阅读说明：本技术 磁盘装置及读/写处理方法 (Disk set and read/write process method ) 是由 河边享之 于 2018-11-27 设计创作，主要内容包括：本发明的实施方式提供一种能够提高读处理性能的磁盘装置及读/写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头,对所述盘写数据,从所述盘取数据；以及控制器,将对所述盘的第1轨道和一部分与所述第1轨道重叠的第2轨道进行了写入时的所述头的位置信息写到以所述第1轨道开始读处理的所述第1轨道的第1区域。(Embodiments of the present invention provide a kind of disk set and read/write process method that can be improved and read process performance.Disk set of the present embodiment has: disk；Head writes data to the disk, from disk access evidence；And controller, the location information of head when the 2nd track of the 1st track and a part and the 1st Orbital Overlap to the disk is written write the 1st region for starting to read the 1st track of processing with the 1st track.)

磁盘装置及读/写处理方法

本申请享受以日本专利申请2018－97935号(申请日：2018年5月22日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及磁盘装置及读/写处理方法。

背景技术

近年来，开发了用于实现磁盘装置的高记录容量化的各种技术。作为这些技术之一，存在被称为瓦记录方式(Shingled write Magnetic Recording(SMR)或者ShingledWrite Recording(SWR))的记录技术。在瓦记录方式的磁盘装置中，在向磁盘写数据时，与相邻的轨道(以下称为相邻轨道)的一部重叠地进行接下来的记录轨道的写入。在瓦记录方式的磁盘装置中，被进行了重叠写入的轨道的宽度能够比未重叠写入的轨道的宽度窄。

发明内容

本发明的实施方式提供一种能够提高读处理性能的磁盘装置及读/写处理方法。

本实施方式涉及的磁盘装置具备盘；头，对所述盘写数据，从所述盘读数据；以及控制器，将对所述盘的第1轨道和一部分与所述第1轨道重叠的第2轨道进行了写入时的所述头的位置信息写到以所述第1轨道开始读处理的所述第1轨道的第1区域。

附图说明

图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。

图2是表示写入了数据的瓦记录区域的一例的示意图。

图3是表示第1实施方式涉及的写处理的一例的示意图。

图4是表示第1实施方式涉及的在带区域中写入带信息的位置的一例的图。

图5是表示读ATC控制的一例的示意图。

图6是表示第1实施方式涉及的写处理时的头的定位控制系统的一例的框图。

图7是表示第1实施方式涉及的读处理时的头的定位控制系统的一例的框图。

图8是表示第1实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。

图9是表示第1实施方式涉及的读处理方法的一例的流程图。

图10是表示读处理时的头的定位控制的一例的流程图。

图11是表示写ATC控制的一例的示意图。

图12是写ATC控制的一例的示意图。

图13是表示第2实施方式涉及的写处理时的头的定位控制系统SY1的一例的框图。

图14是表示第2实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。

图15是表示写处理时的头的定位控制的一例的流程图。

图16是表示变形例1涉及的读处理时的头的定位控制系统SY2的一例的框图。

图17是表示变形例2涉及的带信息的写方法的一例的图。

图18是表示变形例2涉及的带信息的写方法的一例的图。

图19是表示变形例3涉及的带区域的各轨道的写方法的一例的图。

图20是表示变形例3涉及的带区域的轨道的写方法的一例的图。

图21是表示变形例4涉及的带区域的各轨道的写方法的一例的图。

图22是表示变形例5涉及的带区域的各轨道的写方法的一例的图。

图23是表示变形例5涉及的写处理方法的一例的流程图。

图24是表示变形例5涉及的读处理方法的一例的流程图。

具体实施方式

以下参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定发明的范围。

(第1实施方式)

图1是表示实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。

磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动IC20、头放大器集成电路(以下称为头放大器IC或者预放大器)30、易失性存储器70、缓冲存储器(缓冲)80、非易失性存储器90、作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。

HAD具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载头15的臂13、音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动而旋转。臂13及VCM14构成致动器AC。致动器AC通过VCM14的驱动而将搭载于臂13的头15移动控制到盘10上的预定位置。盘10以及头15也可以设有两个以上的数量。

盘10在数据区域分配有瓦记录(Shingled Magnetic Recording：SMR)区域10a和媒体高速缓冲(media cache)区域10b。以下，将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。盘10具有分别包含伺服数据等的多个伺服区域SV。多个伺服区域SV在盘10的半径方向上呈放射状延伸，在圆周方向上空开预定间隔而离散配置。也即是，多个伺服区域SV遍及写于盘10的各轨道而配置。以下，有时也将各轨道中的伺服区域SV称为伺服扇区。

瓦记录区域10a记录被从主机100要求写入的用户数据等。媒体高速缓冲区域10b可以被利用为瓦记录区域10a的高速缓存。在瓦记录区域10a中，与轨道的一部分重叠地对接下来要写的轨道进行写入。因此，瓦记录区域10a的轨道密度(Track Per Inch：TPI)比不重叠写入的记录区域的轨道密度高。在瓦记录区域10a中，分别包含重叠写入了的多个轨道的多个轨道群彼此空开间隔(gap)地配置。以下，将包含重叠写入了的多个轨道的轨道群称为带(band)区域。带区域包括在一部分被进行了在半径方向上相邻的轨道(以下称为相邻轨道)的重叠写入的至少一个轨道、和最后重叠写入了的轨道(最终轨道)。最终轨道未在一部分进行其他轨道的重叠写入，因此，其轨道宽度比在一部分被进行了重叠写入的轨道宽。以下，将写于盘10的轨道称为写轨道。将除了被进行了相邻轨道的重叠写入的区域之外的其余的写轨道的区域称为读轨道。另外，既有时将写轨道简称为轨道，也有时将读轨道简称为轨道，还有时将写轨道及读轨道一并简称为轨道。轨道包括多个扇区。此外，“轨道”以在盘10的圆周方向上延长的数据、在盘10的圆周方向上延长的区域、头15的轨迹或者路径(动作路径)、其他各种含义来使用。“扇区”以轨道的预定区域、例如写于扇区的数据、轨道的预定区域、其他各种含义来使用。另外，也有时将写轨道的半径方向的宽度称为写轨道宽度，将读轨道的半径方向的宽度称为读轨道宽度。还有时将写轨道宽度及读轨道宽度一并称为轨道宽度。

图2是表示写了数据的瓦记录区域10a的一例的示意图。在图2中，纵轴表示盘10的半径方向，横轴表示盘10的圆周方向。在半径方向上，将朝向盘10的中心的方向称为内方向，将与内方向相反的方向称为外方向。在半径方向上，将从盘10的内周朝向外周的方向作为外方向(外侧)OD，将与外方向OD相反的方向作为内方向(内侧)ID。另外，在半径方向上，将写及读数据的方向称为顺向。在图2所示的例子中，顺向是与内方向ID相同的方向。此外，顺向也可以是与外方向OD相同的方向。在圆周方向上，将一方向作为右方向，将与右方向相反的方向作为左方向。另外，在圆周方向上，将写及读数据的方向称为行进方向。例如，行进方向是与盘10的旋转方向相反的方向。在图2所示的例子中，行进方向是与右方向相同的方向。此外，行进方向也可以是与左方向相同的方向。

在图2所示的例子中，瓦记录区域10a包括带区域TG1和带区域TG2。图2中，为了便于说明，带区域TG1及TG2中的各轨道表示为在一方向上延长的带状。实际上，带区域TG1及TG2中的各轨道是沿着盘10的形状而弯曲的同心圆状。也即是，实际上，带区域TG1及TG2中的各轨道的左方向的端部和右方向的端部是一致的。另外，在图2所示的例子中，各轨道发生了由外部干扰和/或其他构造等的影响导致的偏离。此外，瓦记录区域10a既可以包含数量比两个多的带区域，也可以包含数量比两个少的带区域。

带区域TG1及带区域TG2在半径方向上彼此空开间隔(或者有时也称为保护区域)GP。以下，使用带区域TG1对带区域的构成进行说明，带区域TG2的构成也与带区域TG1是同等的。因此，省略对于带区域TG2的构成的详细说明。

