阅读说明：本技术 非发光可变透射设备及其制造工艺 (Non-luminous variable transmission device and manufacturing process thereof ) 是由 李文 弗洛伦特·马丁 让-克里斯托弗·吉龙 罗伯特·纽科姆 埃里克·乔恩·比约纳尔 于 2018-11-16 设计创作，主要内容包括：本发明提供了一种非发光可变透射设备,所述非发光可变透射设备可包括第一基底、第一透明导电层、电致变色层、第二透明导电层、第二基底；以及设置在所述第一基底与所述第二基底之间的中间层。构造所述非发光可变透射设备,使得所述非发光可变透射设备出现失效情况的可能性低于另一非发光可变透射设备,所述另一非发光可变透射设备中的所述中间层直接接触所述第二透明导电层并且具有至少0.08wt％的含水量。在一个实施例中,所述中间层具有至多0.05wt％的含水量。在另一个实施例中,所述非发光可变透射设备进一步包括设置在所述第二透明导电层与所述中间层之间的阻挡层,其中所述阻挡层至少部分地延伸穿过所述第二透明导电层或封闭通道。(A non-emissive variable transmission device may include a first substrate, a first transparent conductive layer, an electrochromic layer, a second transparent conductive layer, a second substrate; and an intermediate layer disposed between the first substrate and the second substrate. Configuring the non-emissive variable transmission device such that the non-emissive variable transmission device is less likely to experience a failure condition than another non-emissive variable transmission device in which the intermediate layer is in direct contact with the second transparent conductive layer and has a moisture content of at least 0.08 wt%. In one embodiment, the intermediate layer has a water content of at most 0.05 wt%. In another embodiment, the non-emissive variable transmission device further comprises a barrier layer disposed between the second transparent conductive layer and the intermediate layer, wherein the barrier layer extends at least partially through the second transparent conductive layer or closed channels.)

具体实施方式

提供结合附图的以下描述以帮助理解本文所公开的教导内容。以下论述将集中于本教导内容的具体实施方式和实施例。提供该重点是为了帮助描述教导内容，并且不应该被解释为是对本教导内容的范围或适用性的限制。

如本文所用，术语“由……构成”、“包括”、“包含”、“具有”、“有”或它们的任何其他变型旨在涵盖非排他性的包含之意。例如，包含特征列表的工艺、方法、物件或装置不一定仅限于相应的特征，而是可包括没有明确列出或这类工艺、方法、物件或装置所固有的其他特征。另外，除非另有明确说明，否则“或”是指包括性的“或”而非排他性的“或”。例如，以下任何一项均可满足条件A或B：A为真(或存在的)而B为假(或不存在的)、A为假(或不存在的)而B为真(或存在的)，以及A和B两者都为真(或存在的)。

采用“一个”或“一种”来描述本文所述的元件和部件。这么做只是为了方便起见和提供对本发明范围的一般认识。除非很明显地另指他意，否则这种描述应被理解为包括一个或至少一个，并且单数也包括复数，或反之亦然。

使用字词“约”、“大约”或“基本上”旨在表示参数的值接近于指定的值或位置。然而，微小差异可能使值或位置无法完全符合规定。因此，最多至百分之十(10％)的值的差异是与所述的理想目标的合理差异。

除非另有定义，否则本文使用的所有技术术语和科技术语都与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同。材料、方法和实例仅是示例性的而非限制性的。关于本文未述的方面，关于特定材料和加工行为的许多详细信息是常规的，并且能在玻璃、气相沉积和电致变色领域的教科书及其他来源中找到。

可在降低出现缺陷的可能性的情况下制造非发光可变透射设备，缺陷会导致收率减少、形成电短路、影响设备外观或缩短设备的工作寿命。非发光可变透射设备可包括第一基底、覆盖第一基底的第一透明导电层、覆盖第一透明导电层的电致变色层、覆盖电致变色层的第二透明导电层、第二基底以及设置在第一基底与第二基底之间的中间层。可构造非发光可变透射设备，使得涉及该中间层的非发光可变透射设备出现失效情况的可能性低于另一非发光可变透射设备，该另一非发光可变透射设备中的中间层直接接触第二透明导电层，并且该中间层具有至少0.08wt％的含水量。

在一个实施例中，中间层具有至多0.05wt％的含水量。在另一个实施例中，非发光可变透射设备进一步包括设置在第二透明导电层与中间层之间的阻挡层，其中阻挡层至少部分地延伸穿过第二透明导电层。

