阅读说明：本技术 高功率宽频带照明源 (High-power wide-band illumination source ) 是由 O·可哈达金 I·贝泽尔 于 2018-07-23 设计创作，主要内容包括：本发明揭示一种用于产生宽频带辐射的系统。所述系统包含目标材料源,其经配置以将液态或固态目标材料中的一或多者输送到腔室的等离子体形成区域。所述系统进一步包含泵源,其经配置以产生泵辐射来激发所述腔室的所述等离子体形成区域中的所述目标材料产生宽频带辐射。所述系统经进一步配置以通过无窗孔隙将所述腔室的所述等离子体形成区域中所产生的所述宽频带辐射的至少一部分传输出所述腔室。(A system for generating broadband radiation is disclosed. The system includes a target material source configured to deliver one or more of a liquid or solid target material to a plasma formation region of a chamber. The system further includes a pump source configured to generate pump radiation to excite the target material in the plasma formation region of the chamber to generate broadband radiation. The system is further configured to transmit at least a portion of the broadband radiation generated in the plasma formation region of the chamber out of the chamber through a windowless aperture.)

高功率宽频带照明源

相关申请案的交叉参考

本申请案主张名叫奥莱格·柯迪金(Oleg Khodykin)及伊利亚·贝兹尔(IlyaBezel)的发明者在2017年7月25日申请的名称为“高功率高亮度真空紫外线和深紫外线宽频带连续波和调制源及其产生方法(HIGH POWER HIGH BRIGHTNESS VUV AND DUVBROADBAND CW AND MODULATED SOURCE AND METHOD OF PRODUCING THEREOF)”的美国临时申请案第62/536,914号的优先权，所述案的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明大体上涉及基于等离子体的辐射源，且更特定来说，本发明涉及包含近大气压处所产生的等离子体的激光维持等离子体(LSP)宽频带辐射源。

背景技术

随着对具有越来越小装置特征的集成电路的需求不断增加，用于检验这些不断缩小装置的改进照明源的需求也不断增长。一个此照明源包含激光维持等离子体(LSP)辐射源。激光维持等离子体光源能够产生高功率宽频带光。激光维持等离子体光源通过将激光辐射聚焦到气体容积中以将例如氩气或氙气的气体激发成能够发光的等离子体状态来操作。此效应通常指称“泵抽”等离子体。在当前应用中，需要相对较高密度的等离子体且通过对目标气体提供高压(30atm到200atm)来实现相对较高密度的等离子体。

LSP辐射源中的透射元件归因于容置等离子体的腔室内的目标气体而经历高压及高温。通常由例如氟化钙、氟化镁或氟化锂的材料制成的透射窗也透射由等离子体产生的低于190nm的辐射。高压、高温及低于190nm辐射的组合使用于LSP辐射源中的透射光学器件的寿命变得非常短。

因此，期望提供一种弥补上述方法的一或多个不足的系统及方法。

发明内容

根据本发明的一或多个实施例，揭示一种设备。在一个实施例中，所述设备包含腔室。在另一实施例中，所述腔室经配置以容纳一定量的缓冲气体。在另一实施例中，所述设备包含定位在所述腔室的第一侧上的目标材料源。在另一实施例中，所述设备包含碎屑收集器。在另一实施例中，所述设备包含定位于所述腔室的与所述目标材料源相对的第二侧上的碎屑收集器。在另一实施例中，所述目标材料源经配置以将目标材料流输送通过所述腔室的等离子体形成区域。在另一实施例中，所述碎屑收集器经配置以收集目标材料。在另一实施例中，所述设备包含泵源。在另一实施例中，所述设备包含经配置以将泵辐射输送到所述腔室的所述等离子体形成区域的泵源。在另一实施例中，来自所述泵源的所述泵辐射足以经由通过激发所述腔室的所述等离子体形成区域内的所述目标材料形成等离子体来产生宽频带辐射。在另一实施例中，所述设备包含一或多个聚焦光学元件。在另一实施例中，所述一或多个聚焦光学元件经配置以将所述泵辐射聚焦到所述等离子体形成区域中。在另一实施例中，所述设备包含一或多个反射收集光学元件。在另一实施例中，所述一或多个反射收集光学元件经配置以从所述等离子体收集所述宽频带辐射的一部分且通过所述腔室的壁中的孔隙将所述宽频带辐射的所述部分输送到所述腔室外的一或多个光学元件。

