用于传输电缆的绕包结构的复合层
阅读说明：本技术 用于传输电缆的绕包结构的复合层 (Composite layer of wrapping structure for transmission cable ) 是由 李政 于 2021-01-22 设计创作，主要内容包括：本发明提出一种用于传输电缆的复合层,其包覆该传输电缆的一导体并包括一内绕包层以及一绕包层。该绕包层通过一胶合材料贴合于该内绕包层。该内绕包层用于降低介电常数,该绕包层用于增加该传输电缆的抗弯折强度。(The invention provides a composite layer for a transmission cable, which coats a conductor of the transmission cable and comprises an inner wrapping layer and a wrapping layer. The wrapping layer is attached to the inner wrapping layer through a gluing material. This interior is used for reducing the dielectric constant around the covering, should be used for increasing this transmission cable's bending strength around the covering.)
技术领域
本发明是关于一种电缆结构，尤其是关于用于高速/高频传输的电缆绕包结构。
背景技术
在现今电缆的制作过程中，导体上会直接压出一绝缘层来达到保护并绝缘的效果，如图1所示，传输电缆1中的导体10上覆盖了绝缘层11。然而，绝缘层的介电常数对于高频/高速传输的效能有很大的影响，因此通常会使用发泡材料来降低介电常数，但发泡材料在制程中不易达到分布及良率的标准，且使用发泡材料所制作的外径也相对较大，限制了机构上尺寸的选择。
因此，使用绕包制程改善上述问题，绕包制程所制作的电缆在高频/高速下的传输耗损比发泡制程的电缆低，但是绕包电缆的抗弯曲、抗张强度及伸长率等机械性质不足，容易在理线及制程过程中被弯曲而导致线心断裂，使得良率降低。
因此，需要提出一种能提升抗弯曲、抗张强度及伸长率的电缆结构。
发明内容
为解决上述问题，依据本发明一实施例，提出了一种用于传输电缆的复合层，其包覆该传输电缆的一导体并包括一内绕包层以及一绕包层。该绕包层通过一胶合材料贴合于该内绕包层。该内绕包层用于降低介电常数，该绕包层用于增加该传输电缆的抗弯折强度。
在该实施例中，该导体可由多股绞合而成。
在该实施例中，该导体可由金属或合金所组成。
在该实施例中，该内绕包层可由发泡材料形成。
在该实施例中，该绕包层可由绝缘材料所组成。
在该实施例中，该内绕包层可卷包该导体以进行包覆。
在该实施例中，该绕包层可通过卷包来包围在该内绕包层外。
依据本发明的另一实施例，提出了一种传输电缆，其包含一导体以及一复合层。该复合层包覆该导体，并包含一内绕包层以及一绕包层。该绕包层通过一胶合材料贴合于该内绕包层。该内绕包层用于降低介电常数，该绕包层用于增加该传输电缆的抗弯折强度。
本发明提出的传输电缆，通过在绕包前在导体上先包覆内绕包层来降低介电常数，另外，藉由此内绕包层可使绕包更紧密来提升绝缘与抗干扰效果，如此一来，可以改善现有技术的绕包状况下的电性不稳定，同时可以提升机械强度。
熟悉本领域的技术人员将理解，可以透过本发明所公开实现的效果不限于上文具体描述的内容，并且从以上结合附图的详细描述中将更清楚地理解本发明的优点。
附图说明
图1是使用现有绕包技术所制作的传输电缆示例。
图2是根据本发明一实施例的传输电缆示例。
图3A是根据本发明另一实施例的传输电缆示例。
图3B是图3A的传输电缆中的部分结构示例。
图4是以图3A实施例为基础的传输电缆示例。
图5是根据本发明一实施例的时域反射测量曲线图。
图6是根据本发明一实施例的馈入损失测量曲线图。
附图标记说明
1、2、2’:传输电缆
10:导体
11:绝缘层
12、121～123:绕包层
