具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一例，并不是对发明的范围进行限定。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下，也有时称为头放大器IC或前置放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓冲器)90、以及作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(主机)100连接。

HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(SPM)12、搭载有头15的臂13及音圈马达(VCM)14。盘10安装于主轴马达12，并通过主轴马达12的驱动而旋转。臂13和VCM14构成致动器。致动器通过VCM14的驱动将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。盘10和头15可以设置两个以上的数量。以下，也有时将向磁盘装置1的各部和外部设备例如盘10写入的数据称为写数据，也有时将从磁盘1装置1的各部和外部设备例如盘10读取的数据称为读数据。也有时将写数据仅称为数据，也有时将读数据仅称为数据，也有时将写数据和读数据汇总称为数据。

盘10中，对其记录区域分配有瓦记录(Shingled Magnetic Recording：SMR)区域10s和媒体缓存(media cache)区域10m。以下，将沿着盘10的圆周的方向称为圆周方向，将与圆周方向交叉的方向称为半径方向。将盘10的预定的圆周方向的预定的位置称为圆周位置，将盘10的预定的半径方向的预定的位置称为半径位置。另外，也有时将半径位置和圆周位置汇总仅称为位置。

瓦记录区域10s记录有从主机100请求写入的用户数据等。媒体缓存区域10m能够作为瓦记录区域10s的缓存而被利用。在瓦记录区域10s中，在磁道的一部分重叠写入接下来将写入的磁道。因此，瓦记录区域10s的磁道密度(Track Per Inch：TPI)比没有被重叠写入的记录区域的磁道密度高。在瓦记录区域10s中，分别包含在半径方向上的一个方向上进行了连续地重叠写入的多个磁道的多个磁道组相互隔开间隔(间隙)地配置。以下，将包含在半径方向上的一个方向上进行了连续地重叠写入的多个磁道的磁道组称为带区域。带区域包含一部分重叠写入了在半径方向上相邻的磁道(以下，也有时称为相邻磁道)的至少1个磁道、和最后进行了重叠写入的磁道(以下，也有时称为最终磁道)。在此，“相邻”是指，数据、物体、区域以及空间等挨着排列这一点自不必说，还包括隔着预定的间隔地排列。最终磁道由于一部分没有被重叠写入有其他磁道，所以磁道的半径方向的宽度(以下，也有时称为磁道宽度)比一部分被重叠写入的磁道宽。此外，在瓦记录区域10s中，也可以以并非瓦记录型式的通常的记录型式写入数据。媒体缓存区域10m也可以作为写入系统管理所需的信息的区域等而被利用。另外，在瓦记录型式或通常的记录型式中也可以都不具备媒体缓存区域10m。以下，“磁道”以“在盘10的半径方向上区分而得到的多个区域内的1个区域”、“沿着盘10的圆周方向被写入的1周的数据”、“沿着盘10的圆周方向1周的路径”以及其他各种含义而使用。磁道包含多个扇区。“扇区”以“将磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域内的1个区域”、“写入到将磁道在圆周方向上区分而得到的多个区域内的1个区域的数据”以及其他各种含义使用。也有时将与预定的扇区在半径方向上相邻的扇区称为“相邻扇区”。将磁道的半径方向的宽度称为磁道宽度。也有时将预定的磁道的预定的圆周位置上的磁道宽度的中心位置称为磁道中心，也有时将在预定的磁道上通过磁道宽度的中心的路径称为磁道中心。另外，将“被写入了的磁道”称为“写磁道”。也有时将“除了相邻磁道被重叠写入了的区域后剩余的写磁道的区域”称为“读磁道”。另外，也有时将“写磁道”仅称为“磁道”，将“读磁道”仅称为“磁道”，也有时将“写磁道”和“读磁道”汇总仅称为“磁道”。也有时将“写磁道的半径方向的宽度”称为“写磁道宽度”，将“读磁道的半径方向的宽度”称为“读磁道宽度”。也有时将“写磁道宽度”和“读磁道宽度”汇总称为“磁道宽度”。

头15以滑块为本体，具备安装于该滑块的写头15W和读头15R。写头15W向盘10写数据。例如，写头15W在盘10上对预定的磁道进行写入。读头15R读取记录于盘10的数据。例如，读头15R对盘10的预定的磁道进行读取。

图2是表示本实施方式的头15相对于盘10的配置的一例的示意图。如图2所示，将在半径方向上朝向盘10的外周的方向称为外方向(外侧)，将与外方向相反的方向称为内方向(内侧)。另外，如图2所示，在圆周方向上，将相对于盘10向右旋转(顺时针)方向称为右方向，将与向右旋转的方向相反(逆时针)方向称为左方向。在圆周方向上，将盘10的旋转的方向称为旋转方向。此外，在图2所示的例子中，旋转方向以左方向(逆时针方向)表示，但是也可以是相反方向(右方向或顺时针方向)。

头15相对于盘10通过VCM14的驱动从内方向向外方向移动至预定的位置，或从外方向向内方向移动至预定的位置。

盘10具有奇偶校验区域PA。奇偶校验区域PA从盘10内周向外周延伸。奇偶校验区域PA具有多个奇偶校验扇区。例如，多个奇偶校验扇区各自具有多个奇偶校验数据。多个奇偶校验数据分别与写入到盘10中的多个磁道对应。因此，奇偶校验区域PA如图所示可以在盘10的半径方向上连续设置，另外，也可以分散设置。以下，也有时将“写入到奇偶校验扇区的奇偶校验数据”、“奇偶校验数据”称为“奇偶校验扇区”。盘10例如也具有未图示的多个伺服区域。多个伺服区域例如在半径方向上放射状地延伸并在圆周方向上隔开预定的间隔离散地配置。伺服区域具有多个伺服扇区。在盘10的瓦记录区域10s中，向奇偶校验区域PA和伺服区域以外的区域写入用户数据等。例如，扇区包含伺服扇区和紧接着该伺服扇区的数据部。

图3是表示写入了数据的瓦记录区域10s的一例的示意图。图3仅示出了说明所必须的构成。如图3所示，在半径方向上，将顺序地(Sequential)读写数据的方向称为顺方向(正向)。顺方向例如相当于在预定的磁道相继重叠写入其他磁道的方向。在图3中，顺方向是内方向。此外，顺方向也可以是外方向。如图3所示，在圆周方向上，将读/写的方向称为读/写方向。读/写方向相当于头15相对于盘10的行进方向。在图3中，读/写方向是右方向。此外，读/写方向也可以是左方向。

在图3所示的例子中，瓦记录区域10s包含带区域TGn。在图3中，为了便于说明，带区域TGn中的各磁道呈直线状延伸。实际上，带区域TGn中的各磁道是沿着盘10的形状弯曲的同心圆状。也就是说，实际上，带区域TGn中的各磁道的左方向的端部和右方向的端部一致。另外，带区域TGn中的各磁道实际上会产生由干扰、其他构造等的影响导致的偏移等。此外，瓦记录区域10s也可以包含两个以上的带区域。

在图3所示的例子中，带区域TGn包含写磁道WTn、WTn+1、WTn+2、WTn+3以及WTn+4。写磁道WTn和WTn+1相互一部分重叠。写磁道WTn+1和WTn+2相互一部分重叠。写磁道WTn+2和WTn+3相互一部分重叠。写磁道WTn+3和WTn+4相互一部分重叠。在带区域TGn中，写磁道WTn至WTn+4在半径方向上按该顺序被重叠写入。此外，带区域TGn设为包含5个磁道，但也可以包含比5少的数量的磁道，也可以包含比5多的数量的磁道。

写磁道WTn具有磁道边缘EnA和磁道边缘EnB。在图3所示的例子中，磁道边缘EnA是写磁道WTn的外方向的端部，磁道边缘EnB是写磁道WTn内方向(正向)的端部。写磁道WTn+1具有磁道边缘En+1A和磁道边缘En+1B。在图3所示的例子中，磁道边缘En+1A是写磁道WTn+1的外方向的端部，磁道边缘En+1B是写磁道WTn+1内方向(正向)的端部。写磁道WTn+2具有磁道边缘En+2A和磁道边缘En+2B。在图3所示的例子中，磁道边缘En+2A是写磁道WTn+2的外方向的端部，磁道边缘En+2B是写磁道WTn+2内方向(正向)的端部。写磁道WTn+3具有磁道边缘En+3A和磁道边缘En+3B。在图3所示的例子中，磁道边缘En+3A是写磁道WTn+3的外方向的端部，磁道边缘En+3B是写磁道WTn+3内方向(正向)的端部。写磁道(最终磁道)WTn+4具有磁道边缘En+4A和磁道边缘En+4B。在图3所示的例子中，磁道边缘En+4A是写磁道WTn+4的外方向的端部，磁道边缘En+4B是写磁道WTn+4内方向(正向)的端部。

写磁道WTn的写磁道宽度WWn是磁道边缘EnA与EnB之间的半径方向上的长度。写磁道WTn+1的写磁道宽度WWn+1是磁道边缘En+1A与En+1B之间的半径方向上的长度。写磁道WTn+2的写磁道宽度WWn+2是磁道边缘En+2A与En+2B之间的半径方向上的长度。写磁道WTn+3的写磁道宽度WWn+3是磁道边缘En+3A与En+3B之间的半径方向上的长度。写磁道WTn+4的写磁道宽度WWn+4是磁道边缘En+4A与En+4B之间的半径方向上的长度。写磁道宽度WWn至WWn+4例如相同。此外，写磁道宽度WWn至WWn+4也可以不同。

