阅读说明：本技术 用于闩锁的具有放松机构的连接器 (Connector with release mechanism for latch ) 是由 P·耿 X·李 G·韦尔吉斯 M·普拉卡什 于 2019-12-31 设计创作，主要内容包括：用于电路板的连接器壳体的实施例可以包括：连接器主体,其用于接收电路板,以及放松机构,其机械地耦合到连接器主体,以放松连接器壳体上的应力,并且在超过负载门限的负载下保持电路板被接收在连接器主体中。公开并要求保护了其他实施例。(Embodiments of a connector housing for a circuit board may include: the connector includes a connector body for receiving a circuit board, and a release mechanism mechanically coupled to the connector body to release stress on the connector housing and to maintain the circuit board received in the connector body under a load that exceeds a load threshold. Other embodiments are disclosed and claimed.)

具体实施方式

本文描述的各种实施例可以包括存储器组件和/或到存储器组件的接口。这样的存储器组件可以包括易失性和/或非易失性(NV)存储器(NVM)。易失性存储器可以是需要电力以维持由该介质存储的数据状态的存储介质。易失性存储器的非限制性示例可以包括各种类型的随机存取存储器(RAM)，例如动态RAM(DRAM)或静态RAM(SRAM)。可以在存储器模块中使用的一种特定类型的DRAM是同步动态RAM(SDRAM)。在特定实施例中，存储器组件的DRAM可以符合由联合电子设备工程委员会(JEDEC)颁布的标准，例如用于双倍数据速率(DDR)SDRAM的JESD79F、用于DDR2 SDRAM的JESD79-2F、用于DDR3 SDRAM的JESD79-3F、用于DDR4 SDRAM的JESD79-4A、用于低功耗DDR(LPDDR)的JESD209、用于LPDDR2的JESD209-2、用于LPDDR3的JESD209-3和用于LPDDR4的JESD209-4(这些标准可在www.jedec.org处获得)。这样的标准(和类似的标准)可以被称为基于DDR的标准，并且实现这样的标准的存储设备的通信接口可以被称为基于DDR的接口。

NVM可以是不需要电力来维持由该介质存储的数据的状态的存储介质。在一个实施例中，存储器设备可以包括块可寻址存储器设备，例如基于NAND或NOR技术的那些。存储器设备还可以包括未来代的非易失性设备，例如三维(3D)交叉点存储器设备，或其他可字节寻址的就地写入非易失性存储器设备。在一个实施例中，存储器设备可以是或可以包括使用以下各项的存储器设备：硫族化物玻璃，多门限级NAND闪存，NOR闪存，单级或多级相变存储器(PCM)，电阻存储器，纳米线存储器，铁电晶体管RAM(FeTRAM)，反铁电存储器，包括忆阻器技术的磁阻RAM(MRAM)存储器，包括金属氧化物基、氧空位基和导电桥RAM(CB-RAM)的电阻存储器，或自旋传递扭矩(STT)-MRAM，基于自旋电子磁性结存储器的设备，基于磁性隧穿结(MTJ)的设备，基于DW(域壁)和SOT(自旋轨道传递)的设备，基于晶闸管(thiristor)的存储器设备，或以上任何的组合，或其他存储器。存储器设备可以指管芯本身和/或封装的存储器产品。在特定实施例中，具有非易失性存储器的存储器组件可以符合由JEDEC颁布的一个或多个标准，例如JESD218、JESD219、JESD220-1、JESD223B、JESD223-1或其他合适的标准(本文引用的JEDEC标准可在jedec.org处获得)。

现在转到图1，用于电路板11的连接器壳体10的实施例可以包括：用于接收电路板11的连接器主体12；以及机械地耦合到连接器主体12的放松机构13，以用于放松连接器壳体10上的应力，并且在超过负载门限的负载下使电路板11保持被接收在连接器主体12中。在一些实施例中，放松机构13可以包括闩锁，以用于将电路板11保持在连接器主体12中，其中，闩锁用允许闩锁在超过负载门限的负载下平移的结构来机械地耦合到连接器主体12。例如，允许闩锁在超过负载门限的负载下平移的结构可以包括设置在连接器主体12和闩锁之一中的凹槽，以允许闩锁在超过负载门限的负载下相对于连接器主体12平移。

