阅读说明：本技术 磁盘装置 (Magnetic disk device ) 是由 铃木启之 佐渡秀夫 于 2018-11-29 设计创作，主要内容包括：实施方式提供能够提高读取/写入处理的精度的磁盘装置。实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头,其具有向所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的第1读取头及第2读取头；以及控制器,其基于所述盘的半径方向的各位置处的所述第1读取头及所述第2读取头的所述半径方向的第1间隔来检测与所述盘的各磁道对应的各磁道间距的第1误差,基于修正所述第1误差的第1修正值将伺服图形写入所述盘,基于所述伺服图形对所述头进行定位。(Embodiments provide a magnetic disk device capable of improving the accuracy of read/write processing. A magnetic disk device according to an embodiment includes: a disc; a head having a write head for writing data to the disk and a 1 st read head and a 2 nd read head for reading data from the disk; and a controller that detects a 1 st error of each track pitch corresponding to each track of the disk based on a 1 st interval of the 1 st and 2 nd read heads in the radial direction at each position in the radial direction of the disk, writes a servo pattern to the disk based on a 1 st correction value that corrects the 1 st error, and positions the heads based on the servo pattern.)

磁盘装置

本申请享受以日本专利申请2018-169816号(申请日：2018年9月11日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包括基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置。

背景技术

存在执行写入伺服图形(servo pattern)的处理例如自伺服写入(SSW：SelfServo Write)的磁盘装置。在由SSW写入伺服图形的情况下，磁盘装置将试验伺服图形写入盘(disk)中。在写入试验伺服图形后，磁盘装置通过检测能够最佳地读取试验伺服图形的盘的半径方向(径向)的位置来推定磁道间距(track pitch)的误差。另一方面，近年来，开发了具有多个读取头(read head)的二维记录(Two-Dimensional Magnetic Recording：TDMR)方式的磁盘装置。

发明内容

本发明的实施方式提供能够提高读取/写入处理的精度的磁盘装置。

本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有向所述盘写入数据的写入头和从所述盘读取数据的第1读取头及第2读取头；以及控制器，其基于所述盘的半径方向的各位置处的所述第1读取头及所述第2读取头的所述半径方向的第1间隔来检测与所述盘的各磁道对应的各磁道间距的第1误差，基于修正所述第1误差的第1修正值将伺服图形写入所述盘，基于所述伺服图形对所述头进行定位。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示实施方式所涉及的相对于盘的头的配置的一例的示意图。

图3是表示本实施方式所涉及的磁盘装置的几何学配置的一例的图。

图4是表示本实施方式所涉及的R/W通道(channel)以及MPU的构成例的框图。

图5是表示伺服图形的一例的示意图。

图6是表示与跨磁道间隙(cross track gap)对应的理论值的变化的一例的图。

图7是表示与沿磁道间隙(down track gap)对应的理论值的变化的一例的图。

图8是表示对象值的变化的一例的图。

图9是表示磁道间距误差的检测方法的一例的示意图。

图10是表示磁道间距的变化的一例的图。

图11是表示磁道间距误差的检测方法的一例的流程图。

图12是表示本实施方式的头的定位方法的一例的图。

图13是表示变形例1所涉及的伺服图形的一例的示意图。

图14是表示本实施方式的头的定位方法的一例的图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图仅为一例，不限定发明范围。

(实施方式)

图1是表示实施方式所涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA：head disk assembly)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，头放大器IC或者前置放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲)80、非易失性存储器90以及作为单芯片集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。磁盘装置1例如是二维记录(Two-Dimensional Magnetic Recording:TDMR)方式的磁盘装置。

HDA具有磁盘(以下，盘)10、主轴马达(SPM)12、装载着头15的臂13、以及音圈马达(VCM)14。盘10安装于主轴马达12，通过主轴马达12的驱动而旋转。臂13以及VCM14构成致动器。致动器利用VCM14的驱动，控制装载于臂13的头15移动到盘10的预定半径方向的位置(以下，简单称为半径位置)。也可以设置两个或更多数量的盘10以及头15。此外，也存在将盘10以外的预定半径方向的位置称为半径位置的情况。

