阅读说明：本技术 多模式传输线和包括该多模式传输线的存储装置 (Multi-mode transmission line and memory device including the same ) 是由 卞辰瑫 李善奎 金贤真 于 2020-01-07 设计创作，主要内容包括：提供了一种多模式传输线和包括该多模式传输线的存储装置。所述多模式传输线包括第一导电层和第二导电层、第一波导壁和第二波导壁、带状线以及盲导体。第二导电层形成在第一导电层上方。第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。第二波导壁平行于第一波导壁在第一方向上延长,并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触。带状线形成在第一导电层与第二导电层之间以及在第一波导壁与第二波导壁之间。盲导体连接到第一导电层、第二导电层、第一波导壁和第二波导壁中的一个。(A multi-mode transmission line and a memory device including the same are provided. The multi-mode transmission line includes first and second conductive layers, first and second waveguide walls, a stripline, and a blind conductor. The second conductive layer is formed over the first conductive layer. The first waveguide wall is elongated in the first direction and is in contact with the first conductive layer and the second conductive layer in the vertical direction. The second waveguide wall is elongated in the first direction parallel to the first waveguide wall, and is in contact with the first conductive layer and the second conductive layer in the vertical direction. The strip line is formed between the first conductive layer and the second conductive layer and between the first waveguide wall and the second waveguide wall. The blind conductor is connected to one of the first conductive layer, the second conductive layer, the first waveguide wall, and the second waveguide wall.)

多模式传输线和包括该多模式传输线的存储装置

本申请要求于2019年1月7日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0001946号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

与本公开一致的设备、装置和制品涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种多模式传输线和包括该多模式传输线的存储装置。

背景技术

对具有低功耗和高带宽的高性能半导体装置的需求不断增加。正在开发各种接口方式以实现低功率、高带宽的存储器装置。例如，使用射频(RF)信号的多路复用技术可以用于芯片到芯片(chip to chip)数据传输。适合传输RF信号的基片集成波导SIW可以用于多路复用。

基片集成波导SIW可以通过使用带状线一起实现为多模式传输线。通过实现多模式传输线，接口的低损耗和宽带宽是可能的。然而，通过基片集成波导SIW传输的信号的频率与波导的宽度成反比。因此，出于在半导体装置包括在其中的系统的工作频带中通过基片集成波导SIW传输信号的目的，基片集成波导SIW的宽度会必须相对大。宽度要求与对通过减小面积而实现的轻质、小型的半导体装置的要求冲突。另外，有必要解决多模式传输线中的带状线之间的耦合或干扰。

发明内容

一方面提供了一种传输线和一种包括该传输线的存储装置，该传输线可以使用基片集成波导SIW和带状线来抑制多模式传输线中的带状线之间的串扰，并且可以降低波导的工作频率。

根据示例性实施例的一方面，提供了一种多模式传输线，所述多模式传输线包括：第一导电层；第二导电层，形成在第一导电层上方；第一波导壁，在第一方向上延长，并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触；第二波导壁，平行于第一波导壁在第一方向上延长，并且在竖直方向上与第一导电层和第二导电层接触；至少一条带状线，形成在第一导电层与第二导电层之间以及在第一波导壁与第二波导壁之间；以及盲导体，连接到第一导电层、第二导电层、第一波导壁和第二波导壁中的一个。

根据示例性实施例的另一方面，提供了一种多模式传输线，所述多模式传输线包括：基板；基片集成波导，包括多个通孔，所述多个通孔在基板内布置成至少两列，并且在竖直方向上穿过上导电层和下导电层，每列用于形成一个波导壁；以及至少一条带状线，在基片集成波导内沿基片集成波导的传播方向延长，其中，基片集成波导包括下导电层、上导电层和盲导体，并且其中盲导体与波导壁中的至少一个波导壁接触并且延长到基片集成波导的内部。

根据示例性实施例的又一方面，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：非易失性存储器装置；存储控制器，被配置为以多模式与非易失性存储器装置通信；以及多模式传输线，被配置为在存储控制器与非易失性存储器装置之间以多模式传输信号，其中，多模式传输线包括：基片集成波导，包括多个通孔，所述多个通孔布置成至少两列，并且在竖直方向上穿过上导电层和下导电层，每列用于形成一个波导壁；以及至少一条带状线，在基片集成波导内沿基片集成波导的传播方向延长，其中，基片集成波导包括下导电层、上导电层和盲导体，并且其中盲导体与波导壁中的至少一个波导壁接触并且延长到基片集成波导的内部。

根据示例性实施例的另一方面，提供了一种多模式传输线，所述多模式传输线包括：第一导电层、第二导电层、第一波导壁和第二波导壁，限定体积空间；至少一条带状线，形成在体积空间中；以及盲导体，连接到第一导电层、第二导电层、第一波导壁和第二波导壁中的一个。

附图说明

通过参照附图详细描述以上和其他方面的示例性实施例，以上和其他方面将变得明显，在附图中：

图1是示出根据示例性实施例的存储装置的框图；

图2是根据示例性实施例的连接图1中所示的存储装置的存储控制器和非易失性存储器装置的多模式传输线的三维视图；

图3是示出根据示例性实施例的使用多模式传输线的存储装置的另一示例的剖视图；

图4是示出根据示例性实施例的包括折叠基片集成波导的多模式传输线的剖面的视图；

图5是图4的多模式传输线的三维视图；

图6是当从顶部的上方观看时图5的多模式传输线的平面视图；

图7是示意性地示出根据示例性实施例的折叠基片集成波导的有效宽度如何增加的视图；

图8是示出根据示例性实施例的多模式传输线的频率特性的视图；

图9是示出根据另一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图10是示出根据另一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图11是示出根据另一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图12是图11的多模式传输线的三维视图；

图13是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图14是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图15是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图16是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图17是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图；

图18是描述根据示例性实施例的多模式传输线的一个优点的平面视图；

图19是描述根据示例性实施例的多模式传输线的另一优点的平面视图；

图20是示出根据发明构思的第十实施例的包括T型折叠基片集成波导的多模式传输线的剖面的视图；

图21是示出图20的T型折叠基片集成波导T-FSIW的三维形状的视图；

图22是示出带状线在图20的多模式传输线中的位置的视图；以及

图23是示出另一示例性实施例的系统的视图。

具体实施方式

应该理解的是，前面的总体描述和下面的详细描述都作为示例被提供，并且应该被视为提供了附加的描述。将在实施例中详细表示附图标记，实施例的示例示出在附图中。只要可能，附图和描述中使用的相同的附图标记表示相同或相似的部分。

