一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法

文档序号:1281792 发布日期:2020-08-28 浏览:36次 >En<

阅读说明:本技术 一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法 (Preparation method of high-purity ammonium sulfate for water treatment flocculation initiator ) 是由 卢正洪 张越峰 梁艳峰 于 2020-05-18 设计创作,主要内容包括:本发明属于净水剂合成领域,提供了一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,本发明改良了传统的将氨水于浓硫酸直接合成硫酸铵的工艺,加入了带有硫酸根的金属化合物添加剂,使得结晶更加快速,纯度更高,经过减压蒸发生成高纯度的硫酸铵晶体,适合用于水处理领域,充当高纯度的引发剂。(The invention belongs to the field of water purifying agent synthesis, and provides a preparation method of high-purity ammonium sulfate for a water treatment flocculation initiator.)

一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法

技术领域

本发明涉及净水剂合成领域,尤其涉及了一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法。

技术背景

硫酸铵是一种重要的化工原料,在生产生活中的应用极为广泛,能使枝叶生长旺盛,提高果实品质和产量,增强作物对灾害的抵抗能力,可作基肥、追肥和种肥。能与食盐进行复分解反应制造氯化铵,与硫酸铝作用生成铵明矾,与硼酸等一起制造耐火材料。加入电镀液中能增加导电性。也是食品酱色的催化剂,鲜酵母生产中培养酵母菌的氮源。

在污水处理方面,硫酸铵也具有极其重要的作用,他是絮凝剂中重要的引发剂。目前现有技术制备硫酸铵的主要缺点是纯度不够,容易带入杂质,同时反应的温度较高,需要70摄氏度以上,能耗较大,因此,急需改良硫酸铵的制备方法。

发明内容

针对上述不足,本发明提供一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,反应条件温和,可以获得高纯度的硫酸铵晶体。

为了实现上述目的,本发明提供了如下的技术方案:

一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将浓硫酸置于反应釜内,并加入氨水,使得N3-:S6+=2:1,反应釜密闭,压力为0.01Mpa-0.05Mpa,控制温度为50-60℃,反应30-60min,生成硫酸铵母液;

(2)步骤1反应完毕后,打开反应釜,向反应釜内内加入质量分数15-25%的双氧水,将双氧水与硫酸铵步骤1中的硫酸铵母液,常压混合5-10min,搅拌速度200-400rpm,得硫酸铵粗品A;

(3)将步骤2得到的硫酸铵粗品A和水按质量比1:1.5-2的比例混合成混合液B后放入结晶器内,加入占混合液B质量分数0.1%~0.15%的添加剂,所述添加剂为带有硫酸根的金属化合物,15-25℃搅拌,使固体物完全溶解;

(4)加入占混合液B质量分数2%~3%的纯硫酸铵晶种,5-10℃条件下减压蒸发,结晶器内真空度维持在0.02~0.04Mpa,待蒸出水分量达到加入水分总量的80-85%后,停止减压蒸发,养晶1h后,过滤、洗涤、干燥得到高纯度硫酸铵。本方案反应温度不超过60℃,比传统反应低10度,节能降耗效果明显。

进一步的,上述一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,所述添加剂选自硫酸锰、硫酸钾、硫酸铝、硫酸铜和硫酸锌中的一种或几种。加入添加剂,使得结晶更加快速,纯度更高。

进一步的,上述一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,所述添加剂为硫酸钾。

进一步的,上述一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,所述步骤1具体为:将浓硫酸置于反应釜内,并加入氨水,使得N3-:S6+=2:1,反应釜密闭,压力为0.025Mpa,控制温度为55℃,反应45min,生成硫酸铵母液。

进一步的,上述一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,所述步骤2具体为:步骤1反应完毕后,打开反应釜,向反应釜内内加入质量分数20%的双氧水,将双氧水与硫酸铵步骤1中的硫酸铵母液,常压混合8min,搅拌速度300rpm,得硫酸铵粗品A。

进一步的,上述一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,所述步骤3具体为:将步骤2得到的硫酸铵粗品A和水按质量比1:1.8的比例混合成混合液B后放入结晶器内,加入占混合液B质量分数0.12%的添加剂,所述添加剂为硫酸钾,20℃搅拌,使固体物完全溶解。

进一步的,上述一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,所述步骤4具体为:加入占混合液B质量分数2.5%的纯硫酸铵晶种,8℃条件下减压蒸发,结晶器内真空度维持在0.03Mpa,待蒸出水分量达到加入水分总量的82%后,停止减压蒸发,养晶1h后,过滤、洗涤、干燥得到高纯度硫酸铵。

进一步的,上述一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,包括如下步骤:

(1)将浓硫酸置于反应釜内,并加入氨水,使得N3-:S6+=2:1,反应釜密闭,压力为0.025Mpa,控制温度为55℃,反应45min,生成硫酸铵母液;