读磁道RTn是除去了被重叠写入有写磁道WTn+1的写磁道WTn的一部分得到的剩余区域。读磁道RTn+1是除去被重叠写入有写磁道WTn+2的写磁道WTn+1的一部分得到的剩余区域。读磁道RTn+2是除去被重叠写入有写磁道WTn+3的写磁道WTn+2的一部分得到的剩余区域。读磁道RTn+3是除去被重叠写入有写磁道WTn+4的写磁道WTn+3的一部分得到的剩余区域。读磁道RTn+4与写磁道WTn+4对应。读磁道RTn+4相当于带区域TGn中的最终磁道。

读取磁道RTn的读取磁道宽度RWn是磁道边缘EnA与En+1A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+1的读取磁道宽度RWn+1是磁道边缘En+1A与En+2A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+2的读取磁道宽度RWn+2是磁道边缘En+2A与En+3A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+3的读取磁道宽度RWn+3是磁道边缘En+3A与En+4A之间的半径方向上的长度。读取磁道RTn+4的读取磁道宽度RWn+4是磁道边缘En+4A与En+4B之间的半径方向上的长度。也就是说，读取磁道宽度RWn+4与写入磁道宽度WWn+4相同。

驱动器IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制，控制SPM12和VCM14的驱动。

头放大器IC(前置放大器)30具备读放大器和写驱动器。读放大器将从盘10读取的读信号放大，并向系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)输出。写驱动器向头15输出与从R/W通道40输出的写数据相应的写入电流。

易失性存储器70是当切断电力供给时所保存着的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70存储磁盘装置1的各部中的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)或SDRAM(Synchronous DynamicRandom Access Memory：同步动态存储器)。

非易失性存储器80是即使电力供给被切断也会记录所保存着的数据的半导体存储器。非易失性存储器80例如是否R型或NAND型的闪存ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。

缓冲存储器90是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器90可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器90例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory：静态随机存取存储器)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric Random Access memory：铁电随机存取存储器)或MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory：磁阻式随机存取记忆体)等。

系统控制器(控制器)130例如使用多个元件集成于单一芯片而成的被称为System-on-a-Chip(SoC：片上系统)的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包含读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器(MPU)60等。R/W通道40、HDC50以及MPU60各自彼此电连接。系统控制器130例如与驱动器IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器90以及主机系统100等电连接。

R/W通道40响应于来自后述的MPU60的指示，执行从盘10向主机100传送的读取数据和从主机100传送的写入数据的信号处理。R/W通道40具有测定读取数据的信号质量的电路或功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。

HDC50根据来自后述的MPU60的指示，控制主机100与R/W通道40之间的数据传送。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、非易失性存储器80以及缓冲存储器90等电连接。

MPU60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。MPU60经由驱动器IC20控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60经由驱动器IC20控制SPM12，使盘10旋转。MPU60控制向盘10的数据的写入动作，并且选择从主机100传送的写数据的保存目的地。另外，MPU60控制从盘10的数据的读动作，并且控制从盘10传送至主机100的读数据的处理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动器IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。

MPU60包含读/写控制部610、奇偶校验数据管理部620以及纠错控制部630等。MPU60在固件上执行所述各部例如，读/写控制部610、奇偶校验数据管理部620、以及纠错控制部630等的处理。此外，MPU60也可以具备所述各部、例如，读/写控制部610、奇偶校验数据管理部620、以及纠错控制部630来作为电路。

读/写控制部610按照来自主机100等的命令，控制数据的读处理以及写入处理。读/写控制部610经由驱动器IC20控制VCM14，将头15定位在盘10上的预定的位置，对数据进行读或写。例如，读/写控制部610基于读取设置于盘10上的伺服扇区的数据而得到的头15的位置信息进行寻道(seek)，将头15定位在作为预定的磁道的目标的半径位置(以下，也有时称为目标位置)，在预定的圆周位置写数据或从预定的圆周位置读数据。换言之，读/写控制部610进行寻道，将头15定位于作为目标的磁道(以下，也有时称为目标磁道)，向目标磁道的预定的扇区写数据、或从目标磁道的预定的扇区读数据。读/写控制部610将头15分别定位于与盘10呈同心圆状排列着的多个圆周位置各自所对应的多个目标位置来对预定的磁道进行写入。以下，将以预定的磁道的各圆周位置上的各目标位置表示的头15的路径称为目标路径。在执行瓦记录的情况下，读/写控制部610从预定的带区域的预定的扇区顺序地写数据。在对预定的带区域进行读的情况下，读/写控制部610从该带区域的预定的扇区顺序地读数据。以下，也有时将“将头15(写头15W或读头15R)的中心部定位或配置在预定的位置”仅称为“将头15(写头15W或读头15R)定位或配置在预定的位置”。另外，也有时将“将头15(写头15W或读头15R)定位或配置在预定的位置”仅称为“定位”或“配置”。此外，读/写控制部610也可以不以在相邻磁道的半径方向上重叠写入其他磁道的瓦记录型式，而以从相邻磁道在半径方向上隔开预定的间隔对其他磁道进行写入的通常的记录型式写数据。

读/写控制部610基于目标位置与头15的实际的半径位置(以下，称为实际位置)的误差(以下，称为偏移量或定位误差)，控制写入处理。例如，读/写控制部610基于之前、例如，前一个进行了写入的磁道(以下，也有时称为之前的磁道)所对应的偏移量(以下，也有时称为之前的偏移量)，设定当前将写入的、与之前的磁道在半径方向(顺方向)上相邻的磁道(以下，也有时称为当前的磁道)所对应的偏移量(以下，也有时称为当前的偏移量)的阈值(以下，称为DOL(Drift-Off Level))。以下，也有时将相对于顺方向相反的方向的DOL仅称为“DOL”。此外，也有时将顺方向的DOL称为“DOL”。换言之，读/写控制部610基于之前的磁道的各扇区(各相邻扇区)上的各个之前的偏移量，设定当前的磁道的各扇区上的各DOL。在当前的磁道的预定的圆周位置上当前的磁道所对应的偏移量超过了DOL(或较大)的情况下，读/写控制部610中断(停止或禁止)写入处理，等待旋转而从该预定的圆周位置开始再度写入处理。换言之，在当前的磁道的预定的扇区上的当前的偏移量超过了该扇区的DOL的情况下，读/写控制部610中断向该扇区的写入处理，等待旋转而从该扇区开始再度写入处理。也有时将“在预定的圆周位置上的偏移量超过了该圆周位置的DOL的情况下停止向该圆周位置的写入处理，等待旋转而从该圆周位置开始再度写入处理的处理”称为“重试(retry)处理”。这样，也有时将基于之前的偏移量和当前的偏移量来控制写入处理的功能称为DDOL(Dynamic Drift-Off Level)功能或DDOL。

图4是表示DDOL的一例的示意图。

在图4所示的例子中，带区域TGm示出写入磁道WTm、写入磁道WTm+1以及写入磁道WTm+2。在带区域TGm中，写入磁道WTm至WTm+2在正向上按该顺序被重叠写入。在图4中示出写入磁道WTm中的目标路径TWTm和用各圆周位置中的各实际位置表示的头15的路径(以下，称为实际路径)SWTm。将头15定位在实际路径SWTm，并对写入磁道WTm进行写入。写入磁道WTm具有磁道边缘EmA。磁道边缘EmA是写入磁道WTm的外方向的端部。在图4中示出写入磁道WTm+1中的目标路径TWTm+1和实际路径SWTm+1。将头15定位在实际路径SWTm+1，并对写入磁道WTm+1进行写入。写入磁道WTm+1具有磁道边缘Em+1A。磁道边缘Em+1A是写入磁道WTm+1的外方向的端部。读取磁道RTm配置在磁道边缘EmA与Em+1A之间。在图4中示出写入磁道WTm+2中的目标路径TWTm+2和实际路径SWTm+2。将头15定位在实际路径SWTm+2，并对写入磁道WTm+2进行写入。写入磁道WTm+2具有磁道边缘Em+2A。磁道边缘Em+2A是写入磁道WTm+1的外方向的端部。读取磁道RTm+1配置在磁道边缘Em+1A与Em+2A之间。读取磁道宽度RWc是圆周位置P0处的读取磁道RTm+1的半径方向上的长度。读取磁道宽度RWc例如是能够对读取磁道RTm+1进行读取的读取磁道宽度的下限值。在图4中，目标路径TWTm、TWTm+1以及TWTm+2例如是与盘10同心圆状的路径。

读/写控制部610以追随目标路径TWTm的方式对头15例如写入头15W进行定位并对写入磁道WTm进行写入。实际上，在对写入磁道WTm进行写入的情况下，写入头15W在实际路径SWTm上行进。因此，读/写控制部610基于实际路径SWTm，对写入磁道WTm进行写入。

读/写控制部610以追随目标路径TWTm+1的方式对写入头15W进行定位并对写入磁道WTm+1进行写入。实际上，在对写入磁道WTm+1进行写入的情况下，写入头15W在实际路径SWTm+1上行进。因此，读/写控制部610基于实际路径SWTm+1，对写入磁道WTm+1进行写入。在对写入磁道WTm+1进行写入时，读/写控制部610在圆周位置P0向正向以偏移量Dm+1偏移并写入。

读/写控制部610以追随目标路径TWTm+2的方式对头15例如写入头15W进行定位并对写入磁道WTm+2进行写入。实际上，在对写入磁道WTm+2进行写入的情况下，写入头15W在实际路径SWTm+2上行进。因此，读/写控制部610基于实际路径SWTm+2，对写入磁道WTm+2进行写入。在对写入磁道WTm+2进行写入时，读/写控制部610在圆周位置P0向相对于正向相反的方向(外方向)以偏移量Dm+2偏移并写入。

读/写控制部610例如基于写磁道WTm+1的圆周位置P0的偏移量Dm+1设定写磁道WTm+2的圆周位置P0上的DOL。在偏移量Dm+2超过写磁道WTm+2的圆周位置P0上的DOL的情况下，读/写控制部610中断(或停止)写入处理，等待盘10的旋转而从写磁道WTm+2的圆周位置P0再开始写入处理。