在一些实施例中，凹槽可以包括：第一枢轴点，其用于当闩锁上的负载小于或等于负载门限时保持电路板11完全安置在连接器主体12中；以及第二枢轴点，其用于当闩锁上的负载超过负载门限时保持电路板11部分地安置在连接器主体12中。在一些实施例中，连接器壳体10还可以包括弹簧，所述弹簧被配置为仅当闩锁上的负载超过负载门限时才允许闩锁从第一枢轴点到第二枢轴点的平移(例如，否则在低于负载门限的负载下，闩锁被保持在第一枢轴点处以用于正常操作)。在一些实施例中，连接器主体12可以包括用于接收电路板11的槽，并且凹槽的纵向中心线可以实质上垂直于槽的纵向中心线。在一些实施例中，电路板可以包括存储卡或双列直插式存储器模块(DIMM)。

现在转到图2A至图2C，用于存储卡21的连接器20的实施例可以包括：连接器壳体22，其包括用于接收存储卡21的细长槽23，连接器壳体22包括在细长槽23的第一端25处的第一组相对凹槽24，以及在细长槽23的与第一端25相对的第二端27处的第二组相对凹槽26。在一些实施例中，第一组相对凹槽24的纵向中心线A横向于细长槽23的纵向中心线B，并且第二组相对凹槽26的纵向中心线C横向于细长槽23的纵向中心线B。在一些实施例中，第一闩锁28可以被接收在连接器壳体22的第一组相对凹槽24内，并且第二闩锁29可以被接收在连接器壳体22的第二组相对凹槽26内。例如，第一和第二组相对凹槽24、26的相应的纵向中心线A、C可以实质上垂直于细长槽23的纵向中心线B。例如，存储卡21可以包括DIMM。

在一些实施例中，第一组相对凹槽24可以包括在第一组相对凹槽24的第一端处的第一枢轴点D和在第一组相对凹槽24的第二端处的第二枢轴点E，并且第二组相对凹槽26可以包括在第二组相对凹槽26的第一端处的第一枢轴点F和在第二组相对凹槽26的第二端处的第二枢轴点G。例如，第一组相对凹槽24可以包括第一弹簧，以用于仅当第一闩锁28上的负载超过负载门限时，才允许第一闩锁28在第一组相对凹槽24的第一和第二枢轴点D、E之间的平移，并且第二组相对凹槽26可以包括第二弹簧，以用于仅当第二闩锁29上的负载超过负载门限时，才允许第二闩锁29在第二组相对凹槽26的第一和第二枢轴点F、G之间的平移。例如，第一和第二组相对凹槽24、26的相应的第二枢轴点E、G可以相对于第一和第二组相对凹槽24、26的相应的第一枢轴点D、F定位，以用于当第一和第二闩锁28、29位于相应的第二枢轴点E、G处时，在冲击负载下放松相应的第一和第二闩锁28、29上的应力。

图2A示出了连接器20和存储卡21的分解图。图2B示出了被接收在闩锁28、29的相应的凹槽24、26内的闩锁28、29以及被完全安置在连接器壳体22内的存储卡21(例如，其中，闩锁28、29位于第一枢轴点D、F处)。在正常负载条件下，闩锁28、29可以绕第一枢轴点D、F枢转以保持存储卡21完全安置在连接器壳体22内。图2C示出了平移到第二枢轴点E、G的闩锁28、29，其中，存储卡21部分地安置在连接器壳体22内。在冲击负载下，凹槽24、26可以允许闩锁28、29平移到第二枢轴点E、G，以放松闩锁28、29上的应力，同时将存储卡21保持在连接器壳体22内。

