上述第1电极层的缘部的规定区域上；以及非导电部，其设于上述规定区域的至少一部分与上述第2电极层之间，上述第1电极层具有第1导电层、和相对于上述第1导电层更靠近上述器件功能部地设置的第2导电层，在上述规定区域的上述至少一部分，在上述第2导电层，在与上述基板相反的一侧形成有突起。

上述电子器件中，在第2导电层所具有的上述突起与第2电极层之间设有非导电部。因此，能够更加可靠地确保第1电极层与第2电极层的绝缘性。

上述非导电部可以设于上述规定区域的全部区域上。上述器件功能部从上述基板的厚度方向观察可以配置于上述第1电极层的内侧。

上述非导电部可以包含绝缘材料。由此，非导电部能够具有绝缘性。

上述非导电部可以是上述感光性树脂组合物的固化物。上述非导电部的材料可以是上述器件功能部所具有的一个或多个功能层中含有的材料。

上述第1导电层的材料的例子可以具有选自银、金、铝、铜、铁、钯、铑、钛、铬及钼中的至少一种金属或包含所述一种金属的合金。

上述第1电极层可以在上述第1导电层与上述基板之间还具有金属氧化物层。

上述器件功能部所具有的至少一个功能层可以是包含有机物的发光层。该情况下，上述电子器件为有机电致发光器件。

发明效果

根据本发明，可以提供能够更加可靠地将第1电极层与第2电极层绝缘的电子器件的制造方法及电子器件。

附图说明

图1是一个实施方式的电子器件的制造中使用的带有电极的基板的俯视图。

图2是沿着图1的II－II线的剖视图。

图3是用于说明一个实施方式的电子器件的制造方法的图。

图4是沿着图3所示的IV－IV线的剖视图。

图5是用于说明一个实施方式的电子器件的变形例的图。

图6是沿着图5的VI－VI线的剖视图。

具体实施方式

以下，在参照附图的同时对本发明的实施方式进行说明。对于相同的要素使用相同的符号，省略重复的说明。附图的尺寸比率未必与说明的尺寸比率一致。

图1是一个实施方式的电子器件的制造中使用的带有电极的基板的俯视图。图2是沿着图1的II-II线的剖视图。本实施方式中，只要没有特别指出，上述电子器件就是从带有电极的基板侧射出光的有机电致发光器件(有机EL器件)。有机EL器件的例子为有机EL照明器件。如图1及图2所示，在带有电极的基板2中，在基板10上，设有阳极层(第1电极层)20。

[基板]

基板10对于所要制造的有机EL器件(电子器件)射出的光(包括波长400nm～800nm的可见光)具有透光性。

基板10可以具有挠曲性。所谓挠曲性，是即使对基板施加规定的力也能够不发生剪切或断裂地使基板弯曲的性质。具有挠曲性的基板10的例子为塑料膜或高分子膜，其厚度例如为30μm～700μm。基板10也可以是玻璃，其厚度例如为0.05mm～1.1mm。基板10可以还具备具有水分屏蔽功能的屏蔽层。屏蔽层可以在具有屏蔽水分的功能的基础上，还具有屏蔽气体(例如氧)的功能。

[阳极层]

阳极层20设于基板10上。阳极层20对于欲制造的有机EL器件射出的光具有透光性。阳极层20可以具有网络结构。阳极层20是具有第1导电层21和第2导电层22的层叠体。第2导电层22相对于第1导电层21配置于与基板10相反的一侧。阳极层20可以在第1导电层21与基板10之间还具有金属氧化物层23。以下，只要没有特别指出，则阳极层20就具有金属氧化物层23。该情况下，阳极层20具有金属氧化物层23、第1导电层21及第2导电层22，具有从基板10侧起依次层叠有金属氧化物层23、第1导电层21及第2导电层22的3层结构。

第1导电层21的例子为金属层，例如具有选自银(Ag)、金(Au)、铝(Al)、铜(Cu)、铁(Fe)、钯(Pd)、铑(Rh)、钛(Ti)、铬(Cr)及钼(Mo)中的至少一种金属或包含上述一种金属的合金。作为金属层，优选包含银或银合金。第1导电层21的厚度只要是欲制造的有机EL器件射出的光能够透射的厚度即可。第1导电层21能够以薄膜的形式来形成。第1导电层21的厚度的例子为5nm～15nm，优选为7nm～9nm。