在图2所示的例子中，带区域TG1包含写轨道WT11、WT12、WT13、WT14以及WT15。写轨道WT11及WT12的一部分彼此重叠。写轨道WT12及WT13的一部分彼此重叠。写轨道WT13及WT14的一部分彼此重叠。写轨道WT14及WT15的一部分彼此重叠。在带区域TG1，写轨道WT11～WT15在半径方向上以该顺序被重叠写入。虽未图示，但写轨道WT11、WT12、WT13、WT14以及WT15分别包含多个伺服扇区及多个扇区。此外，带区域TG1设为了包含5个轨道，但既可以包含数量比5个少的轨道，也可以包含数量比5个多的轨道。

写轨道WT11具有轨道边缘E11A和轨道边缘E11B。在图2所示的例子中，轨道边缘E11A是写轨道WT11的外侧OD的端部，轨道边缘E11B是写轨道WT11的内侧ID(顺向)的端部。写轨道WT12具有轨道边缘E12A和轨道边缘E12B。在图2所示的例子中，轨道边缘E12A是写轨道WT12的外侧OD的端部，轨道边缘E12B是写轨道WT12的内侧ID(顺向)的端部。写轨道WT13具有轨道边缘E13A和轨道边缘E13B。在图2所示的例子中，轨道边缘E13A是写轨道WT13的外侧OD的端部，轨道边缘E13B是写轨道WT13的内侧ID(顺向)的端部。写轨道WT14具有轨道边缘E14A和轨道边缘E14B。在图2所示的例子中，轨道边缘E14A是写轨道WT14的外侧OD的端部，轨道边缘E14B是写轨道WT14的内侧ID(顺向)的端部。写轨道(最终轨道)WT15具有轨道边缘E15A和轨道边缘E15B。在图2所示的例子中，轨道边缘E15A是写轨道WT15的外侧OD的端部，轨道边缘E15B是写轨道WT15的内侧ID(顺向)的端部。

写轨道WT11的写轨道宽度WW11是轨道边缘E11A与E11B之间的半径方向的长度。写轨道WT12的写轨道宽度WW12是轨道边缘E12A与E12B之间的半径方向的长度。写轨道WT13的写轨道宽度WW13是轨道边缘E13A与E13B之间的半径方向的长度。写轨道WT14的写轨道宽度WW14是轨道边缘E14A与E14B之间的半径方向的长度。写轨道WT15的写轨道宽度WW15是轨道边缘E15A与E15B之间的半径方向的长度。写轨道宽度WW11～WW15例如是同等的宽度。此外，写轨道宽度WW11～WW15也可以不同。

读轨道RT11是除了被进行了写轨道WT12的重叠写入的写轨道WT11的一部分之外的其余区域。读轨道RT12是除了被进行了写轨道WT13的重叠写入的写轨道WT12的一部分之外的其余区域。读轨道RT13是除了被进行了写轨道WT14的重叠写入的写轨道WT13的一部分之外的其余区域。读轨道RT14是除了被进行了写轨道WT15的重叠写入的写轨道WT14的一部分之外的其余区域。读轨道RT15与写轨道WT15对应。读轨道RT15相当于带区域TG1中的最终轨道。

读轨道RT11的读轨道宽度RW11是轨道边缘E11A与E12A之间的半径方向的长度。读轨道RT12的读轨道宽度RW12是轨道边缘E12A与E13A之间的半径方向的长度。读轨道RT13的读轨道宽度RW13是轨道边缘E13A与E14A之间的半径方向的长度。读轨道RT14的读轨道宽度RW14是轨道边缘E14A与E15A之间的半径方向的长度。读轨道RT15的读轨道宽度RW15是轨道边缘E15A与E15B之间的半径方向的长度。也即是，读轨道宽度RW15与写轨道宽度WW15是同等的宽度。

在图2所示的例子中，带区域TG2包含写轨道WT21、WT22、WT23、WT24以及WT25。在带区域TG2中，写轨道WT21～WT25在半径方向上按该顺序被重叠写入。写轨道WT21～WT25分别与写轨道WT11～WT15对应。

写轨道WT21的写轨道宽度WW21是轨道边缘21A与E21B之间的半径方向的长度。写轨道WT22的写轨道宽度WW22是轨道边缘E22A与E22B之间的半径方向的长度。写轨道WT23的写轨道宽度WW23是轨道边缘E23A与E23B之间的半径方向的长度。写轨道WT24的写轨道宽度WW24是轨道边缘E24A与E24B之间的半径方向的长度。写轨道WT25的写轨道宽度WW25是轨道边缘E25A与E25B之间的半径方向的长度。

读轨道RT21是除了被进行了写轨道WT22的重叠写入的写轨道WT21的一部分之外的其余区域。读轨道RT22是除了被进行了写轨道WT23的重叠写入的写轨道WT22的一部之外的其余区域。读轨道RT23是除了被进行了写轨道WT24的重叠写入的写轨道WT23的一部分之外的其余区域。读轨道RT24是除了被进行了写轨道WT25的重叠写入的写轨道WT24的一部分之外的其余区域。读轨道RT25与写轨道WT25对应。读轨道RT21～RT25分别与读轨道RT11～RT15对应。

读轨道RT21的读轨道宽度RW21是轨道边缘E11A与E12A之间的半径方向的长度。读轨道RT22的读轨道宽度RW22是轨道边缘E22A与E23A之间的半径方向的长度。读轨道RT23的读轨道宽度RW23是轨道边缘E23A与E24A之间的半径方向的长度。读轨道RT24的读轨道宽度RW24是轨道边缘E24A与E25A之间的半径方向的长度。读轨道RT25的读轨道宽度RW25是轨道边缘E25A与E25B之间的半径方向的长度。

头15将滑块作为本体，具备安装于该滑块的写头15W和读头15R。写头15W向盘10上写数据。读头15R读取记录于盘10的数据。此外，有时也将写头15W简称为头15，有时也将读头15R简称为头15，有时也将写头15W及读头15R一并称为头15。

驱动IC20按照系统控制器130(详细而言为后述的MPU60)的控制来控制SPM12以及VCM14的驱动。

头放大器IC(预放大器)30具备读放大器及写驱动器。读放大器对从盘10读出的读信号进行放大，并将其输出到系统控制器130(详细而言为后述的读/写(R/W)通道40)。写驱动器将与从R/W通道40输出的信号相应的写电流输出到头15。

易失性存储器70是当电力供给被切断时所保存的数据会丢失的半导体存储器。易失性存储器70储存磁盘装置1的各部的处理所需的数据等。易失性存储器70例如是DRAM(Dynamic Random Access Memory)或者SDRAM(Synchronous Dynamic Random AccessMemory)。

缓冲存储器80是暂时记录在磁盘装置1与主机100之间收发的数据等的半导体存储器。此外，缓冲存储器80也可以与易失性存储器70一体地构成。缓冲存储器80例如是DRAM、SRAM(Static Random Access Memory)、SDRAM、FeRAM(Ferroelectric RandomAccess memory)或者MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)等。

非易失性存储器90是即使电力供给被切断也记录所保存的数据的半导体存储器。非易失性存储器90例如是NOR型或者NAND型的闪速ROM(Flash Read Only Memory：FROM)。

系统控制器(控制器)130例如可使用多个元件集成于单一芯片的被称为片上系统(System-on-a-Chip(SoC))的大规模集成电路(LSI)来实现。系统控制器130包括读/写(R/W)通道40、硬盘控制器(HDC)50以及微处理器(MPU)60等。系统控制器130例如与驱动IC20、头放大器IC30、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90以及主机系统100等电连接。

R/W通道40根据来自后述的MPU60的指示，执行从盘10传送到主机100的读数据及从主机100传送的写数据的信号处理。R/W通道40具有测定读数据的信号品质的电路或者功能。R/W通道40例如与头放大器IC30、HDC50以及MPU60等电连接。

HDC50根据来自后述的MPU60的指示，控制主机100与R/W通道40之间的数据传送。HDC50例如与R/W通道40、MPU60、易失性存储器70、缓冲存储器80以及非易失性存储器90等电连接。