盘10对其记录区域分配有能够由用户利用的用户数据区域10a和写入系统管理所需的信息的系统区10b。以下，将沿着盘10圆周的方向称为圆周方向，将与圆周方向交叉的方向称为半径方向。以下，也存在将写入盘10的磁道的数据、盘10的预定半径位置、盘10的预定磁道的半径方向的宽度(以下，简单称为磁道宽度)的中心位置(以下，称为磁道中心)、和盘10的预定磁道的磁道宽度内的预定半径位置等简单称为磁道的情况。

头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W以及读取头15R1、15R2。写入头15W在盘10上写入数据。读取头15R1、15R2读取盘10上所记录的数据。读取头15R1例如设置在离写入头15W最远的位置。读取头15R2例如设置在离写入头15W次于读取头15R1远的位置。换言之，读取头15R2位于写入头15W与读取头15R1之间。此外，也可以设置有三个以上的读取头。以下，设磁盘装置1以读取头15R1作为基准将头15定位于盘10的预定半径位置或者预定磁道来进行说明。此外，磁盘装置1也可以以读取头15R1以外的读取头例如读取头15R2作为基准将头15定位于预定半径位置或者预定磁道。以下，在磁盘装置1中，将多个读取头内的在定位头15时成为基准的读取头称为基准读取头。

图2是表示实施方式所涉及的相对于盘10的头15的配置的一例的示意图。如图2所示，将在半径方向上朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，图2中表示了盘10的旋转方向。此外，旋转方向也可以是反方向的。在图2中，用户数据区域10a划分为位于内方向的内周区域IR、位于外方向的外周区域OR以及位于内周区域IR与外周区域OR之间的中周区域MR。在图2所示的例子中，表示了半径位置IRP、半径位置RP0以及半径位置ORP。半径位置IRP是比半径位置RP0靠内方向的位置，半径位置ORP是比半径位置RP0靠外方向的位置。在图2所示的例子中，半径位置RP0在中周区域MR内，半径位置ORP在外周区域OR内，半径位置IRP在内周区域IR内。此外，半径位置RP0也可以在外周区域OR内，还可以在内周区域IR内。半径位置IRP相当于内周区域IR的预定磁道的磁道中心IIL，半径位置RP0相当于中周区域MR的预定磁道的磁道中心IL0，半径位置ORP相当于外周区域OR的预定磁道的磁道中心OIL。磁道中心IIL相当于预定磁道、例如内周区域IR的预定磁道中的成为头15的目标的轨迹或者路径(以下，有时也称为目标轨迹或者目标路径)。磁道中心IL0相当于预定磁道、例如中周区域MR的预定磁道中的头15的目标路径(目标轨迹)。磁道中心OIL相当于预定磁道、例如外周区域OR的预定磁道中的头15的目标路径(目标轨迹)。例如，磁道中心IIL、IL0以及OIL分别为正圆。磁道中心IIL、IL0以及OIL相对于盘10配置为同心圆状。也存在将这样相对于盘10配置为同心圆状的磁道中心IIL、IL0以及OIL称为目标磁道的情况。另外，图2中表示了起因于可重复性偏摆(Repeatable Run Out:RRO)而相对于磁道中心IIL、IL0以及OIL分别偏移的头15的路径ISL、SL0以及OSL。

盘10具有多个伺服图形SV。以下，也存在将伺服图形SV称为伺服扇区或伺服区域的情况。多个伺服图形SV在盘10的半径方向以放射状延伸并在圆周方向隔开预定间隔地离散地配置。伺服图形SV包含用于将头15定位于盘10的预定半径位置的伺服数据和RRO修正数据。

伺服数据例如包含伺服标记(Servo Mark)、地址数据(address data)以及突发(burst)数据等。地址数据由预定磁道的地址(柱面地址)和预定磁道的伺服扇区的地址构成。突发数据是为了检测相对于预定磁道的磁道中心的头15的半径方向的位置偏移(位置误差)所使用的数据(相对位置数据)，由预定周期的重复图形构成。突发数据对外跨越相邻的磁道以交错状写入。突发数据包含因由与将伺服数据写入盘时的盘10的旋转同步的抖动(可重复性偏摆)产生的相对于目标磁道的磁道变形引起的误差。以下，为便于说明，将因由RRO产生的相对于目标磁道的磁道变形引起的误差简单称为RRO。