如图中所示以及下文所述的实施例有助于理解用于实现如本文所述的概念的特定应用。实施例为示例性的，并非旨在限制所附权利要求的范围。

图1包括电致变色基底100、层叠堆122、124、126、128、130和132以及覆盖电致变色基底100的汇流条144和148的一部分的剖视图。在一个实施例中，电致变色基底100可包括玻璃基底、蓝宝石基底、氮氧化铝基底或尖晶石基底。在另一个实施例中，电致变色基底100可包括透明聚合物，诸如聚丙烯酸类化合物、聚烯烃、聚碳酸酯、聚酯、聚醚、聚乙烯、聚酰亚胺、聚砜、聚硫化物、聚氨酯、聚醋酸乙烯酯，其他合适的透明聚合物，或前述聚合物的共聚物。电致变色基底100可以是柔性的，也可以不是柔性的。在一个特定实施例中，电致变色基底100可为浮法玻璃或硼硅酸盐玻璃，并且具有在0.5mm至4mm范围内的厚度。在另一个特定实施例中，电致变色基底100可包括超薄玻璃，该超薄玻璃为厚度在50微米至300微米范围内的矿物玻璃。在一个特定实施例中，电致变色基底100可用于形成的许多不同的非发光可变透射设备，并且可称为母板。

在描述它们的形成之前，描述了这些层的组成和厚度。透明导电层122和130可包括导电金属氧化物或导电聚合物。实例可包括氧化锡或氧化锌，其中任一种可掺杂有三价元素(诸如Al、Ga、In等)、氟化锡氧化物或磺化聚合物(诸如聚苯胺、聚吡咯、聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)等)。在另一个实施例中，透明导电层122和130可以包括金、银、铜、镍、铝或其任何组合。透明导电层122和130可具有相同或不同的组成和相同或不同的厚度。

该组层包括电致变色叠堆，该电致变色叠堆包括设置在透明导电层122与130之间的层124、126和128。层124和128为电极层，其中一层为电致变色层，并且另一层为离子存储层(也称为反电极层)。电致变色层可包括无机金属氧化物电化学活性材料，诸如WO₃、V₂O₅、MoO₃、Nb₂O₅、TiO₂、CuO、Ir₂O₃、Cr₂O₃、Co₂O₃、Mn₂O₃或它们的任何组合，并且具有在50nm至2000nm范围内的厚度。离子存储层可包括相对于电致变色层或Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂、Sb₂O₃或其任意组合所列出的任何材料，并且还可以包括氧化镍(NiO、Ni₂O₃或两者的组合)和Li、Na、H或另一种离子，并且具有在80nm至500nm范围内的厚度。离子导电层126(也称为电解质层)设置在电极层124和128之间，并且具有在20微米至60微米范围内的厚度。离子导电层126允许离子通过该层迁移，并且不允许大量电子通过。离子导电层126可包括硅酸盐，其包含或不含锂、铝、锆、磷、硼；硼酸盐，其包含或不含锂：钽氧化物，其包含或不含锂；基于镧系元素的材料，其包含或不含锂；另一种锂基陶瓷材料；等等。离子导电层126为任选的，并且当存在时，可通过沉积形成，或者在沉积其他层之后，通过两个不同层诸如电极层124和128的部分反应形成，以形成离子导电层126。在阅读本说明书之后，技术人员将理解，在不脱离本文所述的概念的范围的情况下，层122、124、126、128和130可使用其他组成和厚度。

任选的抗反射层132设置在上透明导电层130的上方，并且可用于帮助减少反射。抗反射层132可具有介于下层(下层的折射指数可为大约2.0)与清洁的干燥空气或惰性气体诸如Ar或N₂(许多气体具有大约1.0的折射指数)之间的折射指数。在一个实施例中，抗反射层132具有在1.4至1.6的范围内的折射指数。抗反射层132可包括具有合适的折射指数的隔热材料。在一个特定实施例中，抗反射层132包括二氧化硅。抗反射层132的厚度选择为薄的并且提供足够的抗反射性质。抗反射层的厚度可至少部分地取决于该组层的折射指数。抗反射层132的厚度可在20nm至100nm的范围内。

层122、124、126、128、130和132可在电致变色基底100上方形成，而含有或不含任何中间图案化步骤，避免在形成所有层之前破坏真空或使中间层暴露于空气。在一个实施例中，层122、124、126、128、130和132可连续沉积。可使用物理气相沉积或化学气相沉积形成层122、124、126、128、130和132。在一个特定实施例中，溅射沉积层122、124、126、128、130和132。

