阅读说明：本技术 一种气缸加压式环刀型修盘器及其清洗抛光垫的方法 (Cylinder pressurized annular cutter type disc repairing device and method for cleaning polishing pad by using same ) 是由 卓俊辉 孔令沂 邓菁 韩景瑞 孙国胜 李锡光 于 2019-09-20 设计创作，主要内容包括：本发明涉及抛光设备技术领域,尤其涉及一种气缸加压式环刀型修盘器,包括：被吸附平台,开设在所述被吸附平台底部外围的环形刀口,及开设在所述被吸附平台底部的导流槽,所述环形刀口的高度为3mm～20mm、宽度为2mm～5mm,且所述环形刀口有0.5*45°～1*45°的倒角。应用于抛光设备、解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题,还具有结构设置简单及结构设置合理等特点。另,本发明还提供了一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法。(The invention relates to the technical field of polishing equipment, in particular to a cylinder pressurization type annular cutter type disc repairing device, which comprises: the adsorption device comprises an adsorbed platform, an annular knife edge arranged on the periphery of the bottom of the adsorbed platform, and a diversion trench arranged at the bottom of the adsorbed platform, wherein the height of the annular knife edge is 3-20 mm, the width of the annular knife edge is 2-5 mm, and the annular knife edge is provided with a chamfer angle of 0.5-45 degrees. The damping cloth polishing pad is applied to polishing equipment, solves the problems that the damping cloth polishing pad is difficult to clean the inside and is not completely cleaned, and has the characteristics of simple structure setting, reasonable structure setting and the like. In addition, the invention also provides a method for cleaning the polishing pad by using the air cylinder pressurization type ring cutter type disc repairing device.)

一种气缸加压式环刀型修盘器及其清洗抛光垫的方法

技术领域

本发明涉及抛光设备技术领域，尤其涉及一种气缸加压式环刀型修盘器及其清洗抛光垫的方法。

背景技术

化学机械抛光，简称CMP，广泛应用于半导体晶片的生产和集成电路制造工艺，可以在抛光面获得低粗糙度、低缺陷密度的优良平整表面。

CMP抛光技术是：在气缸加压式抛光设备的抛光盘上粘贴特定的抛光垫，抛光垫上方持续供给特定的抛光液，有一到多个陶瓷盘被真空吸附在机器的抛光头上，被抛光材料固定于陶瓷盘下方，被抛光材料的待抛光面与抛光垫和抛光液直接接触，抛光头有气缸加压，施加设置的压力并保持抛光盘匀速旋转进行相应的CMP抛光，抛光后需要对抛光垫进行清洗，以备下一次抛光的进行，及确保抛光质量。

传统的抛光垫的清洗方法，是用塑料刷子进行手动刷洗，后来改进了用塑料刷盘替代，但是清洁效果始终不够好，用水浸泡一个晚上后可明显看到仍有大量白色抛光液磨料扩散到水里，还有一种方法是用水冲洗，但是用水冲洗则会消耗大量的水，不符合企业的生产所需，原因是塑料毛刷为软性弹性材质，在刷洗过程中会弯曲形变，无法对抛光垫里层进行挤压清洗，导致清洗效果乏力，并且毛刷的毛的直径大小有限，无法直接作用于抛光垫的孔，全局性清洗能力低。

如长期不能清洗干净，抛光液的磨料颗粒会堵塞抛光垫的孔，而且内部会充满磨料颗粒导致弹性变差，甚至在不及时保持湿润的情况下，抛光液结晶导致抛光垫硬化，以上情况都不利于CMP抛光，对被抛光材料会造成划痕损伤，同时大大缩短了抛光垫的使用寿命。

发明内容

本发明提供了一种气缸加压式环刀型修盘器，应用于抛光设备、解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题，还具有结构设置简单及结构设置合理等特点。

相应地，本发明还提供了一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法,解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题。

为了解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案为：

一种气缸加压式环刀型修盘器,包括：被吸附平台，开设在所述被吸附平台底部***的环形刀口，及开设在所述被吸附平台底部的导流槽，所述环形刀口的高度为3mm～20mm、宽度为2mm～5mm，且所述环形刀口有0.5*45°～1*45°的倒角。

优选地，所述被吸附平台包括：被吸附台，一侧与所述被吸附台连接、且设置在所述被吸附台周侧的侧板面。

优选地，所述被吸附台的厚度与所述侧板面的高度之和为5～20mm，所述被吸附平台表面平整度为2～5丝。

优选地，所述被吸附台呈圆柱体型，所述侧板面的俯视图呈圆环型。

优选地，所述导流槽呈“凵”字型。

优选地，所述导流槽的高度为2～20mm，宽度为5～30mm。

优选地，所述导流槽的数量为小于或等于4个，所述导流槽之间呈等距分布。

本发明的一种气缸加压式环刀型修盘器，通过设置所述修盘器、将上述修盘器应用在抛光设备上，解决了抛光垫需人工清洗的缺陷，在所述修盘器的底部上设置所述环形刀口，当抛光头下压时，所述环形刀口的设置便于将抛光垫上的抛光液清洁出来，更进一步地，将所述环形刀口的高度设置为3mm～20mm、宽度设置为2mm～5mm，且在所述环形刀口上设置0.5*45°～1*45°的倒角，确保了抛光垫里的抛光液能清洗干净，本发明应用于抛光设备、解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题，还具有结构设置简单及结构设置合理等特点。