奇偶校验数据管理部620管理通过异或(Exclusive OR:XOR)运算取得的XOR运算值(以下，称为奇偶校验数据或运算值)。例如，奇偶校验数据管理部620对从主机100传送来的数据、或从盘10读取的数据执行XOR运算，取得奇偶校验数据来作为XOR运算的结果。奇偶校验数据管理部620经由读/写控制部610将奇偶校验数据向盘10的预定的磁道的预定的扇区、例如，奇偶校验扇区(奇偶校验区域PA)写入。在一例中，奇偶校验数据管理部620对从预定的磁道读出的、或向预定的磁道写入的全部扇区的数据执行XOR运算，将作为对全部扇区的数据进行XOR运算的结果而取得的奇偶校验数据向该磁道的奇偶校验扇区写入。奇偶校验数据管理部620例如，将在预定的磁道上遍及该磁道的1周开始将写入的数据的写入处理的扇区(以下，也有时称为开始扇区)的前一个(日文：直前)的、伺服扇区以外的扇区作为奇偶校验扇区写入奇偶校验数据。换言之，奇偶校验数据管理部620例如，将在预定的磁道上遍及该磁道的1周结束将写入的数据的写入处理的扇区(以下，也有时称为结束扇区)的后一个(日文：直後)的、伺服扇区以外的扇区作为奇偶校验扇区写入奇偶校验数据。奇偶校验数据管理部620将盘10的各磁道所对应的各奇偶校验数据向各磁道所对应的各奇偶校验扇区写入。此外，奇偶校验数据管理部620也可以用表等来管理奇偶校验数据有效还是无效。另外，奇偶校验数据管理部620也可以对预定的磁道的全部扇区内的每几个扇区的数据执行XOR运算，将作为对几个扇区的数据进行的XOR运算的结果而取得的奇偶校验数据记录于预定的记录区域、例如，瓦记录区域10s、媒体缓存10m、易失性存储器70、非易失性存储器80、或缓存存储器90。

纠错控制部630在读处理时，检测写入到无法读取、或即使读取预定的次数以上也无法读取的扇区(以下，称为读错误扇区)的数据(以下，称为读错误数据)，对检测出的读错误数据的错误进行纠正(以下，称为纠错或纠正)。以下，也有时将“写入到读错误扇区的读错误数据”以及“读错误数据”称为“读错误扇区”。纠错控制部630例如以磁道为单位执行纠错。在预定的磁道检测出读错误扇区的情况下，纠错控制部630基于该磁道所对应的奇偶校验数据(奇偶校验扇区)，纠正检测出的读错误扇区。也有时将基于奇偶校验数据(奇偶校验扇区)执行读错误扇区的纠错的处理称为Track ECC(Track Error Correction Code：跟踪纠错码)。纠错控制部630基于预定的磁道所对应的奇偶校验数据，能够执行在该磁道发生的多个读错误扇区内的预定数量(以下，也有时称为纠正扇区数)的读错误扇区的纠错。在一例中，纠错控制部630基于预定的磁道所对应的奇偶校验数据，能够执行5个(纠正扇区数＝5)读错误扇区的纠错。此外，纠错控制部630既可以是，基于预定的磁道所对应的奇偶校验数据，能够进行少于5个的纠正扇区数(纠正扇区数＜5)的读错误扇区的纠错，也可以是，能够进行6个以上(纠正扇区数≧6)的读错误扇区的纠错。此外，纠错控制部630也可以基于纠错符号执行纠错。

纠错控制部630对预定的磁道的多个扇区、例如全部扇区设定(或决定)优先执行纠错的顺序(以下，也有时称为优先编号)。就优先编号而言，执行纠错的优先级(以下，也有时称为纠正对象优先级)越高，则编号越小。纠错控制部630基于之前的磁道的各扇区的各偏移量、或当前的磁道的各扇区的各DOL，对之前的磁道的各扇区设定优先编号。例如，纠错控制部630按顺方向的偏移量从大到小的顺序对之前的磁道的各扇区设定优先编号。例如，纠错控制部630按在顺方向上相邻的当前的磁道的扇区上的DOL从小到大的顺序对之前的磁道的各扇区设定优先编号。纠错控制部630将之前的磁道的各扇区和对之前的磁道的各扇区设定的优先编号进行关联并作为表记录于预定的记录区域、例如，媒体缓存区域10m、易失性存储器70或非易失性存储器80等。纠错控制部630基于当前的磁道的各扇区的各DOL和当前的磁道的、向之前的磁道一侧、也即是相对于顺方向的相反方向的最大的偏移量的推定值(以下，也有时称为最大偏移推定值)，将优先编号从最小(或年轻的)的编号起依次到预定的优先编号为止的之前的磁道的至少1个扇区，设定为在成为了读错误时执行纠错的扇区(以下，也有时称为纠正对象扇区)。最大偏移推定值例如在预定的磁道中是一定的。此外，最大偏移推定值也可以在预定的磁道上按每个扇区变化。纠错控制部630也可以利用试验等测定或算出各头15以及各盘10的各磁道所对应的最大偏移推定值，将测定或算出的各头15以及各盘10的各磁道所对应的最大偏移推定值记录于预定的记录区域、例如，媒体缓存区域10m、易失性存储器70、或非易失性存储器80等。例如，纠错控制部630将DOL比最大偏移推定值小的当前的磁道的至少1个扇区所分别对应的之前的磁道的至少1个扇区内的从优先编号最小的扇区起依次到纠正扇区数为止的之前的磁道的至少1个扇区设定为纠正对象扇区。纠错控制部630也可以将至少1个纠正对象扇区作为表记录于预定的记录区域、例如，媒体缓存区域10m、易失性存储器70、或非易失性存储器80等。纠错控制部630将与至少1个纠正对象扇区在顺方向上相邻的当前的磁道的至少1个扇区设定为纠正对象关联扇区。纠错控制部630在向预定的纠正对象关联扇区写入数据时，在该纠正对象关联扇区中的偏移量超过了该纠正对象关联扇区所对应的DOL的情况下，抑制或停止“中断向该纠正对象关联扇区的写入处理(停止或禁止)，等待旋转而从该纠正对象关联扇区再开始写入处理的处理(重试处理)”。换言之，纠错控制部630在向预定的纠正对象关联扇区写入数据时，即使该纠正对象关联扇区的偏移量超过该纠正对象关联扇区的DOL也继续写入处理。纠错控制部630在判定为预定的纠正对象扇区是读错误扇区的情况下，对判定为是读错误扇区的纠正对象扇区执行纠错。纠错控制部630将之前的磁道的纠正对象扇区以外的至少1个扇区设定为在偏移量超过了DOL时执行重试处理的扇区(以下，也有时称为非对象扇区)。此外，也可以将之前的磁道的纠正对象扇区以外、且为最大偏移推定值以下的之前的磁道的至少1个扇区设定为非对象扇区。纠错控制部630将与至少1个非对象扇区在顺方向上相邻的当前的磁道的至少1个扇区设定为非对象关联扇区。纠错控制部630也可以将至少1个非对象扇区作为表记录于预定的记录区域、例如，媒体缓存区域10m、易失性存储器70、或非易失性存储器80等。纠错控制部630在向至少1个非对象关联扇区写入数据时，在预定的非对象关联扇区的偏移量超过了该非对象关联扇区的DOL的情况下，中断向该非对象关联扇区的写入处理，执行等待旋转而从该非对象关联扇区再开始写入处理的重试处理。

图5是表示本实施方式的以磁道为单位的纠错的方法的一例的示意图。

图5中示出了磁道TRn。磁道TRn既可以是预定的带区域的1个写磁道或读磁道，也可以是以通常的记录型式被写入的磁道。例如，磁道TRn既可以是图3所示的写磁道WTn，也可以是图3所示的读磁道RTn。在图5中，磁道TRn与盘10呈同心圆状，但也可以是圆状以外的形状。磁道TRn包含扇区Sn0、Sn1、Sn2、Sn3、Sn4、Sn5、Sn6、Sn7、Sn8、Sn9、…、Snn、以及奇偶校验扇区PSn。在图5中，扇区Sn0相当于开始扇区，扇区Snn相当于结束扇区。此外，磁道TRn既可以包含其他扇区，也可以包含扇区Sn0至扇区Snn内的几个扇区。在图5中，扇区Sn8是读错误扇区。

读/写控制部610例如在磁道TRn中，最先向扇区Sn0写入用户数据。读/写控制部610从扇区Sn0向扇区Snn沿读/写方向写入用户数据。

奇偶校验数据管理部620对扇区Sn0至Snn所分别对应的多个用户数据执行XOR运算，作为对扇区Sn0至Snn所分别对应的多个用户数据进行的XOR运算的结果而算出奇偶校验数据。

奇偶校验数据管理部620在磁道TRn中向位于最后写入了用户数据的扇区Snn的读/写方向的下一个(相邻的)奇偶校验扇区PSn，写入扇区Sn0至Snn所对应的奇偶校验数据。