下面，非易失性存储器装置或存储装置可以用作包括宽I/O接口的半导体装置的示例。然而，根据这里公开的内容，本领域技术人员可以容易地理解其他优点和性能。可以通过其他实施例来实现或应用发明构思。另外，在不脱离这里公开的权利要求、范围和精神以及任何其他目的的情况下，可以根据观点和应用来改变或修改详细描述。

图1是示出根据示例性实施例的存储装置的框图。参照图1，存储装置100包括用于提供与主机交互的存储控制器110、多个非易失性存储器装置(NVM)120和130以及缓冲存储器140。用于交换数据的信道CH1和CH2可以设置在存储控制器110与多个非易失性存储器装置(NVM)120和130之间。另外，用于传输缓冲数据的信道CH3设置在存储控制器110与缓冲存储器140之间。

存储控制器110可以被配置为控制多个非易失性存储器装置(NVM)120和130。例如，存储控制器110基于外部或主机的请求将数据写入在多个非易失性存储器装置(NVM)120和130中。存储控制器110可以基于外部或主机的请求来读取存储在多个非易失性存储器装置(NVM)120和130中的数据。出于访问多个非易失性存储器装置(NVM)120和130的目的，存储控制器110可以向多个非易失性存储器装置(NVM)120和130提供命令、地址和控制信号。出于读取或写入主机请求的数据的目的，存储控制器110可以访问多个非易失性存储器装置(NVM)120和130。

具体地，非易失性存储器装置(NVM)120可以通过实现为根据示例性实施例的多模式传输线的第一信道CH1而与存储控制器110交换数据。非易失性存储器装置(NVM)130可以通过第二信道CH2而与存储控制器110交换数据。第二信道CH2也可以实现为可以独立地传输RF带中的信号和基带中的信号的多模式传输线。第一信道CH1或第二信道CH2可以包括基片集成波导SIW，该基片集成波导SIW在存储控制器110与非易失性存储器装置(NVM)120和130中的至少一部分之间传输RF带中的多路复用信号。另外，第一信道CH1或第二信道CH2可以包括带状线，该带状线在存储控制器110与非易失性存储器装置(NVM)120和130中的至少一部分之间传输信号。

缓冲存储器140可以通过第三信道CH3而与存储控制器110交换数据。第三信道CH3也可以实现为用于支持宽I/O接口的多模式传输线。

这里，可以理解的是，在一些示例性实施例中，第一信道CH1至第三信道CH3中的仅一部分由用于实现宽I/O接口的多模式传输线形成。另外，第一信道CH1和第二信道CH2中的每个可以实现为分离的基片集成波导SIW。可选地，第一信道CH1和第二信道CH2可以实现为包括一个基片集成波导SIW和以信道为单位布置的多条带状线的多模式传输线。多模式传输线可以包括屏蔽带状线的盲导体(blind conductor)。也就是说，带状线可以形成为在其间设置有盲导体。将参照附图详细描述实现多模式传输线的示例。

使用根据示例性实施例的多模式传输线的存储装置100可以在使用小面积的同时使基片集成波导SIW的工作频带降低。另外，可以通过在带状线之间有效地提供屏蔽来抑制带状线之间发生的串扰或干扰。

图2是根据示例性实施例的连接图1中所示的存储控制器和非易失性存储器装置的多模式传输线的三维视图。参照图2，存储控制器110和非易失性存储器装置(NVM)120可以通过形成在PCB基板160中的多模式传输线150来交换数据。

存储控制器110可以通过多模式传输线150与非易失性存储器装置(NVM)120通信。非易失性存储器装置(NVM)120可以由通过使用硅通孔(TSV)连接的多个堆叠的非易失性存储器芯片组成。每个非易失性存储器芯片可以通过包括在多模式传输线150中的基片集成波导SIW或带状线而与存储控制器110交换数据。

多模式传输线150可以形成在PCB基板160内。例如，多模式传输线150可以包括基片集成波导SIW和至少一条带状线，所述基片集成波导SIW通过使用多个通孔连接下导电层和上导电层来形成，所述至少一条带状线在基片集成波导SIW内沿z方向延长。根据示例性实施例的基片集成波导SIW的下导电层和上导电层可以由金属薄膜形成。用于形成基片集成波导SIW的多个通孔可以在z方向上以规则的间隔布置。这里，可以理解的是，在一些示例性实施例中，用于形成波导壁的通孔可以实现为金属壁。

具体地，根据示例性实施例的基片集成波导SIW可以包括用于增加波导的有效宽度(即，在x方向上的有效宽度)的盲导体。盲导体可以与通孔在相同的方向上形成，但是盲导体可以形成为短于通孔的长度。可选地，盲导体可以由从基片集成波导SIW的波导壁突出到波导的内部的盲导电层形成。在一些示例性实施例中，盲导体可以包括多个盲孔。这里，盲孔可以与用于形成(多个)波导壁的通孔以相同的间隔布置。然而，盲孔连接到上导电层和下导电层中的一个。也就是说，如下面进一步描述的，盲孔不从下导电层一直延伸到上导电层，相反盲孔可以仅连接到上导电层，或者盲孔可以仅连接到下导电层。由于包括上述盲孔的基片集成波导SIW的结构允许有效宽度增加，所以在下面的描述中，基片集成波导SIW可以被称为“折叠基片集成波导FSIW”。另外，盲孔可以电磁屏蔽或分离在基片集成波导SIW内形成的带状线。

波导的有效宽度可以通过在折叠基片集成波导FSIW中形成的至少一个盲孔或至少一个盲导电层来增加。在波导的有效宽度增加的情况下，可以降低RF带中的通过基片集成波导SIW传输的信号的工作频率。因为折叠基片集成波导FSIW的工作频率可以通过盲导体而减小，所以基片集成波导SIW的实际宽度可以减小工作频率的减幅那么多。也就是说，当减小多模式传输线150的宽度或尺寸时，可以能够更容易地实现较小尺寸或宽带的装置。此外，可以通过多个盲导体有效地阻止带状线之间发生的耦合或干扰，从而使传输信号的信噪比(SNR)更高。

