阅读说明：本技术 研磨垫修整单元以及装置 (Polishing pad dressing unit and device ) 是由 丁彦荣 张月 杨涛 卢一泓 刘青 于 2020-05-15 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种研磨垫修整单元,包括：修整盘,用于对研磨垫的表面性能进行修整；至少一个喷头,设置在所述修整盘上,用于喷射清洗介质。本发明提供的研磨垫修整单元,通过修整盘打磨堆积在研磨垫表面的研磨渣,同时,喷嘴喷射清洗介质,当研磨渣被打磨下来时,立即被喷嘴喷射的清洗介质清洗掉,从而能够提供良好的清洗效果,大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。(The invention provides a polishing pad dressing unit, comprising: the dressing disk is used for dressing the surface property of the grinding pad; and the at least one spray head is arranged on the trimming disk and used for spraying the cleaning medium. According to the polishing pad dressing unit provided by the invention, the polishing slag accumulated on the surface of the polishing pad is polished by the dressing disc, and meanwhile, the cleaning medium is sprayed by the nozzle, so that when the polishing slag is polished, the cleaning medium sprayed by the nozzle is immediately cleaned, thereby providing a good cleaning effect and greatly reducing the probability of scratches and defects on the surface of a polished silicon wafer.)

研磨垫修整单元以及装置

技术领域

本发明涉及化学机械研磨技术领域，尤其涉及一种研磨垫修整单元以及装置。

背景技术

研磨垫上存在用来供研磨浆料流入和排放的孔或纹路，在抛光过程中，产生的研磨渣容易留存在孔或纹路中。在现有技术中，为了去除留存在孔或纹路中的研磨渣，会采用高压纯水进行清洗。当对研磨垫上的研磨渣清洗能力不足时，研磨渣会在孔或纹路中累积起来，累积的研磨渣容易在后续的研磨过程中导致被研磨的硅片表面出现划痕或缺陷。

发明内容

本发明提供的研磨垫修整单元以及装置，能够对研磨垫具有良好的清洗效果。

第一方面，本发明提供一种研磨垫修整单元，其特征在于，包括：

修整盘，用于对研磨垫的表面性能进行修整；

至少一个喷头，设置在所述修整盘上，用于喷射清洗介质。

可选地，所述修整盘的下表面设置有凹槽，所述喷头设置在所述凹槽内，所述喷头的下表面高于所述修整盘的下表面。

可选地，所述修整盘的下表面还设置有用于排出所述清洗介质的路径，所述用于排出所述清洗介质的路径与所述凹槽连通。

可选地，所述至少一个喷头为多个喷头，所述多个喷头在所述修整盘上按照十字、一字或环形排列。

本发明提供的研磨垫修整单元，将清洗介质的喷头设置在修整盘上，在修整盘对研磨垫进行修整时，通过修整盘打磨堆积在研磨垫表面的研磨渣，同时，喷嘴喷射清洗介质，当研磨渣被打磨下来时，立即被喷嘴喷射的清洗介质清洗掉，从而能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。

第二方面，本发明提供一种研磨垫修整装置，包括：

调节臂，设置在研磨垫上方；以及

如上述任意一项所述的研磨垫修整单元，设置在所述调节臂上。

可选地，进一步包括旋转驱动机构，所述修整盘与所述旋转驱动机构传动连接，所述旋转驱动机构用于驱动所述修整盘旋转。

可选地，进一步包括竖向驱动机构，所述修整盘与所述竖向驱动机构传动连接，所述竖向驱动机构用于驱动所述修整盘竖向移动。

可选地，还包括摆动驱动机构，与所述调节臂传动连接，所述摆动驱动机构用于驱动所述调节臂在预定角度内摆动运动。

可选地，所述调节臂的摆动带动所述修整盘在所述研磨垫的中心和边缘之间运动。

可选地，进一步包括一介质管道，所述喷头通过介质管道提供清洗介质，所述介质管道设置在所述调节臂内部。

本发明提供的研磨垫修整装置，将清洗介质的喷头设置在修整盘上，在修整盘对研磨垫进行修整时，通过修整盘打磨堆积在研磨垫表面的研磨渣，同时，喷嘴喷射清洗介质，当研磨渣被打磨下来时，立即被喷嘴喷射的清洗介质清洗掉，从而能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。

附图说明

图1为本发明研磨垫修整单元一实施例的结构示意图；

图2为本发明研磨垫修整装置一实施例的结构示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。

在本公开的上下文中，当将一层/元件称作位于另一层/元件“上”时，该层/元件可以直接位于该另一层/元件上，或者它们之间可以存在居中层/元件。另外，如果在一种朝向中一层/元件位于另一层/元件“上”，那么当调转朝向时，该层/元件可以位于该另一层/元件“下”。

本发明实施例提供一种研磨垫修整单元，如图1所示，包括：修整盘1，用于对研磨垫的表面性能进行修整：至少一个喷头2，设置在修整盘1上，用于喷射清洗介质。作为可选的实施方式，清洗介质为高压的去离子水。

在工作过程中，修整盘1会旋转并向研磨垫施加下压力，同时随调节臂3进行摆动运动，通过修整盘1的运动对研磨垫的表面性能进行修整，同时，喷头2喷射清洗介质，对修整盘1修整研磨垫产生的研磨渣进行清洗，能够在研磨渣掉落的同时即进行清洗。因此，本实施例提供的研磨垫修整装置能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。