读/写控制部610沿着读/写方向从扇区Sn0到扇区Snn进行读取。

纠错控制部630检测读错误扇区Sn8的读错误数据，基于写入到奇偶校验扇区PSn的奇偶校验数据，纠正写入到读错误扇区Sn8的读错误数据。

图6A是表示本实施方式的纠正对象扇区的设定方法的一例的示意图。图6B是表示对本实施方式的预定的磁道的各扇区设定的优先编号的表TB1的一例的示意图。在图6A中示出了磁道TR0和磁道TR1。在图6A中示出了在对磁道TR0进行写入后，开始与磁道TR0在顺方向上相邻的磁道TR1的写入处理的状态。也就是说，将磁道TR1设为当前的磁道，则磁道TR0相当于之前的磁道。磁道TR0具有扇区Sc00、Sc01、Sc02、Sc03、Sc04、Sc05、Sc06、Sc07、Sc08、Sc09、…、以及、奇偶校验扇区Pc0。此外，磁道TR1既可以除了扇区Sc00至Sc09以及奇偶校验扇区Pc0以外还具有多个扇区，也可以不具有扇区Sc00至Sc09内的几个扇区。在图6A中，扇区Sc00至Sc09朝向读/写方向连续地排列。也就是说，扇区Sc00在读/写方向上相邻着扇区Sc01，扇区Sc01在读/写方向上相邻着扇区Sc02，扇区Sc02在读/写方向相邻着扇区Sc03，扇区Sc03在读/写方向上相邻着扇区Sc04，扇区Sc04在读/写方向上相邻着扇区Sc05，扇区Sc05在读/写方向上相邻着扇区Sc06，扇区Sc06在读/写方向上相邻着扇区Sc07，扇区Sc07在读/写方向上相邻着扇区Sc08，扇区Sc08在读/写方向上相邻着扇区Sc09。在图6A中示出了将要对磁道TR0进行写入时的目标路径(磁道中心)TRC0和对磁道TR0进行了写入时的实际路径SP0。在图6A中，目标路径TRC0例如是与盘10呈同心圆状的路径。实际路径SP0在圆周方向上延伸、且在半径方向上相对于目标路径TRC0发生了变动。实际路径SP0相当于通过扇区Sc00至Sc09的中心部的路径。磁道TR1具有扇区Sc10、Sc11、Sc12、Sc13、Sc14、Sc15、Sc16、Sc17、Sc18、以及Sc19。此外，磁道TR1既可以除了扇区Sc10至Sc19以外还具有多个扇区，也可以不具有扇区Sc10至Sc19内的几个扇区。在图6A中，扇区Sc10至Sc19朝向读/写方向连续地排列。也就是说，扇区Sc10在读/写方向上相邻着扇区Sc11，扇区Sc11在读/写方向上相邻着扇区Sc12，扇区Sc12在读/写方向上相邻着扇区Sc13，扇区Sc13在读/写方向上相邻着扇区Sc14，扇区Sc14在读/写方向上相邻着扇区Sc15，扇区Sc15在读/写方向上相邻着扇区Sc16，扇区Sc16在读/写方向上相邻着扇区Sc17，扇区Sc17在读/写方向上相邻着扇区Sc18，扇区Sc18在读/写方向上相邻着扇区Sc19。在图6A中，扇区Sc10与扇区Sc00在顺方向上相邻，扇区Sc11与扇区Sc01在顺方向上相邻，扇区Sc12与扇区Sc02在顺方向上相邻，扇区Sc13与扇区Sc03在顺方向上相邻，扇区Sc1 4与扇区Sc04在顺方向上相邻，扇区Sc15与扇区Sc05在顺方向上相邻，扇区Sc16与扇区Sc06在顺方向上相邻，扇区Sc17与扇区Sc07在顺方向上相邻，扇区Sc18与扇区Sc08在顺方向上相邻，扇区Sc19与扇区Sc09在顺方向上相邻。在图6A中，示出了磁道TR1的目标路径(磁道中心)TRC1。在图6A中，目标路径TRC1例如是与盘10呈同心圆状的路径。在图6A中，为了便于说明，沿着目标路径TRC1配置有扇区Sc10至Sc19，但实际上在对磁道TR1进行写入时扇区Sc10至Sc19能够分别相对于目标路径TRC1偏移配置。在图6A中示出了磁道TR1的最大偏移推定值OT1。另外，图6A示出了扇区Sc10的DOLDL10、扇区Sc11的DOL DL11、扇区Sc12的DOL DL12、扇区Sc13的DOL DL13、扇区Sc14的DOLDL14、扇区Sc15的DOL DL15、扇区Sc16的DOL DL16、扇区Sc17的DOL DL17、扇区Sc18的DOLDL18、扇区Sc19的DOL DL19。在图6A中，DL14＞DL15＞DL13＞DL10＞DL16＞DL11＞DL19＞DL12＞DL17＞DL18。图6B中示出了包含之前的磁道的各扇区的各扇区编号和之前的磁道的各扇区的各扇区编号所对应的各优先编号的表TB1。扇区编号例如在半径方向上排列的扇区中相同。

在图6A所示的例子中，纠错控制部630在对磁道TR0进行了写入之后在磁道TR0的顺方向上对磁道TR1进行写入时(或前)，基于磁道TR0的各扇区、例如，扇区Sc00至Sc09的各偏移量，对与扇区Sc10至Sc19在相对于顺方向相反的方向上分别相邻的扇区Sc00至Sc09设定优先编号。此外，纠错控制部630也可以在对磁道TR0进行了写入之后在磁道TR0的顺方向上对磁道TR1进行写入时(或前)，基于磁道TR1的各扇区、例如，扇区Sc10至Sc19的各DOL、例如，DOL DL10至DL19，对与扇区Sc10至Sc19在相对于顺方向相反方向上分别相邻的扇区Sc00至Sc09设定优先编号。纠错控制部630对扇区Sc08设定优先编号0，对扇区Sc07设定优先编号1，对扇区Sc02设定优先编号2，对扇区Sc09设定优先编号3，对扇区Sc01设定优先编号4，对扇区Sc06设定优先编号5，对扇区Sc00设定优先编号6，对扇区Sc03设定优先编号7，对扇区Sc05设定优先编号8，对扇区Sc04设定优先编号9。纠错控制部630如图6B所示，将扇区Sc00至Sc09与对扇区Sc00至Sc09分别设定的优先编号进行关联并作为表TB1记录于预定的记录区域、例如，媒体缓存区域10m、易失性存储器70、或非易失性存储器80等。纠错控制部630将与比最大偏移推定值OT1小的DOL DL10、DL11、DL12、DL13、DL16、DL17、DL18、以及DL19所分别对应的扇区Sc10、Sc11、Sc12、Sc13、Sc16、Sc17、Sc18、以及Sc19在相对于顺方向相反方向上分别相邻的之前的磁道的扇区Sc00、Sc01、Sc02、Sc03、Sc06、Sc07、Sc08、以及Sc09内的按优先编号从小到大的顺序将纠正扇区数例如5个扇区Sc08、Sc07、Sc02、Sc09、以及Sc01设定为纠正对象扇区。纠错控制部630将与纠正对象扇区Sc08、Sc07、Sc02、Sc09、以及Sc01在顺方向上分别相邻的扇区Sc18、Sc17、Sc12、Sc19、以及Sc11设定为纠正对象关联扇区。

纠错控制部630在开始了磁道TR1的写入处理时，即使纠正对象关联扇区Sc18、Sc17、Sc12、Sc19、或Sc11的偏移量超过了纠正对象关联扇区Sc18、Sc17、Sc12、Sc19、或Sc11的DOL DL18、DL17、DL12、DL19、或DL11，也继续向纠正对象关联扇区Sc18、Sc17、Sc12、Sc19、或Sc11的写入处理。纠错控制部630在判定为纠正对象扇区Sc08、Sc07、Sc02、Sc09、以及Sc01中的至少1个扇区是读错误扇区的情况下，基于奇偶校验扇区Pc0对判定为是读错误扇区的至少1个扇区执行纠错。

纠错控制部630在开始了磁道TR1的写入处理时，在非对象关联扇区Sc10、Sc13、Sc14、Sc15、或Sc16的偏移量超过了非对象关联扇区Sc10、Sc13、Sc14、Sc15、或Sc16的DOLDL10、DL13、DL14、DL15、或DL16的情况下，中断向非对象关联扇区Sc10、Sc13、Sc14、Sc15、或Sc16的写入处理而执行：等待旋转而从非对象关联扇区Sc10、Sc13、Sc14、Sc15、或Sc16再开始写入处理的重试处理。

如前所述，将与当前的磁道的DOL小的扇区在相对于顺方向相反方向上相邻的之前的磁道的扇区作为纠错的对象，在该DOL小的当前的磁道的扇区中抑制重试处理，从而能够减少重试处理的发生频度。另外，通过能够减少重试处理的发生频度，能够通过向各扇区连续地写入而不间断地顺利地对磁道进行写入。因此，能够提高写性能。

图7是表示本实施方式的写入处理时的头15的定位控制系统SY的一例的框图。

磁盘装置1具有写入处理时的头15的定位控制系统(以下，称为写控制系统)SY。写控制系SY具有：转换器A1、控制器A2、促动器A3、存储器A4、运算比较器A5、逻辑与电路器A6、检查器(Checker)A7、表B1、逻辑与电路器A8、计数器A9、运算比较器A10、运算器CL1、CL2、以及CL3。转换器A1、控制器A2、存储器A4、运算比较器A5、逻辑与电路器A6、检查器(Checker)A7、表B1、逻辑与电路器A8、计数器A9、运算比较器A10、运算器CL1、运算器CL2、以及运算器CL3例如包含于系统控制器130、媒体缓存10m、易失性存储器70、非易失性存储器80、以及缓存存储器90。促动器A3例如由臂13以及VCM14等构成。存储器A4例如包含于易失性存储器70、非易失性存储器80、或缓存存储器90。表B1例如也可以与表TB1对应。运算器CL1、控制器A2、以及促动器A3构成了反馈系统。