这里，可以以矩形的形式设置多模式传输线150的剖面结构，但是示例性实施例不限于此。也就是说，折叠基片集成波导FSIW的剖面可以为圆形的形式，并且可以进行各种修改。另外，可以通过使用PCB基板160的上导电层和下导电层来形成用于形成多模式传输线150的折叠基片集成波导FSIW，但是示例性实施例不限于使用PCB基板160的上导电层和下导电层，在一些实施例中，可以通过使用位于PCB基板160内的任何导电层来形成用于形成多模式传输线150的折叠基片集成波导FSIW。

图3是示出根据示例性实施例的使用多模式传输线的存储装置的另一示例的剖视图。参照图3，存储装置100可以包括上封装件170、下封装件180和封装基板190。

在上封装件170中可以包括通用闪存存储(UFS)控制器131和多个非易失性存储器装置132至139。UFS控制器131可以执行与图1的存储控制器110基本相同的功能。UFS控制器131和多个堆叠的非易失性存储器装置132至139可以通过由下封装件180提供的硅中介层来执行芯片到芯片的通信。上封装件170可以通过形成在上封装件170的下表面上的外部端子(例如，焊球)连接到下封装件180。

下封装件180可以设置为上封装件170的硅中介层。另外，单独的芯片182和184可以附加地安装在下封装件180中。例如，诸如神经网络引擎的附加芯片可以安装在下封装件180中。根据一些示例性实施例，用于芯片到芯片通信的多模式传输线150可以包括在下封装件180中。可以通过根据示例性实施例的多模式传输线150提供宽I/O接口。根据示例性实施例的多模式传输线150可以使得能够减小硅中介层的最小特征尺寸，以抑制信号线之间的串扰，并且减小RF带的工作频率。

多模式传输线150可以通过使用一个层或多个层而形成在包括硅中介层的下封装件180中。例如，多模式传输线150可以用作连接UFS控制器131和非易失性存储器装置132至139的信道，或者可以用作连接芯片182或184和UFS控制器131的信道。然而，可以理解的是，根据各种示例性实施例的多模式传输线150可以应用于需要宽I/O接口的任何传输线。

多模式传输线150可以包括基片集成波导SIW和在基片集成波导SIW内延长的至少一条带状线。示例性实施例的基片集成波导SIW可以由金属层和形成在硅中介层内的硅过孔组成。用于形成基片集成波导SIW的硅过孔可以以规则的间隔布置。这里，如上所述，用于形成波导侧壁的硅过孔可以由金属壁形成。

具体地，根据示例性实施例的基片集成波导SIW可以包括用于增加波导的有效宽度(即，在x方向上的有效宽度)的至少一个盲导体。盲导体可以包括与通孔在相同的方向上形成但形成为比通孔的长度短的盲孔，或者可以包括从基片集成波导SIW的波导壁突出到波导的内部的盲导电层。在盲导体由多个盲孔组成的情况下，盲孔可以与用于形成波导壁的硅过孔以相同的间隔布置。然而，盲孔连接到上导电层和下导电层中的一个以形成折叠基片集成波导FSIW。也就是说，如下面进一步描述的，盲孔不从下导电层一直延伸到上导电层，相反盲孔可以仅连接到上导电层，或者盲孔可以仅连接到下导电层。盲孔可以电磁屏蔽或分离在基片集成波导SIW内形成的带状线。

给出了多模式传输线150可以用于硅中介层的描述，但是示例性实施例不限于此。示例性实施例的折叠基片集成波导FSIW可以应用于传输信号的各种传输线。

图4是示出根据示例性实施例的包括折叠基片集成波导的多模式传输线的剖面的视图。参照图4，多模式传输线150a包括由盲孔155、156和157形成的盲导体。多模式传输线150a可以包括下导电层151、上导电层152、形成第一波导壁的通孔153和形成第二波导壁的通孔154、盲孔155、156和157以及多条带状线158a、158b、158c和158d。下导电层151、上导电层152、第一波导壁和第二波导壁可以一起限定体积空间。

多模式传输线150a可以形成在基板内。这里，基板可以是用于在芯片之间提供电连接的PCB基板、硅中介层、单个芯片内的硅基板或者设置为在芯片或装置之间传输数据的柔性印刷电路板。其中形成有多模式传输线150a的基板不受具体限制，并且可以不同地应用于宽I/O接口可以应用到其的系统。然而，为了便于描述，将通过多模式传输线150a形成在PCB基板中的示例来描述示例性实施例的优点。

多模式传输线150a可以形成在基板中形成的任何导电层之间。例如，多模式传输线150a可以形成在下导电层151与上导电层152之间。多模式传输线150a可以由折叠基片集成波导FSIW和多条带状线158a、158b、158c和158d形成。折叠基片集成波导FSIW包括下导电层151、上导电层152以及连接到下导电层151和上导电层152两者的多个通孔153和154。具体地，折叠基片集成波导FSIW可以包括盲孔155、156和157，盲孔155、156和157中的每个仅连接到下导电层151或上导电层152。也就是说，如下面进一步描述的，盲孔不从下导电层一直延伸到上导电层，相反盲孔可以仅连接到上导电层，或者盲孔可以仅连接到下导电层。折叠基片集成波导FSIW可以接地或者可以维持在特定的电源电压电平处。

如图4中所示，通孔153和154可以在x方向上彼此间隔开与波导宽度a₁一样大的距离。所示的通孔153和154可以对应于由xy平面的剖面示出的形状，并且可以相对于纸张的表面在前向方向或后向方向上以规则的间隔布置。也就是说，关于通孔153，可以在波导的传播方向上布置多个通孔以形成波导侧壁的一侧。同样地，关于通孔154，可以在波导的传播方向上布置多个通孔以形成波导侧壁的相对侧。

用于设置折叠基片集成波导FSIW的盲孔155、156和157可以与通孔153和154以基本上相同的间隔形成。然而，盲孔155仅连接到下导电层151。也就是说，盲孔155连接到下导电层151，以穿过下导电层151，而不穿过上导电层152。可以相对于纸的其上绘制有图4的表面在正面或背面上以与构成波导壁的通孔153和154相同的间隔形成与盲孔155相同形状的盲孔。盲孔156仅连接到上导电层152，从而穿过上导电层152。也就是说，盲孔156可以形成为不到达下导电层151。可以相对于纸的其上绘制有图4的表面在正面或背面上以规则的间隔形成与仅穿过上导电层152的盲孔156相同形状的盲孔。盲孔157仅连接到下导电层151，以穿过下导电层151。盲孔157可以形成为与左盲孔155相同的形状。另外，可以相对于纸的其上绘制有图4的表面在正面或背面上以规则的间隔形成与盲孔157相同形状的盲孔。