作为本实施例可选的实施方式，修整盘1的下表面设置有凹槽4，喷头2设置在凹槽4内，喷头2的下表面高于修整盘1的下表面。这种设置方式是将修整盘1设置在修整盘1的下表面，由于在修整盘1对研磨垫的表面进行修整时是旋转状态，这种设置方式可以使修整和清洗在极短的时间内交替进行，从而能够提高清洗的效果。但是，本领域技术人员应当明了，上述的设置方式仅作为优选的方式进行示例，并不对喷嘴的设置位置进行限定，喷嘴的设置位置例如还可以设置在修整盘1的边缘。

作为本实施例可选的实施方式，当喷嘴设置在修整盘1下表面的凹槽4内时，在修整盘1的下表面还设置有用于排出清洗介质的路径，用于排出清洗介质的路径与凹槽4连通。在修整盘1上设置清洗介质的排出路径，能够使清洗液和清洗掉的研磨渣沿排出路径排出，不会重新进入到修整盘1与研磨垫之间而影响修整过程。

作为本实施例可选的实施方式，至少一个喷头2为多个喷头2，多个喷头2在修整盘1上按照十字、一字或环形排列。如图1中示出了喷头2按照十字排列的形式。

本发明实施例还提供一种研磨垫修整装置，如图2所示，包括：

调节臂3，设置在研磨垫上方；

上述实施例中的研磨垫修整单元，设置在调节臂3上。

在工作过程中，修整盘1会旋转并向研磨垫施加下压力，同时随调节臂3进行摆动运动，通过修整盘1的运动对研磨垫的表面性能进行修整，同时，喷头2喷射清洗介质，对修整盘1修整研磨垫产生的研磨渣进行清洗，能够在研磨渣掉落的同时即进行清洗。因此，本实施例提供的研磨垫修整装置能够提供良好的清洗效果，大幅降低被研磨硅片表面出现划痕和缺陷的几率。

作为本实施例可选的实施方式，还包括旋转驱动机构，修整盘1与旋转驱动机构(图中未示出)传动连接，旋转驱动机构用于驱动修整盘1旋转。旋转驱动机构驱动修整盘1旋转，修整盘1的旋转能够使修整盘1对研磨垫表面的修整作用和喷嘴的清洗作用在极短的时间内交替进行，提高修整和清洗的效果。

作为本实施例可选的实施方式，还包括竖向驱动机构，修整盘1与竖向驱动机构(图中未示出)传动连接，竖向驱动机构用于驱动修整盘1竖向移动。在修整盘1对研磨垫的修整过程中，需要一定的下压力，因此，需要竖向驱动机构驱动修整盘1做竖向的运动，从而提供一个向研磨垫的下压力。

作为本实施例可选的实施方式，还包括摆动驱动机构(图中未示出)，与调节臂3传动连接，摆动驱动机构用于驱动调节臂3在预定角度内摆动运动。优选地，调节臂3的摆动带动所述修整盘1在研磨垫的中心和边缘之间运动。由于研磨垫的尺寸大于修整盘1的尺寸，为了确保对研磨垫的整个表面的修整，需要修整盘1的摆动运动，修整盘1的摆动运动配合研磨垫自身的旋转运动，能够使修整盘1对研磨垫的整个表面进行修整。

可选地，喷头2通过介质管道提供清洗介质，介质管道设置在调节臂3内部。

本发明实施例还提供一种研磨垫修整装置，与上述各实施例的不同之处在于，本实施例中包括多个修整盘，多个修整盘分别用于修整研磨垫表面的不同区域。在对研磨垫进行修整的过程中，多个修整盘可以采用不同的转速、不同的下压力对不同区域进行修整。这样，不但能够在单位时间内对研磨垫更大范围内进行修整，同时，也能够通过不同的修整盘采用不同的修整参数，确保研磨垫能够经过修整恢复到初始的表面性能，提高研磨工艺的再现性和散布性。

作为本实施例可选的实施方式，多个修整盘可以采用同一个旋转驱动机构进行驱动，这种驱动方式下，旋转驱动机构通过可变的传动比与修整盘进行传动连接，这样，能够通过调整不同修整盘的传动使不同的修整盘具有不同的旋转参数。作为可选的方式，本实施例也可以采用多个旋转驱动机构，旋转驱动机构与修整盘一一对应，每个旋转驱动机构驱动一个修整盘，这样，可以通过调整旋驱动机构的驱动参数使每个修整盘具有不同的旋转参数。

作为本实施例可选的实施方式，应当具有多个竖向驱动机构，每个竖向驱动机构驱动一个修整盘的竖向运动，这样，可以通过调整不同的竖向机构的驱动参数，使每个修整盘对研磨垫具有不同的下压力。

作为本实施例可选的实施方式，多个修整盘可以以线性的方式排列，也可以交错的形式进行排列。由于在对研磨垫表面进行修整的过程中，调节臂会带动修整盘进行摆动，多个修整盘以线性的方式排列，能够减少由于调节臂摆动造成的修整区域的重叠。而多个修整盘以交错的形式排列，则能够减少由于修整盘之间的间隙造成的修整区域的间隙。

在以上的描述中，对于各层的构图、刻蚀等技术细节并没有做出详细的说明。但是本领域技术人员应当理解，可以通过各种技术手段，来形成所需形状的层、区域等。另外，为了形成同一结构，本领域技术人员还可以设计出与以上描述的方法并不完全相同的方法。另外，尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。