根据本发明的一或多个实施例，揭示一种系统。在一个实施例中，所述系统包含宽频带源。在另一实施例中，所述宽频带源包含经配置以容纳一定量的惰性气体的腔室。在另一实施例中，所述宽频带源包含定位于所述腔室的第一侧上的目标材料源。在另一实施例中，所述宽频带源包含定位于所述腔室的与所述目标材料源相对的第二侧上的碎屑收集器。在另一实施例中，所述目标材料源经配置以将目标材料流输送通过所述腔室的等离子体形成区域。在另一实施例中，所述碎屑收集器经配置以收集目标材料。在另一实施例中，所述宽频带源包含泵源。在另一实施例中，所述泵源经配置以将泵辐射输送到所述腔室的所述等离子体形成区域。在另一实施例中，来自所述泵源的所述泵辐射足以经由通过激发所述腔室的所述等离子体形成区域内的所述目标材料形成等离子体来产生宽频带辐射。在另一实施例中，所述宽频带源包含一或多个聚焦光学元件。在另一实施例中，所述一或多个聚焦光学元件经配置以将所述泵辐射聚焦到所述等离子体形成区域中。在另一实施例中，所述宽频带源包含一或多个反射收集光学元件。在另一实施例中，所述一或多个反射收集光学元件经配置以从所述等离子体收集所述宽频带辐射的一部分且通过所述腔室的壁中的孔隙将所述宽频带辐射的所述部分输送到所述腔室外的一或多个光学元件。在另一实施例中，所述宽频带源包含一组照明器光学器件。在另一实施例中，所述照明器光学器件组经配置以将所述宽频带辐射从所述一或多个反射收集光学器件引导到一或多个样品。在另一实施例中，所述宽频带源包含检测器。在另一实施例中，所述宽频带源包含一组投射光学器件。在另一实施例中，所述投射光学器件组经配置以从所述一或多个样品的表面接收照明且将所述照明从所述一或多个样品导引到所述检测器。

根据本发明的一或多个实施例，揭示一种方法。在一个实施例中，所述方法包含：将目标材料流输送通过气体腔室的等离子体形成区域。在另一实施例中，所述方法包含：从所述等离子体形成区域收集碎屑。在另一实施例中，所述方法包含：产生泵辐射。在另一实施例中，所述方法包含：将所述泵辐射聚焦到所述腔室的所述等离子体形成区域中以经由通过激发所述腔室的所述等离子体形成区域内的所述目标材料形成等离子体来产生宽频带辐射。在另一实施例中，所述方法包含：从所述等离子体收集所述宽频带辐射的一部分且通过所述腔室的壁中的无窗孔隙将所述宽频带辐射的所述部分输送到所述腔室外的一或多个光学元件。

附图说明

所属领域的技术人员可通过参考附图而更好理解本发明的多个优点，其中：

图1说明根据本发明的一或多个实施例的激光维持等离子体(LSP)宽频带辐射源的简化示意图；

图2A说明根据本发明的一或多个实施例的包含低NA泵及高NA收集的泵及收集配置；

图2B说明根据本发明的一或多个实施例的包含高NA泵及低NA收集的泵及收集配置；

图3说明根据本发明的一或多个实施例的实施LSP辐射源的光学特性化系统的简化示意图；及

图4说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于产生宽频带辐射的方法的流程图。

具体实施方式

已相对于特定实施例及其特定特征来特别展示及描述本发明。本文所阐述的实施例被视为意在说明而非限制。所属领域的技术人员应该容易明白，可在不脱离本发明的精神及范围的情况下对形式及细节作出各种改变及修改。

本发明大体上涉及一种激光维持等离子体(LSP)辐射源。LSP包含提供呈非气体形式的一或多个目标材料(例如氩、氙、氖或氦)用于激光激发的材料源。例如，LSP可提供呈至少液体、固体或液体及固体的组合的形式的目标材料。例如，由材料源提供的目标材料可由射流、流、浆、雾、喷雾、液滴、珠、细粒、粒子或另一其它非气体形式的材料中的一或多者提供。由LSP产生的等离子体发射由反射收集光学器件通过无窗孔隙引导出LSP的宽频带辐射。本文中应注意，本发明的优点是利用无需透射窗的反射光学器件。本文中应注意，本发明的另一优点是输送呈固体、液体或固体及液体的组合的高密度目标材料不需要高压气体腔室。

现在将详细参考在附图中说明的所揭示的标的物。

大体上参考图1到5，描述根据本发明的一或多个实施例的用于产生改进激光维持等离子体(LSP)辐射源的系统及方法。本发明的实施例是针对输送呈液体射流、液滴、冻结射流、冻结液滴、浆、流或这些目标材料形式的组合的形式的目标材料。本发明的额外实施例是针对直径为10微米到2000微米的液体射流及/或速度为约10m/s到约300m/s的液滴。本发明的额外实施例是针对在大气压或近大气压(例如0.1atm到2atm)处输送目标材料。本发明的额外实施例利用反射收集光学器件来自LSP辐射源通过无窗孔隙传输宽频带辐射。本文中应注意，腔室内的目标材料的增强快速流动可促进稳定等离子体116产生。本发明的额外实施例使用高数值孔径(NA)(例如约πsrad)宽频带反射光学器件来收集例如(但不限于)VUV及/或DUV辐射的宽频带辐射。本文中应进一步注意，为使LSP辐射源在DUV及/或VUV中具有显著亮度，需要相对较高密度的等离子体。例如，LSP辐射源的密度应是足够高的以吸收泵激光束且也是足够密集的以在DUV及/或VUV及其它光谱区域中提供足够发射率。本发明的实施例使高密度工作气体以液体或固体射流的形式输送到等离子体。