(2)步骤1反应完毕后,打开反应釜,向反应釜内内加入质量分数20%的双氧水,将双氧水与硫酸铵步骤1中的硫酸铵母液,常压混合8min,搅拌速度300rpm,得硫酸铵粗品A;

(3)将步骤2得到的硫酸铵粗品A和水按质量比1:1.8的比例混合成混合液B后放入结晶器内,加入占混合液B质量分数0.12%的添加剂,所述添加剂为硫酸钾,20℃搅拌,使固体物完全溶解;

(4)加入占混合液B质量分数2.5%的纯硫酸铵晶种,8℃条件下减压蒸发,结晶器内真空度维持在0.03Mpa,待蒸出水分量达到加入水分总量的82%后,停止减压蒸发,养晶1h后,过滤、洗涤、干燥得到高纯度硫酸铵。

根据上述技术方案,本发明具有如下有益效果,本发明改良了传统的将氨水于浓硫酸直接合成硫酸铵的工艺,反应条件温和,设备要求低,降低了成本,同时加入了带有硫酸根的金属化合物添加剂,使得结晶更加快速,纯度更高,经过减压蒸发生成高纯度的硫酸铵晶体,适合用于水处理领域,充当高纯度的引发剂。

具体实施方式

下面将通过几个具体实施例,进一步阐明本发明,这些实施例只是为了说明问题,并不是一种限制。

实施例1

一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将浓硫酸置于反应釜内,并加入氨水,使得N3-:S6+=2:1,反应釜密闭,压力为0.01MpaMpa,控制温度为50℃,反应30min,生成硫酸铵母液;

(2)步骤1反应完毕后,打开反应釜,向反应釜内内加入质量分数15%的双氧水,将双氧水与硫酸铵步骤1中的硫酸铵母液,常压混合5min,搅拌速度200rpm,得硫酸铵粗品A;

(3)将步骤2得到的硫酸铵粗品A和水按质量比1:1.5的比例混合成混合液B后放入结晶器内,加入占混合液B质量分数0.1%的硫酸锰,15℃搅拌,使固体物完全溶解;

(4)加入占混合液B质量分数2%的纯硫酸铵晶种,5℃条件下减压蒸发,结晶器内真空度维持在0.02Mpa,待蒸出水分量达到加入水分总量的80%后,停止减压蒸发,养晶1h后,过滤、洗涤、干燥得到高纯度硫酸铵。

实施例2

(1)将浓硫酸置于反应釜内,并加入氨水,使得N3-:S6+=2:1,反应釜密闭,压力为0.025Mpa,控制温度为55℃,反应45min,生成硫酸铵母液;

(2)步骤1反应完毕后,打开反应釜,向反应釜内内加入质量分数20%的双氧水,将双氧水与硫酸铵步骤1中的硫酸铵母液,常压混合8min,搅拌速度300rpm,得硫酸铵粗品A;

(3)将步骤2得到的硫酸铵粗品A和水按质量比1:1.8的比例混合成混合液B后放入结晶器内,加入占混合液B质量分数0.12%的硫酸钾,20℃搅拌,使固体物完全溶解;

(4)加入占混合液B质量分数2.5%的纯硫酸铵晶种,8℃条件下减压蒸发,结晶器内真空度维持在0.03Mpa,待蒸出水分量达到加入水分总量的82%后,停止减压蒸发,养晶1h后,过滤、洗涤、干燥得到高纯度硫酸铵。

实施例3

一种用于水处理絮凝引发剂的高纯度硫酸铵的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)将浓硫酸置于反应釜内,并加入氨水,使得N3-:S6+=2:1,反应釜密闭,压力为0.05Mpa,控制温度为60℃,反应60min,生成硫酸铵母液;

(2)步骤1反应完毕后,打开反应釜,向反应釜内内加入质量分数25%的双氧水,将双氧水与硫酸铵步骤1中的硫酸铵母液,常压混合10min,搅拌速度400rpm,得硫酸铵粗品A;

(3)将步骤2得到的硫酸铵粗品A和水按质量比1:2的比例混合成混合液B后放入结晶器内,加入占混合液B质量分数0.15%的硫酸铜,25℃搅拌,使固体物完全溶解;

(4)加入占混合液B质量分数3%的纯硫酸铵晶种,10℃条件下减压蒸发,结晶器内真空度维持在0.04Mpa,待蒸出水分量达到加入水分总量的85%后,停止减压蒸发,养晶1h后,过滤、洗涤、干燥得到高纯度硫酸铵。

实施例4

测试例

根据GB/T 535-1995硫酸铵,的检测标准,将实施例1-3制得的高纯度硫酸铵与市售硫酸铵进行对比测试,结果如表1所示。

表1测试结果

根据上述测试结果可知根据本发明所述方法制得的硫酸铵纯度高,杂质少,适合作为高纯度的引发剂用于污水治理。

以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进,这些改进也应视为本发明的保护范围。

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