MPU60是控制磁盘装置1的各部的主控制器。MPU60经由驱动IC20控制VCM14，执行进行头15的定位的伺服控制。MPU60控制向盘10的数据的写动作，并且，选择写数据的保存目的地。另外，MPU60控制来自盘10的数据的读动作，并且，控制读数据的处理。MPU60与磁盘装置1的各部连接。MPU60例如与驱动IC20、R/W通道40以及HDC50等电连接。

MPU60具备读/写控制部61。MPU60在固件上执行各部、例如读/写控制部61等的处理。此外，MPU60也可以具备各部来作为电路。

读/写控制部61按照来自主机100的命令，控制数据的读处理及写处理。读/写控制部61经由驱动IC20控制VCM14，将头15定位到盘10上的预定位置，读或者写数据。例如，在执行瓦记录的情况下，读/写控制部61在预定的带区域中相继(sequential)地写数据。例如，在读预定的带区域的情况下，读/写控制部61相继地读数据。读/写控制部61具备寻道控制部611和定位控制部612。以下，有时将“将头15(写头15W或者读头15R)的中心部定位或者配置于预定位置”简单表现为“将头15(写头15W或者读头15R)定位或者配置于预定位置”。

寻道控制部611对盘10上的预定位置、例如预定的圆周方向的位置(以下称为圆周位置)的预定的半径方向的位置(以下称为半径位置)进行头15的寻道。在一个例子中，寻道控制部611对盘10上的预定轨道的预定扇区进行头15的寻道。

定位控制部612在各轨道中，将头15定位控制到读处理及写处理时作为目标的半径位置(以下称为目标位置)。定位控制部612以伺服扇区为单位通过采样中断控制执行头15的定位控制。定位控制部612例如在各轨道中，控制头15以使得追踪读处理及写处理时作为目标的路径(以下称为目标路径)。在此，头15的路径例如相当于预定轨道的各圆周位置处的头15的半径位置。以下，将写处理时的头15、例如写头15W或者读头15R的半径位置称为写位置，将读处理时的头15、例如读头15R的半径位置称为读位置。将写处理时的头15的路径称为写路径，将读处理时的头15的路径称为读路径。将写处理时的头15的目标位置称为目标写位置，将读处理时的头15的目标位置称为目标读位置。另外，将写处理时的头15的目标路径称为目标写路径，将读处理时的头15的目标路径称为目标读路径。

在一个例子中，在写处理时中，定位控制部612将头15、例如写头15W定位于与盘10呈同心圆状写入了的写轨道(以下称为初始写轨道)的中心部的半径位置所对应的目标写位置(以下称为初始写位置)。换言之，定位控制部612在写处理时控制头15、例如写头15W以使得追踪通过初始写轨道的半径方向的中心部的目标写路径(以下称为初始写路径)。

另外，定位控制部612例如在读处理时将头15、例如读头15R定位于除了在初始写位置(初始写路径)被进行了写入的被进行了在顺向上相邻的写轨道的重叠写入的一部之外的、初始写位置(初始写路径)所写入了的写轨道的其余读轨道(以下称为初始读轨道)的中心部的半径位置所对应的通常目标读位置(以下称为初始读位置)。换言之，定位控制部612在读处理时控制头15、例如读头15R以使得追踪通过初始读轨道的半径方向的中心部的目标读路径(以下称为初始读路径)。

定位控制部612在写处理时取得与头15、例如写头15W(或者读头15R)的位置关联的信息(以下简称为位置信息)。以下，将写处理时的头15的位置信息称为写位置信息。写位置信息包括与写处理时的各圆周位置处的头15的半径位置关联的信息、也即是与写处理时的头15的路径关联的信息(以下称为写路径信息)、各圆周位置处的初始写位置与当前的(或者实际的)写位置(以下称为实际写位置)的差分值(以下有时也称为偏置值)、各圆周位置处的目标写位置与实际写位置的差分值(以下有时也称为写误差)等。以下，有时也将目标读位置与当前的读位置(以下称为实际读位置)的差分值称为读误差。定位控制部612将所取得的写位置信息记录于存储器、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90等。

在取得了分别与预定的带区域的多个轨道对应的多个写位置信息(以下称为带信息)的情况下，定位控制部612将所取得的带信息写于与该带信息对应的带区域的预定区域。例如，定位控制部612在预定的带区域中，在读处理时最初读的轨道(以下称为开始轨道)写入与该带区域对应的带信息。开始轨道被写入从主机100发送的要写于预定带区域的在读处理时最初读的数据、例如从主机100发送的要写于预定带区域的数据的与逻辑地址内最小编号的逻辑地址对应的数据(以下称为最前数据)。在一个例子中，定位控制部612在预定的带区域的开始轨道中，在读处理时最初读的区域、也即是开始读处理的区域(以下称为开始区域)写入与该带区域对应的带信息。开始区域包括至少一个扇区。开始区域位于与写入了最前数据的区域的行进方向相反的方向的位置。开始区域也可以写入最前数据。另外，在一个例子中，定位控制部612在预定的带区域的开始区域中，在读处理时最初读的扇区(以下称为开始扇区)写入与该带区域对应的带信息。开始扇区位于与写入了最前数据的扇区的行进方向相反的方向、例如与行进方向相反的方向的一个之前的位置。

在将带信息写于与该带信息对应的带区域的开始轨道的情况下，定位控制部612也可以使容许禁止顺向上的写动作的容许头15相对于初始写位置在向半径方向上偏离的偏离量的阈值(以下称为写禁止阈值)比与顺向相反的方向上的写禁止阈值小。通过这样设定写禁止阈值，能抑制带信息覆盖与写入了带信息的开始轨道的预定区域在顺向上相邻的区域所写入的数据。

定位控制部612能够基于位置信息执行定位控制。以下，有时也将控制头15以追踪基于位置信息生成的当前的目标位置及当前的目标路径称为ATC(Adaptive Track Center(自适应轨道中心)、或者Automatic Track width Control(自动轨道宽度控制))控制。例如，定位控制部612根据在当前写的写轨道(以下称为当前的写轨道或者当前的轨道)的一个之前进行了写入的写轨道(以下称为前面的写轨道或者前面轨道)所对应的写位置信息(以下称为前面的写位置信息)，生成当前的写轨道的目标写位置(以下称为当前的目标写位置)及目标写路径(以下称为当前的目标写路径)，根据所生成的当前的目标写位置及当前的目标写路径控制写头15W。以下，有时也将根据基于前面的写位置信息生成的当前的目标写位置及当前的目标写路径控制头15、例如写头15W称为写ATC控制。另外，定位控制部612根据带信息、例如当前读的读轨道(以下称为当前的读轨道或者当前的轨道)的在顺向上位于前方一个位置的(相邻的)读轨道(以下称为接下来的读轨道)或者写轨道(以下称为接下来的写轨道)所对应的写位置信息(以下称为接下来的写位置信息)和与当前的读轨道(当前的写轨道)对应的写位置信息(以下称为当前的写位置信息)，生成当前的读轨道的目标读位置(以下称为当前的目标读位置)及目标读路径(以下称为当前的目标读路径)，根据所生成的当前的目标读位置及当前的目标读路径控制读头15R。以下，有时将基于根据带信息、例如接下来的写位置信息及当前的写位置信息生成的当前的目标读位置及当前的目标读路径控制头15、例如读头15R称为读ATC控制。以下，将当前写或者读的扇区称为当前的扇区，将位于当前的扇区的行进方向的、例如位于前方一个的位置的扇区称为接下来的扇区。