图1说明根据本发明的一或多个实施例的宽频带LSP辐射源100的简化示意图。在一个实施例中，LSP辐射源100包含目标材料源102、泵源108、泵激光聚焦光学器件110及一组收集光学器件120。在另一实施例中，LSP辐射源100包含碎屑收集器124。应注意，LSP辐射源100可产生包含(但不限于)真空紫外线(VUV)(例如100nm到190nm)及/或深紫外线(DUV)(例如190nm到260nm)的任何波长范围的宽频带辐射118。

在一个实施例中，目标材料源102将一或多个目标材料104输送到腔室106中。例如，目标材料源102可使一或多个目标材料104以液体射流、液滴、冻结射流、冻结液滴或这些目标材料形式的组合的形式引入到腔室106中。在另一实施例中，来自目标材料源102的目标材料104的流输送参数经调整使得由目标材料源102输送的所有材料在等离子体区域中气化或一些材料通过等离子体且由碎屑收集器124收集。在另一实施例中，碎屑收集器124定位于与目标材料源102相对的腔室的侧上。本文中应注意，流输送参数的调整可促进稳定等离子体116产生且产生具有一或多个实质上恒定性质的宽频带辐射118。

目标材料源102可输送LSP宽频带源的本技术中已知的任何类型的目标材料。例如，目标材料可包含(但不限于)Ar、Xe、Ne及He或Ar、Xe、Ne及He的混合物。

在一个实施例中，泵源108经配置以产生由泵激光聚焦光学器件110聚焦的泵束112(例如激光辐射)。在另一实施例中，泵源108包含本技术中已知的任何辐射源，其包含(但不限于)一或多个激光。在另一实施例中，泵束112包含本技术中已知的任何波长或波长范围的辐射，其包含(但不限于)红外线(IR)辐射、近红外线(NIR)辐射、紫外线(UV)辐射、可见光辐射或适合于在入射在适当目标材料上时形成等离子体的其它辐射。

在一个实施例中，泵激光聚焦光学器件110通过泵激光窗114将泵束112聚焦到腔室106中。在另一实施例中，泵激光聚焦光学器件110将泵束112聚焦到一或多个目标材料104中以产生及/或维持等离子体116。在另一实施例中，目标材料104由泵束112气化及离子化以在腔室中提供高局部浓度的等离子体。在另一实施例中，从等离子体射出的加热材料的压力将从等离子体区域向外快速减小。本文中应注意，泵激光聚焦光学器件110可包含用于引导及/或聚焦辐射的本技术中已知的任何光学元件，其包含(但不限于)透镜、反射镜、棱镜、偏光器、光栅、滤光器或分光器。

将泵束112聚焦到目标材料104中引起能量通过容纳于腔室106内的目标材料及/或等离子体116的一或多个吸收线吸收，借此“泵抽”一或多个目标材料104以产生及/或维持等离子体116。例如，泵激光聚焦光学器件110可通过将泵束112聚焦到容纳于腔室106内的一或多个目标材料104内的一或多个焦点以产生及/或维持等离子体116来产生及/或维持等离子体116。本文中应注意，在不背离本发明的精神或范围的情况下，LSP辐射源100可包含用于促进等离子体116产生的一或多个额外点火源。例如，腔室106可包含可引发及/或维持等离子体116的一或多个电极。

在一个实施例中，由等离子体116产生的宽频带辐射118通过一或多个孔隙122离开腔室106。例如，收集光学器件120可经配置以从等离子体116收集宽频带辐射118且由引导收集宽频带等离子体的至少部分穿过一或多个孔隙122。在另一实施例中，一或多个孔隙122是无窗的且位于腔室106的壁中。例如，一或多个孔隙122可包含(但不限于)孔、端口、出口、通气孔、空间或允许宽频带辐射118通过腔室106的壁离开腔室106且不透射穿过除周围大气外的材料的任何其它开口。

在一个实施例中，腔室106流体耦合到真空泵126。在另一实施例中，腔室106中的压力维持约1atm。例如，腔室106中的压力可保持在0.1atm到2atm的范围内。例如，真空泵126可从腔室106移除气体(例如从等离子体射出的气体、缓冲气体)以使腔室106中的压力维持在0.1atm到2atm的范围内。