由盲孔155、156和157形成的折叠基片集成波导FSIW的有效波导宽度a'可以大于物理波导宽度a₁。也就是说，影响沿着波导传播的TE(横电)波的波导的宽度对应于有效波导宽度a'，而不是物理波导宽度a₁。典型的矩形波导的截止频率fc可以由下面的等式1表示。

[等式1]

这里，“c”表示光速，“a”表示波导的宽度。

其中不存在盲孔155、156和157的典型矩形波导的截止频率fc与波导宽度成反比。也就是说，在不存在盲孔155、156和157的情况下，截止频率fc可以被计算为c/(2a₁)。相反，根据示例性实施例的其中包括盲孔155、156和157的折叠基片集成波导FSIW的截止频率fc可以表示为c/(2a')。这里，可以理解的是，因为波导的有效宽度(即，有效波导宽度)a'大于物理宽度(即，物理波导宽度)a₁，所以折叠基片集成波导FSIW的截止频率fc可以减小。

另外，通过盲孔155、156和157可以提供屏蔽多条带状线158a、158b、158c和158d的效果。也就是说，多条带状线158a、158b、158c和158d之间的串扰或干扰可以被盲孔155、156和157阻挡。带状线158a可以与盲孔155间隔开分隔距离b₁那么多。带状线158a与通孔153之间的距离可以被限定为对应于带状线158a与盲孔155之间的分隔距离b₁，或者具有任何其他分隔距离。有利地，盲孔155、156和157可以形成为相对于多条带状线158a、158b、158c和158d中的对应带状线具有相同的分隔距离b₁。也就是说，在一些示例性实施例中，盲孔155与带状线158a之间的距离可以与盲孔155与带状线158b之间的距离相同，盲孔155与带状线158b之间的距离可以与带状线158b与盲孔156之间的距离相同，可以与盲孔156与带状线158c之间的距离相同，可以与带状线158c与盲孔157之间的距离相同，可以与盲孔157与带状线158d之间的距离相同，它们可以是相同的分隔距离b₁。可以考虑抑制带状线158a、158b、158c和158d之间的串扰的效率来确定分隔距离b₁。然而，这仅是示例，并且可以很好理解的是，可以根据各种目的改变盲孔与带状线之间的分隔距离(例如，b₁)。

可以通过抑制串扰或干扰来改善通过带状线传输的信号的信噪比(SNR)。这里，多条带状线158a、158b、158c和158d中的每条可以是包括在一个信道中的一组数据(DQ)线。可选地，多条带状线158a、158b、158c和158d可以是包括在不同信道中的数据线。

根据示例性实施例的多模式传输线150a被描述为包括位于三个位置处的用于形成折叠基片集成波导FSIW的盲孔155、156和157，但是示例性实施例不限于此。折叠基片集成波导FSIW的剖视图中所示的盲孔的数量不受限制，并且可以增加或减少。也就是说，盲孔的数量不限于如图4中所示的三个。另外，描述了多模式传输线150a的结构，在多模式传输线150a中，多条带状线158a、158b、158c和158d通过使用相同的金属层形成在下导电层151与上导电层152之间的空间中的中心位置处，但是示例性实施例不限于此。例如，多条带状线158a、158b、158c和158d可以通过使用相同的金属层形成为更靠近下导电层151或更靠近上导电层152。可选地，多条带状线158a、158b、158c和158d可以通过使用不同的金属层在x方向上以之字形状布置。

图5是图4的多模式传输线的三维视图。参照图5，多模式传输线150a包括折叠基片集成波导FSIW和多条带状线158a、158b、158c和158d。折叠基片集成波导FSIW包括下导电层151、上导电层152、用于形成左波导壁的通孔V30至V42、用于形成右波导壁的通孔V80至V92以及盲孔156(V60至V72)、盲孔155和盲孔157。这里，盲孔155和157可以以与形成盲孔V60至V72的方式类似的方式但是在与盲孔V60至V72的位置不同的位置处形成，并且可以具有与盲孔V60至V72的形状相同的形状。

用于形成折叠基片集成波导FSIW的左波导壁实现为通孔V30至V42。用于形成折叠基片集成波导FSIW的右波导壁实现为通孔V80至V92。通孔V30至V42以及V80至V92可以在作为波导的传播方向的z方向上规则地布置。盲孔V60至V72的长度可以比通孔V30至V42以及V80至V92的长度短，盲孔V60至V72可以仅穿过上导电层152，并且可以与通孔V30至V42以及V80至V92一样地在z方向上以规则的间隔布置。尽管在图5中未示出，但是与穿过下导电层151的盲孔155和157的尺寸相同的尺寸的盲孔可以在z方向上以规则的间隔布置。

图6是当从顶部的上方观看时图5的多模式传输线的平面视图。参照图6，多模式传输线150a包括折叠基片集成波导FSIW和多条带状线158a、158b、158c和158d。构成波导壁的通孔V30至V38、V80至V88以及盲孔V10至V18、V20至V28和V60至V68设置为形成折叠基片集成波导FSIW。这里，穿过上导电层152的通孔V30至V38和V80至V88以及盲孔V60至V68的剖面由实线示出。未穿过上导电层152的盲孔V10至V18和V20至V28的剖面由虚线示出。定位在上导电层152下方的多条带状线158a、158b、158c和158d也由虚线示出。

通孔V30至V38和V80至V88形成的波导侧壁之间的间隔a₁对应于折叠基片集成波导FSIW的物理宽度。然而，波导的截止频率fc因盲孔V10至V18、V20至V28以及V60至V68的存在而被确定不为c/(2a₁)而为c/(2a')。原因在于波导的有效宽度a'因盲孔V10至V18、V20至V28以及V60至V68而变得大于物理宽度a₁。因此，可以减小折叠基片集成波导FSIW的截止频率fc。

包括在同一列中的相邻通孔可以以对应于中心到中心的距离Sp的间隔而周期性地布置。关于用于形成波导壁的通孔V30至V38和V80至V88，中心到中心的距离Sp可以被设定为波导中的工作频率的波长的大约1/10。关于通孔V30至V38和V80至V88，中心到中心的距离Sp可以被设定为能够有效地阻止波导中的电场的泄漏的值。该值可以通过实验确定。另外，给出了用于形成左波导壁的通孔V30至V38布置成一列，用于形成右波导壁的通孔V80至V88布置成一列的描述，但是示例性实施例不限于此。例如，通孔V30至V38可以布置成两列或更多列，通孔V80至V88可以布置成两列或更多列。

