阅读说明：本技术 一种半导体支撑板材料加工方法 (Semiconductor support plate material processing method ) 是由 陈桂琴 郑建民 于 2019-12-19 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种半导体支撑板材料加工方法,将高抗冲击聚苯乙烯HIPS粉、石粉、辅助剂按照一定比例混合形成改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS；将高抗冲击聚苯乙烯HIPS70份,改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS20份和通用聚苯乙烯GPPS10份,混合并搅拌均匀备用；通过下料机下料,进行加热挤塑；将挤塑成型的板材进行冷却定型；通过刨床对定型的板体进行加工拉槽；通过石粉的加入,增加了板材的脆性,在对其支撑的半导体或太阳能多晶硅进行切割时,不易粘住切割钢线,减少钢线磨损；将高抗冲击聚苯乙烯HIPS、改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS和通用聚苯乙烯GPPS按一定比例混,增加了产品的支撑强度,可以将产品生产成空心或半空心结构,减少其生产成本,且生产该板材的原料可回收利用。(The invention discloses a processing method of a semiconductor support plate material, which comprises the steps of mixing high impact polystyrene HIPS powder, stone powder and an auxiliary agent according to a certain proportion to form modified high impact polystyrene HIPS; 70 parts of high impact polystyrene HIPS, 20 parts of modified high impact polystyrene HIPS and 10 parts of general polystyrene GPPS are mixed and stirred uniformly for later use; blanking through a blanking machine, and heating and extruding; cooling and shaping the extruded sheet; processing a drawing groove on the shaped plate body through a planer; due to the addition of the stone powder, the brittleness of the plate is increased, and a cutting steel wire is not easily stuck when a semiconductor or solar polycrystalline silicon supported by the plate is cut, so that the abrasion of the steel wire is reduced; the high impact polystyrene HIPS, the modified high impact polystyrene HIPS and the general polystyrene GPPS are mixed according to a certain proportion, so that the support strength of the product is increased, the product can be produced into a hollow or semi-hollow structure, the production cost is reduced, and the raw materials for producing the plate can be recycled.)

一种半导体支撑板材料加工方法

技术领域

本发明涉及半导体支撑板加工领域，具体公开了一种半导体支撑板材料加工方法。

背景技术

目前，半导体或者多晶硅进行加工时，需要支撑板进行支撑，支撑板为耗材，用量大，且传统的支撑板为塑料材质，由于其粘性较大，切割时切割刀具与支撑板有较大面积的接触，易损伤刀具，且耗费材料。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种半导体支撑板材料加工方法。

本发明采用的技术方案是：一种半导体支撑板材料加工方法，具体步骤为：1）制作改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS，将高抗冲击聚苯乙烯HIPS粉、石粉、辅助剂按照一定比例混合形成改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS；2）配料，将高抗冲击聚苯乙烯HIPS70份，改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS20份和通用聚苯乙烯GPPS10份，混合并搅拌均匀备用；

3）通过下料机下料，进行加热挤塑；

4）将挤塑成型的板材进行冷却定型；

5）通过刨床对定型的板体进行加工拉槽。

进一步的，高抗冲击聚苯乙烯HIPS粉、石粉、辅助剂的比例为40~60:20~35:5~25。

进一步的，步骤3）中，加热挤塑时的加热温度由入料口到出料口逐步升高；

进一步的，步骤3）中，加热挤塑的温度为190~200度。

进一步的，当加工的板材用于太阳能多晶硅切割时，对拉槽后的板材进行水磨加工。

进一步的，生产的用于支撑半导体的板材的硬度为90。

进一步的，生产的用于支撑太阳能多晶硅的板材的硬度为75~80。

本发明的有益效果是：通过石粉的加入，增加了板材的脆性，在对其支撑的半导体或太阳能多晶硅进行切割时，不易粘住切割钢线，减少钢线磨损；将高抗冲击聚苯乙烯HIPS、改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS和通用聚苯乙烯GPPS按一定比例混，增加了产品的支撑强度，可以将产品生产成空心或半空心结构，减少其生产成本，且生产该板材的原料可回收利用。

具体实施方式

一种半导体支撑板材料加工方法，具体步骤为：1）制作改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS，将高抗冲击聚苯乙烯HIPS粉、石粉、辅助剂按照40~60:20~35:5~25的比例混合形成改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS；

2）配料，将高抗冲击聚苯乙烯HIPS70份，改性高抗冲击聚苯乙烯HIPS20份和通用聚苯乙烯GPPS10份，混合并搅拌均匀备用；

3）通过下料机下料，进行加热挤塑，加热温度由入料口到出料口逐步升高；温度为190~200度；

4）将挤塑成型的板材进行冷却定型；

6）通过刨床对定型的板体进行加工拉槽；

7）当加工的板材用于太阳能多晶硅切割时，对拉槽后的板材进行水磨加工；

8）生产的用于支撑半导体的板材的硬度为90；生产的用于支撑太阳能多晶硅的板材的硬度为75~80。