图3是表示第1实施方式涉及的写处理的一例的示意图。在图3所示的例子中，示出写头15W、写头15W的中心部WC、带区域TGn中的写轨道WTn。在图3所示的例子中，写头15W在带区域TGn中，在写轨道WTn的扇区SC(n，k)写入数据。图3示出了写轨道WTn的初始写位置WTCn、与初始写位置WTCn对应的扇区SC(n，k)中的初始写位置X1w(n，k)、扇区SC(n，k)中的实际写位置Yw(n，k)、对于扇区SC(n，k)中的初始写位置X1w(n，k)的修正值(以下称为写修正值)X2w(n，k)。写修正值例如根据预定带区域的预定扇区的在与顺向相反的方向上相邻的扇区的实际写位置来算出。在图3所示的例子中，初始写位置WTCn相当于扇区SC(n，k)中的目标写位置TWP(n，k)。初始写位置X1w(n，k)相当于扇区SC(n，k)中与目标写位置TWP(n，k)对应的目标写位置Xw(n，k)。另外，写修正值X2w(n，k)相当于作为目标写位置Xw(n，k)与实际写位置Yw(n，k)的差分值的写误差ew(n，k)、和作为初始写位置X1w(n，k)与实际写位置Yw(n，k)的差分值的偏置值X3w(n，k)。初始写位置X1w(n，k)例如相当于从作为基准的半径位置(以下称为基准位置)到初始写位置WTCn(目标写位置TWP(n，k))为止的半径方向的距离，实际写位置Yw(n，k)例如相当于从基准位置到扇区SC(n，k)中的当前的写头15W的中心部WC为止的半径方向的距离。

在图3所示的例子中，定位控制部612例如在开始了伺服采样中断的情况下，取得扇区SC(n，k)中的初始写位置X1w(n，k)(目标写位置Xw(n，k))。定位控制部612取得实际写位置Yw(n，k)。定位控制部612根据初始写位置X1w(n，k)和实际写位置Yw(n，k)取得偏置值X3w(n，k)。定位控制部612将包含与轨道WTn、扇区SC(n，k)及头15等关联的偏置值X3w(n，k)的写位置信息作为表记录于存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90等。定位控制部612根据目标写位置Xw(n，k)和实际写位置Yw(n，k)算出写误差ew(n，k)，根据写误差ew(n，k)控制写头15W以使得位于目标写位置Xw(n，k)。

定位控制部612在带区域TGn的各轨道中取得初始写位置和实际写位置，根据初始写位置和实际写位置取得偏置值。定位控制部612将包含带区域TGn的各轨道处的偏置值的写位置信息作为表记录于存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90等。定位控制部612将记录于存储器的与带区域TGn的多个轨道分别对应的多个写位置信息作为带信息写入带区域TGn、例如带区域TGn的开始扇区。

图4是表示第1实施方式涉及的在带区域中写带信息的位置的一例的图。

定位控制部612例如在带区域TG1的写轨道WT11的写处理时，沿着行进方向在写轨道WT11的各扇区取得写位置信息。与写轨道WT11同样地，定位控制部612在从写轨道WT12到写轨道(最终轨道)WT15为止的各轨道的各扇区取得写位置信息。定位控制部612在取得了写轨道WT15的写位置信息之后，将包含写轨道WT11～WT15的各写位置信息的带信息PD1写入在带区域TG1中最初写入了的写轨道WT11的开始扇区SS11。

另外，定位控制部612例如在带区域TG2的写轨道WT21的写处理时，沿着行进方向在写轨道WT21的各扇区取得写位置信息。与写轨道WT21同样地，定位控制部612在从写轨道WT21到写轨道(最终轨道)WT25为止的各轨道的各扇区取得写位置信息。定位控制部612在取得了写轨道(最终轨道)WT25的写位置信息之后，将包含写轨道WT21～WT25的各写位置信息的带信息PD2写于在带区域TG2中最初写入了的写轨道WT11的开始扇区SS21。

图5是表示读ATC控制的一例的意图。在图5所示的例子中，示出了读头15R、读头15R的中心部RC、带区域TGn中的写轨道WTn、与写轨道WTn的顺向的一部分重叠地写入了的写轨道WTn+1、进行了写轨道Tn+1的重叠写入的一部分以外的其余的写轨道WTn所对应的读轨道RTn、写轨道WTn及读轨道RTn的扇区SC(n，m)、位于扇区SC(n，m)的行进方向上的(或者相邻的)写轨道WTn及读轨道RTn的接下来的扇区SC(n，m+1)、写轨道WTn+1的扇区SC(n+1，m)、位于扇区SC(n+1，m)的行进方向上的(或者相邻的)写轨道WTn+1的接下来的扇区SC(n+1，m+1)。扇区SC(n+1，m)在扇区SC(n、m)的顺向上相邻，扇区SC(n+1，m+1)在扇区SC(n，m+1)的顺向上相邻。另外，图5示出了将写头15W定位在写轨道WTn的初始写位置WTCn而写入了的扇区ISCn(的数据)、将写头15W定位于写轨道WTn+1的初始写位置WTCn+1而写入了的扇区ISCn+1(的数据)、以及读轨道RTn的扇区ISCn的初始读位置ITRPn。初始读位置ITRPn例如相当于进行了扇区ISCn+1(的数据)的重叠写入的一部分以外的其余的扇区ISCn(的数据)的半径方向上的宽度中间部的半径位置。

在图5所示的例子中，读头15R在带区域TGn中根据接下来的写位置信息及当前的写位置信息来对读轨道RTn的扇区SC(n，m)的数据进行读取。图5示出了与初始读位置ITRPn对应的初始读位置X1r、对于扇区SC(n，m)中的初始读位置X1r(n，m)(读位置ITRPn)的修正值(以下称为读修正值)X2r(n，m)、扇区SC(n，m)中的目标读位置TRP(n，m)、与目标读位置TRP(n，m)对应的扇区SC(n，m)的目标读位置Xr(n，m)、扇区SC(n，m)中的实际读位置Yr(n，m)、作为目标读位置Xr(n，m)与实际读位置Yr(n，m)的差分值的读误差er(n，m)、写轨道WTn的初始写位置WTCn与扇区SC(n，m+1)(的数据)的中心部SCC(n，m+1)的半径位置的差分值即偏置值X3w(n，m+1)、写轨道WTn+1的初始写位置WTCn+1与扇区SC(n+1，m+1)(的数据)的中心部SCC(n+1，m+1)的半径位置的差分值即偏置值X3w(n+1，m+1)、扇区SC(n，m+1)中的目标读位置TRP(n，m+1)、扇区SC(n，m+1)中的初始读位置ITRPn的读修正值X2r(n，m+1)。读修正值例如根据预定带区域的预定扇区的在顺向上相邻的扇区的实际写位置来算出。目标读位置TRP(n，m)例如相当于进行了扇区SC(n+1，m)(的数据)的重叠写入的一部分以外的其余的扇区SC(n，m)(的数据)的半径方向上的宽度中间部的半径位置。目标读位置TRP(n，m+1)例如相当于进行了扇区SC(n+1，m+1)(的数据)的重叠写入的一部分以外的其余的扇区SC(n，m+1)(的数据)的半径方向上的宽度中间部的半径位置。在图5所示的例子中，初始读位置X1r(n，m)例如相当于从基准位置到初始读位置ITRPn为止的半径方向的距离，目标读位置Xr(n，m)相当于从基准位置到目标读位置TRP(n，m)为止的半径方向的距离，实际读位置Yr(n，m)例如相当于从基准位置到扇区SC(n，m)中的当前的读头15R的中心部RC为止的半径方向的距离。

在图5所示的例子中，定位控制部612例如在开始了伺服采样中断的情况下，取得扇区SC(n，m)中的初始读位置X1r(n，m)。定位控制部612在表示读ATC控制的执行的标志、例如表示读ATC控制的执行的位(bit)被断言(assert)了的情况下，判定为正执行读ATC控制。在判定为正执行读ATC控制的情况下，定位控制部612从表的带信息取得与扇区SC(n，m)对应的读修正值X2r(n，m)，对初始读位置X1r(n，m)加上读修正值X2r(n，m)而取得目标读位置Xr(n，m)。例如在判定为正执行读ATC控制的情况下，定位控制部612对带信息中的当前的读轨道取得实际读位置Yr(n，m)。定位控制部612根据目标读位置Xr(n，m)和实际读位置Yr(n，m)算出读误差er(n，m)，根据读误差er(n，m)控制读头15R以使得位于目标读位置Xr(n，m)。