在一个实施例中，该组光学器件120包含经配置以收集辐射(例如宽频带辐射118)的本技术中已知的一或多个光学元件，其包含(但不限于)一或多个反射镜、一或多个棱镜、一或多个透镜、一或多个衍射光学元件、一或多个抛物面镜、一或多个椭圆镜及其类似者。本文中应注意，该组光学器件120可经配置以收集及/或聚焦由等离子体116产生的宽频带辐射118用于包含(但不限于)成像过程、检验过程、计量过程、光刻工艺及其类似者的一或多个下游过程。在另一实施例中，该组光学器件120因定位成与等离子体116相距足够距离而免受损坏。例如，该组光学器件120可定位于从等离子体的5cm到100cm的范围内以免被等离子体116损坏。

在一个实施例中，泵激光聚焦光学器件110及收集光学器件120是物理分离的。应注意，泵激光聚焦光学器件110及收集光学器件120的物理分离消除冷光镜及/或双带宽反射椭圆光学器件的需求。

在一个实施例中，腔室106中的收集光学器件120的反射光学表面由缓冲气体保护。例如，缓冲气体(例如惰性气体、与目标材料相同的材料、不同于目标材料的材料)使腔室106中维持约1atm。

在一个实施例中，取决于激光功率及收集光展量要求来优化泵激光聚焦光学器件110及收集光学器件120的特定几何形状。在另一实施例中，收集光学器件120将宽频带辐射引导到收集位置128。

在一个实施例中，泵源108包含一或多个辐射源。例如，泵源108可包含本技术中已知的任何激光系统。例如，泵源108可包含能够发射电磁光谱的红外线、可见光及/或紫外线部分中的辐射的本技术中已知的任何激光系统。在另一实施例中，泵源108包含经配置以发射连续波(CW)激光辐射的激光系统。例如，泵源108可包含一或多个CW红外线激光源。

在另一实施例中，泵源108包含经配置以将调制激光光提供到等离子体116的一或多个调制CW激光。在另一实施例中，泵源108可包含经配置以将脉冲激光光提供到等离子体116的一或多个脉冲激光。

在一个实施例中，泵源108可包含一或多个二极管激光。例如，泵源108可包含以与容纳于腔室106内的目标材料104的物种的任何一或多个吸收线对应的波长发射辐射的一或多个二极管激光。应注意，可选择实施泵源108的二极管激光，使得二极管激光的波长调谐到任何等离子体的任何吸收线(例如离子跃迁线)或本技术中已知的等离子体产生目标材料的任何吸收线(例如高度激发的中性跃迁线)。因而，选择给定二极管激光(或二极管激光组)将取决于容纳于系统100的腔室106内的目标材料的类型。

在另一实施例中，泵源108包含离子激光。例如，泵源108可包含本技术中已知的任何惰性气体离子激光。例如，就基于氩气的等离子体而已，用于泵氩离子的泵源108可包含Ar+激光。

在另一实施例中，泵源108包含一或多个频率转换激光系统。例如，泵源108可包含Nd:YAG或Nd:YLF激光。

在另一实施例中，泵源108包含一或多个非激光源。一般来说，泵源108可包含本技术中已知的任何非激光光源。例如，泵源108可包含能够离散或连续发射电磁光谱的红外线、可见光及/或紫外线部分中的辐射的本技术中已知的任何非激光系统。

在另一实施例中，泵源108包含两个或两个以上辐射源。例如，泵源108可包含(但不限于)两个或两个以上激光。例如，泵源108(或若干泵源)可包含多个二极管激光。在另一例子中，泵源108可包含多个CW激光及/或脉冲激光。在另一实施例中，两个或两个以上激光中的每一者可发射调谐到系统100的腔室106内的目标材料或等离子体的不同吸收线的激光辐射。

在一个实施例中，泵源108产生具有100ns到1000ns的脉冲间隔的泵辐射。在另一实施例中，泵源108以3kW到100kW的范围内的功率操作。在另一实施例中，泵源108包含大于10,000W/cm²的峰值激光强度。例如，泵源108可包含大于10⁵W/cm²的峰值激光强度。在另一实施例中，使用短脉冲(例如<100ns)高峰值功率(>10⁸W/cm²)激光来执行用于产生等离子体116的一或多个目标材料104的点火。

图2A说明根据本发明的一或多个实施例的包含低NA泵及高NA收集的泵及收集配置。在一个实施例中，泵源108、一或多个聚焦光学元件110及反射收集光学元件120经配置使得宽频带辐射118具有高于泵辐射112的NA的数值孔径。在另一实施例中，收集光学器件120将宽频带辐射引导到收集位置128。

图2B说明根据本发明的一或多个实施例的包含高NA泵及低NA收集的泵及收集配置。在一个实施例中，泵源108、一或多个聚焦光学元件110及反射收集光学元件120经配置使得宽频带辐射118具有低于泵辐射的NA的数值孔径。在另一实施例中，收集光学器件120将宽频带辐射引导到收集位置128。