在图1所示的实施例中，透明导电层122和130中的每一者包括去除部分，使得汇流条144和148彼此不发生电连接。此类去除部分的宽度通常为20nm至2000nm。在一个特定实施例中，汇流条144经由透明导电层122电连接至电极层124，而汇流条148经由透明导电层130电连接至电极层128。汇流条144和148包括导电材料。在一个实施例中，汇流条144和148中的每个可使用印刷在透明导电层122上方的导电油墨(例如银玻璃料)形成。在另一个实施例中，汇流条144和148中的一者或两者可包括金属填充的聚合物。在一个特定实施例(未示出)中，汇流条148为非穿透汇流条，其可包括金属填充的聚合物，该聚合物在透明导电层130之上并且与层122、124、126和128间隔开。用于金属填充的聚合物的前体可具有足够高的粘度，以避免前体流过下层中的裂缝或其他微观缺陷，否则导电油墨可能产生问题。在该特定实施例中，不需要对下透明导电层122进行图案化。在又一个实施例中，汇流条144和148可为导电带的形式，该导电带施加于工件，而不是印刷汇流条。

在所示的实施例中，非发光可变透射设备的宽度W_EC为对应于透明导电层122和130的去除部分之间的横向距离的尺寸。W_EC对应于非发光可变透射设备的可着色面积的平面尺寸中的一个。W_S为介于汇流条144和148之间的叠堆的厚度。W_S与W_EC的差为至多5cm、至多2cm或至多0.9cm。因此，叠堆的大部分宽度对应于非发光可变透射设备的操作部分，该操作部分允许使用不同的透射状态。在一个实施例中，此类操作部分为非发光可变透射设备的主体并且可占据汇流条144和148之间的区域的至少90％、至少95％、至少98％或更多。

图2包括电致变色基底100和非发光可变透射设备210的顶视图，该非发光可变透射设备210包括对照图1所述的层。汇流条144沿电致变色基底100的侧面202布置，而汇流条148沿侧面204布置，其中侧面204与侧面202相对。汇流条144和148中的每一者具有在侧面206和208之间延伸大部分距离的长度。在一个特定实施例中，汇流条144和148中的每一者具有介于侧面206和208之间的距离的至少75％、至少90％或至少95％的长度。汇流条144和148的长度彼此基本上平行。如本文所用，基本上平行旨在表示汇流条144和148的长度彼此平行的角度在10度以内。沿长度方向，汇流条144和148中的每一者具有基本上均匀的横截面积和组成。因此，在此类实施例中，汇流条144和148沿其相应的长度方向具有基本上恒定的单位长度电阻。

在制造工艺或后续工艺的过程中，可形成延伸穿过一个或多个层的空隙。如本说明书下文所详述，电致变色基底100与盖板玻璃基底之间的中间层可导致非发光可变透射设备出现问题。下文的描述涉及一种特定方式，通过该特定方式可在一个或多个层中形成空隙。描述内容为空隙或通道(例如间隙、互连的一组开口等)的形成提供了更好地理解。在阅读本说明书之后，技术人员将理解，可通过其他不同方式并且在非发光可变透射设备内的其他位置处形成空隙或通道。

尽管并不期望，但可将颗粒引入设备中。在一个特定实施例中，在形成下透明导电层122后，可从沉积工具移除电致变色基底100和下透明导电层122，使得下透明导电层122可图案化。图案化之后，电致变色基底100和下透明导电层122可置于相同的沉积工具或不同的沉积工具中。

参见图3，在叠堆中沉积剩余层之前，颗粒300可存在于下透明导电层122上。颗粒300可来自图案化程序、来自基底处理工具、来自沉积室或门上的涂层，该颗粒300在基底传递进或传递出沉积工具的过程中或在抽空或回填循环等的过程中崩出。其他层可沉积在如图3所示的下透明导电层122和颗粒300的上方。在另一个实施例中，颗粒300可在不同的时间引入，可位于任何其他层之间或位于电致变色基底100与下导电层122之间。

颗粒300可喷射而出形成空隙400，如图4所示。空隙400可至少延伸穿过下透明导电层130并且可能穿过一个或多个其他层。由于颗粒300、所得的空隙400或两者的宽度尺寸可小于50微米、小于20微米或更小，颗粒300和空隙400对于人眼可能是不可见的。