多个伺服图形SV分别被写入构成用于修正RRO的RRO修正数据的图形(以下，简单称为RRO修正数据)。RRO修正数据是伺服数据的一种附加数据。RRO修正数据用于修正伺服数据(更详细而言是伺服数据中的伺服突发数据)的RRO，即修正相对于目标磁道的头15的路径的变形。也存在将该RRO的修正称为正圆修正的情况。

RRO修正数据包含RRO前导图形、同步图形以及将修正量编码得到的数字数据(以下，称为RRO修正码(RRO Code))。RRO前导图形以及同步图形用于检测将写入后续区域的修正量编码得到的数字数据的读取开始定时(timing)。此时，RRO修正码(RRO Code)构成RRO修正数据的主要部分。也存在将这种RRO修正数据称为RRO bit或者Post Code(后置码)的情况。

在头15位于半径位置RP0的情况下，斜交角例如成为0°。以下，也存在将半径位置RP0称为基准位置RP0的情况。在头15位于半径位置ORP的情况下，斜交角例如成为正值。在头15位于半径位置IRP的情况下，斜交角例如成为负值。此外，也可以在头15位于半径位置ORP的情况下，斜交角为负值。另外，也可以在头15位于半径位置IRP的情况下，斜交角为正值。

在图2所示的例子中，在将头15定位于半径位置RP0的情况下，头15基于盘10上的伺服图形SV的伺服数据，修正动作以使得自路径SL0从磁道中心IL0上通过。在将头15定位于半径位置ORP的情况下，头15基于盘10上的伺服图形SV的伺服数据，修正动作以使得自路径OSL从磁道中心OIL上通过。在将头15定位于半径位置IRP的情况下，头15基于盘10上的伺服图形SV的伺服数据，修正动作以使得自路径ISL从磁道中心IIL上通过。

图3是表示本实施方式所涉及的磁盘装置1的几何学配置的一例的图。图3表示了盘10、SPM12、臂13以及头15(读取头15R1以及读取头15R2)的几何学配置的一例。图3中表示了盘10的中心(以下，称为盘中心)DC以及臂13的旋转中心(头15的旋转中心)PC。在图3中，读取头15R1以及15R2在半径方向上相互偏离。图3中表示了盘中心DC与旋转中心PC的距离d0、读取头15R1的中心部与旋转中心PC的距离d1、读取头15R2的中心部与旋转中心PC的距离d2、读取头15R1的中心部与盘中心DC的距离r1、读取头15R2的中心部与盘中心DC的距离r2、与读取头15R1的中心部和读取头15R2的中心部之间的圆周方向交叉的跨磁道方向的间隙Gc、以及与读取头15R1的中心部和读取头15R2的中心部之间的跨磁道方向正交的沿磁道方向的间隙Gd。距离r1相当于读取头15R1的半径位置，距离r2相当于读取头15R2的半径位置。因此，也存在将距离r1称为半径位置r1，将距离r2称为半径位置r2的情况。也存在将距离Gc称为跨磁道间隙或者Cross Track Separation(CTS)，将距离Gd称为沿磁道间隙或者Down Track Separation(DTS)的情况。以下，为便于说明，也存在将读取头的中心部简单称为读取头，将写入头的中心部简单称为写入头的情况。另外，图3中表示了连结盘中心DC与旋转中心PC的直线Ld0、连结旋转中心PC与读取头15R1的直线Ld1、连结旋转中心PC与读取头15R2的直线Ld2、相对于直线Ld0的直线Ld1的角度α1、以及相对于直线Ld0的直线Ld2的角度α2。跨磁道方向例如是与直线Ld1正交的方向。此外，跨磁道方向也可以是与直线Ld2正交的方向。

在图3中，距离d0、距离d1、距离d2、跨磁道间隙Gc、沿磁道间隙Gd、角度(α2-α1)等能够基于盘10、SPM12、臂13以及头15(读取头15R1以及读取头15R2)等的几何学的配置来取得。使用与几何学的配置对应的这些值(以下，称为设定值)，cos(α2-α1)通过下式来表示。

cos(α2-α1)＝{d1^2+d2^2-(Gc2^2+Gd^2)}/2d1×d2 式(1)

另外，半径位置r1以及r2通过下式来表示。

r1＝√(d0^2+d1^2-2d0×d1×cosα1) 式(2)

r2＝√(d0^2+d2^2-2d0×d2×cosα2) 式(3)