现在转到图3A至图3C，用于电路板基板的连接器壳体30的实施例可以包括：第一壳体部分31，其包括用于接收电路板基板的细长槽32；第二壳体部分33，其在细长槽32的一端处机械地耦合到第一壳体部分31。第二壳体部分33可以包括用于接收闩锁的第一凹槽34，其中，第一凹槽34的纵向中心线A横向于细长槽32的纵向中心线B。连接器壳体30还可以包括第三壳体部分35，所述第三壳体部分35在细长槽32的端部处机械地耦合到第一壳体部分31并且与第二壳体部分33相对。第三壳体部分35可以包括第二凹槽36，以用于接收闩锁，其中，第二凹槽36的纵向中心线与第一凹槽34的纵向中心线A对齐，并且第二凹槽36与第一凹槽34直接相对。例如，第一和第二凹槽34、36的相应的纵向中心线A、C可以实质上垂直于细长槽32的纵向中心线B。

在一些实施例中，第一凹槽34包括在第一凹槽34的第一端处的第一枢轴点D以及在第一凹槽34的第二端处的第二枢轴点E，并且第二凹槽36包括在第二凹槽36的第一端处的第一枢轴点F和在第二凹槽36的第二端处的第二枢轴点G。例如，第一和第二凹槽34、36可以包括弹簧，以用于仅当闩锁上的负载超过负载门限时，才允许闩锁在第一和第二凹槽34、36的相应的第一(D，F)和第二(E，G)枢轴点之间的平移。例如，弹簧可以包括通过在第一和第二凹槽34、36中的一个或两个中形成收缩部而提供的弹簧机构。连接器壳体30的材料(例如，或闩锁中的配合销的材料)的弹性或弹力可以提供用于收缩部的弹簧弹力。在一些实施例中，第一和第二凹槽34、36的相应的第二枢轴点(E、G)相对于第一和第二凹槽34、36的相应的第一枢轴点(D、F)定位，以用于当闩锁位于相应的第二枢轴点(E、G)处时，在冲击负载下放松闩锁上的应力。在一些实施例中，电路板基板可以包括存储卡，例如DIMM。

在一些实施例中，连接器壳体30还可以包括在细长槽32的与第二和第三壳体部分33、35相对的另一端处机械地耦合到第一壳体部分31的第四壳体部分37。第四壳体部分37可以包括一组相对凹槽38a、38b以用于接收第二闩锁，其中，一组相对凹槽38a、38b的纵向中心线H横向于细长槽32的纵向中心线C，其中，一组相对凹槽38a、38b包括在一组相对凹槽38a、38b的第一端处的第一枢轴点J和在一组相对凹槽38a、38b的第二端处的第二枢轴点K，并且其中，一组相对凹槽38a、38b包括第二弹簧(例如，第二收缩部)，以用于仅当第二闩锁上的第二负载超过第二负载门限时，才允许第二闩锁在一组相对凹槽38a、38b的相应的第一和第二枢轴点J、K之间的平移。

现在转到图4至图6，连接器壳体40、50和60的附加实施例在连接器壳体40、50和60的相应端处包括第一和第二组相对凹槽(44和46、54和56、64和66)。连接器壳体40(图4)包括沙漏形凹槽44、46以形成弹簧机构，该弹簧机构在凹槽44、46的相应端处的相应枢轴点之间具有收缩部。连接器壳体50(图5)包括弯曲形状的凹槽54、56，以形成弹簧机构，该弹簧机构在凹槽54、56的相应端处的相应枢轴点之间具有收缩部。连接器壳体60(图6)包括杠铃形凹槽64、66，以形成弹簧机构，该弹簧机构在凹槽64、66的相应端处的相应枢轴点之间具有收缩部。考虑到本说明书和附图的益处，本领域技术人员将想到合适的弹簧机构的许多其他示例。本领域技术人员将进一步理解，在其他实施例中，销结构可以设置在连接器壳体上，而凹槽结构可设置在闩锁上。