在一个实施例中，可通过处理、清洁、激光切割或其他机械操作喷射出颗粒300。另选地，在测试过程中喷射出颗粒300。在一个特定测试中，设备可在高透射(也称为漂白)状态与低透射(也称为着色)状态之间过渡，反之亦然。在电气测试过程中，当从高透射状态过渡至低透射状态时，可跨汇流条144和148设置电偏置，并且当从低透射状态过渡至高透射状态时，可移除电偏置。当进行偏置或移除偏置时，可喷射颗粒300。

在另一个实施例中，一个或多个层124、126、128或130可破裂或具有在颗粒300附近断开的部分。此类缺陷可由层内应变或在邻近于颗粒的层之间的应力所致。即使残留颗粒300，此类缺陷可形成在邻近于颗粒的一个或多个层中打开的通道。通道可包括通向下导电层122的相对直线路径或互连的一组微型开口，该互连的一组微型开口形成了具有一条或多条弯道的路径。后续层诸如中间层可流经通道并且到达下导电层122。

如下文所详述，如果使用常规中间层并且不使用阻挡层，阻挡层、含水量相对较低的中间层或两者可用于降低失效的可能性。

在一个实施例中，阻挡层500可在层上方形成并且在空隙400内形成，如图5所示。阻挡层500有助于防止中间层接触暴露在空隙400内的任何层，诸如上透明导电层130。因此，阻挡层500可设置在上透明导电层130与中间层之间。阻挡层500可至少部分地延伸穿过上透明导电层130，并且可全部或部分地延伸穿过在该组层内的任何其他层，该组层覆盖电致变色基底100。在另一个实施例中，阻挡层500可延伸进通道或封闭通道。

在一个特定实施例中，阻挡层500可接触下透明导电层122，如图5所示。在另一个实施例中，中间层不接触下透明导电层122或电致变色叠堆内的任何层。在一个特定实施例中(未示出)，空隙可具有使得阻挡层500封闭空隙400而不是衬砌空隙400的宽度。在又一个特定实施例中(未示出)，阻挡层500可填充空隙400的80％或更多。

阻挡层500可包括电绝缘层。阻挡层500可包括氧化物、氮化物或氮氧化物。在一个特定实施例中，阻挡层500可包括SiOx、SiNx、SiOxNy、AlOx、TiOx、TiNx、TiOxNy或它们的任意组合。对于氧化物和氮化物，x可代表化学计量值或代表在化学计量值的50％以内的值，并且对于氮氧化物，可选择x和y以实现期望的折射指数。在一个实施例中，阻挡层500具有至少10nm、至少12nm或至少15nm的厚度，并且在另一个实施例中，阻挡层500具有至多90nm、至多70nm或至多50nm的厚度。可使用溶胶-凝胶工艺、旋涂、原子层沉积等方式形成阻挡层500。在一个特定实施例中，由于中间层可沿空隙400的侧壁接触层，因此可不使用定向沉积方法，诸如物理气相沉积、等离子体增强化学气相沉积等。

在又一个实施例中，阻挡层500可包括交替的无机材料膜和有机材料膜。用于阻挡层500的膜的组合可有助于减少阻挡层500内的应力。此外，具有有机材料的膜可有助于解耦在任何包括无机材料的膜中的任何缺陷。更具体地，具有单层膜的阻挡层500可具有穿过此类单层膜的整个厚度而扩展的缺陷。因此，由于膜中的缺陷不太可能对准并且产生延伸穿过阻挡层500厚度的相对直线路径，因此穿过具有多层膜的阻挡层500而扩展的缺陷得以减少。

对于具有多层膜的阻挡层500，无机材料可包括前文相对于阻挡层500所述的材料中的任何一者。阻挡层500内的无机膜可具有相同的无机材料或可具有不同的无机材料。

在一个实施例中，有机材料可为聚合物。包括单体的液体可经闪蒸、在暴露的表面上冷凝并且使用光(诸如紫外线)或热进行固化。聚合物可包括聚烯烃、聚酯、聚醚等。在一个特定实施例中，聚合物可包括聚对二甲苯、聚丙烯酸酯、其他合适的聚合物等。在另一个实施例中，有机材料可包括乙醇胺和马来酸酐的反应产物。在另一个实施例中，可使用不同的有机材料。阻挡层500内的有机膜可具有相同的有机材料或可具有不同的有机材料。