半径位置r1与半径位置r2的差分值Utr通过下式来表示。

Utr＝r2-r1 式(4)

例如，差分值Utr是r1的函数Utr(r1)。此外，差分值Utr也可以是r2的函数Utr(r2)。以下，也存在将如差分值Utr那样基于设定值算出的读取头15R1与读取头15R2的半径方向的偏移称为理论值Utr的情况。另外，也存在将基于设定值算出的读取头15R1的半径位置r1和读取头15R2的半径位置r2称为理论位置的情况。理论值Utr相当于在将头15定位于盘10的预定半径位置的情况下的由读取头15R1读取的磁道与由读取头15R2读取的磁道间的半径方向的间隔。以下，将在将头15定位于盘10的预定半径位置的情况下的由读取头15R1读取的磁道与由读取头15R2读取的磁道间的半径方向的间隔称为读取磁道间隔。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言是后述的MPU60)的控制，控制SPM12以及VCM14的驱动。

头放大器IC(前置放大器)30具备读取放大器以及写入驱动器。读取放大器将从盘10读取到的读取信号进行放大，输出到系统控制器130(详细而言是后述的读取/写入(R/W)通道50)。写入驱动器将从R/W通道50输出的与写入数据相应的写入电流输出到头15。

易失性存储器70是在电力供给切断时会丢失所保存的数据的半导体存储器。易失性存储器70保存磁盘装置1的在各部分的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器)或者SDRAM(SynchronousDynamic Random Access Memory，同步动态随机存取存储器)。

缓冲存储器80是暂时地记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器80例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory，静态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory，铁电随机存取存储器)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory，磁阻式随机存取存储器)等。

非易失性存储器90是即使电力供给断开也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是NOR型或者NAND型的闪速存储器(Flash Read Only Memory：FROM，闪速只读存储器)。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片的被称作片上系统(System-on-a-Chip：Soc)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括硬盘控制器(HDC)40、读取/写入(R/W)通道50以及微处理器(MPU)60。HDC40、R/W通道50以及MPU60分别相互电连接。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机系统100等电连接。

HDC40根据来自后述的MPU60的指示，控制主机100与R/W通道50之间的数据传送。HDC40例如与易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等电连接。

R/W通道50根据来自MPU60的指示，执行读取数据以及写入数据的信号处理。R/W通道50具有测定读取数据的信号品质的电路或者功能。R/W通道50例如与头放大器IC30等电连接。

MPU60是控制磁盘装置1的各部分的主控制器。MPU60经由驱动器IC20对VCM14进行控制，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60控制向盘10写入数据的工作(动作)，并且选择从主机100传送来的写入数据的保存目的地。另外，MPU60控制从盘10读取数据的工作，并且控制从盘10传送给主机100的读取数据的处理。MPU60与磁盘装置1的各部分连接。MPU60例如与驱动器IC20、HDC40以及R/W通道50等电连接。

图4是表示本实施方式所涉及的R/W通道50以及MPU60的构成例的框图。在图4中，省略了盘10、臂13、VCM14以及头15等。

R/W通道50具备第1解调部510以及第2解调部520。例如，第1解调部510对由读取头15R1读取到的数据、例如伺服数据进行解调，将解调出的伺服数据输出到MPU60等。与第1解调部510同样地，第2解调部520对由读取头15R2读取到的伺服数据进行解调，将解调出的伺服数据输出到MPU60等。此外，在设置有三个以上的读取头的情况下，R/W通道50也可以具备分别与这些读取头对应的三个以上的解调部。

MPU60具备读取/写入控制部610、推定部620、误差检测部630以及伺服数据控制部640。MPU60在固件上执行它们各部分、例如读取/写入控制部610、推定部620、误差检测部630以及伺服数据控制部640等的处理。此外，MPU60也可以具备它们各部分作为电路。

读取/写入控制部610按照来自主机100的命令，控制数据的读取处理以及写入处理。读取/写入控制部610经由驱动器IC20控制VCM14，以读取头15R1和15R2中的至少一方作为基准读取头来将头15定位于盘10的预定半径位置，执行读取处理或者写入处理。读取/写入控制部610基于伺服数据、RRO修正数据进行头15的定位。