第2导电层22层叠于第1导电层21上。第2导电层22是对于欲制造的有机EL器件射出的光具有透光性的透明导电膜。第2导电层22的材料与第1导电层21的材料不同。例如在同时蚀刻(换言之，以相同的蚀刻液蚀刻)第1导电层21及第2导电层22的情况下，第2导电层22的材料可以是与第1导电层21相比蚀刻速率慢的材料。第2导电层22的材料的例子包括铟锡氧化物(Indium Tin Oxide：简称ITO)、铟锌氧化物(Indium Zinc Oxide：简称IZO)。第2导电层22的厚度的例子为10nm～100nm，优选为70nm～80nm。

金属氧化物层23设于基板10与第1导电层21之间。金属氧化物层23的材料的例子包括氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化钛。金属氧化物层23的厚度只要是欲制造的有机EL器件射出的光能够透射的厚度即可。金属氧化物层23的厚度的例子为30nm～70nm，优选为50nm～60nm。

在从基板10的厚度方向观察阳极层20的情况下，在阳极层20的缘部的至少规定区域A中，第2导电层22包含相对于第1导电层21具有檐形状的檐部24。檐部24是在第2导电层22中相对于第1导电层21向外侧突出的部分。图1及图2中，例示出在阳极层20的全部缘部形成有檐部24的情况，图1中，为了说明的方便，在檐部24附加有影线。在有机EL器件中，在从基板10的厚度方向观察的情况下，规定区域A是阳极层20的缘部与同阳极层20构成一对的阴极层重叠的区域。

阳极层20例如可以如下所示地形成。首先，在基板10上，使用金属氧化物层23、第1导电层21及第2导电层22各自的材料，在基板10的比阳极层形成区域更大的区域(例如基板10的表面全面)依次形成第3材料层、第1材料层及第2材料层。第3材料层、第1材料层及第2材料层是分别成为金属氧化物层23、第1导电层21及第2导电层22的层。

第3材料层、第1材料层及第2材料层分别可以利用例如干式成膜法、镀覆法、涂布法等来形成。作为干式成膜法，例如可以举出真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、CVD法等。作为涂布法，例如可以举出喷墨印刷法、模缝涂布法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、绕线棒涂布法、喷涂法、丝网印刷法、柔性版印刷法、胶版印刷法及喷嘴印刷法等。

然后，蚀刻形成于基板10上的第3材料层、第1材料层及第2材料层，将第1材料层及第2材料层一起图案化为规定的图案，由此在阳极层形成区域上得到阳极层20。由于第3材料层、第1材料层及第2材料层的材料彼此不同，因此在上述蚀刻时蚀刻速率不同。通常，由于第2材料层的蚀刻速率比第1材料层慢，因此形成前述的檐部24。

下面，对使用带有电极的基板2制造图3及图4所示的有机EL器件1的方法的一例进行说明。有机EL器件1的制造方法主要具备准备工序、器件功能部形成工序、非导电部形成工序、和阴极层形成工序(第2电极层形成工序)。对各工序进行说明。

[准备工序]

准备工序中，准备图1及图2所示的带有电极的基板2。准备工序中，也可以通过购入带有电极的基板2来准备带有电极的基板2。或者，也可以通过使用前述的阳极层20的形成方法的例子在基板10上形成阳极层20来准备带有电极的基板2。

在准备工序后、器件功能部形成工序前，例如可以实施对带有电极的基板2的表面进行清洗(表面处理)的清洗工序。

[器件功能部形成工序]

器件功能部形成工序中，在带有电极的基板2所具有的阳极层20上形成器件功能部30。以将阳极层20的一部分露出以便于外部连接、并且覆盖规定区域A的方式，形成器件功能部30。由于器件功能部30覆盖规定区域A，因此器件功能部30的一部分与基板10接触。

器件功能部43是根据施加于阳极层20及阴极层50的电压来参与电荷的迁移及电荷的复合等有机EL器件1的发光的功能部。器件功能部43具有一个或多个功能层。图3及图4中，例示出器件功能部30具有单层结构的实施方式，换言之，例示出器件功能部30为发光层31的实施方式。

发光层31是具有发出光(包括可见光)的功能的功能层。发光层31通常包含主要发出荧光及磷光的至少一方的有机物、或该有机物和辅助该有机物的掺杂剂材料。因而，发光层31为有机层(包含有机物的层)。掺杂剂材料例如是为了提高发光效率及改变发光波长的至少一方而加入的。上述有机物可以是低分子化合物，也可以是高分子化合物。发光层的厚度例如为2nm～200nm。