一个特定实施例中，最靠近电致变色器件的膜可为无机膜。此类构造可有助于降低包括有机材料的膜污染阻挡层500下方的层的可能性。在另一个特定实施例中，最远离电致变色器件的膜可为无机膜。

在一个实施例中，阻挡层500内的膜的数量可为至少3、至少5或至少7。尽管对膜的数量没有已知理论，诸如透光率等实际考虑因素可限制膜的数量。在一个实施例中，膜的数量可为至多90、至多30或至多20。在一个实施例中，每层膜可通过分子层沉积或原子层沉积形成。膜的厚度可取决于用于形成膜的循环的数量。在一个实施例中，每层膜可具有在0.2nm至4nm的范围内的厚度。

可用中间层650将如图5所示的工件层合至盖板玻璃基底610，如图6所示。盖板玻璃基底610可包括前文相对于电致变色基底100所期望的材料中的任何一者。盖板玻璃基底610可包括经化学回火或热回火的玻璃或钢化玻璃。盖板玻璃基底610可沿隔热玻璃单元的外表面布置，并且可厚于电致变色基底100。盖板玻璃基底610可具有在2mm至25mm的范围内的厚度，并且在一个实施例中，厚度在4mm至12mm的范围内。在一个特定实施例中，盖板玻璃基底610包括厚度在6mm至12mm的范围内的经化学回火或热回火的玻璃或钢化玻璃。在另一个特定实施例中，电致变色基底100可包括退火玻璃(经退火以减少应力，不回火)并具至多2.2mm的厚度。因此，与盖板玻璃基底610相比，电致变色基底100更适合激光切割。

中间层650设置在盖板玻璃基底610与阻挡层500之间。中间层650可为层合粘合剂。在一个实施例中，中间层650可包括热塑性塑料，诸如聚氨酯、乙烯乙酸乙烯酯(EVA)或聚乙烯醇缩丁醛(PVB)。在本实施例中，中间层650可具有至少0.05wt％诸如至少0.08wt％的含水量。在层合工艺的过程中，中间层650可流动。阻挡层500有助于防止中间层650接触沿空隙400的侧壁暴露的层中的任何一者。

在另一个实施例中，不需要阻挡层500。可用中间层750将如图4所示的工件层合至盖板玻璃基底610，如图7所示。中间层750可设置在盖板玻璃基底600与如图4所示的层之间。

中间层750可为层合粘合剂。与常规中间层相比，中间层750的含水量相对较低。在一个特定实施例中，中间层750具有至多0.05wt％的含水量。得到低含水量的中间层750的方法有：将中间层置于具有干燥剂的密闭容器中；置于基本上不含水蒸气(诸如清洁的干燥空气、N₂、CO₂、惰性气体或它们的混合物)的容器中；加热中间层750以将水驱离中间层750；使用清洁的干燥空气、N₂、CO₂、惰性气体对中间层750进行重复抽空或回填循环；执行其他合适的脱水操作或它们的任意组合。在一个实施例中，在后续层合操作的过程中，包括基底100、层122、124、126、128和130、中间层750和盖板玻璃基底610的工件可置于腔室内，使得中间层750在脱水后不暴露于空气中。

在层合工艺的过程中，中间层750可流动。中间层750中含水量相对较低可允许中间层750与暴露于空隙400内的一个或多个层之间进行直接接触，该一个或多个层可包括上透明导电层130和下透明导电层122或在透明导电层122和130之间且包括透明导电层122和130的层的任意组合。

图8和图9包括在工件与盖板玻璃基底接合之后，该工件的侧视图。图8包括层820，该层820代表了如图5所示的层。阻挡层500保护暴露于空隙400内的层。图9包括具有相对较低含水量的中间层750的图示。图9进一步包括层920，该层920代表了如图4所示的层。相对较低的含水量降低了会形成电短路或设备会过早失效的可能性。在另选的实施例中，可使用层920和中间层750代替图8中的层820和中间层650，并且可使用层820代替图9中的层920。当阻挡层存在时，可使用中间层650或750中的任一者。当阻挡层不存在时，可使用中间层750。