推定部620推定盘10的半径方向上的读取磁道间隔的变化(以下，称为读取磁道间隔的变化)。此外，也存在将读取磁道间隔的变化简单称为读取磁道间隔的情况。推定部620例如计算与预定设定值对应的盘10的半径方向上的理论值的变化(以下，称为理论值的变化)，基于算出值来推定与当前执行读取/写入处理的盘10以及头15关联的设定值(以下，称为当前的设定值)所对应的半径方向上的理论值的变化(以下，称为对象值的变化)。此外，也存在将理论值的变化简单称为理论值，将对象值的变化简单称为对象值的情况。推定部620也可以将理论值的变化和对象值的变化记录于记录区域、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90等。

图5是表示伺服图形SSV的一例的示意图。在图5中，伺服图形SSV配置为螺旋状。此外，伺服图形SSV也可以不配置为螺旋状。伺服图形SSV包含伺服数据和RRO修正数据。

图5所示的伺服图形SSV例如在盘装置1的制造工序中被写入。例如，磁盘装置1使用图5所示的伺服图形SSV并通过图2所示的自伺服写入(SSW：Self Servo Write)来写入伺服图形SV。

图6是表示与跨磁道间隙Gc对应的理论值的变化的一例的图。在图6中，横轴表示预定盘的半径位置，纵轴表示理论值。图6的横轴上表示了基准位置RP0。在横轴上，随着在外方向箭头所朝的方向上前进而朝向预定盘的外周，随着在内方向箭头所朝的方向上前进而朝向预定盘的内周。在纵轴上，随着在正值箭头所朝的方向上前进，理论值增大，随着在负值箭头所朝的方向上前进，理论值减小。换言之，在纵轴上，随着在正值箭头所朝的方向上前进，理论值的绝对值增大，随着在负值箭头所朝的方向上前进，理论值的绝对值增大。在图6中，线GcL1表示跨磁道间隙Gc＝0的情况下的理论值的变化。线GcL2表示跨磁道间隙Gc>0的情况下的理论值的变化。线GcL3表示跨磁道间隙Gc<0的情况下的理论值的变化。也存在将如图6所示那样表示理论值的变化的线称为理论值线的情况。

在图6所示的例子中，理论值线GcL1、GcL2以及GcL3分别随着在内方向上前进而沿正值的方向增大，随着在外方向上前进而沿负值的方向减小。在图6中，在较基准位置RP0靠外方向上，理论值线GcL2比理论值线GcL1更位于负值的方向，理论值线GcL3比理论值线GcL1更位于正值的方向。在较基准位置RP0靠内方向上，理论值线GcL2比理论值线GcL1更位于正值的方向，理论值线GcL3比理论值线GcL1更位于负值的方向。换言之，在斜交角为<0时，理论值线GcL2内的预定半径位置上的理论值比理论值线GcL1内的该半径位置上的理论值小，理论值线GcL3内的预定半径位置上的理论值比理论值线GcL1内的该半径位置上的理论值大。在斜交角为>0时，理论值线GcL2内的预定半径位置的理论值比理论值线GcL1内的该半径位置的理论值大，理论值线GcL3内的预定半径位置的理论值比理论值线GcL1内的该半径位置的理论值小。

推定部620算出分别与多个跨磁道间隙Gc对应的多个理论值线。以下，为便于说明，将分别与多个跨磁道间隙Gc对应的多个理论值线称为跨磁道间隙线组(群)。换言之，推定部620使预定设定值内的跨磁道间隙Gc变化成各种值来算出跨磁道间隙线组。推定部620将算出的跨磁道间隙线组记录于预定记录区域、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等。

图7是表示与沿磁道间隙Gd对应的理论值的变化的一例的图。在图7中，横轴表示预定盘的半径位置，纵轴表示理论值。在横轴上，随着在外方向箭头所朝的方向上前进而朝向预定盘的外周，随着在内方向箭头所朝的方向上前进而朝向预定盘的内周。在纵轴上，随着在正值箭头所朝的方向上前进，理论值增大，随着在负值箭头所朝的方向上前进，理论值减小。在图7中，线GdL1表示沿磁道间隙Gd＝0的情况下的理论值线。线GdL2表示沿磁道间隙Gd>0的情况下的理论值线。线GdL3表示沿磁道间隙Gd<0的情况下的理论值线。