作为主要发出荧光及磷光的至少一方的有机物，例如可以举出以下的色素系材料、金属络合物系材料及高分子系材料。

(色素系材料)

作为色素系材料，例如可以举出环喷他明衍生物、四苯基丁二烯衍生物化合物、三苯基胺衍生物、噁二唑衍生物、吡唑并喹啉衍生物、二苯乙烯基苯衍生物、二苯乙烯基芳撑衍生物、吡咯衍生物、噻吩环化合物、吡啶环化合物、紫环酮衍生物、苝衍生物、低聚噻吩衍生物、噁二唑二聚物、吡唑啉二聚物、喹吖啶酮衍生物、香豆素衍生物等。

(金属络合物系材料)

作为金属络合物系材料，例如可以举出作为中心金属具有Tb、Eu、Dy等稀土金属、或Al、Zn、Be、Ir、Pt等、作为配体具有噁二唑、噻二唑、苯基吡啶、苯基苯并咪唑、喹啉结构等的金属络合物，作为金属络合物系材料，例如可以举出铱络合物、铂络合物等具有来自三重激发态的发光的金属络合物、羟基喹啉铝络合物、苯并羟基喹啉铍络合物、苯并噁唑基锌络合物、苯并噻唑锌络合物、偶氮甲基锌络合物、卟啉锌络合物、菲咯啉铕络合物等。

(高分子系材料)

作为高分子系材料，可以举出聚对亚苯基亚乙烯基衍生物、聚噻吩衍生物、聚对亚苯基衍生物、聚硅烷衍生物、聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑衍生物、将上述色素系材料、金属络合物系发光材料高分子化而得的材料等。

(掺杂剂材料)

作为掺杂剂材料，例如可以举出苝衍生物、香豆素衍生物、红荧烯衍生物、喹吖啶酮衍生物、方酸内鎓盐衍生物、卟啉衍生物、苯乙烯基系色素、并四苯衍生物、吡唑啉酮衍生物、十环烯、吩噁嗪酮等。

发光层31可以利用干式成膜法、涂布法等形成。干式成膜法及涂布法的例子与阳极层20的情况相同。发光层31优选利用喷墨印刷法形成。

器件功能部30可以在具有发光层31以外，还具有各种功能层。配置于阳极层20与发光层31之间的功能层的例子为空穴注入层、空穴传输层等。配置于阴极层450与发光层31之间的功能层的例子为电子注入层、电子传输层等。电子注入层也可以是阴极层50的一部分。

空穴注入层是具有使从阳极层20向发光层31的空穴注入效率提高的功能的功能层。空穴传输层是具有使从空穴注入层(在不存在空穴注入层的实施方式中为阳极层)向发光层31的空穴注入效率提高的功能的功能层。电子传输层是具有使从电子注入层(在不存在电子注入层的实施方式中为阴极层)向发光层31的电子注入效率提高的功能的功能层。电子注入层是具有使从阴极层50向发光层31的电子注入效率提高的功能的功能层。

空穴注入层可以是无机层，也可以是有机层。构成空穴注入层的空穴注入材料可以是低分子化合物，也可以是高分子化合物。

作为低分子化合物，例如可以举出氧化钒、氧化钼、氧化钌、以及氧化铝等金属氧化物、铜酞菁等金属酞菁化合物、碳等。

作为高分子化合物，例如可以举出聚苯胺、聚噻吩、聚亚乙基二氧基噻吩(PEDOT)之类的聚噻吩衍生物、聚吡咯、聚亚苯基亚乙烯基、聚亚噻吩基亚乙烯基、聚喹啉及聚喹喔啉、以及它们的衍生物；在主链或侧链包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子等。

空穴注入层的厚度的最佳值根据所用的材料而不同。空穴注入层的厚度可以考虑所要求的特性及成膜的简易度等来适当地确定。空穴注入层的厚度例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

空穴传输层是包含空穴传输材料的有机层。空穴传输材料只要是具有空穴传输功能的有机化合物就没有限定。作为具有空穴传输功能的有机化合物，例如可以举出聚乙烯基咔唑或其衍生物、聚硅烷或其衍生物、在侧链或主链具有芳香族胺残基的聚硅氧烷衍生物、吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物、聚苯胺或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚芳基胺或其衍生物、聚(对亚苯基亚乙烯基)或其衍生物、聚芴衍生物、具有芳香族胺残基的高分子化合物、以及聚(2，5－亚噻吩基亚乙烯基)或其衍生物。