13:内绕包层
14:复合层
15:胶合材料
具体实施方式
请参照图2、图3A与3B，图2是根据本发明一实施例的传输电缆示例。该传输电缆2由内而外依序包括：导体10、内绕包层13、及绕包层12。图3A是根据本发明另一实施例的传输电缆2’的示例，图3B是图3A的传输电缆中的部分结构示例。如图3B所示，本实施例不同于图2的实施例在于，该绕包层12通过一胶合材料15贴合于该内绕包层13以形成一复合层14，这样一来可只通过一次该复合层14的绕包程序即可将该绕包层12与该内绕包层13绕包于该导体10，达到双层保护效果。需要注意的是，在此实施例中，该绕包层12与该内绕包层13个别皆由至少两层高分子聚合物通过该胶合材料15所组成。
请参照图4，图4是以图3A实施例为基础的传输电缆示例。如图4所示，将两个图3A结构的电缆与一导体10使用绕包层121、122与123进行包覆形成一传输电缆。绕包层121主要是由上述绕包层12的材料组成并通过胶合材料15覆盖于该复合层14。相似地，绕包层122是由上述绕包层12的材料组成并通过胶合材料15覆盖于该绕包层121，且绕包层123是由上述绕包层12的材料组成并通过胶合材料15覆盖于该绕包层122。需要注意的是，较佳地，该绕包层121如该绕包层12与该内绕包层13，也是由至少两层高分子聚合物通过该胶合材料15所组成。另外，在本发明较佳实施例中，该复合层14中包含的该内绕包层13具有厚度为0.012～0.024mm，由上述的聚醚亚胺(即PI或Kapton)材质制成，该复合层14中也包含厚度0.01～0.02mm的胶合材料15，而该绕包层12厚度为0.15mm，由发泡度65％～77％的聚四氟乙稀制成(发泡前介电常数为2.1，发泡后为1.25～1.39)，该复合层14在绕包过程中是使用0.1～0.5m/min的抽线速率以及32％到37％之间的包带重迭率制作。上述材质、厚度、抽线速率与包带重迭率只是较佳的举例，并非用于限制本发明。
如此一来，通过本发明的复合层，像是前述的PTFE材质的复合层，相较于使用双PTFE层的先前技术，能达到较高的真圆度、较高的阻抗与较低的馈入损失。在此相比较的先前技术是使用双PTFE层，由发泡度65％的聚四氟乙稀制成，但是在绕包过程中是使用0.3m/min的抽线速率以及50％的包带重迭率制作。较佳地，本发明实施例可达到高于93％的真圆度，而先前技术只能达到80～85％的真圆度，同时达到105奥姆的差模阻抗，高于先前技术的99奥姆，以及具有低于先前技术的馈入损失(Insertion loss,I/L)，较佳地，本发明实施例能达到的馈入损失值是-2.97dB，先前技术是-3.4dB。
请参照图5，图5是根据本发明一实施例的时域反射测量曲线图。如图5所示，通过使用上述较佳数值制作的传输电缆，进行时域反射(Time domain reflectometry,TDR)所得到的数值曲线，其中包含m1(0.8045,104.7784)与m2(1.5914,105.9300)两点，能落在100～110ohm的差异阻抗区间内，而先前技术只能在100ohm以下。
请参照图6，图6是根据本发明一实施例的馈入损失(Insertion loss,IL)测量曲线图。如图6所示，通过使用上述较佳数值制作的传输电缆，其数值为虚线曲线，相较于实线的馈入损失临界值曲线，本发明实施例的部分曲线数值能达到临界值以下，而先前技术则都超过临界值。
本发明提出的传输电缆，通过在绕包前在导体上先包覆内绕包层来增加抗弯折强度，另外，藉由此内绕包层的交错缠绕方式，可使绕包更紧密、提升耐扭转拉伸的程度，并提升绝缘与抗干扰效果，如此一来，可以改善现有技术的绕包状况下的电性不稳定，同时可以提升机械强度、改善真圆度、提升阻抗以及减少馈入损失。
对于熟悉本领域的技术人员显而易见的是，在不脱离本发明的精神的情况下，本发明可以以其他特定形式实施。因此，以上描述不应在所有方面都被解释为限制意义，而应被解释为说明性的。
本发明的范围应当透过对所附申请专利范围的合理解释来确定，并且在本发明的等同物的范围内的所有改变都包含在本发明的范围内。
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