现在转到图7A至图7C，适合与本文描述的连接器壳体一起使用的闩锁70的实施例可以包括一组相对的销72和74。销可以卡入连接器壳体的凹槽中并且可以具有足够的直径以保持定位在枢轴点处，除非以足够的负载作用于其上以将闩锁70和销72、74从一个枢轴点平移到另一枢轴点。例如，销72、74和/或凹槽的材料可以具有弹性或弹力，以在足够的力下将销72、74挤压在凹槽中的收缩部之间。

现在转到图8A至图8C，适合与本文描述的连接器壳体一起使用的另一闩锁80的实施例可以包括孔82，以用于接收杆(rod)或销(例如，未示出，但由金属、塑料或其他合适的材料制成)。销可以卡入连接器壳体的凹槽中并且可以具有足够的直径以保持定位在枢轴点处，除非足够的负载作用于其上以使闩锁80和销从一个枢轴点平移到另一枢轴点。例如，销和/或凹槽的材料可以具有弹性或弹力，以在足够的力下挤压在凹槽中的收缩部之间。

一些实施例可以有利地提供具有用于DIMM冲击失败缓解的放松机构的连接器闩锁设计。随着平台母板上的存储器容量的增加(例如，12个DIMM、24个DIMM、32个DIMM、48个DIMM等)以及DIMM散热器质量的增加(例如，DDR4 DIMM散热器质量为30克、40克、50克、60克等)，板级冲击测试可能会成为失败点(例如，实际测试失败或模拟测试失败)。在一个具有48个DIMM的示例中，与具有较少DIMM的平台相比，由于总DIMM质量，主板的挠曲(deflection)可能会显著更高。由于过度的板挠曲，增加的质量可能显著增加DIMM连接器冲击失败的风险。

在冲击下的常见DIMM连接器失败模式可以包括闩锁损坏。在用于DIMM闩锁的更坚固的设计的情况下，另一种常见的冲击失败模式是DIMM连接器焊点j引线从连接器壳体中拉出。这些故障模式中的二者都可能具有相同的根本原因即重DIMM质量。此外，在连接器计数和质量的增加的情况下，表面安装的DIMM连接器焊接点冲击失败风险将增加。在组件级别，由于热功率的增加，期望DIMM质量增加。在板级，由于需要增加的存储器容量，也期望DIMM的数量增加。针对DIMM连接器失败，冲击风险将继续增加，并且组件级的解决方案将是非常有益的。

一些实施例可以用包括弹簧机构的DIMM连接器闩锁设计来有利地缓解在冲击负载下的失败，所述弹簧机构允许DIMM闩锁在冲击负载下延伸并且允许DIMM在冲击负载之后重新安置回到DIMM连接器。一些实施例有利地允许更多的板弯曲并减少潜在的DIMM连接器损坏。一些实施例还可以避免在冲击测试之后更常见的DIMM弹出失败模式。例如，一些实施例可以包括布置在连接器主体、闩锁和电路板之间的协作结构，以允许电路板在重冲击下部分脱离，同时将电路板保持在连接器主体中，使得可以容易地完全重新安置电路板。

合适的协作结构的示例包括被配置为允许闩锁在冲击负载下平移的各种槽/突片(tab)结构、销/凹槽结构、杆/通道结构等中的任何一种。当电路板由于冲击负载而变得部分脱离时，闩锁和连接器主体上的应力可能显著降低(例如，与当电路板完全安置相比，在向闩锁和/或连接器主体传递较小应力的同时母板可能弯曲得更多)。有利地，一些实施例可以减少或消除在冲击负载下的DIMM连接器损坏，节省用于各种系统级冲击解决方案(例如，阻尼器等)的成本，并且可以不影响电路板或母板上的布线。