作为空穴传输材料的例子，还可以举出日本特开昭63－70257号公报、日本特开昭63－175860号公报、日本特开平2－135359号公报、日本特开平2－135361号公报、日本特开平2－209988号公报、日本特开平3－37992号公报、日本特开平3－152184号公报中记载的空穴传输材料等。

空穴传输层的厚度的最佳值根据所用的材料而不同。空穴传输层的厚度可以考虑所要求的特性及成膜的简易度等来适当地确定。空穴传输层的厚度例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

电子传输层是包含电子传输材料的有机层。电子传输材料可以使用公知的材料。作为构成电子传输层的电子传输材料，可以举出噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷或其衍生物、苯醌或其衍生物、萘醌或其衍生物、蒽醌或其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷或其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、联苯醌衍生物、或8－羟基喹啉或其衍生物的金属络合物、聚喹啉或其衍生物、聚喹喔啉或其衍生物、聚芴或其衍生物等。

电子传输层的厚度可以考虑所要求的特性及成膜的简易度等来适当地确定。电子传输层的厚度例如为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，更优选为5nm～200nm。

电子注入层可以是无机层，也可以是有机层。构成电子注入层的材料可以根据发光层的种类适当地选择最佳材料。作为构成电子注入层的材料的例子，可以举出碱金属、碱土金属、包含碱金属及碱土金属当中的1种以上的合金、碱金属或碱土金属的氧化物、卤化物、碳酸盐、或这些物质的混合物等。作为碱金属的例子、以及碱金属的氧化物、卤化物以及碳酸盐的例子，可以举出锂、钠、钾、铷、铯、氧化锂、氟化锂、氧化钠、氟化钠、氧化钾、氟化钾、氧化铷、氟化铷、氧化铯、氟化铯、碳酸锂等。作为碱土金属的例子、以及碱土金属的氧化物、卤化物、碳酸盐的例子，可以举出镁、钙、钡、锶、氧化镁、氟化镁、氧化钙、氟化钙、氧化钡、氟化钡、氧化锶、氟化锶、碳酸镁等。

除此以外还可以利用将以往已知的电子传输性的有机材料与碱金属的有机金属络合物混合而得的层作为电子注入层。

以下给出器件功能部30的层构成的例子。下述层构成的例子中，为了表示阳极层及阴极层与各种功能层的配置关系，将阳极层及阴极层也用括号进行了记述。

(a)(阳极层)/发光层/(阴极层)

(b)(阳极层)/空穴注入层/发光层/(阴极层)

(c)(阳极层)/空穴注入层/发光层/电子注入层/(阴极层)

(d)(阳极层)/空穴注入层/发光层/电子传输层/电子注入层/(阴极层)

(e)(阳极层)/空穴注入层/空穴传输层/发光层/(阴极层)

(f)(阳极层)/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子注入层/(阴极层)

(g)(阳极层)/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/(阴极层)

(h)(阳极层)/发光层/电子注入层/(阴极层)

(i)(阳极层)/发光层/电子传输层/电子注入层/(阴极层)

记号“/”表示记号“/”的两侧的层之间接合。

器件功能部30所具有的发光层31以外的功能层也能够利用与发光层31相同的方法形成。

器件功能部30所具有的发光层31的个数可以是1个，也可以是2个以上。在上述构成例(a)～(i)的层构成当中的任意1个中，若将配置于阳极层与阴极层之间的层叠体设为[结构单元I]，则作为具有2层的发光层31的器件功能部30的构成，可以举出下述(j)所示的层构成。存在有2个的(结构单元I)的层构成可以彼此相同，也可以不同。

(j)(阳极层)/[结构单元I]/电荷产生层/[结构单元I]/(阴极层)

电荷产生层是通过施加电场而产生空穴和电子的层。作为电荷产生层，例如可以举出包含氧化钒、ITO、氧化钼等的薄膜。

若将“[结构单元I]/电荷产生层”设为[结构单元II]，则作为具有3层以上的发光层的有机EL元件的构成，可以举出以下的(k)所示的层构成。

(k)(阳极层)/[结构单元II]x/[结构单元I]/(阴极层)

记号“x”表示2以上的整数，“[结构单元II]x”表示层叠了x层的[结构单元II]的层叠体。存在有多个的[结构单元II]的层构成可以相同，也可以不同。

也可以不设置电荷产生层，而是直接地层叠多个发光层31而构成器件功能部30。

[非导电部形成工序]