如图6中所示，盲孔V10至V18、V20至V28以及V60至V68也可以形成为具有与通孔V30至V38以及V80至V88的孔间隔相同的孔间隔。然而，示例性实施例不限于此。与盲孔V10至V18、V20至V28以及V60至V68相关联的孔间间隔可以被设定为不同于与通孔V30至V38以及V80至V88相关联的孔间间隔。

图7是示意性地示出根据示例性实施例的折叠基片集成波导FSIW的有效宽度如何增加的视图。参照图7，折叠基片集成波导FSIW内形成的磁场的形状可以由曲线P1建模。

由于盲孔155、156和157，与折叠基片集成波导FSIW相关联的电场的形状可以不同于与典型的矩形波导相关联的电场的形状。在折叠基片集成波导FSIW内沿水平方向形成的磁场的剖面可以与图7中所示的曲线P1相同。盲孔155、156和157可以允许折叠基片集成波导FSIW的有效宽度a'大于物理宽度a₁。

图8是示出根据示例性实施例的多模式传输线的频率特性的视图。根据示例性实施例的包括在多模式传输线中的带状线的信号传播的横电磁(TEM)模式的基于频带的传输特性以及折叠基片集成波导FSIW和相关技术的基片集成波导SIW的横电(TE)模式示出在图8中。

在其中通过带状线进行信号传输的TEM模式的情况下，能够在低于频率f₁的频带中进行信号传输。相反，在TEM模式的情况下，可以理解的是，信号的传输特性在高于频率f₁的频带中急剧下降。

在图8中，曲线TE表示由相关技术的矩形基片集成波导SIW针对每个频率传输的信号的传输特性。在这种情况下，相关技术的矩形基片集成波导SIW的截止频率可以出现为第二截止频率fc₂。这意味着由相关技术的矩形基片集成波导SIW传输的RF信号的工作频率高于第二截止频率fc₂。因此，使用相关技术的矩形基片集成波导SIW的系统在用于传输信号的工作频率上具有限制。

参照示例性实施例的折叠基片集成波导FSIW的传输特性曲线TE'，折叠基片集成波导FSIW的第一截止频率fc₁随着波导的有效宽度增加而变得较低。在使用折叠基片集成波导FSIW时的第一截止频率fc₁可以比当使用相关技术的矩形基片集成波导SIW时的第二截止频率fc₂低“Δf”那么多。因此，通过应用于示例性实施例的多模式传输线的折叠基片集成波导FSIW可以更容易地降低用于传输信号的工作频率。

图9是示出根据另一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图9，多模式传输线150b可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导壁的通孔153和154、盲孔155、156和157以及多条带状线158a、158b、158c和158d。

多模式传输线150b类似于图4的多模式传输线150a。然而，多模式传输线150b的波导宽度a₂可以小于多模式传输线150a的波导宽度a₁。这里，随着波导宽度从“a₁”减小到“a₂”(a₂＜a₁)，截止频率fc会增加。然而，通过盲孔155、156和157确保的有效宽度可以使得能够补偿折叠基片集成波导FSIW的截止频率fc的增加。因此，多模式传输线150b代替图4的多模式传输线150a可以用于对于减小传输线的尺寸具有更高优先级的系统。

图10是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图10，基于通过带状线待传输的信号的属性，多模式传输线150c可以已经调整了放置带状线的位置。

多模式传输线150c可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导壁的通孔153和154、盲孔155、156和157以及多条带状线158a、158b、158c、158d和158e。构成多模式传输线150c的折叠基片集成波导FSIW可以形成为与图4的折叠基片集成波导FSIW基本相同。然而，可以根据信号属性对在TEM模式下传输信号的多条带状线158a、158b、158c、158d和158e进行分组和定位。例如，带状线158a和158b可以是在一个信道内传输选通信号集DQS和/DQS的线。选通信号集DQS和/DQS可以是一组互补信号。因此，通过带状线158a和158b传输的选通信号DQS和/DQS不需要考虑相互影响。如此，可以将不需要考虑耦合或干扰的带状线158a和158b进行分组和布置。也就是说，不需要考虑耦合或干扰的带状线158a和158b可以不被盲导体屏蔽。结果，不需要考虑耦合或干扰的带状线158a和158b可以定位在一个空间中，并且在带状线158a与带状线158b之间的空间中可以不形成盲孔或盲导电层。带状线158a和158b可以通过使用不同金属层的金属线来形成。

相反，可以通过使用盲孔156和157来屏蔽或分离传输数据信号DQ0、DQ1和DQn-1的带状线158c、158d和158e。另外，可以通过盲孔155将传输数据信号DQ0的带状线158c与传输选通信号集DQS和/DQS的带状线158a和158b屏蔽或分离。

根据参照图10描述的示例性实施例，能够进一步减小构成多模式传输线150c的折叠基片集成波导FSIW的宽度。

图11是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图11，多模式传输线150d可以通过使用在纵向方向(x方向)上延长的盲导电层(或称为盲导电膜)159作为盲导体来屏蔽或分离带状线158a和158b。

多模式传输线150d可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导壁的通孔153和154、带状线158a和158b以及盲导电层159。带状线158a和158b可以通过使用不同金属层的金属线来形成。另外，盲导电层159可以由金属线或定位在带状线158a和158b的金属层之间的导电膜形成。

在带状线158a和158b由定位在不同层中的金属线形成并且在y方向上布置的情况下，能够更容易地减小折叠基片集成波导FSIW的宽度。也就是说，可以能够容易地减小对应于折叠基片集成波导FSIW的通孔153和154之间的间隔的波导宽度a₃。在图11中所示的示例性实施例中，在针对形成带状线158a和158b以及盲导电层159的波导高度h₁增加的同时，波导宽度从a₂减小到a₃(a₂＞a₃)。然而，随着形成盲导电层159，可以增加波导的有效宽度。

因此，即使波导宽度a₂减小到波导宽度a₃(a₃＜a₂)，截止频率fc也可以通过实质上增加的波导的有效宽度而减小。这种结构使得能够在有效地抑制折叠基片集成波导FSIW的宽度受到限制的结构中的带状线之间的干扰的同时降低折叠基片集成波导FSIW的工作频率。