现在转到图9A至图9B，连接器壳体90的实施例可以包括杠铃形凹槽92，以用于接收插入/弹出闩锁94。当闩锁94处于安装位置时，当拉力超过冲击负载的设计门限时，凹槽92允许枢轴处的闩锁94从底侧(图9A)移动到顶侧(图9B)。在DIMM插入和弹出(例如，正常安装过程)期间，闩锁94将仅沿着底部枢轴点旋转而不垂直运动。垂直运动仅在高冲击负载下发生，这由于高的板挠曲而放松了对闩锁94、j引线和焊点的高应力。有利地，闩锁94是被捕获的(captive)，并且在放松运动之后不会掉落。因为放松运动是可见的，所以如果冲击负载将闩锁94向上拉，则闩锁94可以容易地被向下推回到其原始位置。

附加注释和示例：

示例1包括一种用于电路板的连接器壳体，包括：连接器主体，其用于接收所述电路板，以及放松机构，其机械地耦合到所述连接器主体，以放松所述连接器壳体上的应力，并且在超过负载门限的负载下保持所述电路板被接收在所述连接器主体中。

示例2包括示例1所述的连接器壳体，其中，所述放松机构包括：闩锁，其用于将所述电路板保持在所述连接器主体中，其中，所述闩锁用允许所述闩锁在超过所述负载门限的所述负载下平移的结构来机械地耦合到所述连接器主体。

示例3包括示例2所述的连接器壳体，其中，允许所述闩锁在超过所述负载门限的所述负载下平移的所述结构包括：凹槽，其设置在所述连接器主体和所述闩锁之一中，以允许所述闩锁在超过所述负载门限的所述负载下相对于所述连接器主体平移。

示例4包括示例3所述的连接器壳体，其中，所述凹槽包括：第一枢轴点，其用于当所述闩锁上的负载小于或等于所述负载门限时，保持所述电路板完全安置在所述连接器中，以及第二枢轴点，其用于当所述闩锁上的所述负载超过所述负载门限时保持所述电路板部分地安置在所述连接器主体中。

示例5包括示例4所述的连接器壳体，还包括：弹簧，其被配置为仅当所述闩锁上的所述负载超过所述负载门限时才允许所述闩锁从所述第一枢轴点到所述第二枢轴点的平移。

示例6包括示例3至5中的任一项所述的连接器壳体，其中，所述连接器主体包括用于接收所述电路板的槽。

示例7包括示例6所述的连接器壳体，其中，所述凹槽的纵向中心线实质上垂直于所述槽的纵向中心线。

示例8包括示例1至7中的任一项所述的连接器壳体，其中，所述电路板包括存储卡。

示例9包括示例1至8中的任一项所述的连接器壳体，其中，所述电路板包括双列直插式存储器模块。

示例10包括一种用于存储卡的连接器，包括：连接器壳体，其包括用于接收所述存储卡的细长槽，所述连接器壳体包括：在所述细长槽的第一端处的第一组相对凹槽，其中，所述第一组相对凹槽的纵向中心线横向于所述细长槽的纵向中心线，以及在所述细长槽的与所述第一端相对的第二端处的第二组相对凹槽，其中，所述第二组相对凹槽的纵向中心线横向于所述细长槽的纵向中心线，第一闩锁，其被接收在所述连接器壳体的所述第一组相对凹槽内，以及第二闩锁，其被接收在所述连接器壳体的所述第二组相对凹槽内。

示例11包括示例10所述的连接器，其中，所述第一组相对凹槽包括在所述第一组相对凹槽的第一端处的第一枢轴点以及在所述第一组相对凹槽的第二端处的第二枢轴点，并且所述第二组相对凹槽包括在所述第二组相对凹槽的第一端处的第一枢轴点和在所述第二组相对凹槽的第二端处的第二枢轴点。