非导电部形成工序中，在规定区域A的全部区域上形成非导电部40。图3中，图示出在规定区域A的外侧也形成有非导电部40的状态。在器件功能部形成工序中，在利用器件功能部30覆盖了规定区域A的实施方式中，以将规定区域A上的器件功能部30覆盖的方式形成非导电部40。非导电部40形成于规定区域A的全部区域上。

非导电部40的材料的例子为绝缘材料。非导电部40也可以是感光性树脂组合物的固化物。非导电部40的材料也可以是器件功能部30所具有的一个或多个功能层中含有的材料。

若阳极层20具有檐部24，则在从准备工序向器件功能部形成工序转移的阶段、器件功能部形成工序中等时，存在第2导电层22中的檐部24向与基板10相反的一侧弯折，如图4所示地在与基板10相反的一侧形成作为凸部的突起25的情况。或者，在准备工序与器件功能部形成工序之间例如实施清洗带有电极的基板2的工序的情况下，在该清洗工序中有产生上述突起25的情况。

非导电部形成工序中，以将上述突起25与后述的阴极层形成工序中形成的阴极层50绝缘的方式形成非导电部40。具体而言，以将突起25埋入设置的方式形成非导电部40。突起25的高度t(参照图4)例如为100nm～1μm。高度t的一例为600nm。如图3及图4所示，在形成器件功能部30后形成非导电部40的实施方式中，只要以能够利用器件功能部30和非导电部40将突起25埋入设置的厚度来形成非导电部40即可。

能够埋入设置突起25的非导电部40例如可以如下所示地设计。利用与例如有机EL器件1的制造中使用的带有电极的基板2相同构成的预备(或试验用)的带有电极的基板2计测檐部24的大小。基于计测结果，预先推定假想的突起25的形状。以将推定出的突起25与阴极层50绝缘的方式设计非导电部40。

非导电部40可以利用涂布法形成。涂布法的例子可以设为与阳极层20的形成方法中例示的例子相同。在例示出的涂布法当中优选喷墨印刷法。也可以通过制造者直接将包含非导电部40的材料的涂布液涂布于规定区域A上并使之干燥来形成非导电部40。在非导电部40为感光性树脂组合物的固化物的实施方式中，将成为非导电部40的感光性树脂组合物涂布于规定区域A上后，利用光照射使感光性树脂组合物固化，由此形成非导电部40。

[阴极层形成工序]

阴极层形成工序中，在器件功能部30上形成阴极层50。阴极层形成工序中，以在从基板10的厚度方向观察的情况下使阴极层50从规定区域A侧向阳极层20的外侧突出的方式形成阴极层50。由此，以使阴极层50配置于规定区域A上的非导电部40上的方式形成，并且以使阴极层50的一部分接触基板10的方式形成。在本实施方式中，例如可以以使规定区域A不包围器件功能部30的方式形成阴极层50。

阴极层50的厚度的最佳值根据所用的材料而不同。阴极层50的厚度可以考虑电导率、耐久性等来设定。阴极层50的厚度通常为10nm～10μm，优选为20nm～1μm，更优选为50nm～500nm。

为了使来自器件功能部30的光(具体而言是来自发光层的光)在阴极层50反射并向阳极层20侧前进，阴极层50的材料优选为对于来自器件功能部30所具有的发光层31的光(特别是可见光)而言反射率高的材料。作为阴极层50的材料，例如可以举出碱金属、碱土金属、过渡金属及周期表的第13族金属等。作为阴极层50，也可以使用包含导电性金属氧化物及导电性有机物等的透明导电性电极。

作为阴极层50的形成方法，例如可以举出喷墨法、模缝涂布机法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷涂机法等涂布法、真空蒸镀法、溅射法、热压接金属薄膜的层压法等。

通过在阴极层形成工序中形成阴极层50，可以得到有机EL器件1。有机EL器件1可以还具备密封器件功能部30的密封构件。密封构件是用于防止水分浸入器件功能部30的构件，具有水分屏蔽功能。为了外部连接，以使阳极层20及阴极层50的一部分从密封构件露出的方式，将密封构件设于带有电极的基板2。

在有机EL器件1还具备密封构件的方式中，在阴极层形成工序后，可以还具备利用密封构件将器件功能部30密封的密封工序。密封工序中，例如以将器件功能部30密封的方式在设有阴极层50的带有电极的基板2上贴合密封构件即可。

在有机EL器件1的制造方法中，可以使用长条的带有电极的基板2制造有机EL器件1。长条的带有电极的基板2是在沿着长条的基板10的至少长度方向假想地设定的多个器件形成区域上分别形成有阳极层20的基板。

