具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式进行详细说明。在说明中，对具有同一要素或同一功能的要素，标注相同的附图标记，并省略重复说明。

参照图1～图3，对实施方式所涉及的线圈部件1的结构进行说明。如图1所示，线圈部件1具备呈长方体形状的素体10，设置于素体10的内部的线圈20，以及设置于素体10的两个端面上的一对外部端子电极30而构成。作为一例，以长边2.5mm，短边2.0mm，高0.8～1.2mm的尺寸设计线圈部件1。

素体10由含金属磁性粉的树脂构成。含金属磁性粉的树脂是金属磁性粉体通过粘合剂树脂而粘结的粘结粉体。构成素体10的含金属磁性粉的树脂的介电常数例如是150.0～300.0(例如，195.0)。含金属磁性粉的树脂的金属磁性粉例如由铁-镍合金(坡莫合金)、羰基铁、无定形或非晶质或晶质的FeSiCr系合金、铁硅铝(sendust)等构成。粘合剂树脂例如是热固性环氧树脂。在本实施方式中，粘结粉体中的金属磁性粉体的含量以体积百分比计为80～92vol％，以质量百分比计为95～99wt％。从磁特性的观点来看，粘结粉体中的金属磁性粉体的含量以体积百分比计也可以为85～92vol％，以质量百分比计也可以为97～99wt％。含金属磁性粉的树脂的磁性粉可以是具有一种平均粒径的粉体，也可以是具有多种平均粒径的混合粉体。

如图2和3所示，线圈20是具有由上层21和下层22构成的两层结构的空心线圈。更具体地，线圈20具有扁平线23被α卷绕的结构，并且在上层21和下层22卷绕于线圈轴X周围。扁平线23通过含有绝缘覆膜24和导线26而构成，并且具有扁平状的导线26的表面整体被绝缘覆膜24覆盖的结构。扁平线23的两个端部27从线圈20的同侧的侧面分别向素体10的两个端面延伸。扁平线23的尺寸例如厚度T是100～400μm(例如，250μm)，宽度W是20～250μm(例如，100μm)。

绝缘覆膜24例如由聚酰亚胺树脂、环氧树脂、酚醛树脂、丙烯酸树脂等具有绝缘性的树脂构成。绝缘覆膜24的相对介电常数例如是3.0～5.0(例如，3.8)。在卷绕导线26之前，绝缘覆膜24被涂覆于除构成扁平线23的端部的导线26的端部之外的表面整体。绝缘覆膜24例如可以通过将导线26浸入液状的树脂的槽中等方法来形成。并且，在扁平线23的端部27，为获得与外部端子电极30的导通，未形成绝缘覆膜24。

一对外部端子电极30与露出于素体10的各端面的扁平线23的两个端部27分别连接。

在此，将参照图4和图5描述扁平线23的绝缘覆膜24的厚度。图4示出上层21的扁平线23的截面。图5示出上层21的扁平线23和下层22的扁平线23重叠的区域的截面。

如图4所示，上层21的导线26具有：作为相对于线圈轴X平行的表面的侧面26a、作为与下层22的导线26相对的表面的相对面26b、以及作为位于与相对面26b相反侧的表面的非相对面26c。与上层21的导线26相同，下层22的导线26也具有：相对于线圈轴X平行的侧面26a、与上层21的导线26相对的相对面26b、以及位于与相对面26b相反侧的非相对面26c。

在本实施方式中，在上层21和下层22，覆盖导线26的侧面26a的部分的绝缘覆膜24的厚度d1例如是1～10μm，覆盖导线26的非相对面26c的部分的绝缘覆膜24的厚度d2例如是1～10μm。绝缘覆膜24的厚度d1和d2可以相同，也可以不同。例如，也可以是绝缘覆膜24的厚度d2比厚度d1厚的方式。

在图4所示的截面中，相邻导线26之间的绝缘覆膜24的厚度D1也可以是厚度d1的2倍的厚度。通过相邻导线26之间产生的压缩应力，绝缘覆膜24的厚度D1也可以比厚度d1的2倍的厚度薄。

如图5所示，上层21的导线26的相对面26b和下层22的导线26的相对面26b彼此相对，并且在彼此相对的相对面26b之间夹着绝缘覆膜24。彼此相对的相对面26b之间的上下方向上的间隔距离G规定覆盖导线26的相对面26b的部分的绝缘覆膜24的厚度。在线圈20中，以间隔距离G比覆盖导线26的侧面26a的部分的绝缘覆膜24的厚度d1的2倍更长的方式(即，G>2d)来进行设计。在本实施方式中，间隔距离G例如是25～80μm。

在线圈部件1中，由于在上下方向上排列的上层21的导线26和下层22的导线26之间的电位差，可能在两者之间产生寄生电容。但是，在线圈部件1中，以比覆盖导线26的侧面26a的部分的绝缘覆膜24的厚度d1的2倍更长的方式来设计上层21的导线26和下层22的导线26之间的间隔距离G，并且确保足够长的距离，因此谋求到降低上述寄生电容。

如图6所示，在线圈部件1中，可以设置夹在线圈20的上层21与下层22之间的间隔物40。间隔物40以相对于线圈轴X正交的方式延伸。间隔物40也可以是介于线圈20的上层21和下层22之间的膜状部件，在这种情况下，间隔物40可以由粘接剂等绝缘材料、金属粉等导体材料、含金属磁性粉的树脂等磁性体材料构成。另外，间隔物40也可以是耗尽层。

间隔物40的厚度D越厚，上层21的导线26与下层22的扁平线之间的间隔距离G越长，进一步降低上述寄生电容。可以以比覆盖导线26的侧面26a的部分的绝缘覆膜24的厚度d1更厚的方式(d3>d1)来设计覆盖导线26的相对面26b的部分的绝缘覆膜24的厚度d3。在这种情况下，即使在间隔物40的介电常数较高的情况下，也可以充分降低寄生电容。

并且，本公开不限于上述实施方式，可以采取各种方式。例如，上层21的导线26和下层22的导线26也可以不以在上下方向完全重叠的方式对准，也可以位置偏离。