图3说明根据本发明的一或多个实施例的实施LSP辐射源100的光学特性化系统300的简化示意图。在一个实施例中，系统300包含LSP辐射源100、照明支路303、收集支路305、检测器314及包含一或多个处理器320及存储器322的控制器318。

本文中应注意，系统300可包括本技术中已知的任何成像、检验、计量、光刻或其它特性化系统。就此来说，系统300可经配置以对样品307执行检验、光学计量、光刻及/或任何形式的成像。样品307可包含本技术中已知的任何样本，其包含(但不限于)晶片、光罩、光掩模及其类似者。应注意，系统300可并入本发明中所描述的LSP辐射源100的各种实施例中的一或多者。

在一个实施例中，样品307放置在载台组合件312上以促进样品307移动。载台组合件312可包含本技术中已知的任何载台组合件312，其包含(但不限于)X-Y载台、R-θ载台及其类似者。在另一实施例中，载台组合件312能够在检验或成像期间调整样品307的高度以维持聚焦在样品307上。

在一个实施例中，照明支路303经配置以将宽频带辐射118从LSP辐射源100引导到样品307。照明支路303可包含本技术中已知的任何数量及类型的光学组件。在一个实施例中，照明支路303包含一或多个光学元件302、分光器304及物镜306。就此来说，照明支路303可经配置以将宽频带辐射118从LSP辐射源100聚焦到样品307的表面上。一或多个光学元件302可包含本技术中已知的任何光学元件或光学元件的组合，其包含(但不限于)一或多个反射镜、一或多个透镜、一或多个偏光器、一或多个光栅、一或多个滤光器、一或多个分光器及其类似者。本文中应注意，收集位置128可包含(但不限于)光学元件302、分光器304或物镜306中的一或多者。

在一个实施例中，系统300包含经配置以收集从样品307反射、散射、衍射及/或发射的光的收集支路305。在另一实施例中，收集支路305可将光从样品307引导及/或聚焦到检测器组合件314的传感器316。应注意，传感器316及检测器组合件314可包含本技术中已知的任何传感器及检测器组合件。传感器316可包含(但不限于)CCD传感器或CCD-TDI传感器。此外，传感器316可包含(但不限于)线传感器或电子撞击线传感器。

在一个实施例中，检测器组合件314通信地耦合到包含一或多个处理器320及存储器322的控制器318。例如，一或多个处理器320可通信地耦合到存储器322，其中一或多个处理器320经配置以执行存储在存储器322上的一组程序指令。在一个实施例中，一或多个处理器320经配置以分析检测器组合件314的输出。在一个实施例中，程序指令组经配置以使一或多个处理器320分析样品307的一或多个特性。在另一实施例中，程序指令组经配置以使一或多个处理器320修改系统300的一或多个特性以维持聚焦于样品307及/或传感器316上。例如，一或多个处理器320可经配置以调整物镜306或一或多个光学元件302以将宽频带辐射118从LSP辐射源100聚焦到样品307的表面上。举另一实例来说，一或多个处理器320可经配置以调整物镜306及/或一或多个光学元件310以从样品307的表面收集照明且将收集照明聚焦于传感器316上。

应注意，系统300可配置为本技术中已知的任何光学配置，其包含(但不限于)暗场配置、明场定向及其类似者。

本文中应注意，系统100的一或多个组件可以本技术中已知的任何方式通信地耦合到系统100的各种其它组件。例如，LSP辐射源100、检测器组合件314、控制器318及一或多个处理器320可彼此通信耦合且经由有线(例如铜线、光纤电缆及其类似者)或无线连接(例如RF耦合、IR耦合、数据网络通信(例如WiFi、WiMax、Bluetooth及其类似者))通信地耦合到其它组件。

以下每一者中描述光学特性化系统300的各种实施例的额外细节：2012年7月9日申请的名称为“晶片检验系统(Wafer Inspection System)”的美国专利申请案13/554,954、2009年7月16日公开的名称为“使用小反折射物镜的***场检验系统(Split FieldInspection System Using Small Catadioptric Objectives)”的美国公开专利申请案2009/0180176、2007年1月4日公开的名称为“反折射光学系统中用于激光暗场照明的束输送系统(Beam Delivery System for Laser Dark-Field Illumination in aCatadioptric Optical System)”的美国公开专利申请案2007/0002465、1999年12月7日发布的名称为“具有宽范围变焦能力的超宽频带UV显微成像系统(Ultra-broadband UVMicroscope Imaging System with Wide Range Zoom Capability)”的美国专利5,999,310、2009年4月28日发布的名称为“使用具有二维成像的激光线照明的表面检验系统(Surface Inspection System Using Laser Line Illumination with Two DimensionalImaging)”的美国专利7,525,649、王(Wang)等人于2013年5月9日公开的名称为“可动态调整的半导体计量系统(Dynamically Adjustable Semiconductor Metrology System)”的美国公开专利申请案2013/0114085、皮万卡·科尔(Piwonka-Corle)等人于1997年3月4日发布的名称为“聚焦束椭圆偏振术方法及系统(Focused Beam SpectroscopicEllipsometry Method and System)”的美国专利5,608,526及罗森威格(Rosencwaig)等人于2001年10月2日发布的名称为“用于分析半导体上的多层薄膜堆叠的设备(Apparatusfor Analyzing Multi-Layer Thin Film Stacks on Semiconductors)”的美国专利6,297,880，以上申请中的每一者以全文引用的方式并入本文中。