在使用上述长条的带有电极的基板2制造有机EL器件1时，只要一边将带有电极的基板2沿其长度方向运送、一边在各器件形成区域上实施上述器件功能部形成工序、非导电部形成工序及阴极层形成工序即可。此种实施方式中，通过实施阴极层形成工序，在每个器件形成区域形成有机EL器件1。因此，通过从阴极层形成工序后的带有电极的基板2中将各器件形成区域单片化，可以得到多个有机EL器件1。在具备密封工序的实施方式中，在实施密封工序后，实施上述单片化工序即可。可以利用卷对卷方式实施有机EL器件1的制造方法所具有的各工序的至少一个工序。

在一边运送长条的带有电极的基板2、一边利用涂布法(例如喷墨印刷法)形成构成器件功能部30的层的方式中，带有电极的基板2优选由运送机构水平运送。带有电极的基板2例如可以由多个辊水平运送，也可以由气浮机构利用空气水平运送。

如图3及图4所示，有机EL器件1具备基板10、阳极层(第1电极层)20、器件功能部30、阴极层(第2电极层)50、和设于阳极层20的上述规定区域A与阴极层50之间的非导电部40。阳极层20、器件功能部30、阴极层50及非导电部40的构成及配置关系如上述制造方法中说明所示。本实施方式的有机EL器件1中，相对于基板10而言的器件功能部30的个数为1个。

由于阳极层20的第2导电层22具有檐部24，因此在有机EL器件1的制造方法的非导电部形成工序前，有檐部24变形、形成突起25(参照图4)的情况。根据突起25的高度的不同，如图4所示，无法将突起25用器件功能部30完全覆盖。例如，器件功能部30的厚度通常小于600nm(例如200nm)，因此若突起25的高度为600nm以上，则突起25的一部分穿透器件功能部30。

即使在此种情况下，就上述有机EL器件(电子器件)1的制造方法而言，由于在非导电部形成工序中，在规定区域A上形成非导电部40，因此也在突起25上形成非导电部40。由此，将包含突起25的阳极层20与阴极层50绝缘，因此能够防止阳极层20与阴极层50的短路、电流漏泄等，其结果是，能够制造可靠性高的有机EL器件1。由于通过具备非导电部形成工序，能够防止阳极层20与阴极层50的短路、电流漏泄等，因此有机EL器件1的制造成品率也提高。

在规定区域A的全部区域上形成非导电部40的实施方式中，无需在规定区域A中特定产生突起25的部位。因此，能够有效地制造防止了由突起25引起的上述短路之类的缺陷的有机EL器件1。由此，有机EL器件1的制造成品率进一步提高。

在非导电部40为感光性树脂组合物的固化物的实施方式中，易于一边运送带有电极的基板2一边形成非导电部40。因此，能够有效地制造有机EL器件1。

(变形例)

图3及图4所示的有机EL器件1中，从基板10的厚度方向观察，以覆盖规定区域A的方式形成器件功能部30。然而，也可以像图5及图6所示的有机EL器件1A那样，从基板10的厚度方向观察，在阳极层20的内侧配置器件功能部30。换言之，从基板10的厚度方向观察，阳极层20中的形成器件功能部30的面具有形成器件功能部30的功能部形成区域、和包围它的功能部非形成区域，可以仅在上述功能部形成区域形成器件功能部30。

该情况下，非导电部40设于规定区域A上，并且在阳极层20中设于器件功能部30与规定区域A之间的部分上。此种有机EL器件1A除了以下的方面以外，可以与有机EL器件1的情况相同地制造，即，在器件功能部形成工序中，从基板10的厚度方向观察，将器件功能部30配置于阳极层20的内侧地形成，此外，在非导电部形成工序中，将非导电部形成于规定区域A上，并且在阳极层20中形成于器件功能部30与规定区域A之间的部分上。由于在有机EL器件1A的制造方法及有机EL器件1A中，也在上述突起25上设置非导电部40，因此具有与有机EL器件1的制造方法及有机EL器件1相同的作用效果。

本变形例中，对在内侧形成有器件功能部30的实施方式进行了说明，然而在器件功能部30具有一个或多个功能层的实施方式中，也可以在规定区域A上设置器件功能部30所具有的至少一个功能层。

以上，对本发明的各种实施方式进行了说明。然而，本发明并不限定于例示的各种实施方式，意图不仅包含由请求保护的范围给出的范围，并且还包含与权利要求的范围等同的含义及范围内的所有变更。