在图7中，在当前的磁道(磁道编号C)中正在写入的预定的扇区(以下，也有时称为当前的扇区)(C，S)、当前的扇区所对应的扇区编号S、当前的扇区(C，S)的目标位置X、当前的扇区的偏移量X1(C，S)、与当前的扇区(C，S)在相对于顺方向相反方向上相邻的之前的磁道(磁道编号C-1)的预定的扇区(以下，也有时称为之前的扇区)(C-1，S)的偏移量X0(C-1，S)以及磁道C-1的全部扇区(扇区数Ns)的偏移量的集合(set)X0(C-1，[0，1，2，....，Ns-1])，均在写控制系统SY内作为信号(或信息)而被处理。另外，全部扇区的基准DOL(以下，也有时称为基准DOL)D0、用偏移量X0(C-1，S)校正后的当前的扇区(C、S)的DOL D1(C，S)、表示在当前的扇区(C，S)中超过了DOL这一情况的标识F0、表示将以Track ECC的纠正为前提的写禁止抑制功能设为无效这一情况的标识F1、表示禁止写这一情况的标识F2、表示纠正对象扇区的标识F3、表示在当前的扇区(C，S)中超过了DOL这一情况为有效的标识F4、纠正对象扇区的数N、纠正对象扇区的数的上限值N0、当前的扇区的写误差(偏移量)e、当前的扇区的写驱动量U、头15在当前的扇区中的实际位置Y，分别在写控制系SY内作为信号(或信息)而被处理。就扇区编号S而言，在半径方向上相邻的扇区彼此能够为相同编号。偏移量X0(C-1，S)相当于之前的扇区(C-1，S)的偏移量X1(C-1，S)(未图示)。磁道C-1的全部扇区的偏移量X0(C-1，[0，1，2，....，Ns-1])相当于之前的磁道C-1的全部扇区的偏移量X1(C-1，[0，1，2，....，Ns-1])(未图示)。偏移量X1(C，S)相当于当前的扇区的位置误差信号。

转换器A1将从上位装置例如主机100指定的盘10的逻辑位置(以下，称为逻辑位置)所对应的物理位置(以下，称为物理位置)转换为盘10的半径位置。逻辑位置例如也可以是逻辑块地址(LBA)，物理位置例如也可以是表示盘10的物理位置的伺服信息序列。转换器A1例如，将根据从主机100指定的LBA所对应的伺服信息序列(C：磁道或柱面，S：扇区)对头15进行定位的盘10的同心圆状的多个磁道内的磁道C与磁道C的多个扇区内的当前的扇区所对应的扇区编号S的组合(C，S)，转换为当前的扇区所对应的扇区编号S的目标位置X。

控制器A2控制促动器A3。控制器A2例如基于作为目标位置X与实际位置Y的差分值的写误差e，生成促动器A3的写入处理时的头15的驱动量(以下，称为写驱动量)U。此外，控制器A2也可以基于写误差e以外的值生成写驱动量U。

促动器A3根据控制器A2的输出而驱动。促动器A3例如基于写驱动量U而驱动，在当前的扇区中将头15移动至实际位置Y。

存储器A4保存有在对之前的磁道C-1进行了写入时的各扇区(C-1，S)的各位置误差信号(偏移量)X1(C-1，S)(未图示)，对从主机100指定的LBA所对应的伺服信息序列(C，S)，输出之前的磁道C-1的全部扇区的偏移量的集合X0(C-1，[0，1，2，....，Ns-1])或其中之前的扇区(C-1，S)的偏移量X0(C-1，S)。另外，在对扇区(C，S)进行了写入时新保存偏移量X1(C，S)。

运算比较器A5对当前的扇区的DOL D1(C，S)和当前的扇区的偏移量X1(C，S)进行比较，在偏移量X1(C，S)超过了DOL D1(C，S)的情况下生成标识F0。

逻辑与电路器A6在被输入了标识F0以及F1的情况下生成标识F2。

检查器A7按之前的磁道C-1的全部扇区的偏移量X0(C-1，[0，1，2，....，Ns-1])从大到小的顺序(或当前的磁道C的全部扇区的DOL D1(C，[0，1，2，....，Ns-1])从小到大的顺序)对扇区编号设定优先编号，生成将之前的磁道的各扇区的各扇区编号与之前的磁道C-1的各扇区的各扇区编号所对应的各优先编号进行了关联的表B1。检查器A7将当前的扇区(C，S)的扇区编号S与表B1进行比较，在之前的扇区(C-1，S)为纠正对象扇区的情况下生成标识F3。

逻辑与电路器A8在被输入了标识F0以及F3的情况下生成标识F4。

计数器A9对之前的磁道C-1上的纠正对象扇区的数N进行计数。

运算比较器A10对之前的磁道C-1上的纠正对象扇区的数N与纠正对象扇区的数的上限值N0进行比较而纠正对象扇区的数N超过纠正对象扇区的数的上限值N0的情况下生成标识F1。

在将数据写入的盘10的逻辑位置、例如LBA，由上位装置、例如主机100指定了的情况下，写控制系SY将LBA预先转换为物理位置(C，S)，将当前的扇区(C，S)向转换器A1以及存储器A4输出，将当前扇区的扇区编号S向检查器A7输出。转换器A1被输入位置(C，S)。转换器A1将位置(C，S)转换为目标位置X，向运算器CL1以及CL2输出。运算器CL1被输入目标位置X以及实际位置Y。运算器CL1根据目标位置X与实际位置Y的差分算出写误差e，将算出的写误差e向控制器A2输出。控制器A2被输入写误差e。控制器A2将写驱动量U向促动器A3输出。促动器A3被输入写驱动量U。促动器A3根据写驱动量U而驱动，向与写驱动量U对应的实际位置Y移动头15、例如写头15W。促动器A3将实际位置Y向运算器CL1以及CL2输出。

运算器CL2被输入目标位置X以及实际位置Y。运算器CL2根据目标位置X与实际位置Y的差分算出偏移量X1(C，S)，将算出的偏移量X1(C，S)向运算比较器A5输出。存储器A4被输入当前的扇区(C，S)。存储器A4将与当前的磁道C在相对于顺方向相反的方向上相邻的之前的磁道C-1上的全部扇区(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])的偏移量的集合X0(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])向检查器A7输出。另外，存储器A4将与当前的扇区(C，S)在相对于顺方向相反的方向上相邻的之前的扇区的偏移量X0(C-1，S)向运算器CL3输出。运算器CL3被输入偏移量X0(C-1，S)以及基准DOL D0。运算器CL3将偏移量X0(C-1，S)加上基准DOL D0而得到的当前的扇区所对应的DOL D1(C，S)向运算比较器A5输出。运算比较器A5被输入偏移量X1(C，S)以及当前的扇区的DOL D1(C，S)。运算比较器A5对偏移量X1(C，S)与当前的扇区的DOL D1(C，S)进行比较而在偏移量X1(C，S)超过当前的扇区的DOL D1(C，S)的情况下将标识F0向逻辑与电路器A6以及A8输出。

检查器A7被输入扇区编号S和磁道C-1上的全部扇区(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])的偏移量的集合X0(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])。检查器A7在根据表B1而之前的扇区(C-1，S)为纠正对象扇区的情况下将标识F3向逻辑与电路器A8输出。逻辑与电路器A8被输入标识F0以及F3。逻辑与电路器A8在被输入了标识F0以及F3的情况下向计数器A9输出标识F4。计数器A9被输入标识F4。计数器A9对纠正对象扇区的数N进行计数，将纠正对象扇区的数N向运算比较器A10输出。运算比较器A10被输入纠正对象扇区的数N和纠正对象扇区数的上限值N0。运算比较器A10对纠正对象扇区的数N和纠正对象扇区数的上限值N0进行比较而在纠正对象扇区的数N比纠正对象扇区数的上限值N0大的情况下将标识F1向逻辑与电路器A6输出。逻辑与电路器A6被输入标识F0以及F1。逻辑与电路器A6在被输入了标识F0以及F1的情况下输出标识F2。

图8是表示图7所示的检查器A7的处理的一例的示意图。在图8中，表B1包含表B11以及表B12。表B11具有之前的磁道C-1所包含的全部扇区(扇区数Ns)的扇区编号S(S＝0，1，2，....，Ns-1)、和与此对应的之前的扇区的偏移量X0(C-1，S)。在表B11中，扇区编号Ns-1比扇区编号102大。表B12具有优先编号Np(Np＝0，1，2，....，PNn-1)和扇区编号S。一般来说优先编号的个数PNn与全部扇区数Ns相等。在表B12中，优先编号PNk-1比优先编号3大，优先编号PNk比优先编号PNk-1大，优先编号PNn-1比优先编号PNk大。

检查器A7被输入扇区编号S以及之前的磁道C-1上的全部扇区(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])的偏移量的集合X0(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])，生成表B11。检查器A7在表B11中按偏移量X0(C-1，S)从大到小的顺序重新排列扇区编号S。检查器A7在表B12中按偏移量X0(C-1，S)从大到小的顺序对扇区编号S设定优先编号Np。或者，检查器A7基于扇区编号S以及之前的扇区的偏移量X0(C-1，S)，生成当前的扇区(C，S)的DOL D1(C，S)，将扇区编号S、偏移量X0(C-1，S)以及当前的扇区(C，S)的DOL D1(C，S)进行关联而记录于表B11。检查器A7在表B11中按当前的扇区(C，S)的DOL D1(C，S)从小到大的顺序重新排列扇区编号S。检查器A7也可以在表B12中按当前的扇区(C，S)的DOL D1(C，S)从小到大的顺序对扇区编号S设定优先编号Np。