图10和图11包括分别基于图6和图8中层合结构的隔热玻璃单元(IGU)1000和1100的图示。如果期望，可使用图7和图9中的层合结构代替图6和图8中的层合结构。参见图10，窗格1060可耦接至盖板玻璃基底610。窗格1060可包括相对于盖板玻璃基底610所述的任意材料和厚度。在一个实施例中，盖板玻璃基底610和窗格1060可具有相同的组成或不同的组成，并且可具有相同的厚度或不同的厚度。任选的低辐射层1042可沿窗格1060的内表面设置。

盖板玻璃基底610和窗格1060可通过沿IGU1000的周边布置的间隔条1043间隔开。间隔条1043经由密封件1044耦接至盖板玻璃基底610和窗格1060。密封件1044可为聚合物，例如聚异丁烯。将粘合接头1045设计成将盖板玻璃基底610和窗格1060固定在一起，并且沿盖板玻璃基底610和窗格1060的边缘的整个周边设置。IGU1000的内部空间1070可包括相对惰性的气体，诸如稀有气体或干燥空气。在另一个实施例中，内部空间1070可以被排空。参见图11，IGU1100包括许多相对于IGU1000所示出和讨论的相同部件；然而电致变色基底100的取向为逆向的，使得中间层750接触电致变色基底100和盖板玻璃基底610而不接触叠堆920。在另选的实施例中，可使用层920和中间层750代替图10中的层820和中间层650，并且可使用层820代替图11中的层920。当阻挡层存在时，可使用中间层650或750中的任一者。当阻挡层不存在时，可使用中间层750。

如本文所述的实施例比常规设备具有更多的益处。可在空隙内形成阻挡层或可形成阻挡层以封闭空隙，使得中间层直接接触空隙内的层的可能性降低，该空隙形成于沉积包括透明导电层122和130以及电致变色叠堆的该组层的过程中或过程后。阻挡层可允许使用常规中间层。作为替代方案，可使用含水量相对较低的中间层而不是常规中间层。与常规中间层相比，相对较低的含水量可降低形成电短路或过早失效的可能性。如果需要或期望，阻挡层和含水量相对较低的中间层两者均可使用。

许多不同的方面和实施例都是可能的。以下描述了那些方面和实施例中的一些。在阅读本说明书之后，本领域的技术人员会理解，那些方面和实施例仅是说明性的，并不限制本发明的范围。示例性实施例可以根据下文列出的任何一个或多个实施例。

实施例1.一种非发光可变透射设备，其包括：第一基底；覆盖该第一基底的第一透明导电层；覆盖该第一透明导电层的电致变色层；覆盖该电致变色层的第二透明导电层；第二基底；以及设置在该第一基底与该第二基底之间的中间层，其中构造该非发光可变透射设备，使得涉及该中间层的该非发光可变透射设备出现失效情况的可能性低于另一非发光可变透射设备，该另一非发光可变透射设备中的该中间层直接接触该第二透明导电层并且具有至少0.08wt％的含水量。

实施例2.根据实施例1所述的非发光可变透射设备，其中：该中间层具有至多0.05wt％的含水量；或该非发光可变透射设备进一步包括设置在该第二透明导电层与该中间层之间的阻挡层，其中该阻挡层至少部分地延伸穿过该第二透明导电层。

实施例3.一种非发光可变透射设备，其包括：第一基底；覆盖该第一基底的第一透明导电层；覆盖该第一透明导电层的电致变色层；覆盖该电致变色层的第二透明导电层；第二基底；以及设置在该第一基底与该第二基底之间的中间层，其中：该中间层具有至多0.05wt％的含水量；或阻挡层设置在该第二透明导电层与该中间层之间，并且该阻挡层至少部分地延伸穿过该第二透明导电层或覆盖至少部分地延伸穿过该第二透明导电层的通道。

实施例4.一种制造非发光可变透射设备的工艺，该工艺包括：形成覆盖第一基底的第一透明导电层；形成覆盖该第一透明导电层的电致变色层；形成覆盖该电致变色层的第二透明导电层；使用设置在该第二导电层与第二基底之间的中间层接合该第一基底和该第二基底，其中：该中间层具有至多0.05wt％的含水量；或该工艺进一步包括形成至少部分地延伸穿过该第二透明导电层的阻挡层，其中在形成该阻挡层之后，执行该第一基底和该第二基底的接合操作。