图12是图11的多模式传输线的三维视图。参照图12，多模式传输线150d可以包括折叠基片集成波导FSIW以及带状线158a和158b。折叠基片集成波导FSIW包括下导电层151、上导电层152、用于形成左波导壁的通孔V10至V19、用于形成右波导壁的通孔V40至V49以及盲导电层159。

用于形成折叠基片集成波导FSIW的左波导壁实现为通孔V10至V19。用于形成折叠基片集成波导FSIW的右波导壁实现为通孔V40至V49。通孔V10至V19以及V40至V49可以在作为波导的传播方向的z方向上以特定的间隔规则地布置。盲导电层159可以在形成带状线158a和158b的金属层之间形成。通孔V10至V19可以穿过盲导电层159的一侧。因此，盲导电层159的所述一侧可以与通孔V10至V19一起形成折叠基片集成波导FSIW的侧壁。相反，盲导电层159与通孔V40至V49形成的波导侧壁分离。也就是说，通孔V40至V49不穿过盲导电层159。

具有上述形状的多模式传输线150d使得能够在有效地抑制在折叠基片集成波导FSIW的宽度受到限制的结构中的带状线之间的干扰的同时降低折叠基片集成波导FSIW的工作频率。也就是说，即使另外减小了折叠基片集成波导FSIW的物理宽度a₃，多模式传输线150d的结构也提供了一种能够增加波导的有效宽度的方式。

图13是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图13，多模式传输线150e可以基于待传输的信号的属性来对放置带状线的位置进行分组。

多模式传输线150e可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导壁的通孔153和154、多条带状线158a、158b和158c以及盲导电层159。构成多模式传输线150e的折叠基片集成波导FSIW可以形成为与图11的折叠基片集成波导FSIW基本相同。然而，可以根据信号属性对在TEM模式下传输信号的多条带状线158a、158b和158c进行分组，并且可以使用盲导电层159将特定组中的带状线158a和158b从屏蔽中排除。例如，带状线158a和158b可以是在一个信道内传输一组选通信号DQS和/DQS的线。所述一组选通信号DQS和/DQS可以是一组互补信号。可以将不需要考虑耦合或干扰的带状线158a和158b进行分组和布置。也就是说，不需要考虑耦合或干扰的带状线158a和158b可以不被盲导电层159屏蔽。结果，不需要考虑耦合或干扰的带状线158a和158b可以定位在一个空间中，并且可以在带状线158a和158b之间的空间中不形成盲孔或盲导电层。带状线158a和158b可以通过使用不同金属层的金属线来形成。

相反，可以通过使用盲导电层159将传输数据信号DQ的带状线158c与带状线158a和158b屏蔽。这里，在盲导电层159的一侧上以组布置的一组信号线不限于所述一组选通信号DQS和/DQS。可以像带状线158a和158b一样对传输互补信号(或互补电平的信号)的信号线进行分组。

图14是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图14，多模式传输线150f可以通过使用在纵向方向(x方向)上延长的多个盲导电层159a和159b来屏蔽或分离带状线158a、158b和158c。

多模式传输线150f可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导壁的通孔153和154、带状线158a、158b和158c以及盲导电层159a和159b。带状线158a、158b和158c可以通过使用不同金属层的金属线来形成。另外，可以在定位有带状线158a、158b和158c的金属层之间通过使用导电层或金属线来设置盲导电层159a和159b。

如图14中所示，带状线158a、158b和158c形成为在横向方向(y方向)上具有规则的间隔，并且定位在通孔153和154之间的中心上。然而，示例性实施例不限于此。带状线158a、158b和158c可以形成为更靠近通孔153和通孔154中的任何一个。可选地，带状线158a、158b和158c可以相对于横向方向(y方向)以之字形状布置。

盲导电层159a和159b中的每个与形成折叠基片集成波导FSIW的壁的通孔153和154中的一个连接。例如，盲导电层159a被通孔153穿透并且与通孔154间隔开，盲导电层159a平行于下导电层151。相反，盲导电层159b被通孔154穿透并且与通孔153间隔开，盲导电层159b平行于上导电层152。

在多模式传输线150f中，带状线158a、158b和158c在横向方向(y方向)上布置成一条线。因此，用于分离带状线158a、158b和158c的盲导电层159a和159b可以以之字形状形成在带状线158a、158b和158c之间。该结构提供了一种方式，该方式允许折叠基片集成波导FSIW的物理宽度a₄(a₄＜a₃)显著减小，同时均匀地保持或增加折叠基片集成波导FSIW的有效宽度。当然，折叠基片集成波导FSIW的高度h₂可以增加。

图15是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图15，多模式传输线150g可以通过使用在纵向方向(x方向)上延长的多个盲导电层159a和159b来屏蔽或分离带状线158a、158b、158c和158d。另外，可以根据通过带状线158a、158b、158c和158d待传输的信号的属性来对放置带状线的位置进行分组。

多模式传输线150g可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导壁的通孔153a、153b、154a和154b、多条带状线158a、158b、158c和158d以及盲导电层159a和159b。构成多模式传输线150g的折叠基片集成波导FSIW可以形成为与图14的折叠基片集成波导FSIW基本相同。然而，可以根据信号属性对在TEM模式下传输信号的多条带状线158a、158b、158c和158d进行分组，并且可以在没有屏蔽的情况下布置特定组中的带状线158c和158d。

例如，带状线158c和158d可以是在一个信道内传输一组选通信号DQS和/DQS的线。传输不需要考虑耦合或干扰的信号(诸如选通信号DQS和/DQS)的带状线158c和158d可以被分组，并且可以在没有使用盲导电层的屏蔽的情况下被布置。也就是说，不需要考虑耦合或干扰的带状线158c和158d可以不被盲导电层屏蔽。结果，不需要考虑耦合或干扰的带状线158c和158d可以定位在一个空间中，并且可以在带状线158c和158d之间的空间中不形成盲孔或盲导电层。

相反，可以通过使用盲导电层159a和159b屏蔽分别传输数据信号DQn和DQm的带状线158a和158b。这里，以组布置的一组信号线不限于所述一组选通信号DQS和/DQS。可以像带状线158c和158d一样对传输互补信号的信号线进行分组。

图16是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图16，多模式传输线150h可以通过使用在横向方向(y方向)上形成的盲孔155a和156a以及在纵向方向(x方向)上延长的盲导电层159来屏蔽或分离带状线158a至158l。