图9是表示本实施方式的写入处理方法的一例的流程图。

MPU60基于之前的磁道的各扇区的各偏移量或当前的磁道的各扇区的各DOL，对之前的磁道的各扇区设定优先编号(B901)。MPU60基于当前的磁道的各扇区的各DOL与当前的磁道的最大偏移推定值，将从优先编号最小的编号起依次到预定的优先编号为止的之前的磁道的至少1个扇区设定为纠正对象扇区(B902)。例如，MPU60基于当前的磁道的各扇区的各DOL与当前的磁道的最大偏移推定值，将从优先编号最小的编号起依次到纠正扇区数为止的之前的磁道的至少1个扇区设定为纠正对象扇区。MPU60判定当前的扇区的偏移量比当前的扇区的DOL大还是为DOL以下(B903)。在判定为当前的扇区的偏移量为当前的扇区的DOL以下的情况下(B903的否)，MPU60结束处理。在判定为当前的扇区的偏移量比当前的扇区的DOL大的情况下(B903的是)，MPU60判定与当前的扇区在相对于顺方向相反的方向上相邻的之前的扇区是纠正对象扇区还是不是纠正对象扇区(B904)。在判定为之前的扇区不是纠正对象扇区、例如，非对象扇区的情况下(B904的否)，MPU60对当前的扇区执行重试处理(B905)，结束处理。在判定为之前的扇区是纠正对象扇区的情况下(B904的是)，MPU60抑制当前的扇区的重试处理(或写入处理的中断)而继续向当前的扇区的写入处理(B905)。

图10是表示本实施方式的写入处理方法的一例的流程图。

系统控制器130算出当前的扇区的偏移量X1(C，S)，从存储器A4取得之前的扇区的偏移量X0(C-1，S)(B1001)。系统控制器130在当前的扇区的偏移量X(C，S)比基准DOL DO加上之前的扇区的偏移量X0(C-1，S)而得到的当前的扇区(C，S)的DOL D1(C，S)大的情况下生成标识F0(B1002)。系统控制器130确认扇区编号S，生成标识F3(B1003)。在生成了标识F3(或生效(assert))的情况下，系统控制器130生成标识F4(B1004)。在生成了标识F4(或生效)的情况下，系统控制器130对纠正对象扇区的数N进行计数(B1005)。换言之，系统控制器130在生成了标识F4的情况下将纠正对象扇区的数N提高预定的数值、例如1。在纠正对象扇区的数N比纠正对象扇区的数的上限值N0大的情况下，系统控制器130生成标识F1，将以利用Track ECC的纠正为前提的写禁止抑制功能设为无效(B1006)。在生成了标识F1以及F0(或生效)的情况下，系统控制器130生成标识F2(B1007)，结束处理。换言之，系统控制器130在被输入了标识F1以及F0的情况下执行重试处理。

图11是表示本实施方式的表B1的生成方法的一例的流程图。

系统控制器130判定生成还是尚未生成当前的磁道(柱面)的表B1(B1101)。在判定为尚未生成当前的磁道的表B1的情况下(B1101的否)，系统控制器130将已经写入的之前的磁道(柱面)所包含的全部扇区的偏移量从预定的记录区域、例如，存储器A4中取得(B1102)。系统控制器130按偏移量从大到小的顺序对之前的磁道的各扇区设定优先编号，按偏移量从大到小的顺序将之前的磁道的各扇区编号重新排序，将从优先编号最小的编号起依次到纠正扇区数为止的之前的磁道的至少1个扇区设定为纠正对象扇区，生成表B1(B1103)，进入B1104的处理。例如，系统控制器130也可以按在顺方向上相邻的当前的磁道的扇区的DOL从小到大的顺序对之前的磁道的各扇区设定优先编号，按在顺方向上相邻的当前的磁道的扇区的DOL从小到大的顺序对之前的磁道的各扇区编号重新排列，将从优先编号最小的编号起依次到纠正扇区数为止的之前的磁道的至少1个扇区设定为纠正对象扇区，生成表B1。系统控制器130对当前的扇区编号S与表B1进行比较，在之前的扇区(C-1，S)是纠正对象扇区的情况下生成标识F3(B1104)，结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1基于之前的磁道的各扇区的各偏移量、或当前的磁道的各扇区的各DOL，对之前的磁道的各扇区设定优先编号。磁盘装置1基于当前的磁道的各扇区的各DOL与当前的磁道的最大偏移推定值，将从优先编号最小的编号起依次到纠正扇区数为止的之前的磁道的至少1个扇区设定为纠正对象扇区。在判定为当前的扇区的偏移量比当前的扇区的DOL大、且之前的扇区为纠正对象扇区的情况下，磁盘装置1抑制重试处理(或写入处理的中断)而继续写入处理。磁盘装置1将与DOL小的当前的磁道的扇区在相对于顺方向相反的方向上相邻的之前的磁道的扇区作为纠错的优先对象，在该DOL小的当前的磁道的扇区中抑制重试处理，从而能够减少重试处理的发生频度。因此，磁盘装置1能够提高写性能。

接着，针对第1实施方式的变形例的磁盘装置进行说明。在变形例中，对与前述的第1实施方式相同的部分标注同一参照标号并省略其详细说明。

(变形例1)

变形例1的磁盘装置1与前述的第1实施方式的磁盘装置1的不同之处在于，在对当前的磁道进行了寻道的情况下变更优先编号。

MPU60变更包含对当前的磁道进行了寻道定位后的当前的磁道的扇区所对应的之前的磁道的扇区在内的预定数量的之前的磁道的扇区的优先编号，基于变更后的之前的磁道的各扇区的各优先编号设定纠正对象扇区。例如，MPU60在对当前的磁道进行寻道而将从当前的磁道的开始扇区开始写入处理的情况下，减小开始扇区所对应的之前的磁道的扇区的优先编号。换言之，MPU60在对当前的磁道进行寻道而从当前的磁道的开始扇区开始写入处理的情况下，将开始扇区所对应的之前的磁道的扇区的优先级(纠正对象优先级)变高。在一例中，MPU60在对当前的磁道进行寻道而从当前的磁道的开始扇区开始写入处理的情况下，基于当前的磁道的最大偏移推定值，变更包含开始扇区所对应的之前的磁道的扇区在内的之前的磁道的几个扇区的优先编号，变更这几个扇区的纠正对象扇区。

图12A是表示变形例1的纠正对象扇区的设定方法的一例的示意图。图12B是表示对变形例1的预定的磁道的各扇区设定的优先编号的表TB2的一例的示意图。图12A示出了，在对磁道TR0进行写入后，在例如通过来自主机的读请求而对在半径方向上分离了的其他磁道进行寻道而进行了读动作之后，进行寻道而开始与磁道TR0在顺方向上相邻的磁道TR1的写入处理的状态。在图12A中，进行寻道而将扇区Sc10作为开始扇区而开始磁道TR1的写入处理。图12A示出了磁道TR1的最大偏移推定值OT2。就最大偏移推定值OT2而言，扇区Sc10以及扇区Sc11中比相对于顺方向相反的方向、也即是，磁道TR0一侧其他扇区Sc13至SC19大。图12B示出了表TB2，表TB2包含：之前的磁道的各扇区的扇区编号、通过图6B所示的DDOL功能对磁道TR1进行写的情况下的之前的磁道的各扇区的扇区编号所对应的优先编号(以下，也有时称为DDOL优先编号)、对当前的磁道进行寻道而利用DDOL功能对磁道TR1进行写的情况下的之前的磁道的扇区编号所对应的优先编号(以下，也有时称为SEEK优先编号)的。在DDOL优先编号以及SEEK优先编号中，按编号从小到大的顺序优先级(纠正对象优先级)变高。

在图12A所示的例子中，MPU60在对磁道TR0进行了写入之后，例如在通过来自主机的读请求而对在半径方向上分离了的其他磁道进行寻道而进行了读动作之后，在对磁道TR1进行寻道而从扇区Sc10开始写入处理的情况下，选择基于最大偏移推定值OT2生成的SEEK优先编号。选择DDOL优先编号和SEEK优先编号中的哪一个，是通过到开始写入处理的磁道TR1的寻道距离而决定的。如图12B所示，MPU60将扇区Sc00至Sc09、对扇区Sc00至Sc09分别设定的DDOL优先编号、和对扇区Sc00至Sc09分别设定的SEEK优先编号中的任一个选择性地作为表TB2记录于预定的记录区域、例如，媒体缓存区域10m、易失性存储器70、或非易失性存储器80等。MPU60将与比最大偏移推定值OT2小的DOL DL10、DL11、DL12、DL13、DL16、DL17、DL18、以及DL19所分别对应的扇区Sc10、Sc11、Sc12、Sc13、Sc16、Sc17、Sc18、以及Sc19在相对于顺方向相反的方向上分别相邻的之前的磁道的扇区Sc00、Sc01、Sc02、Sc03、Sc06、Sc07、Sc08、以及Sc09内的从SEEK优先编号最小的编号起依次纠正扇区数个、例如，5个扇区Sc08、Sc07、Sc01、Sc00、以及Sc02设定为纠正对象扇区。MPU60将与纠正对象扇区Sc08、Sc07、Sc01、Sc00、以及Sc02在顺方向上分别相邻的扇区Sc18、Sc17、Sc11、Sc10、以及Sc12设定为纠正对象关联扇区。

MPU60在开始磁道TR1的写入处理时，即使纠正对象关联扇区Sc18、Sc17、Sc11、Sc10、或Sc12的偏移量超过了纠正对象关联扇区Sc18、Sc17、Sc11、Sc10、或Sc12的DOLDL18、DL17、DL11、DL10、或DL12，也继续向纠正对象关联扇区Sc18、Sc17、Sc11、Sc10、或Sc12的写入处理。

MPU60在开始磁道TR1的写入处理时，在非对象关联扇区Sc13、Sc14、Sc15、Sc16、或Sc19的偏移量超过了非对象关联扇区Sc13、Sc14、Sc15、Sc16、或Sc19的DOL DL13、DL14、DL15、DL16、或DL19的情况下，中断向非对象关联扇区Sc13、Sc14、Sc15、Sc16、或Sc19的写入处理，执行：进行旋转等待而从非对象关联扇区Sc13、Sc14、Sc15、Sc16、或Sc19起再开始写入处理的重试处理。