定位控制部612为了接下来的伺服采样中断，从包含带信息的表取得位于扇区SC(n，m)的行进方向上的接下来的扇区SC(n，m+1)(的数据)的偏置值X3w(n，m+1)、和扇区SC(n，m+1)的在顺向上相邻的扇区SC(n+1，m+1)(的数据)的偏置值X3w(n+1，m+1)。定位控制部612根据偏置值X3w(n，m+1)及X3w(n+1，m+1)算出与扇区SC(n，m+1)对应的读修正值X2r(n，m+1)，将读修正值X2r(n，m)记录于存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90等。

图6是表示第1实施方式涉及的写处理时的头15的定位控制系统SY1的一例的框图。

磁盘装置1具有写处理时的头15的定位控制系统(以下称为写控制系统)SY1。写控制系统SY1具有变换器S1、控制器S2、致动器S3、存储器S4、保存区域S5、运算部C61、C62。变换器S1、控制器S2、运算部C61及运算部C62例如包含于系统控制器130。致动器S3例如包含于致动器AC。存储器S4例如包含于易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90。保存区域S5例如包含于盘10。

变换器S1将从上位装置、例如主机100指定的盘10的逻辑的位置(以下称为逻辑位置)变换为盘10的物理的位置(以下称为物理位置)。逻辑位置例如也可以是逻辑地址，物理位置例如也可以是物理地址。

控制器S2控制致动器S3。控制器S2例如根据写误差ew，生成致动器S3的写处理时的头15的驱动量(以下称为写驱动量)Uw。此外，控制器S2也可以根据写误差ew以外的值，生成写驱动量Uw。

致动器S3按照控制器S2的输出进行驱动。致动器S3例如根据写驱动量Uw进行驱动，将头15移动到实际写位置Yw。

存储器S4具有表TB。表TB包含写位置信息和/或带信息。

在预定的带中写数据的逻辑位置、例如位置(C：轨道或者柱面、H：头、S：扇区)被指定了的情况下，变换器S1被输入位置(C、H)。变换器S1将位置(C，H)变换为作为物理位置的初始写位置X1w(目标写位置Xw)，并输出至运算部C61及C62。运算部C61将实际写位置Yw与初始写位置X1w(目标写位置Xw)的差分值即写误差ew输出至控制器S2。控制器S2被输入写误差ew。控制器S2将写驱动量Uw输出至致动器S3。致动器S3被输入写驱动量Uw。致动器S3根据写驱动量Uw进行驱动，将头15、例如写头15W移动到与驱动量Uw对应的实际写位置Yw。致动器S3将实际写位置Yw输出至运算部C61及C62。运算部C62将实际写位置Yw与初始写位置X1w的差分值即偏置值X3w输出至存储器S4。存储器S4被输入逻辑位置(C，S)及偏置值X3w。在存储器S4中，包含与逻辑位置(C，S)关联的偏置值X3w的写位置信息被记录为表。存储器S4在记录了预定的带区域的全部写位置信息的情况下，将预定的带区域的全部写位置信息作为带信息写于保存区域S5。

图7是表示第1实施方式涉及的读处理时的头15的定位控制系统SY2的一例的框图。

磁盘装置1具有读处理时的头15的定位控制系统(以下称为读控制系统)SY2。读控制系统SY2具有变换器S1、控制器S2、致动器S3、存储器S4、保存区域S5、放大器A1、延迟器S6、运算部C71、C72。放大器A1、延迟器S6、运算部C71及运算部C72例如包含于系统控制器130。

控制器S2例如根据读误差er生成致动器S3的读处理时的头15的驱动量(以下称为读驱动量)Ur。此外，控制器S2也可以根据读误差er以外的值生成读驱动量Ur。

致动器S3例如根据读驱动量Ur进行驱动，将头15移动到实际读位置Yr。

放大器A1乘以预定值。放大器A1例如将对从上位装置指定的位置(C，H，S)所对应的扇区(C，S)的接下来的扇区(C，S+1)的偏置值X3w(C，S+1)加上接下来的扇区(C，S+1)的在顺向上相邻的扇区(C+1，S+1)的偏置值X3w(C+1，S+1)而得到的值乘以1/2。

延迟器S6使得延迟1采样周期量。延迟器S6例如使接下来的扇区(C，S+1)所对应的读修正值X2r(C，S+1)延迟1采样周期量。

在预定的带区域中，在读数据的位置(C，H，S)被指定了的情况下，变换器S1被输入位置(C，H，S)。变换器S1将位置(C，H)变换为作为物理位置的初始读位置X1r，并输出至运算部C71。运算部C71生成对初始读位置X1r加上读修正值X2r(C，S)而得到的目标读位置Xr，将所生成的目标读位置Xr输出至运算部C72。运算部C72被输入目标读位置Xr及实际读位置Yr。运算部C72将目标读位置Xr与实际读位置Yr的差分值即读误差er输出至控制器S2。控制器S2被输入读误差er。控制器S2将读驱动量Ur输出至致动器S3。致动器S3被输入读驱动量Ur。致动器S3根据读驱动量Ur进行驱动，将头15、例如读头15R移动到与读驱动量Ur对应的实际读位置Yr。致动器S3将实际读位置Yr输出至运算部C72。存储器S4被输入位置(C，S)，保存区域S5被输入包含预定的带区域的带信息的表。存储器S4将与位置(C，S)对应的扇区(C，S)的接下来的扇区(C，S+1)所对应的偏置值X3w(C，S+1)、扇区(C，S+1)的在顺向上相邻的扇区(C+1，S+1)所对应的偏置值X3w(C+1，S+1)输出至放大器A1。放大器A1被输入偏置值X3w(C，S+1)及X3w(C+1，S+1)。放大器A1向延迟器S6输出将对偏置值X3w(C，S+1)加上偏置值X3w(C+1，S+1)而得到的值乘以1/2后的扇区(C，S+1)所对应的读修正值X2r(C，S+1)。延迟器S6向运算部C71输出使读修正值X2r(C，S+1)延迟1采样周期量后的修正值X2r(C，S)。

图8是表示第1实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。

系统控制器130从主机100接收写命令(B801)。系统控制器130将头15移动至所指定的预定带区域的预定扇区(B802)。例如，系统控制器130将头15移动到所指定的预定带区域的开始扇区或者位于开始扇区的行进方向上的接下来的扇区。系统控制器130写数据(B803)。例如，系统控制器从开始扇区或者位于开始扇区的行进方向上的接下来的扇区在行进方向上开始数据的写处理，在顺向上相继地写数据。系统控制器130在写处理时取得写位置信息(B804)。例如，系统控制器130取得分别与预定带区域的多个轨道对应的多个写位置信息(带信息)。在取得了分别与预定带区域的多个轨道对应的多个位置信息(带信息)的情况下，系统控制器130将头15移动到预定扇区(B805)。例如，在预定带区域取得了带信息的情况下，系统控制器130将头15移动到在预定带区域最初写了的写轨道的开始扇区。系统控制器130向预定扇区写带信息(B806)，结束处理。系统控制器130例如向预定带区域的开始扇区写带信息，结束处理。

图9是表示第1实施方式涉及的读处理方法的一例的流程图。

系统控制器130从主机100接收读命令(B901)。系统控制器130将头15移动到所指定的预定带区域的预定扇区(B902)。例如，系统控制器130将头15移动到所指定的预定带区域的开始扇区。系统控制器130读取在预定扇区写入了的带信息(B903)。例如，系统控制器130取得在预定带区域的开始扇区写入了的带信息。系统控制器130执行读ATC控制(B904)。例如，系统控制器130对表示读ATC控制的执行的标志、例如位进行断言。系统控制器130根据带信息通过读ATC控制读数据(B905)，结束处理。例如，系统控制器130根据当前的读对象扇区的写位置信息(当前的写位置信息)及相邻轨道的写位置信息(接下来的写位置信息)，通过读ATC控制从预定带区域的开始轨道直到最终轨道相继地在顺向上进行读取，结束处理。