本发明的一或多个处理器320可包含本技术中已知的任何一或多个处理元件。在此意义上，一或多个处理器320可包含经配置以执行软件算法和/或指令的任何微处理器型装置。在一个实施例中，一或多个处理器320可由桌上型计算机、主计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器或经配置以执行经配置以操作系统300及/或LSP辐射源100的程序的其它计算机系统(例如网络计算机)组成，如本发明中所描述。应认识到，本发明中所描述的步骤可由单个计算机系统或替代地多个计算机系统实施。一般来说，术语“处理器”可经广泛定义以涵盖具有执行来自非暂时性存储器媒体322的程序指令的一或多个处理组件的任何装置。此外，所揭示的各种系统的不同子系统可包含适合于实施本发明中所描述的步骤的至少部分的处理器或逻辑元件。因此，以上描述不应解释为对本发明的限制而应仅解释为说明。

存储器媒体322可包含此项技术中已知的适合于存储可由相关联的一或多个处理器320执行的程序指令的任何存储媒体。例如，存储器媒体322可包含非暂时性存储器媒体。例如，存储器媒体322可包含(但不限于)只读存储器、随机存取存储器、磁性或光学存储器装置(例如，磁盘)、磁带、固态驱动器等。在另一实施例中，存储器322经配置以存储本文所描述的各种步骤的一或多个结果及/或输出。应进一步注意，存储器322可与一或多个处理器320一起容置在共同控制器外壳中。在替代实施例中，存储器322可相对于处理器320的物理位置远程定位。例如，一或多个处理器320可存取远程存储器(例如，服务器)，可通过网络(例如，因特网、内部网等)存取。在另一实施例中，存储器媒体322保存用于使一或多个处理器320实施本发明中所描述的各种步骤的程序指令。

在一个实施例中，系统300可包含用户接口(图中未展示)。在一个实施例中，用户接口通信地耦合到一或多个处理器320。在另一实施例中，用户接口装置可用于接受来自用户的选择及/或指令。在本文将进一步描述的一些实施例中，显示器可用于对用户显示数据。用户又可响应于经由显示装置对用户显示的数据而输入选择及/或指令(例如滤箱的选择、设置大小及/或位置)。

用户接口装置可包含此项技术中已知的任何用户接口。例如，用户接口可包含(但不限于)键盘、键台、触摸屏、控制杆、旋钮、滚轮、轨迹球、开关、拨号盘、滑杆、卷杆、滑件、把手、触控垫、踏板、方向盘、操纵杆、面板安装式输入装置等。在触摸屏接口装置的情况中，所属领域的技术人员应认识到，大量触摸屏接口装置可适合实施于本发明中。例如，显示装置可与例如(但不限于)电容式触摸屏、电阻式触摸屏、基于表面声波的触摸屏、基于红外线的触摸屏或其类似者的触摸屏接口集成。一般来说，能够与显示装置的显示部分集成的任何触摸屏接口适合实施于本发明中。

显示装置可包含本技术中已知的任何显示装置。在一个实施例中，显示装置可包含(但不限于)液晶显示器(LCD)、基于有机发光二极管(OLED)的显示器或CRT显示器。所属领域的技术人员应认识到，各种显示装置可适合实施于本发明中且显示装置的特定选择可取决于包含(但不限于)外观尺寸、成本及其类似者的各种因素。一般来说，能够与用户接口装置(例如触摸屏、面板安装接口、键盘、鼠标、触摸板及其类似者)集成的任何显示装置适合实施于本发明中。

在一些实施例中，本文所描述的LSP辐射源100及系统300可配置为“独立工具”或不物理耦合到处理工具的工具。在其它实施例中，此检验或计量系统可通过可包含有线及/或无线部分的传输介质来耦合到工具(图中未展示)。处理工具可包含例如光刻工具、蚀刻工具、沉积工具、抛光工具、电镀工具、清洁工具或离子植入工具的本技术中已知的任何处理工具。由本文所描述的系统执行的检验或测量的结果可用于使用反馈控制技术、前馈控制技术及/或原位控制技术来更改工艺或工艺工具的参数。可手动或自动更改工艺或处理工艺的参数。

LSP辐射源100及系统300的实施例可进一步如本文所描述那样配置。另外，LSP辐射源100及系统300可经配置以执行本文所描述的(若干)方法实施例的(若干)任何其它步骤。