图13是表示变形例1的图7所示的检查器A7的处理的一例的示意图。在图13中，表B1包含表B13。表B13具有：扇区编号S(S＝0，1，2，....，Ns-1)，之前的扇区的偏移量X0(C-1，S)、优先编号Np(Np＝0，1，2，....，PNn-1)。一般地，扇区编号数Ns与优先编号数PNn相等。在表B13中，优先编号PNk-2比优先编号PNk-3大，优先编号PNk-1比优先编号PNk-2大，优先编号241比优先编号PNk大。另外，优先编号PNk+1比优先编号PNk大。此外，在图13中，从磁道TR1上的扇区编号小的扇区起开始写入处理。

检查器A7被输入扇区编号S以及之前的磁道C-1的全部扇区(扇区数Ns)的偏移量的集合X0(C-1，[0，1，2，....，Ns-1])，生成表B13。检查器A7在表B13中按偏移量X0(C-1，S)从大到小的顺序对扇区编号S重新排列。检查器A7在表B13中按偏移量X0(C-1，S)从大到小的顺序对扇区编号S设定优先编号Np。检查器A7在进行寻道而对当前的磁道进行写的情况下，将扇区编号S小的之前的扇区(C-1，S)的优先编号减小。该情况下，检查器A7将优先编号减小后的与之前的扇区数相应的之前的扇区的优先位次往后错，将优先编号增大。

根据变形例1，磁盘装置1变更包含对当前的磁道进行寻道而定位的当前的磁道的扇区所对应的之前的磁道的扇区在内的预定数的扇区的优先编号，基于变更后的之前的磁道的各扇区的各优先编号设定纠正对象扇区。因此，磁盘装置1能够提高写性能。

(变形例2)

变形例2的磁盘装置1与前述的第1实施方式以及变形例1的磁盘装置1的不同之处在于，在开始了当前的磁道的写入处理的情况下变更优先编号。

MPU60在开始了当前的磁道的写入处理的情况下变更与尚未进行写入的当前的磁道的至少1个扇区(以下，也有时称为未写扇区)在相对于顺方向的相反方向上相邻的之前的磁道的至少1个扇区(以下，也有时称为未写相邻扇区)的优先编号。在正在对当前的磁道进行写入时，MPU60基于当前的磁道的各未写扇区的各DOL，将从优先编号最小的编号起依次到纠正扇区数为止的未写相邻扇区设定为纠正对象扇区。MPU60在正在对当前的磁道进行写入时之前的扇区被判定为纠错对象的当前的扇区中，在因偏移量小而没有执行写禁止动作的抑制处理的情况下，对未执行写的扇区，提高之前的扇区的纠正对象优先级。

图14A是表示变形例2的纠正对象扇区的设定方法的一例的示意图。图14B是表示对变形例2的预定的磁道的各扇区设定的优先编号的表TB3的一例的示意图。图14A中示出了磁道TR0和磁道TR1。在图14A中示出了，在对磁道TR0进行写入之后，正在进行对与磁道TR0在顺方向上相邻的磁道TR1的写入的状态。在图14A中，将扇区Sc10作为开始扇区执行磁道TR1的写入处理。图14A示出了，对磁道TR1将要进行写入时的目标路径(磁道中心)TRC1和对磁道TR1进行写入时的实际路径SP1。实际路径SP1在圆周方向上延伸，在半径方向上相对于目标路径TRC1发生了变动。实际路径SP1相当于通过扇区Sc10至Sc19的中心部的路径。图14B示出了，包含之前的磁道的各扇区的扇区编号和之前的磁道的各扇区的扇区编号所对应的优先编号的表TB3。在图14B中，表TB3的优先编号的纵方向上示出了，当前的磁道的进行了写入的扇区的扇区编号。在图14B的表TB3中，◎(双圈)表示由于偏移低于DOL所以正常地写入了数据的当前的磁道的预定的扇区所对应的之前的磁道的预定的扇区，〇(圈)表示偏移超过了DOL但是由于是纠正对象关联扇区所以写禁止被抑制了的当前的磁道的预定的扇区所对应的之前的磁道的预定的扇区，×(叉)表示偏移超过DOL且由于不是纠正对象关联扇区所以进行了写禁止以及重试处理的当前的磁道的预定的扇区所对应的之前的磁道的预定的扇区。在图14B中，优先编号0至4的、扇区的之前的(当前的扇区之前的)扇区是纠正对象扇区。也就是说，在图14B中，扇区Sc08、Sc07、Sc02、Sc09、以及Sc01的扇区是纠正对象扇区。

在图14A所示的例子中，MPU60在磁道TR0的写入之后在磁道TR0的顺方向上正在向磁道TR1进行写入时，基于磁道TR1的各扇区、例如，扇区Sc10至Sc19内的未写扇区的DOL，变更扇区Sc00至Sc09内的未写相邻扇区的优先编号。

MPU60按照实际路径SP1向扇区Sc10写入数据。由于扇区Sc10的优先编号是6，所以不是纠正对象关联扇区。由于在扇区Sc10中实际路径SP1与DOL DL10相比更靠顺方向，所以MPU60向扇区Sc10正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc00设为◎(双圈)。由于优先编号6的扇区Sc00被正常地写入，所以将优先编号7以上的扇区、即扇区Sc03的优先编号7变更为优先编号6，将扇区Sc05的优先编号8变更为优先编号7，将扇区Sc04的优先编号9变更为优先编号8。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc10对扇区Sc11写入数据。由于扇区Sc10的优先编号为4，所以是纠正对象关联扇区。由于在扇区Sc11中实际路径SP1与DOL DL11相比更靠顺方向，所以MPU60对扇区Sc11正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc01设为◎(双圈)。由于优先编号4的扇区Sc11被正常地写入，所以将优先编号5以上的扇区、即扇区Sc06的优先编号5变更为优先编号4，将扇区Sc03的优先编号6变更为优先编号5，将扇区Sc05的优先编号7变更为优先编号6，将扇区Sc04的优先编号8变更为优先编号7。由于此时纠正对象扇区的数N没有递增，所以优先位次变为了4的Sc06的之前的扇区新成为纠正对象关联扇区。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc11对扇区Sc12写入数据。由于扇区Sc12的优先编号为2，所以之前的扇区是纠错对象。MPU60在扇区Sc12中实际路径SP1与DOL DL12相比更靠相对于顺方向相反的方向，但是由于扇区Sc12的优先编号为2所以执行写禁止抑制处理，不进行重试动作而对扇区Sc12正常写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc02设为○(圈)。由于优先编号2的扇区Sc11被正常地写入，所以将优先编号3以上的扇区、即扇区Sc09的优先编号3变更为优先编号2，将扇区Sc06的优先编号4变更为优先编号3，将扇区Sc03的优先编号5变更为优先编号4，将扇区Sc05的优先编号6变更为优先编号5，将扇区Sc04的优先编号7变更为优先编号6。由于向纠正对象扇区Sc02所对应的纠正对象关联扇区Sc12的写入处理正常完成，所以MPU60将接着扇区Sc06优先编号小的扇区Sc03设定为纠正对象扇区。由于此时纠正对象扇区数N递增1，所以纠正对象关联扇区的剩余个数变成剩余4，优先位次0至3的扇区成为纠正对象关联扇区。优先位次变为了3的扇区Sc06新成为纠正对象关联扇区，但是优先位次变为了4的Sc03不会新成为纠正对象关联扇区。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc12对扇区Sc13写入数据。由于在扇区Sc13中实际路径SP1与DOL DL13相比更靠顺方向的相反侧，所以MPU60向与DOL DL13相比更靠顺方向的相反侧对扇区Sc13进行写入。Sc03的优先编号为4，Sc13没有成为纠正对象关联扇区，MPU60停止向扇区Sc13的写入动作，执行重试处理。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc03设为×(叉)，由于优先编号4的扇区Sc03的写入处理完成，所以将扇区Sc05的优先编号5变更为优先编号4，将扇区Sc04的优先编号6变更为优先编号5，使纠正扇区数减少1，维持纠正对象扇区Sc08、Sc07、Sc09、以及Sc06。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc13对扇区Sc14写入数据。由于在扇区Sc14中，实际路径SP1与DOL DL14相比更靠顺方向，所以MPU60对扇区Sc14正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc04设为◎(双圈)。MPU60维持纠正对象扇区Sc08、Sc07、Sc09、以及Sc06。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc14对扇区Sc15写入数据。由于在扇区Sc15中实际路径SP1与DOL DL15相比更靠顺方向，所以MPU60对扇区Sc15正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc05设为◎(双圈)。MPU60维持纠正对象扇区Sc08、Sc07、Sc09、以及Sc06。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc15对扇区Sc16写入数据。由于在扇区Sc16中实际路径SP1与DOL DL16相比更靠顺方向，所以MPU60对扇区Sc16正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc06设为◎(双圈)。MPU60维持纠正对象扇区Sc08、Sc07、以及Sc09。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc16对扇区Sc17写入数据。由于在扇区Sc17中实际路径SP1与DOL DL17相比更靠顺方向，所以MPU60对扇区Sc17正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc07设为◎(双圈)。MPU60维持纠正对象扇区Sc08、以及Sc09。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc17对扇区Sc18写入数据。由于在扇区Sc18中实际路径SP1与DOL DL18相比更靠顺方向的相反侧，但是扇区Sc08是纠正对象扇区，所以MPU60执行写入处理，对扇区Sc18正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc08设为〇(圈)。MPU60使纠正扇区数减少1，维持纠正对象扇区Sc09。

MPU60按照实际路径SP1接着扇区Sc18对扇区Sc19写入数据。由于在扇区Sc19中实际路径SP1与DOL DL19相比更靠顺方向，所以MPU60对扇区Sc19正常地写入数据。MPU60在图14B的表TB3中，将扇区Sc09设为〇(圈)，使纠正扇区数减少1。