实施例5.根据实施例4所述的工艺，其中在形成该第二透明导电层之后及在接合该第一基底和该第二基底之前，空隙或通道至少延伸穿过该第二透明导电层。

实施例6.根据实施例4或实施例5所述的工艺，进一步包括喷射位于该第二透明导电层下方的颗粒，留下至少延伸穿过该第二透明导电层的空隙或通道。

实施例7.根据实施例6所述的工艺，进一步包括跨该非发光可变透射设备的端子施加电偏置，其中在施加该电偏置的过程中或过程后喷射该颗粒。

实施例8.根据实施例6所述的工艺，其中在跨该非发光可变透射设备的端子施加电偏置之前喷射该颗粒。

实施例9.根据实施例6至实施例8中任一项所述的工艺，其中形成电致变色叠堆包括在该基底上方引入该颗粒，并且在该颗粒上方沉积一层电致变色叠堆。

实施例10.根据实施例6至实施例9中任一项所述的工艺，其中该第一透明导电层沿该空隙或该通道的一部分暴露。

实施例11.根据实施例6至实施例10中任一项所述的工艺，其中执行形成该阻挡层的操作，使得在该空隙内或该通道内形成该阻挡层的一部分，或该阻挡层的一部分封闭该通道。

实施例12.根据实施例6至实施例11中任一项所述的工艺，其中执行形成该阻挡层的操作，使得在形成该阻挡层后，该第一透明导电层和该电致变色层均未暴露在该空隙或该通道内。

实施例13.根据前述实施例中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中电致变色叠堆包括：第一电极层，该第一电极层包括该电致变色层或离子存储层；离子导电层；第二电极层，该第二电极层包括该电致变色层或该离子存储层中的另一者，其中：该离子导电层设置在该第一电极层与该第二电极层之间；该第一透明导电层更靠近该第一电极而不是该第二电极；并且该第二透明导电层更靠近该第二电极而不是该第一电极。

实施例14.根据前述实施例中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，进一步包括抗反射层，该抗反射层设置在该第二透明导电层与该中间层之间

实施例15.根据前述实施例中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该中间层具有至多0.05wt％的含水量。

实施例16.根据前述实施例中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该中间层接触该第一透明导电层。

实施例17.根据实施例13至实施例16中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该中间层接触该第一电极层。

实施例18.根据实施例2至实施例14中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该阻挡层设置在该第二透明导电层与该中间层之间，并且该阻挡层至少部分地延伸穿过该第二透明导电层。

实施例19.根据实施例18所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该中间层不接触该第一透明导电层或该电致变色层。

实施例20.根据实施例18或实施例19所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该阻挡层包括氧化物、氮化物或氮氧化物。

实施例21.根据实施例18或实施例19所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该阻挡层包括交替的无机材料膜和有机材料膜。

实施例22.根据实施例18至实施例21中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该阻挡层具有至少10nm、至少12nm或至少15nm的厚度。

实施例23.根据实施例18至实施例22中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该阻挡层具有至多90nm、至多70nm或至多50nm的厚度。

实施例24.根据实施例2至实施例15和实施例18至实施例23中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该阻挡层接触该第一透明导电层。

实施例25.根据实施例2至实施例15和实施例18至实施例23中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该阻挡层接触该第一电极层。

实施例26.根据实施例14、实施例15和实施例18至实施例25中任一项所述的非发光可变透射设备或工艺，其中该抗反射层设置在该第二导电层与该阻挡层之间。

需注意，并非所有上述一般说明或实例中的行为都是必需的，可能不一定需要具体行为的一部分，并且除描述的那些行为外，还可执行一个或多个进一步的行为。此外，所列活动的次序不一定是执行它们的次序。

上面已经参考具体实施例描述了益处、其他优点及问题的解决方案。然而，益处、优点、问题的解决方案及可使任何益处、优点或解决方案被想到或变得更加显著的任何特征都不被认为是任何或所有权利要求的关键、所需或必要的特征。

本文所述的实施例的说明书和图示旨在提供对各种实施例的结构的一般理解。说明书和图示并不旨在用作对使用了本文所述的结构或方法的装置和系统的所有元件和特征的详尽和全面的描述。单独的实施例也可在单个实施例中以组合的方式来提供，并且相反地，为简明起见而在单个实施例的上下文中描述的各种特征也可单独地提供，或以任何子组合的方式来提供。此外，对以范围表示的值的引用包括该范围内的每个值和所有各值。只有在阅读本说明书之后，许多其他实施例对于技术人员才是显而易见的。通过本公开内容可以利用和得到其他实施例，使得可在不脱离本公开的范围的情况下进行结构替换、逻辑替换或其他改变。因此，本公开应被视为例示性的而非限制性的。