图4说明描绘根据本发明的一或多个实施例的用于产生宽频带辐射118的方法400的流程图。本文中应注意，方法400的步骤可由LSP辐射源100完全或部分实施。但是，应进一步认识到，方法400不受限于LSP辐射源100，因为额外或替代系统级实施例可实施方法400的所有或部分步骤。

在步骤402中，将目标材料104的流输送通过腔室106的等离子体形成区域。在一个实施例中，目标材料源102使一或多个目标材料104以液体射流、液滴、冻结射流、冻结液滴或这些目标材料形式的组合的形式引入到腔室106中。例如，目标材料源102可使氩、氙、氖或氦中的一或多者以固态或液态中的一或多者输送到腔室106中以产生及/或维持等离子体。例如，目标材料源102可经配置以按10m/s到300m/s之间的速度输送目标材料流通过等离子体形成区域。举另一例子来说，目标材料源102可经配置以通过等离子体形成区域输送具有10μm到2000μm之间的直径的目标材料流。

在步骤404中，由碎屑收集器收集碎屑。例如，未由等离子体116消耗的来自步骤402的等离子体形成目标材料104由碎屑收集器124收集。在一个实施例中，流输送参数经调整使得由目标材料源102输送的所有材料在等离子体区域中气化或一些材料通过等离子体且由碎屑收集器124收集。本文中应注意，流输送参数的调整可促进稳定等离子体116产生且产生具有一或多个实质上恒定性质的宽频带辐射118。

在步骤406中，泵源108产生泵辐射112。在一个实施例中，泵源108产生由泵激光聚焦光学器件110聚焦到腔室106中的泵辐射112。例如，泵源108可包含一或多个激光来产生引导到腔室106中的泵辐射112。举另一实例来说，一或多个非激光源可产生引导到腔室106中的泵辐射112。

在步骤408中，将泵辐射112聚焦到腔室106的等离子体形成区域中以经由通过激发腔室106的等离子体形成区域内的目标材料104形成等离子体116来产生宽频带辐射118。例如，泵源108可将泵辐射112引导到腔室106中以产生等离子体116。在另一实施例中，LSP辐射源100产生包含(但不限于)宽频带辐射118的辐射。例如，LSP辐射源100可产生真空紫外线(VUV)(100nm到190nm)及深紫外线(DUV)(190nm到260nm)的范围内的宽频带辐射118。本文应注意，腔室106可包含经配置以引发及/或维持等离子体116的一或多个额外点火源(例如电极)。

在步骤410中，从等离子体116收集宽频带辐射118的一部分且通过腔室106的壁中的无窗孔隙122将宽频带辐射118的所述部分输送到收集位置128处的腔室106外的一或多个光学元件。例如，由腔室106中的等离子体116产生的宽频带辐射118可由收集光学器件120收集且通过孔隙122引导到其中外部光学元件接收宽频带辐射118的收集位置128。

所属领域的技术人员应认识到，为概念清楚器件，使用本文所描述的组件(例如操作)、装置、对象及其随附讨论作为实例且可考虑各种配置修改。因此，如本文所使用，所阐述的特定范例及所附讨论希望表示其更一般的类别。一般来说，使用任何特定范例希望表示其类别，且不包含特定组件(例如操作)、装置及对象不应被视为限制。

所属领域的技术人员将了解，存在可通过其来实现本文所描述的工艺及/或系统及/或其它技术的各种载具(例如硬件、软件及/或固件)，且优选载具将随其中部署工艺及/或系统及/或其它技术的上下文变动。例如，如果实施者确定速度及准确度是首要的，那么实施者可选择以硬件及/或固件为主的载具；或，如果灵活度是首要的，那么实施者可选择以软件为主的实施方案；或者，实施者可选择硬件、软件及/或固件的某种组合。因此，存在可通过其来实现本文所描述的工艺及/或装置及/或其它技术的若干可能载具，其的任何者并不天生优于其它者，因为利用任何载具是取决于其中将部署载具的上下文及实施者的特定关注(例如速度、灵活度或可预测性)(其的任何者可变动)的选择。

呈现以上描述以使所属领域的技术人员能够制造及使用特定应用及其要求的上下文中所提供的本发明。如本文所使用，例如“顶部”、“底部”、“在…上”、“在…下”、“上”、“向上”、“下”、“下方”及“向下”的方向术语希望为了描述而提供相对位置，不希望指定绝对参考系。所属领域的技术人员应明白所描述的实施例的各种修改，且本文所界定的一般原理可应用于其它实施例。因此，本发明不希望受限于所展示及描述的特定实施例，而是应被给予与本文所揭示的原理及新颖特征一致的最宽范围。

关于本文所使用的大体上任何复数及/或单数术语，所属领域的技术人员可视上下文及/或应用的需要从复数转化为单数及/或从单数转化为复数。为清楚起见，本文未明确阐述各种单数/复数置换。