示例12包括示例11所述的连接器，其中，所述第一组相对凹槽包括第一弹簧，所述第一弹簧用于仅当所述第一闩锁上的负载超过负载门限时才允许所述第一闩锁在所述第一组相对凹槽的所述第一枢轴点和所述第二枢轴点之间的平移，并且所述第二组相对凹槽包括第二弹簧，所述第二弹簧用于仅当所述第二闩锁上的负载超过所述负载门限时，才允许所述第二闩锁在所述第二组相对凹槽的所述第一枢轴点和所述第二枢轴点之间的平移。

示例13包括示例11至12中任一项所述的连接器，其中，所述第一组相对凹槽和所述第二组相对凹槽的相应的第二枢轴点相对于所述第一组相对凹槽和所述第二组相对凹槽的相应的第一枢轴点定位，以用于当所述第一闩锁和所述第二闩锁位于所述相应的第二枢轴点时，在冲击负载下放松相应的第一闩锁和第二闩锁上的应力。

示例14包括示例10至13中任一项所述的连接器，其中，所述第一组相对凹槽和所述第二组相对凹槽的相应的纵向中心线实质上垂直于所述细长槽的纵向中心线。

示例15包括示例10至14中任一项所述的连接器，其中，所述存储卡包括双列直插式存储器模块。

示例16包括一种用于电路板基板的连接器壳体，包括：第一壳体部分，其包括用于接收电路板基板的细长槽，第二壳体部分，其在所述细长槽的一端处机械地耦合到所述第一壳体部分，所述第二壳体部分包括用于接收闩锁的第一凹槽，其中，所述第一凹槽的纵向中心线横向于所述细长槽的纵向中心线，以及第三壳体部分，其在所述细长槽的一端处机械地耦合到所述第一壳体部分并且与所述第二壳体部分相对，所述第三壳体部分包括用于接收所述闩锁的第二凹槽，其中，所述第二凹槽的纵向中心线与所述第一凹槽的纵向中心线对齐，并且所述第二凹槽与所述第一凹槽直接相对。

示例17包括示例16所述的连接器壳体，其中，所述第一凹槽包括在所述第一凹槽的第一端处的第一枢轴点以及在所述第一凹槽的第二端处的第二枢轴点，并且所述第二凹槽包括在所述第二凹槽的第一端处的第一枢轴点和在所述第二凹槽的第二端处的第二枢轴点。

示例18包括示例17所述的连接器壳体，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽包括弹簧，所述弹簧用于仅当所述闩锁上的负载超过负载门限时才允许所述闩锁在所述第一凹槽和所述第二凹槽的相应的第一枢轴点和第二枢轴点之间的平移。

示例19包括示例17至示例18中任一项所述的连接器壳体，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的相应的第二枢轴点相对于所述第一凹槽和所述第二凹槽的相应的第一枢轴点定位，以用于当所述闩锁位于所述相应的第二枢轴点时，在冲击负载下放松所述闩锁上的应力。

示例20包括示例16至示例19中任一项所述的连接器壳体，其中，所述第一凹槽和所述第二凹槽的相应的纵向中心线实质上垂直于所述细长槽的纵向中心线。

示例21包括示例16至示例20中任一项所述的连接器壳体，其中，所述电路板基板包括存储卡。

示例22包括示例16至示例21中任一项所述的连接器壳体，其中，所述电路板基板包括双列直插式存储器模块。

示例23包括示例16至示例22中任一项所述的连接器壳体，还包括在细长槽的与第二和第三壳体部分相对的另一端处机械地耦合到第一壳体部分的第四壳体部分，第四壳体部分包括用于接收第二闩锁的一组相对凹槽，其中，一组相对凹槽的纵向中心线横向于细长槽的纵向中心线，其中，一组相对凹槽包括在一组相对凹槽的第一端处的第一枢轴点和在一组相对凹槽的第二端处的第二枢轴点，并且其中，一组相对凹槽包括第二弹簧，所述第二弹簧用于仅当第二闩锁上的第二负载超过第二负载门限时才允许第二闩锁在一组相对凹槽的相应的第一枢轴点和第二枢轴点之间的平移。