在图7所示的例子中，理论值线GdL1、GdL2以及GdL3分别随着在内方向上前进而沿正值的方向增大，随着在外方向上前进而沿负值的方向减小。在图7中，理论值线GdL2比理论值线GdL1更位于正值的方向，并位于将理论值线GdL1向正值的方向位移后的位置。理论值线GdL3比理论值线GdL1更位于负值的方向，并位于将理论值线GdL1向负值的方向位移后的位置。

推定部620算出分别与多个沿磁道间隙Gd对应的多个理论值线。以下，为便于说明，将分别与多个沿磁道间隙Gd对应的多个理论值线称为沿磁道间隙线组。换言之，推定部620使预定设定值内的沿磁道间隙Gd变化成各种值来算出沿磁道间隙线组。推定部620将算出的沿磁道间隙线组记录于预定记录区域、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等。

图8是表示对象值的变化的一例的图。在图8中，横轴表示盘10的半径位置，纵轴表示读取磁道间隔。在横轴上，随着在外方向箭头所朝的方向上前进而朝向盘10的外周，随着在内方向箭头所朝的方向上前进而朝向盘10的内周。在纵轴上，随着在正值箭头所朝的方向上前进，读取磁道间隔增大，随着在负值箭头所朝的方向上前进，读取磁道间隔减小。在图8中，点PT1表示将头15定位于盘10的半径位置P1所检测出的读取磁道间隔Um1，点PT2表示将头15定位于盘10的半径位置P2所检测出的读取磁道间隔Um2。以下，有时也称将头15定位于盘10的预定半径位置所检测出的读取磁道间隔为检测值(或者测定值)。另外，有时也称将头15定位于预定半径位置所检测出的检测值为检测点。在图8所示的例子中，半径位置P2比半径位置P1更位于内方向。另外，检测值Um2比检测值Um1大。在图8中，线L1表示基于检测点PT1以及PT2推定出的对象值的变化。如图8所示，有时也将表示基于检测点推定出的对象值的线称为推定线。

在图8所示的例子中，推定部620在写入了图5所示的伺服图形SSV的盘10中基于伺服图形SSV将头15定位于半径位置P1而检测出检测值Um1。推定部620例如基于图7所示的沿磁道间隙线组以及检测点PT1，检测将头15定位于半径位置P1的情况下的沿磁道间隙Gd。

在图8所示的例子中，推定部620将头15定位于写入了图5所示的伺服图形SSV的盘10的半径位置P2而检测出检测值Um2。推定部620例如基于图6所示的跨磁道间隙线组以及检测点PT2，检测将头15定位于半径位置P2的情况下的跨磁道间隙Gc。

在图8所示的例子中，推定部620基于检测出的沿磁道间隙Gd、检测出的跨磁道间隙Gc、检测点PT1以及检测点PT2来推定推定线L1。推定部620将推定出的推定线记录于预定记录区域、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等。

此外，推定部620也可以基于图6所示的跨磁道间隙线组以及检测点PT1，检测将头15定位于半径位置P1的情况下的跨磁道间隙Gc。推定部620也可以基于图7所示的沿磁道间隙线组以及检测点PT2，检测将头15定位于半径位置P2的情况下的沿磁道间隙Gd。推定部620也可以基于图6所示的跨磁道间隙线组以及检测点PT1，检测将头15定位于半径位置P1的情况下的跨磁道间隙Gc。推定部620也可以基于图7所示的沿磁道间隙线组以及检测点PT1，检测将头15定位于半径位置P1的情况下的沿磁道间隙Gd。推定部620也可以基于图6所示的跨磁道间隙线组以及检测点PT2，检测将头15定位于半径位置P2的情况下的跨磁道间隙Gc。推定部620也可以基于图7所示的沿磁道间隙线组以及检测点PT2，检测将头15定位于半径位置P2的情况下的沿磁道间隙Gd。另外，也能够基于推定线和检测点来推定读取头15R1以及15R2的配置。因此，也能够将推定线使用于头制造上的交叉管理。