多模式传输线150h可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导壁的通孔153a、153b和154、多条带状线158a至158l以及盲导电层159。构成多模式传输线150h的折叠基片集成波导FSIW可以包括在横向方向(y方向)上形成的盲孔155a和156a以及在纵向方向(x方向)上形成的盲导电层159两者。盲孔155a和156a以及盲导电层159可以以信道为单位将多条带状线158a至158l分离。也就是说，盲孔155a和156a以及盲导电层159可以以信道为单位将多条带状线158a至158l分离，因此抑制了信道间干扰。

另外，在横向方向(y方向)上形成的盲孔155a和156a以及在纵向方向(x方向)上形成的盲导电层159可以使折叠基片集成波导FSIW的有效宽度更大。因此，能够降低在TE模式下通过折叠基片集成波导FSIW传输的信号的RF频率。

图17是示出根据又一示例性实施例的多模式传输线的剖视图。参照图17，出于分离多条带状线的目的，多模式传输线150i可以包括盲孔155a至155c、156a至156c与157a和157b以及盲导电层159。

构成多模式传输线150i的折叠基片集成波导FSIW可以通过使用盲孔155a至155c、156a至156c、157a至157b以及盲导电层159以线为单位屏蔽多条带状线。因此，就抑制带状线之间的干扰的效果而言，多模式传输线150i可以比图16的多模式传输线150h更有效。另外，每个信道的带状线之中的传输不需要相互屏蔽的信号的串线可以布置在同一列中。

例如，包括在第一信道CH1中的带状线之中的传输一组选通信号DQS和/DQS的带状线不需要考虑耦合或干扰的影响。传输不需要考虑耦合或干扰的信号的带状线可以被分组，并且可以在没有使用盲导电层或盲孔的屏蔽的情况下被布置。也就是说，每个信道的不需要考虑耦合或干扰的带状线可以不被盲导电层屏蔽。结果，可以将不需要考虑耦合或干扰的带状线定位在一个空间中，并且可以在带状线之间的空间中不形成盲孔或盲导电层。

相反，包括在第一信道CH1中的带状线之中的传输数据信号DQx的带状线可以通过使用盲孔156b和157a而彼此屏蔽。可以以与第一信道CH1的方式相同的方式布置和屏蔽包括在第二信道CH2至第四信道CH4中的带状线。这里，以组布置的一组信号线不限于所述一组选通信号DQS和/DQS。传输互补信号的信号线可以被分组，并且可以在没有屏蔽的情况下被布置。

图18是描述各种示例性实施例的多模式传输线的一个优点的平面视图。参照图18，在示例性实施例的折叠基片集成波导FSIW中，用于形成波导壁的通孔V30至V38和V80至V88使带状线容易分支或在不同方向上行进。

例如，被引入(即，在z方向上被引入)到折叠基片集成波导FSIW的内部的带状线158d可以转向x方向，然后可以在通孔V83和V84之间抽出。这是可能的，因为带状线158d的宽度Ws小于通孔V83与V84之间的间隔Dv。另外，延长(即，在z方向上延长)到折叠基片集成波导FSIW的内部的带状线158c可以分支以形成在x方向上延长的带状线158e。带状线158e可以穿过通孔V85和V86之间的空间，并且可以被抽出到折叠基片集成波导FSIW的外部。

此外，被引入(即，在z方向上被引入)到折叠基片集成波导FSIW的内部的带状线158b可以转向与x方向背对的方向，然后可以在通孔V34和V35之间抽出。在实施例中，带状线158b可以由与带状线158a不同层的金属线形成，以不与带状线158a交叉。

示例性实施例的多模式传输线可以包括其中通过使用通孔形成波导壁的折叠基片集成波导FSIW。因此，带状线可以被引入到波导的内部，然后可以在垂直于波导的传播方向的方向上被抽出。即使折叠基片集成波导FSIW包括在多模式传输线中，该结构也可以在设计包括发明构思的多模式传输线的装置或系统时提供高的布线自由度。

图19是描述各种示例性实施例的多模式传输线的另一优点的平面视图。参照图19，在示例性实施例的折叠基片集成波导FSIW中，因为通过使用通孔V30至V38和V80至V88形成波导壁，所以带状线158f可以被布线成穿过折叠基片集成波导FSIW。

构成多模式传输线的带状线158a、158b、158c和158d可以被引入(即，在z方向上被引入)到折叠基片集成波导FSIW的内部。另外，在x方向上延长并且不与多模式传输线相关联的带状线158f可以穿过折叠基片集成波导FSIW。这是可能的，因为带状线158f的宽度Ws小于通孔V83和V84以及V33和V34、盲孔V13和V14、V23和V24以及V63和V64通过其彼此间隔开的间隔Dv。此外，这是可能的，因为在x方向上穿过折叠基片集成波导FSIW的带状线158f定位在与带状线158a、158b、158c和158d不同的金属层中。

即使在设计包括复杂信号线的系统时，示例性实施例的折叠基片集成波导FSIW的壁结构也可以提供高的布线自由度。

图20是示出根据发明构思的第十实施例的包括T型折叠基片集成波导的多模式传输线的剖面的视图。参照图20，多模式传输线150j具有T形的盲导体。多模式传输线150j可以包括下导电层151、上导电层152、形成波导侧壁的通孔153和154、盲导体(155j，159j)以及多条带状线158a、158b、158c和158d。

多模式传输线150j可以形成在基板内。这里，基板可以是用于在芯片之间提供电连接的PCB基板、硅中介层、单个芯片内的硅基板或者设置为在芯片或装置之间传输数据的柔性印刷电路板(FPCB)。其中形成有发明构思的多模式传输线150j的基板不限于本公开，并且可以不同地应用于宽I/O接口可以应用到其的系统。然而，为了便于描述，将通过发明构思的多模式传输线150j形成在PCB基板中的示例来描述发明构思的特征。

多模式传输线150j可以形成在基板中形成的任何导电层之间。例如，多模式传输线150j可以形成在下导电层151与上导电层152之间。下导电层151和上导电层152可以彼此间隔开“h₃”的距离那么多。多模式传输线150j可以由T型折叠基片集成波导T-FSIW和多条带状线158a、158b、158c和158d组成。T型折叠基片集成波导T-FSIW包括下导电层151、上导电层152以及连接到下导电层151和上导电层152两者的多个通孔153和154。具体地，T型折叠基片集成波导T-FSIW可以包括仅连接到下导电层151和上导电层152中的一个的T形盲导体(155j，159j)。T型折叠基片集成波导T-FSIW可以接地或者保持在特定的电源电压电平处。