示例24包括一种用于电路板基板的连接器，包括：用于接收电路板基板的槽单元，用于将电路板基板保持在槽单元中的闩锁单元，放松单元，其用于在闩锁单元上的冲击负载期间放松闩锁单元上的应力，同时保持电路板基板。

示例25包括示例24所述的连接器，其中，放松单元包括用于允许闩锁单元在冲击负载期间平移的凹槽单元。

示例26包括示例25所述的连接器，其中，凹槽单元包括：第一枢轴单元，其用于当闩锁单元上的负载小于或等于负载门限时将电路板保持在插槽单元中，以及第二枢轴单元，其用于当闩锁单元上的负载超过负载门限时保持电路板。

示例27包括示例25至26中任一项所述的连接器，还包括：弹簧单元，其用于仅当闩锁单元上的负载超过负载门限时才允许闩锁单元平移。

示例28包括示例25至27中任一项所述的连接器，其中，凹槽单元的相应的纵向中心线实质上垂直于槽单元的纵向中心线。

示例29包括示例24至28中任一项所述的连接器，其中，电路板基板包括存储卡。

示例30包括示例24至29中任一项所述的连接器，其中，电路板基板包括双列直插式存储器模块。

实施例适用于与所有类型的半导体集成电路(“IC”)芯片一起使用。这些IC芯片的示例包括但不限于处理器、控制器、芯片组组件、可编程逻辑阵列(PLA)、存储器芯片、网络芯片、片上系统(SoC)、SSD/NAND控制器ASIC等。另外，在一些附图中，信号导体线用线表示。一些可能不同，以指示更多的组分信号路径，具有数字标签，以指示多个组分信号路径，和/或在一个或多个端部具有箭头，以指示主要信息流的方向。然而，这不应以限制的方式来解释。而是，可以将这种增加的细节与一个或多个示例性实施例结合使用，以促进对电路的更容易的理解。任何表示的信号线，无论是否具有附加信息，实际上都可以包括一个或多个可以在多个方向上传播的信号，并且可以用任何合适类型的信号方案来实现，例如用差分对、光纤线和/或单端线来实现的数字或模拟线。

可以给出示例性尺寸/模型/值/范围，但实施例不限于此。随着制造技术(例如，光刻法)随着时间的推移而成熟，期望可以制造更小尺寸的器件。另外，为了简化说明和讨论，并且为了不模糊实施例的某些方面，在图内可以或可以不示出到IC芯片和其他组件的公知的电源/接地连接。此外，为避免模糊实施例并且还鉴于以下事实而可以以框图形式示出布置：关于这种框图布置的实施方式的细节高度取决于要在其内实现该实施例的平台(即，这样的细节应完全在本领域技术人员的能力范围内)。在阐述具体细节(例如，电路)以便描述示例性实施例的情况下，对于本领域技术人员应当显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或在这些具体细节的变型的情况下实践实施例。因此，该描述应被认为是说明性的而不是限制性的。

术语“耦合”在本文中可以用来指所讨论的组件之间的任何类型的直接或间接的关系，并且可以应用于电气、机械、流体、光学、电磁、机电或其他连接。另外，术语“第一”、“第二”等在本文中仅用于促进讨论，并且除非另有指示，否则不具有特定的时间或时间顺序的意义。

如在本申请和权利要求书中使用的，由术语“……中的一个或多个”连接的项目列表可以意指所列术语的任何组合。例如，短语“A、B和C中的一个或多个”和短语“A、B或C中的一个或多个”二者都可以意指A；B；C；A和B；A和C；B和C；或A、B和C。

本领域技术人员将从以上描述中意识到，可以以各种形式来实现实施例的广泛技术。因此，尽管已经结合实施例的特定示例描述了实施例，但是实施例的真实范围不应受到如此限制，这是因为在研究附图、说明书和所附权利要求书之后，其他修改对于本领域技术人员而言将变得显而易见。