例如，可以不是在上述规定区域的全部区域上形成非导电部。在规定区域中的至少一部分形成突起的情况下，只要在规定区域中的至少一部分上形成非导电部即可。例如，若能够利用目视确认突起，则仅在规定区域中的突起部分形成非导电部即可。或者，在实施非导电部形成工序前，例如，在准备工序中准备带有电极的基板时或即将实施器件功能部形成工序前等时，实施利用高差检测仪之类的形状测定装置测定规定区域及其附近的形状的检查工序，在该检查中特定出的突起上设置非导电部即可。在像这样实施检查工序时，在利用喷墨印刷法之类的涂布法形成非导电部的情况下，可以根据检查结果，将突起位置及突起高度等输入涂布装置，以将突起埋入设置的方式自动地形成非导电部。

对于非导电部的材料及厚度等而言，只要利用非导电部以不产生上述的电流漏泄、短路之类的不佳状况的程度将第1电极层与第2电极层绝缘，则没有限定。

非导电部形成工序只要在第2电极层形成工序前实施即可。例如，可以在器件功能部形成工序前实施非导电部形成工序。该情况下，非导电部的厚度可以是利用单独的非导电部将突起埋入设置于非导电部内的厚度，也可以是能够利用非导电部和器件功能部将突起埋入设置的厚度。

有机EL器件的制造方法并不限定于制造从基板侧发出光的有机EL器件的情况，也能够应用于制造从与基板相反的一侧发出光的有机EL器件的情况。虽然对第1电极层及第2电极层分别为阳极层及阴极层的实施方式进行了说明，然而也可以第1电极层为阴极层、第2电极层为阳极层。本发明也能够应用于有机EL器件以外的有机电子器件，例如有机太阳能电池、有机光探测器、有机晶体管等。本发明并不限定于使用了有机材料的电子器件，也能够应用于使用了无机材料的电子器件，例如液晶显示器等。

[实施例]

以下，举出实施例及比较例对本发明进一步具体说明。然而，本发明并不限定于以下的实施例。在实施例及比较例的说明中，为了说明的方便，对于与上述实施方式中的构成要素对应的构成要素使用相同的符号。

(实施例)

利用以下所示的步骤，制造出作为电子器件的一例的有机EL器件。

首先，准备在基板10上形成有阳极层20的带有电极的基板2(参照图1～图4)。基板10的材料为玻璃。阳极层20包含金属氧化物层23、第1导电层21及第2导电层22。金属氧化物层23、第1导电层21及第2导电层22从基板10侧起依照金属氧化物层23、第1导电层21及第2导电层22的顺序层叠。

利用高差测定装置(Toho Technology Corporation制；FP－10)测定出带有电极的基板2所具有的阳极层20的形状。其结果是，在阳极层20中，在包含规定区域A(在有机EL器件中，在从基板10的厚度方向观察的情况下，是阳极层20的缘部与阴极层50重叠的区域)的缘部形成有檐部24(参照图2)，并且至少在规定区域A形成有突起25(参照图4)。突起25的高度t为600nm。

然后，对上述带有电极的基板2进行3分钟的UV臭氧处理(表面处理)。

其后，以覆盖阳极层20的上述规定区域A的方式，在阳极层20上形成厚度35nm的空穴注入层。空穴注入层的材料为包含高分子化合物的空穴注入材料。利用旋涂法形成空穴注入层。具体而言，首先，向阳极层20上供给空穴注入层用涂布液后，使带有电极的基板2以1800rpm的转速旋转20秒，由此在阳极层20上形成空穴注入层用涂布膜。其后，使用热板对空穴注入层用涂布膜在100℃的温度进行4分钟的加热干燥后，再使用热板在100℃的温度进行4分钟的加热干燥(烧成)，得到空穴注入层。

接下来，在上述空穴注入层上，形成厚度30nm的空穴传输层。空穴传输层的材料为包含高分子化合物的空穴传输材料。利用旋涂法形成空穴传输层。具体而言，首先，向空穴注入层上供给空穴传输层用涂布液后，使带有电极的基板2以2000rpm的转速旋转10秒，由此在空穴注入层上形成空穴传输层用涂布膜。其后，使用热板对空穴传输层用涂布膜在160℃的温度进行60分钟的加热干燥，得到空穴传输层。