根据变形例2，磁盘装置1在MPU60正在对当前的磁道进行写入的情况下变更至少1个未写相邻扇区的优先编号。在正在对当前的磁道进行写入时，MPU60基于当前的磁道的各未写扇区的各DOL，将优先编号从最小的编号起依次到纠正扇区数为止的未写相邻扇区设定为纠正对象扇区。MPU60在正在对当前的磁道进行写入时执行了以之前的扇区的纠错为前提的写禁止抑制的情况下，根据执行了写禁止抑制的次数减少纠正扇区数。在没有对纠正对象关联扇区执行写禁止抑制的情况下，由于对未写扇区分配年轻的优先编号，所以在初期状态下在向优先位次低且没有成为纠正对象关联扇区的扇区的写入时进行重试处理的概率减少。因此，磁盘装置1能够提高写性能。

(变形例3)

变形例3的磁盘装置1与前述的第1实施方式、变形例1、以及变形例2的磁盘装置1的不同之处在于，执行ATC(Adaptive Track Center：自适应轨道中心或Automatic Trackwidth Control：自动轨道宽度控制)控制。

MPU60基于之前的磁道所对应的实际路径生成当前的磁道的路径(以下，也有时称为调整路径)，基于当前的磁道的调整路径执行头15(例如，写头15W)的控制(以下，也有时称为ATC(Adaptive Track Center、或Automatic Track width Control)控制)。

MPU60将最大偏移推定值包含高频成分的当前的磁道的至少1个扇区所对应的之前的磁道的至少1个扇区的优先编号减小。例如，MPU60将最大偏移推定值包含高频成分的当前的磁道的至少1个扇区所对应的之前的磁道的至少1个扇区的纠正对象优先级提高。在一例中，MPU60在当前的磁道的圆周方向上彼此相邻的2个扇区的最大偏移推定值的差分值大的情况下，将这2个扇区所分别对应的之前的磁道的2个扇区的优先编号减小。另外，在一例中，MPU60在当前的磁道的圆周方向上彼此相邻的2个扇区的目标位置的差分值大的情况下，将这2个扇区所分别对应的之前的磁道的2个扇区的优先编号减小。

图15是表示ATC控制的一例的示意图。在图15所示的例子中，带区域TGj包含写磁道WTj-1、WTj、以及WTj+1。在带区域TGj中，写磁道WTj-1至WTj+1在顺方向上以该顺序被重叠写入。写磁道WTj-1具有磁道边缘Ej-1A。在图15所示的例子中，磁道边缘Ej-1A是写磁道WTj-1的外方向的端部。图15示出了写磁道WTj-1所对应的目标路径WTTj-1。写磁道WTj具有磁道边缘EjA。在图15所示的例子中，磁道边缘EjA是写磁道WTj的外方向的端部。图15示出了写磁道WTj所对应的目标路径WTTj。写磁道WTj+1具有磁道边缘Ej+1A。在图15所示的例子中，磁道边缘Ej+1A是写磁道WTj+1的外方向的端部。图15示出了写磁道WTj+1所对应的目标路径WTTj+1。

MPU60对写头15W进行定位控制，以使其追随对写磁道WTj-1进行写时的初期路径TWTj-1。初期路径TWTj-1相当于目标路径WTTj-1。实际上，在对写磁道WTj-1进行写的情况下，写头15W在包含写误差的实际路径SWTj-1上行进。MPU60取得实际路径SWTj-1所对应的写入处理时的头15、例如，写头15W的写路径信息，将所取得的写路径信息记录于预定的记录区域、例如，盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓存存储器90等。

MPU60基于实际路径SWTj-1所对应的写路径信息，生成对写磁道WTj进行写入时的调整路径TWTj，对写头15W进行定位控制以使其追随调整路径TWTj。实际上，在对写磁道WTj进行写入的情况下，写头15W在实际路径SWTj上行进。MPU60取得实际路径SWTj所对应的写路径信息，将所取得的写路径信息记录于预定的记录区域、例如，盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓存存储器90等。

MPU60基于实际路径SWTj所对应的写路径信息，生成对写磁道WTj+1进行写入时的调整路径TWTj+1，对写头15W进行定位控制以使其追随调整路径TWTj+1。实际上，在对写磁道WTj+1进行写入的情况下，写头15W在实际路径SWTj+1上行进。MPU60取得实际路径SWTj+1所对应的写路径信息，将所取得的写路径信息记录于预定的记录区域、例如，盘10、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓存存储器90等。

图16A是表示变形例3的纠正对象扇区的设定方法的一例的示意图。图16B是表示变形例3的对预定的磁道的几个扇区设定的优先编号的表TB4的一例的示意图。图16A示出了磁道TR0和磁道TR1。图16A示出了，在对磁道TR0进行写入后，开始对与磁道TR0在顺方向上相邻的磁道TR1的写入处理的状态。图16A示出了在对磁道TR0进行写入时的实际路径SP2。实际路径SP2在圆周方向上延伸、且在半径方向上相对于目标路径TRC0发生了变动。图16A示出了，磁道TR1的目标路径(磁道中心)TRC1、和通过ATC控制进行了调整后的调整路径ATRC1。调整路径ATRC1在圆周方向上延伸、且在半径方向上相对于目标路径TRC1发生了变动。在图16A中，按照调整路径ATRC1对磁道TR1进行写入。图16A示出了磁道TR1的最大偏移推定值OT3。最大偏移推定值OT3按照调整路径ATRC1，一边在半径方向上变动一边在圆周方向上延伸。最大偏移推定值OT3在扇区Sc14至Sc17中在半径方向上变化很大。也有时将最大偏移推定值OT3在很少的扇区数之间在半径方向上变化很大这一情况称为高频成分。图16B示出了，包含之前的磁道的几个扇区的扇区编号和之前的磁道的几个扇区的扇区编号所对应的优先编号的表TB4。

在图16A所示的例子中，MPU60在对磁道TR0的写入之后对与磁道TR0在顺方向上相邻的磁道TR1进行写入时(或写入前)，对与包含高频成分的磁道TR1的扇区、例如，扇区Sc14至Sc17在相对于顺方向相反的方向上分别相邻的扇区Sc04至Sc07设定小的优先编号。MPU60对扇区Sc05设定优先编号0，对扇区Sc07设定优先编号1，对扇区Sc04设定优先编号2，对扇区Sc06设定优先编号3。MPU60如图16B所示，将扇区Sc04至Sc07和对扇区Sc04至Sc07所分别设定的优先编号进行关联而作为表TB4记录于预定的记录区域、例如，媒体缓存区域10m、易失性存储器70、或非易失性存储器80等。MPU60按照与扇区Sc14至Sc17在相对于顺方向相反的方向上分别相邻的之前的磁道的扇区Sc04至Sc07内的从优先编号最小的编号起依次地，将纠正扇区数个、例如，5个扇区Sc04至Sc07设定为纠正对象扇区。MPU60将与纠正对象扇区Sc04至Sc07在顺方向上分别相邻的扇区Sc14至Sc17设定为纠正对象关联扇区。

图17是表示变形例3的图7所示的检查器A7的处理的一例的示意图。在图17中，表B1包含表B14、表B15、以及表B16。表B14具有：之前的磁道C-1所包含的全部扇区(扇区数Ns)的扇区编号S(S＝0，1，2，....，Ns-1)、与其对应的之前的扇区的偏移量X0(C-1，S)，与之前的扇区(C-1，S)的圆周方向的左侧相邻的扇区(C-1，S-1)的偏移量X0(C-1，S-1)之间的差分值ΔX0(S)、以及差分值ΔX0(S)的绝对值|ΔX0(S)|。在表B14中，扇区编号Ns-2比扇区编号Ns-1小、且比扇区编号103大。表B15具有扇区编号S、和差分值ΔX0(S)的绝对值|ΔX0(S)|。表B16具有优先编号Np(Np＝0，1，2，....，PNn-1)和扇区编号S。一般来说优先编号的个数PNn与全部扇区数Ns相等。在表B15中，优先编号PNn-2比优先编号PNn-1小、且比优先编号PNk大。

检查器A7被输入扇区编号S以及前的磁道C-1上的全部扇区(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])的偏移量的集合X0(C-1，[0，1，2，...，Ns-1])，生成表B14。检查器A7在表B14中按差分值ΔX0(S)的绝对值|ΔX0(S)|从大到小的顺序对扇区编号S重新排序而生成表B15。检查器A7在表B15中按差分值ΔX0(S)的绝对值|ΔX0(S)|从大到小的顺序对扇区编号S设定优先编号Np。检查器A7按优先编号Np从小到大的顺序将到纠正扇区数为止的优先编号所对应的扇区编号的之前的磁道的扇区设定为纠正对象扇区。

根据变形例3，磁盘装置1执行ATC控制。另外，磁盘装置1减小最大偏移推定值包含高频成分的当前的磁道的至少1个扇区所对应的之前的磁道的至少1个扇区的优先编号。因此，对于通过头定位机构的频率追随限制而无法追随由ATC控制生成的之前的磁道的高频轨道而超过DOL这样的扇区，通过将之前的扇区优先地作为纠正对象，能够抑制：执行写禁止，进行旋转等待而执行再度写入处理的重试动作。由此，磁盘装置1能够提高写性能。

在前述的第1实施方式、变形例1、变形例2、以及变形例3中，示出了将第1实施方式、变形例1、变形例2、以及变形例3的构成适用于瓦记录型式的磁盘装置的例子，但是也能够将第1实施方式、变形例1、变形例2、以及变形例3的构成适用于通常的记录型式的磁盘装置1。

以上说明了几个实施方式，但是这些实施方式只是作为例子而提出，并不是意在限定发明的范围。这些新颖的实施方式能以其他各种方式来实施，在不偏离发明的要旨的范围内，能够进行各种省略、置换以及变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或要旨内，并包含在权利要求书所记载的发明及与之等同的范围内。