图10是表示读处理时的头15的定位控制的一例的流程图。

系统控制器130在开始了伺服采样中断的情况下，取得当前扇区的初始读位置(B1001)。系统控制器130判定是正执行读ATC控制、还是没执行读ATC控制(B1002)。例如，系统控制器130判定表示读ATC控制的执行的位是被断言、还是没被断言。在判定为正执行读ATC控制的情况下(B1002：是)，系统控制器130取得对于当前扇区中的初始读位置的读修正值(B1003)。例如在判定为表示读ATC控制的执行的位被断言的情况下，系统控制器130从表TB取得对于当前扇区中的初始读位置的读修正值。在判定为没执行读ATC控制的情况下(B1002：否)，系统控制器130使对于当前扇区中的初始读位置的读修正值为0(B1004)。例如，在判定为表示读ATC控制的执行的位未被断言的情况下，系统控制器130使对于当前扇区中的初始读位置的读修正值为0。

系统控制器130根据初始读位置及读修正值来取得目标读位置(B1005)。系统控制器130根据目标读位置及实际读位置来驱动致动器AC(B1006)。例如，系统控制器130根据目标读位置及实际读位置算出读误差，根据读误差驱动致动器AC以使得头15位于目标读位置。

系统控制器130判定是正执行读ATC控制、还是没有执行读ATC控制(B1007)。在判定为正执行读ATC控制的情况下(B1007：是)，系统控制器130执行用于位于当前扇区的行进方向上的接下来的扇区的准备(B1008)。作为接下来的扇区的准备(B1008)，系统控制器130取得接下来的扇区的偏置值(B811)，取得接下来的扇区的在顺向上相邻的扇区的偏置值(B812)。系统控制器130根据接下来的扇区的偏置值和接下来的扇区的在顺向上相邻的扇区的偏置值，取得与接下来的扇区对应的读修正值(B813)，结束接下来的扇区的准备(B1008)。例如，系统控制器130取得接下来的扇区的偏置值和接下来的扇区的在顺向上相邻的扇区的偏置值和平均值来作为与接下来的扇区对应的读修正值，并将与接下来的扇区对应的读修正值记录于存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90。在判定为没执行读ATC控制的情况下(B1007：否)，系统控制器130将头15移动到接下来的扇区(B1009)，结束处理。

根据本实施方式，磁盘装置1在向预定带区域相继地写入了数据时，以预定带区域的各轨道取得写位置信息。在取得了预定带区域的带信息的情况下，磁盘装置1向预定带区域的开始扇区写带信息。在读预定带区域的情况下，磁盘装置1读开始扇区的带信息，根据带信息通过读ATC控制相继地读预定带区域的各轨道。磁盘装置1能够根据当前的写位置信息和接下来的写位置信息，在各圆周位置高精度地读取当前的读轨道。因此，磁盘装置1能够提高读处理性能。

接着，对其他实施方式及变形例涉及的磁盘装置进行说明。在其他实施方式及变形例中，对于与前述的实施方式相同的部分标记相同的参照标号，省略其详细的说明。

(第2实施方式)

第2实施方式的磁盘装置1在执行写ATC控制这一点与第1实施方式不同。

图11是表示写ATC控制的一例的示意图。

在图11所示的例子中，带区域TGj包含写轨道WTj－1、WTj及WTj+1。在带区域TGj中，写轨道WTj－1～WTj+1在顺向上按该顺序被重叠写入。写轨道WTj－1具有轨道边缘Ej－1A。在图11所示的例子中，轨道边缘Ej－1A是写轨道WTj－1的外方向OD的端部。图11示出与写轨道WTj－1对应的初始写路径WTTj－1。写轨道WTj具有轨道边缘EjA。在图11所示的例子中，轨道边缘EjA是写轨道WTj的外方向OD的端部。图11示出与写轨道WTj对应的初始写路径WTTj。写轨道WTj+1具有轨道边缘Ej+1A。在图11所示的例子中，轨道边缘Ej+1A是写轨道WTj+1的外方向OD的端部。图11示出与写轨道WTj+1对应的初始写路径WTTj+1。

定位控制部612对写头15W进行定位控制以使得追踪对写轨道WTj－1进行写入时的目标写路径TWTj－1。目标写路径TWTj－1相当于初始写路径WTTj－1。实际上，在进行写轨道WTj－1的写入的情况下，写头15W在包含写误差的实际的写路径(以下称为实写路径)SWTj－1上进行走行。定位控制部612取得与实写路径SWTj－1对应的写处理时的头15、例如写头15W的写路径信息，将所取得的写路径信息记录于存储器、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90等。

定位控制部612根据与实写路径SWTj－1对应的写路径信息，生成进行写轨道WTj的写入时的目标写路径TWTj，进行写头15W的定位控制以使得追踪目标写路径TWTj。实际上，在进行写轨道WTj的写入的情况下，写头15W在实写路径SWTj上走行。定位控制部612取得与实写路径SWTj对应的写路径信息，将所取得的写路径信息记录于存储器、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90等。

定位控制部612根据与实写路径SWTj对应的写路径信息，生成进行写轨道WTj+1的写入时的目标写路径TWTj+1，进行写头15W的定位控制以使得追踪目标写路径TWTj+1。实际上，在进行写轨道WTj+1的写入的情况下，写头15W在实写路径SWTj+1上走行。定位控制部612取得与实写路径SWTj+1对应的写路径信息，将所取得的写路径信息记录于存储器、例如盘10、易失性存储器70、缓冲存储器80、非易失性存储器90等。

图12是表示写ATC控制的一例的示意图。在图12所示的例子中，示出写头15W、写头15W的中心部WC、带区域TGn中的写轨道WTn－1、与写轨道WTn－1的顺向的一部分进行了重叠写入的写轨道WTn、写轨道WTn－1的扇区SC(n－1，k)、扇区SC(n－1，k)的位于行进方向上的(或者相邻的)写轨道WTn－1的接下来的扇区SC(n－1，k+1)、写轨道WTn的扇区SC(n，k)、扇区SC(n，k)的位于行进方向上的(或者相邻的)写轨道WTn的接下来的扇区SC(n，k+1)。扇区SC(n，k)与扇区SC(n－1，k)在顺向上相邻，扇区SC(n，k+1)与扇区SC(n－1，k+1)在顺向上相邻。

在图12所示的例子中，写头15W在带区域TGn中向写轨道WTn的扇区SC(n，k)写入数据。写头15W在向扇区SC(n，k)写入了数据之后向扇区SC(n，k+1)写数据。图12示出了写轨道WTn－1的初始写位置WTCn－1、扇区SC(n，k)中的目标写位置TWP(n，k)、与目标写位置TWP(n，k)对应的扇区SC(n，k)中的目标写位置Xw(n，k)、作为目标写位置Xw(n，k)与实际写位置Yw(n，k)的差分值的写误差ew(n，k)、作为初始写位置X1w(n，k)与实际写位置Yw(n，k)的差分值的偏置值X3w(n，k)、作为写轨道WTn－1的初始写位置WTCn－1与扇区SC(n－1，k+1)(的数据)的半径方向的中心部SCC(n－1，k+1)的半径位置之间的差分值的偏置值X3w(n－1，k+1)、对于写轨道WTn的初始写位置WTCn的与扇区SC(n，k+1)对应的写修正值X2w(n，k+1)。目标写位置TWP(n，k)例如相当于扇区SC(n，k)(的数据)的半径方向上的宽度中间部的半径位置。目标写位置Xw(n，k)例如相当于从基准位置到目标写位置TWP(n，k)为止的半径方向的距离。写修正值X2w(n，k+1)相当于初始写位置WTCn与扇区SC(n，k+1)(的数据)的半径方向的中心部SCC(n，k+1)的半径位置之间的差分值。