相应地，本发明还提供了一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法，包括如下步骤：

抛光头吸附修盘器；

通入水流量为10L/min-20L/min的水流；

抛光盘以50rpm-70rpm转速运转；

缓慢启动所述抛光头以30rpm转速运转、且以20kg-30kg的压力往抛光垫方向下压、运转一段时间。

优选地，所述抛光头的运转时间小于或等于10min。

本发明的一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法，抛光头吸附所述修盘器后，通入10L/min-20L/min的水流，将抛光盘转速调整为50rpm-70rpm，缓慢启动抛光头以30rpm转速运转且同时下压，保持压力控制在20kg-30kg范围内运转一段时间，所述修盘器的环形刀口会将抛光垫的抛光液积压带出，从而达到抛光垫清洗的目的，同时，所述还解决了现有技术中清洗不完全的问题。

附图说明

图1是本发明一种气缸加压式环刀型修盘器的结构示意图。

图2是图3另一视角的结构示意图。

图3是本发明的使用状态图。

图4是本发明环形刀口清洗抛光垫的部分结构示意图。

图5是本发明一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法的步骤流程图。

具体实施方式

下面结合附图，具体阐明本发明的实施方式，附图仅供参考和说明使用，不构成对本发明专利保护范围的限制。

实施例1：

请参考图1至图4，本发明的一种气缸加压式环刀型修盘器，包括：被吸附平台1，开设在所述被吸附平台底部1***的环形刀口2，及开设在所述被吸附平台1底部的导流槽3。

具体地，所述被吸附平台1包括：被吸附台11，一侧与所述被吸附台11连接、且设置在所述被吸附台11周侧的侧板面12，所述被吸附台11的厚度与所述侧板面12的高度之和为5～20mm，所述被吸附平台1表面平整度为2～5丝，所述被吸附台11呈圆柱体型，所述侧板面12的俯视图呈圆环型。

所述环形刀口2的高度为3mm～20mm、宽度为2mm～5mm，且所述环形刀口2有0.5*45°～1*45°的倒角。清洗抛光垫过程中，所述环形刀口2可以在适当压力的作用下，使被压着的阻尼布抛光垫产生形变，并在抛光设备运行的时候对抛光垫进行快速挤压刮净处理，平刮能清理抛光垫表孔里的磨料颗粒，快速挤压能清理抛光垫内部的磨料颗粒和残留抛光液，同时能一定程度的修整抛光垫，所述环形刀口2设计的高度能增加液体的流动性，使废液更容易排出，而所述环形刀口2设计的宽度和倒角能使抛光垫产生形变而又不损坏抛光垫。

所述导流槽3呈“凵”字型，且所述导流槽3的高度为2～20mm，宽度为5～30mm，所述导流槽3的数量为小于或等于4个，所述导流槽之间呈等距分布。所述导流槽3的设置，进一步方便了抛光垫清洗过程中抛光液的排出。

本发明的工作原理是：将所述修盘器安装至抛光设备的抛光头后，启动抛光盘及抛光头，打开水流，抛光盘带动抛光垫转动，抛光头带动所述修盘器下压，所述修盘器的环形刀口2挤压抛光垫且将抛光垫上的抛光液挤压刮出，所述环形刀口2设计的高度能增加液体的流动性，使废液更容易排出，而所述环形刀口2设计的宽度和倒角能使抛光垫产生形变而又不损坏抛光垫。

从以上描述可以看出，本发明应用于抛光设备、解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题，还具有结构设置简单及结构设置合理等特点。

实施例2：

请参考图5，本发明的一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法，包括如下步骤：

S01,抛光头吸附修盘器。具体地，将所述修盘器的吸附平台朝上，抛光设备的抛光头通过真空系统吸附所述修盘器。

S02，通入水流量为10L/min-20L/min的水流。具体地，将抛光设备水流设置为10L/min-20L/min，同时，打开水流。进一步地，水流量的设定根据清洗时间设定，当需要快速清洗时，则将水流量调大，反之，则调小。

S03，抛光盘以50rpm-70rpm转速运转。具体地，将抛光设备的抛光盘转速设置为50rpm-70rpm，当需要快速清洗时，则可将转速调大，反之，则调小。

S04，缓慢启动所述抛光头以30rpm转速运转、且以20kg-30kg的压力往抛光垫方向下压、运转一段时间。具体地，将抛光头的转速设置为30rpm，缓慢启动所述抛光头、且将其控制在20kg-30kg的压力挤压抛光垫、运转不小于或等于10min的时间。进一步地，当水流量为10L/min、抛光盘转速50rpm时，运转10min，运转过程中，修盘器的环形刀口在压力的作用下，使被压着的阻尼布抛光垫产生形变，并在抛光设备运行的时候对抛光垫进行快速挤压刮净处理，平刮能清理抛光垫表孔里的磨料颗粒，快速挤压能清理抛光垫内部的磨料颗粒和残留抛光液，同时能一定程度的修整抛光垫，所述修盘器的环形刀口设计的高度能增加液体的流动性，使废液更容易排出，而所述环形刀口设计的宽度和倒角能使抛光垫产生形变而又不损坏抛光垫。

从以上描述可以看出，本发明解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题。

以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例，不能以此来限定本发明的权利保护范围，因此依本发明申请专利范围所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。