误差检测部630检测盘10的各磁道上的磁道间距的误差(以下，称为磁道间距误差)。误差检测部630例如在写入了图5所示的伺服图形SSV的盘10中，将头15定位于预定半径位置来检测检测值，并基于图8所示的推定线以及检测点来检测磁道间距误差。误差检测部630在盘10的半径方向的各半径位置处检测检测值，基于图8所示的推定线以及检测点来检测盘10的半径方向上的磁道间距误差的变化(以下，称为磁道间距误差的变化)。此外，也存在将磁道间距误差的变化简单称为磁道间距误差的情况。误差检测部630将检测出的磁道间距误差的变化记录于预定记录区域、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等。

图9是表示磁道间距误差的检测方法的一例的示意图。图9中表示了沿半径方向连续排列的磁道TRn-1、TRn、TRn+1以及TRn+2。图9中表示了磁道TRn-1的磁道中心TRCn-1、磁道TRn的磁道中心TRCn、磁道TRn+1的磁道中心TRCn+1以及磁道TRn+2的磁道中心TRCn+2。图9中表示了磁道TRn-1与磁道TRn的磁道间距TPn-1、磁道TRn与磁道TRn+1的磁道间距TPn以及磁道TRn+1与磁道TRn+2的磁道间距TPn+1。磁道间距TPn-1例如是磁道中心TRCn-1与磁道中心TRCn的距离，磁道间距TPn例如是磁道中心TRCn与磁道中心TRCn+1的距离，磁道间距TPn+1例如是磁道中心TRCn+1与磁道中心TRCn+2的距离。磁道中心TRCn位于半径位置Pd0。图9中表示了将读取头15R1配置于半径位置Pd0而定位的头15。在图9所示的例子中，为便于说明，头15平行于磁道中心TRCn而配置，但也可以相对于磁道中心TRCn而倾斜。图9中表示了将读取头15R1配置在半径位置Pd0的情况下的读取头15R2的半径位置Pd1、和将读取头15R1配置在半径位置Pd0的情况下的读取头15R2的理论位置Pd2。图9中表示了将读取头15R1配置在半径位置Pd0的情况下的理论值Utr91、和将读取头15R1配置在半径位置Pd0的情况下的检测值Um91。

在图9所示的例子中，误差检测部630在写入了图5所示的伺服图形SSV的盘10中基于伺服图形SSV将读取头15R1配置于半径位置Pd0来对头15进行定位。误差检测部630基于配置有读取头15R1的半径位置Pd0和配置有读取头15R2的半径位置Pd1检测出检测值Um91。误差检测部630检测出与配置了读取头15R1的半径位置Pd0对应的图8所示的推定线内的对象值例如理论值Utr91。误差检测部630基于检测值Um91以及理论值Utr91检测磁道间距误差PE。误差检测部630在盘10的半径方向的各磁道上检测检测值，基于图8所示的推定线以及检测点来检测磁道间距误差的变化。误差检测部630将检测出的磁道间距误差的变化记录于预定记录区域、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等。

伺服数据控制部640基于磁道间距误差的变化对盘10写入伺服数据。伺服数据控制部640例如在写入了图5所示的伺服图形SSV的盘10中，基于与该盘10对应的磁道间距误差的变化来写入图2所示的伺服图形SV。

图10是表示磁道间距的变化的一例的图。在图10中，横轴表示盘10的半径位置，纵轴表示磁道间距。在横轴上，随着在外方向箭头所朝的方向上前进而朝向盘10的外周，随着在内方向箭头所朝的方向上前进而朝向盘10的内周。在纵轴上，随着在大的箭头所朝的方向上前进，磁道间距增大，随着在小的箭头所朝的方向上前进，磁道间距减小。在图10中，线TPL1在盘10的半径方向上表示一定的磁道间距(以下，称为基准磁道间距)，线TPL2表示相对于基准磁道间距的磁道间距误差的变化，线TPL3表示用于将线TPL2的磁道间距误差的变化修正为基准磁道间距的值(以下，称为修正值)的变化(以下，称为修正值的变化)。此外，也存在将修正值的变化简单称为修正值的情况。修正值的变化TPL3例如相当于磁道间距误差的变化TPL2的倒数。如图10所示，将表示基准磁道间距的线称为基准磁道间距线，将表示磁道间距误差的变化的线称为磁道间距误差线，将表示修正值的变化的线称为修正值线。