在图12所示的例子中，定位控制部612例如在开始了伺服采样中断的情况下，取得扇区SC(n、k)中的初始写位置X1w(n，k)。定位控制部612在表示写ATC控制的执行的标志、例如表示写ATC的执行的位被断言了的情况下，判定为正执行写ATC控制。在判定为正执行写ATC控制的情况下，定位控制部612根据扇区SC(n－1，k)(的数据)的偏置值生成与扇区SC(n，k)对应的写修正值X2w(n，k)，对初始写位置X1w(n，k)加上写修正值X2w(n，k)，取得目标写位置Xw(n，k)。定位控制部612取得实际写位置Yw(n，k)。定位控制部612根据初始写位置X1w(n，k)和实际写位置Yw(n，k)取得偏置值X3w(n，k)，并在存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90中作为表TB来记录偏置值X3w。定位控制部612根据目标写位置Xw(n，k)和实际写位置Yw(n，k)算出写误差ew(n，k)，根据写误差ew(n，k)控制写头15W以使得位于目标写位置Xw(n，k)。

定位控制部612为了接下来的伺服采样中断，取得扇区(n，k+1)的在与顺向相反的方向上相邻的扇区(n－1，k+1)的偏置值X3w(n－1，k+1)。定位控制部612将偏置值X3w(n－1，k+1)作为与扇区SC(n，k)的位于行进方向上的接下来的扇区(n，k+1)对应的写修正值X2w(n，k+1)记录于存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90等。

图13是表示第2实施方式涉及的写处理时的头15的定位控制系统SY1的一例的框图。

写控制系统SY1还具有延迟器S6、补偿器S7、运算部C131及运算部C132。延迟器S6、补偿器S7、运算部C131及运算部C132例如包含于系统控制器130。

延迟器S6例如使当前扇区(C，S)的位于行进方向上的接下来的扇区(C，S+1)(的数据)的偏置值X3w(C，S+1)延迟1采样周期量，输出偏置值X3w来作为写修正值X2w。

补偿器S7调整增益和/或位相。补偿器S7例如包含低通滤波器和/或衰减器。补偿器S7例如对接下来的扇区(C，S+1)的在与顺向相反的方向上相邻的扇区(C－1，S+1)(的数据)的偏置值X3w(C－1，S+1)的增益和/或位相进行调整。

在预定带区域中写数据的位置(C，H，S)被指定了的情况下，变换器S1被输入位置(C，H，S)。变换器S1将位置(C，H)变换为作为物理位置的初始写位置X1w，并输出至运算部C131。运算部C131生成对初始写位置X1w加上写修正值X2w(C，S)而得到的目标写位置Xw，将所生成的目标写位置Xw输出至运算部C131。运算部C132将作为目标写位置Xw与实际写位置Yw的差分值的写误差ew输出至控制器S2。控制器S2被输入写误差ew。控制器S2将写驱动量Uw输出至致动器S3。致动器S3根据写驱动量Uw进行驱动，将头15、例如写头15W移动至与写驱动量Uw对应的实际写位置Yw。致动器S3将实际写位置Yw输出至运算部C132及C62。存储器S4将与位置(C，S)对应的扇区(C，S)的位于行进方向上的接下来的扇区(C，S+1)的在与顺向相反的方向上相邻的扇区(C－1，S+1)的偏置值X3w(C－1，S+1)输出至补偿器S7。补偿器S7被输入偏置值X3w(C－1，S+1)。补偿器S7将调整了增益和/或位相的偏置值X3w(C－1，S+1)输出至延迟器S6。延迟器S6将使调整后的偏置值X3w(C－1，S+1)延迟了1采样周期量后的写修正值X2w(C，S)输出至运算器C131。

图14是表示第2实施方式涉及的写处理方法的一例的流程图。

系统控制器130从主机100接收写命令(B801)，将头15移动至所指定的预定扇区(B802)。系统控制器130执行写ATC控制(B1401)。例如，系统控制器130对表示写ATC控制的执行的标志、例如位进行断言。系统控制器130根据前的写位置信息通过写ATC控制来写数据(B803)。例如，系统控制器130根据前面的写位置信息，通过写ATC控制从预定带区域的开始轨道到最终轨道相继地进行写入。系统控制器130在写处理时取得写位置信息(B804)，将头15移动到预定扇区(B805)，向预定扇区写带信息(B806)，结束处理。

图15是表示写处理时的头15的定位控制的一例的流程图。

系统控制器130在开始了伺服采样中断的情况下，取得当前扇区的初始写位置(B1501)。系统控制器130判定是正在执行写ATC控制、还是没有执行写ATC控制(B1502)。例如，系统控制器130判定表示写ATC控制的执行的位是被断言了、还是未被断言。在判定为正执行写ATC控制的情况下(B1502：是)，系统控制器130取得对于当前扇区中的初始写位置的写修正值(B1503)。例如，在判定为表示写ATC控制的执行的位被断言的情况下，系统控制器130从表TB取得对于当前扇区中的初始写位置的写修正值。在判定为没有执行写ATC控制的情况下(B1502：否)，系统控制器130使对于当前扇区中的初始写位置的写修正值为0(B1504)。例如，在判定为表示写ATC控制的执行的位未被断言的情况下，系统控制器130使对于当前扇区中的初始写位置的写修正值为0。

系统控制器130根据初始写位置及写修正值取得目标写位置(B1505)。系统控制器130根据目标写位置及实际写位置驱动致动器AC(B1506)。例如，系统控制器130根据目标写位置及实际写位置算出写误差，根据写误差驱动致动器AC以使得头15位于目标写位置。

系统控制器130判定是正执行写ATC控制、还是没有执行写ATC控制(B1507)。在判定为正执行写ATC控制的情况下(B1507：是)，系统控制器130执行用于当前扇区的位于行进方向上的接下来的扇区的准备(B1508)。作为接下来的扇区的准备(B1508)，系统控制器130取得接下来的扇区的在与顺向相反的方向上相邻的扇区的偏置值(B821)。系统控制器130根据接下来的扇区的在与顺向相反的方向上相邻的扇区的偏置值，取得与接下来的扇区对应的写修正值(B822)，结束接下来的扇区的准备(B1508)。例如，系统控制器130取得接下来的扇区的在与顺向相反的方向上相邻的扇区的偏置值来作为与接下来的扇区对应的写修正值，将与接下来的扇区对应的写修正值记录于存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90。在判定为没有执行写ATC控制的情况下(B1507：否)，系统控制器130取得当前扇区(的数据)的偏置值(B1509)。例如，在判定为没有执行写ATC控制的情况下，系统控制器130根据初始写位置和实际写位置取得当前扇区(的数据)偏置值，将偏置值作为表来记录于存储器、例如易失性存储器70、缓冲存储器80或者非易失性存储器90。系统控制器130将头15移动到接下来的扇区(B1510)，结束处理。

根据第2实施方式，磁盘装置1执行写ATC控制。磁盘装置1能根据前面的写位置信息，在各圆周位置高精度地进行当前的写轨道的写入。因此，磁盘装置1能够提高数据的可靠性。

(变形例1)

变形例1的磁盘装置1的读控制系统SY2的构成与前述的实施方式不同。

图16是表示变形例1涉及的读处理时的头15的定位控制系统SY2的一例的框图。

读控制系统SY2还具有补偿器S7。补偿器S7例如包含于系统控制器130。

补偿器S7例如对接下来的扇区(C，S+1)的读修正值X2r(C，S+1)的增益和/或位相进行调整。

放大器A1被输入偏置值X3w(C，S+1)及X3w(C+1，S+1)。放大器A1将对偏置值X3w(C，S+1)加上偏置值X3w(C+1，S+1)而得到的值乘以1/2后的扇区(C，S+1)所对应的读修正值X2r(C，S+1)输出至补偿器S7。补偿器S7将调整后的读修正值X2r(C，S+1)输出至延迟器S6。延迟器S6被输入调整后的读修正值X2r(C，S+1)。延迟器S6将使读修正值X2r(C，S+1)延迟1采样周期后的修正值X2r(C，S)输出至运算部C71。

根据变形例1，磁盘装置1对前扇区的位于当行进方向上的接下来的扇区所对应的读修正值进行调整。因此，磁盘装置1能够提高读性能。

(变形例2)