本文所描述的所有方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储于存储器中。结果可包含本文中描述的任何结果且可以此项技术中已知的任何方式存储。存储器可包含本文所描述的任何存储器或本技术中已知的任何其它适合存储媒体。在已经存储结果后，结果可存取在存储器中且由本文所描述的方法或系统实施例中的任何者使用，经格式化以显示给用户，由另一软件模块、方法或系统使用，等等。此外，结果可“永久”、“半永久”、“暂时”或在某一时段存储。例如，存储器可为随机存取存储器(RAM)，且结果未必无限期存留于存储器中。

可进一步考虑，上述方法的实施例的每一者可包含本文所描述的(若干)任何其它方法的(若干)任何其它步骤。另外，上述方法的实施例的每一者可由本文所描述的系统中的任何者执行。

本发明的实施例是针对用于促进LSP辐射源中的快速气体流动通过的浮力驱动的闭合再循环气体回路。有利地，本发明的LSP辐射源100可包含比先前方法少的机械致动组件。因此，本发明的LSP辐射源100可产生较少噪声，需要较小气体容积，且需要较低维护成本及安全管理。

本文所描述的目标有时说明容纳于其它组件内或与其它组件连接的不同组件。应了解，此类描绘架构仅为示范性的，且事实上可实施实现相同功能性的许多其它架构。就概念来说，用于实现相同功能性的组件的任何配置经有效“相关联”以实现所要功能性。因此，经组合以实现特定功能性的本文的任何两个组件可视为彼此“相关联”以实现所要功能性，不管架构或中间组件如何。同样地，如此相关联的任何两个组件也可被视为彼此“连接”或“耦合”以实现所要功能性，且能够如此相关联的任何两个组件也可被视为彼此“可耦合”以实现所要功能性。“可耦合”的特定实例包含(但不限于)可物理配合及/或物理交互组件及/或可无线交互及/或无线交互组件及/或逻辑交互及/或可逻辑交互组件。

此外，应理解，本发明由所附权利要求书界定。所属领域的技术人员将理解，一般来说，本文中所使用的术语且尤其所附权利要求书(例如，所附权利要求书的正文)中所使用的术语般希望作为“开放式”术语(例如，术语“包含(including)”应解释为“包含但不限于”，术语“具有”应解释为“至少具有”，术语“包含(includes)”应解释为“包含但不限于”等)。所属领域的技术人员将进一步理解，如果预期特定数量的引入权利要求叙述，那么将在权利要求书中明确叙述此意图，且在缺乏此叙述的情况下不存在此意图。例如，为帮助理解，以下所附权利要求书可含有介绍性词组“至少一个”和“一或多个”的使用以引入权利要求叙述。但是，即使在相同权利要求书包含介绍性词组“一或多个”或“至少一个”和例如“一”或“一个”的不定冠词(例如，“一”和/或“一个”通常应解释为指“至少一个”或“一或多个”)时，也不应将此类词组的使用理解为暗示通过不定冠词“一”或“一个”引入的权利要求叙述将含有此引入权利要求叙述的任何特定权利要求书限于仅含有此叙述的发明；对于用于引入权利要求叙述的定冠词的使用同样有效。另外，即使明确叙述引入的权利要求叙述的特定数量，所属领域的技术人员应认识到，此叙述通常应解释为意指至少所叙述的数量(例如，无其他修饰语的“两个叙述”的裸露叙述，通常意指至少两个叙述，或两个或两个以上叙述)。此外，在使用类似于“A、B和C等等中的至少一者”惯例的所述例子中，一般以所属领域的技术人员理解所述惯例的意义预期此构造(例如，“具有A、B和C中的至少一者的系统”应包含(但不限于)仅具有A、仅具有B、仅具有C、同时具有A和B、同时具有A和C、同时具有B和C和/或同时具有A、B和C等等的系统)。在使用类似于“A、B或C等等中的至少一者”惯例的所述例子中，一般以所属领域的技术人员理解所述惯例的意义预期此构造(例如，“具有A、B或C中的至少一者的系统”应包含(但不限于)仅具有A、仅具有B、仅具有C、同时具有A和B、同时具有A和C、同时具有B和C和/或同时具有A、B和C等等的系统)。所属领域的技术人员应进一步理解，无论在描述、权利要求或附图中，实际上呈现两个或两个以上替代项目的任何分离性字词和/或词组应理解为考虑包含所述项目中的一者、所述项目中的任一者或两个项目的可能性。例如，词组“A或B”应理解为包含“A”或“B”或“A及B”的可能性。

据信，通过前述描述，将理解本发明和其许多伴随的优点且将明白，可对组件的形式、构造和配置进行多种改变而不脱离所揭示的标的物或不牺牲全部其材料优点。所描述的形式仅为说明性，且所附权利要求书意在涵盖且包含这些改变。此外，应理解，本发明由所附权利要求书界定。