在图10所示的例子中，伺服数据控制部640基于磁道间距误差线TPL2算出修正值线TPL3。伺服数据控制部640在写入了图5所示的伺服图形SSV的盘10的半径方向上，基于修正值线TPL3调整图2所示的伺服图形SV并且进行写入。通过基于修正值线TPL3写入伺服图形SV，伺服数据控制部640将成为基准磁道间距TPL1的伺服图形SV写入盘10。

图11是表示磁道间距误差的检测方法的一例的流程图。

MPU60检测检测点(B1101)。例如，MPU60在盘10的不同的两个半径位置处检测检测点。MPU60检测跨磁道间隙Gc以及沿磁道间隙Gd(B1102)。例如，MPU60基于沿磁道间隙线组和一个检测点，检测沿磁道间隙Gd。另外，MPU60基于跨磁道间隙线组和另一个检测点，检测跨磁道间隙Gc。MPU60推定推定线(B1103)。例如，MPU60基于检测出的沿磁道间隙Gd、检测出的跨磁道间隙Gc以及两个检测点来推定推定线。MPU60检测磁道间距误差(B1104)，并结束处理。例如，MPU60基于在盘10的各半径位置处检测出的检测值和推定线来检测磁道间距误差的变化，将检测出的磁道间距误差的变化记录于预定记录区域、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等，并结束处理。

图12是表示本实施方式的头的定位方法的一例的图。

MPU60算出修正值(B1201)。例如，MPU60基于磁道间距误差来算出修正值。在一例中，MPU60算出磁道间距误差的倒数作为修正值。MPU60基于修正值来写入伺服图形SV(B1202)。MPU60基于伺服图形对头15进行定位(B1203)，并结束处理。例如，MPU60基于基于修正值所写入的伺服图形SV来对头15进行定位，并结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1具备读取头15R1以及15R2。磁盘装置1基于由读取头15R1和15R2分别检测出的不同的两个检测点、跨磁道间隙线组以及沿磁道间隙线组来检测推定线。磁盘装置1基于推定线和检测点来检测磁道间距误差。磁盘装置1基于磁道间距误差来算出修正值。磁盘装置1基于修正值来写入伺服图形SV。磁盘装置1基于基于修正值写入的伺服图形来对头进行定位。因此，磁盘装置1能够提高读取/写入处理的精度。另外，磁盘装置1能够仅通过读取处理来修正磁道间距误差。因此，能够缩短用于修正磁道间距误差的处理时间。

接着，对变形例涉及的磁盘装置进行说明。在变形例中，对与上述实施方式相同的部分赋予相同的标号并省略其详细的说明。

(变形例1)

变形例1的磁盘装置1的不同之处在于，后置码内具有与修正值关联的信息。

图13是表示变形例1所涉及的伺服图形SV的一例的示意图。在图13中，伺服图形SV包含前导码(Preamble)、伺服标记(Servo Mark)、格雷码(Gray Code)、PAD、N突发(Nburst)、Q突发(Q burst)以及后置码(Post Code)等。

MPU60在写入图2所示的伺服图形SV后，再次检测磁道间距误差。MPU60在写入了伺服图形SV的盘10中如前所述那样推定推定线。MPU60在写入了伺服图形SV的盘10中如前所述那样检测磁道间距误差。MPU60基于检测出的磁道间距误差来算出修正值。MPU60将与检测出的修正值关联的信息(以下，称为修正值信息)CI写入伺服图形SV的后置码(PostCode)。MPU60基于伺服图形SV对头15进行定位。

图14是表示本实施方式的头的定位方法的一例的图。

MPU60算出修正值(B1201)。MPU60将修正值信息CI写入伺服图形(B1401)。例如，MPU60将修正值信息CI写入后置码。MPU60基于伺服图形SV对头15进行定位(B1203)，并结束处理。例如，MPU60基于基于修正值写入的伺服图形来对头15进行定位，并结束处理。

根据变形例1，磁盘装置1在写入伺服图形SV后，检测推定线，基于推定线和检测点来检测磁道间距误差，并基于磁道间距误差来算出修正值。磁盘装置1将修正值信息写入伺服图形SV的后置码。磁盘装置1基于基于修正值写入的伺服图形来对头进行定位。因此，磁盘装置1能够提高读取/写入处理的精度。

说明了几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，没有限定发明范围的意图。这些新的实施方式能够以其他的各种各样的方式来实施，在不脱离发明要旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围或要旨内，并且包含于权利要求所记载的发明及其等同的范围内。