然后，在上述空穴传输层上，形成厚度75nm的发光层。发光层的材料为包含高分子化合物的发光材料。利用旋涂法形成发光层。具体而言，首先，向空穴传输层上供给发光层用布液后，使带有电极的基板2以4500rpm的转速旋转30秒，由此在空穴传输层上形成发光层用涂布膜。其后，使用热板对发光层用涂布膜在130℃的温度进行10分钟的加热干燥，得到发光层。

其后，在发光层上，形成厚度10nm的电子传输层，并且在包含规定区域A的阳极层20的缘部上，形成厚度10μm的非导电部40。电子传输层的材料为包含高分子化合物的电子传输材料。非导电部的材料为空穴传输层中含有的材料。电子传输层及非导电部40的具体的形成步骤如下所示。

首先，向发光层上供给电子传输层用涂布液后，使带有电极的基板2以2500rpm的转速旋转30秒，由此在发光层上形成电子传输用涂布膜。接下来，在阳极层20的缘部(具体而言是包含规定区域A的缘部)上，使用玻璃吸管滴加非导电部用材料，在上述缘部上形成非导电膜。其后，使用热板对电子传输层涂布膜及非导电膜在130℃的温度进行10分钟的加热干燥，得到电子传输层及非导电部40。

接下来，在电子传输层及非导电部40上形成阴极层50，得到实施例的有机EL器件。具体而言，在电子传输层及非导电部40上，利用真空蒸镀法形成厚度3nm的NaF膜后，在NaF膜上利用真空蒸镀法形成厚度200nm的Al膜，由此形成2层结构的阴极层50。

将如上所述地制造的有机EL器件使用玻璃构件密封。此时，为了供给电压，以使阳极层20及阴极层50的一部分从上述密封用的玻璃构件露出的方式，将有机EL器件用玻璃构件密封。虽然为了便于说明，以相对于有机EL器件而言为另外的构件的方式说明玻璃构件，然而玻璃构件也可以是有机EL器件的一部分。

对实施例中制造出的有机EL器件施加－5V的电压(负方向的施加电压)，测定出漏电流。其结果是，漏电流为－0.03A。

(比较例)

除了不具备非导电部40这一点以外，制作出与实施例的有机EL器件相同构成的有机EL器件。在比较例中，也准备了与实施例相同的带有电极的基板2。在比较例中也利用与实施例相同的方法测定出带有电极的基板2所具有的阳极层20的形状。其结果是，在比较例的阳极层20也与实施例的情况相同地，在阳极层20中，在包含规定区域A的缘部形成檐部24，至少在规定区域A形成突起25。突起25的高度t为600nm。

使用上述带有电极的基板2，除了涉及后述的电子传输层的形成方法这一点以外，利用与实施例的有机EL器件的制造方法相同的方法，制造出有机EL器件。比较例的有机EL器件也与实施例的情况同样地用玻璃构件密封。

[电子传输层的形成方法]

在发光层上与实施例的情况同样地形成电子传输层用涂布膜。其后，接着使用热板对上述电子传输用涂布膜在130℃的温度进行10分钟的加热干燥，形成厚度10nm的电子传输层。

利用与实施例的情况相同的方法测定出比较例的有机EL器件的漏电流。其结果是，漏电流为－0.72A。

＜实施例及比较例的对比＞

如实施例及比较例中说明所示，实施例的有机EL器件的漏电流为－0.03A，比较例的有机EL器件的漏电流为－0.72A。

在实施例及比较例的有机EL器件的阳极层20的缘部，均形成高度600nm的突起25。形成于阳极层20的缘部上的空穴注入层、空穴传输层、发光层及电子传输层的厚度的合计为150nm，小于突起25的高度600nm。因此可以认为，在比较例中，受到突起25的影响，无法将阳极层20与阴极层50充分地绝缘，漏电流增大。

与之不同，在实施例中，由于在包含规定区域A的阳极层20的缘部，形成厚度10μm的非导电部40，因此突起25由非导电部40覆盖。因此，即使在阳极层20形成突起25，也能够将阳极层20与阴极层50充分地缘，能够抑制漏电流。

即，通过形成非导电部，可以制造能够更加可靠地确保第1电极层(阳极层)与第2电极层(阴极层)的绝缘性的电子器件。

符号说明

1、1A有机EL器件(电子器件)，2带有电极的基板，10基板，20阳极层(第1电极层)，21第1导电层，22第2导电层，23金属氧化物层，24檐部，25突起，30器件功能部，31发光层(功能层)，40非导电部，50阴极层(第2电极层)。