通孔153和154可以在x方向上彼此间隔开波导宽度a₅那么多。所示的通孔153和154可以对应于由xy平面的剖面示出的形状，并且可以形成在底表面上，以在前向方向或后向方向上以规则的间隔布置。也就是说，出于形成波导侧壁的一侧的目的，在波导的传播方向上布置的多个通孔可以形成在通孔153的一侧上。同样地，出于形成波导侧壁的相对侧的目的，在波导的传播方向上布置的多个通孔可以形成在通孔154的一侧上。

T形盲导体(155j，159j)形成为设置T型折叠基片集成波导T-FSIW。T形盲导体(155j，159j)由下盲导体155j和上盲导体159j组成。在另一实施例中，下盲导体155j可以由多个盲孔形成。T形盲导体(155j，159j)的上盲导体159j可以形成为具有厚度“t”和宽度“S”。上盲导体159j可以与上导电层152间隔开距离“d”那么多。另外，下盲导体155j可以形成为具有厚度“W”。

这里，假设基于使用多模式传输线150j的2.4Gpbs传输速度，传输到T型折叠基片集成波导T-FSIW的信号的工作频率为“1.2GHz”。在这种情况下，假设基板的介电常数ε_r，导电层宽度的比S/a₅为“0.8”，表示上盲导体159j的相对位置的“d/h₃”为“0.9”。在上面的条件下，当波导宽度a₅为“1.87mm”时，多模式传输线150j的截止频率fc为“8GHz”。相反，在上面的条件下，当波导宽度a₅为“0.57mm”时，多模式传输线150j的截止频率fc为“26.5GHz”。

多条带状线158a、158b、158c和158d中的每条可以是包括在一个信道中的一组数据(DQ)线。可选地，多条带状线158a、158b、158c和158d中的每条可以由包括在不同信道中的数据线组成。多条带状线158a、158b、158c和158d可以形成在折叠基片集成波导FSIW中的任何位置处。然而，期望多条带状线158a、158b、158c和158d不设置在因上盲导体159j和上导电层152而聚焦有电场的空间中。

图21是示出图20的T型折叠基片集成波导T-FSIW的三维形状的视图。参照图21，T型折叠基片集成波导T-FSIW包括下导电层151、上导电层152、用于形成左波导侧壁的通孔V30至V39、用于形成右波导侧壁的通孔V40至V49以及T形盲导体(155j，159j)。

用于形成T型折叠基片集成波导T-FSIW的左波导侧壁由通孔V30至V39形成。用于形成T型折叠基片集成波导T-FSIW的右波导侧壁由通孔V40至V49形成。通孔V30至V39和V40至V49可以规则地布置在下导电层151与上导电层152之间，并且规则地布置在作为波导的传播方向的z方向上。T型折叠基片集成波导T-FSIW在图21中示出为波导的长度“L”那么长。然而，T型折叠基片集成波导T-FSIW可以根据需要以相同的形状延伸所需的长度那么多。

包括在同一列中的相邻通孔可以以对应于中心到中心的距离Sp的间隔周期性地布置。关于用于形成波导侧壁的通孔V30至V39和V40至V49，中心到中心的距离Sp可以被设定为波导中的与工作频率相关联的波长的1/10至1/4。关于通孔V30至V39和V40至V49，中心到中心的距离Sp可以被设定为能够有效地阻止波导中的电场的泄漏的值。另外，给出了通孔V30至V39和V40至V49布置在波导壁中的一列中的描述，但是发明构思不限于此。例如，通孔V30至V39和通孔V40至V49可以布置成两列或更多列。

图22是示出带状线在图20的多模式传输线中的位置的视图。参照图22，除了不可避免的情况之外，多条带状线158a、158b、158c和158d可以不设置在与上盲导体159j上方的区域对应的电场聚焦空间157j中。多条带状线158a、158b、158c和158d可以设置在除电场聚焦空间157j之外的其余空间中的与给定数量一样多的任何位置处。

在信号被传输到多模式传输线150j时，在电场聚焦空间157j中传输信号时产生的电场的强度变化相对大。因此，期望多条带状线158a、158b、158c和158d设置在xy平面的除了由“S×d”限定的电场聚焦空间157j之外的其余区域中。例如，带状线158a可以形成在电场聚焦空间157j的左侧上，带状线158d可以形成在电场聚焦空间157j的右侧上。带状线158b可以形成在电场聚焦空间157j的左部分的下方(即，上盲导体159j的左部分的下方)。带状线158c可以形成在电场聚焦空间157j的右部分的下方(即，上盲导体159j的右部分的下方)。由于如上所述设置了多条带状线158a、158b、158c和158d，因此可以提供在多条带状线158a、158b、158c和158d之间的有效屏蔽。

图23是示出另一示例性实施例的系统的视图。参照图23，根据这里公开的各种示例性实施例的包括折叠基片集成波导FSIW的多模式传输线250可以应用于设置在装置或系统之间的柔性印刷电路板(FPCB)230。

第一装置210和第二装置220通过形成在系统200包括的FPCB 230中的多模式传输线250彼此通信。也就是说，通过使用相关技术的印刷电路板会难以在第一装置210与第二装置220之间建立电连接。对于第一装置210与第二装置220之间的通信，可以通过在FPCB230内形成的多模式传输线250来实现宽I/O接口。这里，多模式传输线250可以具有参照图1至图22描述的示例性实施例中的至少一个的结构。

另外，作为其中形成有示例性实施例的多模式传输线的基板的示例，描述了诸如PCB、FPCB或硅中介层的芯片外封装件的构造，但是示例性实施例不限于此。也就是说，可以通过在一个芯片内的晶圆上或硅基板上形成的片上构造来实现多模式传输线。

根据各种示例性实施例，可以能够在TE模式下降低使用基片集成波导SIW和带状线的多模式传输线的工作频率，并且有效地阻止在TEM模式下发生的串扰。因此，在不增加存储装置或包括各种半导体装置的系统的面积的情况下，可以能够有效地实现宽I/O接口。

尽管已经参照发明构思的示例性实施例描述了发明构思，但是对于本领域普通技术人员将明显的是，在不脱离权利要求中阐述的精神和范围的情况下，可以对其进行各种改变和修改。