变形例2的磁盘装置1的带信息的写方法与前述的实施方式、变形例不同。

读/写控制部61将与预定带区域对应的带信息向与顺向相反的方向移位地写入该带区域的开始轨道的预定区域。例如，读/写控制部61将与预定带区域的带信息对应的目标写位置变更为向与顺向相反的方向移位后的半径位置，根据变更后的目标写位置将该带信息写于开始区域。

另外，在移位写入了带信息的情况下，读/写控制部61在写入了带信息的预定带区域的预定区域中使读头15R移位来读带信息。例如，在向顺向相反的方向移位来写入了带信息的情况下，读/写控制部61将与预定带区域的带信息对应的目标读位置变更为在与顺向相反的方向上移位后的半径位置，根据变更后的目标读位置来读该带信息。

图17是表示变形例2涉及的带信息PD1及PD2的写方法的一例的图。

读/写控制部61例如在写处理时，在带区域TG1中从写轨道WT11的开始扇区SS11的行进方向的接下来的扇区S111开始写位置信息的取得，从扇区S111沿着行进方向在写轨道WT11的各扇区中取得写位置信息。也即是，读/写控制部61不写开始扇区SS11而从扇区S111开始写。另外，读/写控制部61在写轨道WT11～WT15中取得写位置信息。读/写控制部61在取得了写轨道WT15的写位置信息之后，将包含写轨道WT1～WT15的各写位置信息的带信息PD1向与顺向相反的方向移位地写于开始扇区SS11。

另外，读/写控制部61与带区域TG1同样地在带区域TG2中，从写轨道WT21的开始扇区SS21的行进方向的接下来的扇区S211开始取得写位置信息，从扇区S211沿着行进方向在写轨道WT21的各扇区中取得写位置信息。读/写控制部61在取得了写轨道WT25的写位置信息之后，将包含写轨道WT21～WT25的各写位置信息的带信息PD2向与顺向相反的方向、也即是带区域TG1侧移位地写于开始扇区SS21。由于在带区域TG1与TG2之间配置有间隔GP，因此，即使向与顺向相反的方向移位地进行了写入，带信息被其他数据覆盖的可能性也低。另外，由于向与顺向相反的方向移位地写带信息，因此，能抑制带信息覆盖进行了带信息的写入的开始轨道的预定区域的在顺向上相邻的区域所写入的数据。

图18是表示变形例2涉及的带信息PD1的写方法的一例的图。图18示出进行了写轨道WT11～WT13的重叠写入的带区域TG1的一部分。在图18中，写轨道WT11的开始扇区SS11以外的区域中，将写头15W定位在初始写位置WTC11来写入，写轨道WT12中，将写头15W定位于初始写位置WTC12来写入，写轨道WT13中，将写头15W定位于初始写位置WTC13来写入。在图18中，初始写位置WTC11相当于写轨道WTC11的开始扇区SS11以外的各扇区中的目标写位置。初始写位置WTC12相当于写轨道WTC12的各扇区中的目标写位置。初始写位置WTC13相当于写轨道WTC13的各扇区中的目标写位置。在图18中，读轨道宽度RW12m表示带信息PD1所覆盖了的扇区SS12(的数据)的半径方向的宽度。例如，读轨道宽度RW12m相当于能够由读头15R读的半径方向的宽度的阈值。

在图18所示的例子中，读/写控制部61将带信息PD1相对于与开始扇区SS11对应的目标写位置、例如初始写位置WTC11向与顺向相反的方向移位偏离量Xc来写于开始扇区SS11。偏离量Xc例如被设定在Xc＞RW12m－(RW11+RW12－W11)的范围内。在此，Xc是开始扇区SS11中的带信息PD1的半径方向的偏离量，RW12m是能够对开始扇区SS11的在顺向上相邻的扇区SS12中的数据进行读取的半径方向的宽度的阈值，RW11是在如通常那样根据与开始扇区SS11对应的目标写位置进行了扇区SS11的写入的情况下进行了扇区SS12的重叠写的一部分以外的扇区SS11的其余区域的半径方向的宽度，RW12是在如通常那样根据与开始扇区SS11对应的目标写位置进行了开始扇区SS11的写入的情况下进行了扇区SS12的在顺向上相邻的扇区SS13(的数据)的重叠写入的一部分以外的扇区SS12(的数据)的其余区域的半径方向的宽度。读/写控制部61在将带信息以偏离量Xc向与顺向相反的方向移位地写入在开始扇区SS11之后，从扇区SS111将写头15W定位于与扇区SS111对应的目标写位置、例如初始写位置WTC12来进行写入。

根据变形例2，磁盘装置1将与预定带区域对应的带信息向与顺向相反的方向移位来写于开始区域。磁盘装置1能够抑制开始区域的在顺向上相邻的区域所写入的数据的半径方向的宽度的狭窄。因此，磁盘装置1能够提高读性能。

(变形例3)

变形例3的磁盘装置1的带区域的各轨道的写方法与前述的实施方式、变形例不同。

读/写控制部61在进行与预定带区域对应的带信息的写入的开始轨道的预定区域的在顺向上排列的该带区域的各轨道的各区域中将数据向顺向移位来写入。例如，读/写控制部61将进行与预定带区域对应的带信息的写入的开始扇区的位于顺向上的该带区域的预定轨道的扇区(以下称为调整扇区)中的目标写位置变更为在顺向移位后的半径位置，根据变更后的目标写位置进行调整扇区的数据的写入。此外，读/写控制部61既可以将分别与预定带区域的多个调整扇区对应的多个数据以向顺向上相同的偏离量分别移位来写入，也可以以在顺向上不同的偏离量分别移位来写入。

另外，在将调整扇区的数据移位来进行了写入的情况下，读/写控制部61在调整扇区中将读头15R移位来读取调整扇区的数据。例如，在顺向上移位来进行了调整扇区的数据的写入的情况下，读/写控制部61将该调整扇区的数据的目标读位置变更为在顺向上移位后的半径位置，根据变更后的目标读位置读取该调整扇区的数据。

图19是表示变形例3涉及的带区域TG1及TG2的各轨道的写方法的一例的图。

在图19中，写轨道WT11及读轨道RT11包含开始扇区SS11、和开始扇区SS11的位于行进方向上的接下来的扇区S111。写轨道WT12及读轨道RT12包含与开始扇区SS11在顺向上相邻的调整扇区SS12a、和调整扇区SS12a的位于行进方向上的接下来的扇区S121。写轨道WT13及读轨道RT13包含与调整扇区SS12a在顺向上相邻的调整扇区SS13a、和调整扇区SS13a的位于行进方向的接下来的扇区S131。写轨道WT14及读轨道RT14包含与调整扇区SS13a在顺向上相邻的调整扇区SS14a、和调整扇区SS14a的位于行进方向的接下来的扇区S141。写轨道WT15及读轨道RT15包含与调整扇区SS14a在顺向上相邻的调整扇区SS15a、和调整扇区SS15a的位于行进方向的接下来的扇区S151。

在图19中，写轨道WT21及读轨道RT21包含开始扇区SS21、和开始扇区SS21的位于行进方向的接下来的扇区S211。写轨道WT22及读轨道RT22包含与开始扇区SS21在顺向上相邻的调整扇区SS22a、和调整扇区SS22a的位于行进方向的接下来的扇区S221。写轨道WT23及读轨道RT23包含与调整扇区SS22a在顺向上相邻的调整扇区SS23a、和调整扇区SS23a的位于行进方向的接下来的扇区S131。写轨道WT24及读轨道RT24包含与调整扇区SS23a在顺向上相邻的调整扇区SS24a、和调整扇区SS24a的位于行进方向的接下来的扇区S241。写轨道WT25及读轨道RT25包含与调整扇区SS24a在顺向上相邻的调整扇区SS25a、和调整扇区SS25a的位于行进方向的接下来的扇区S251。

读/写控制部61例如在带区域TG1中，在写轨道WT11从扇区S111沿着行进方向向各扇区写数据。在向写轨道WT11写数据时，读/写控制部61在写轨道WT11中从扇区S111沿着行进方向在各扇区开始取得写位置信息。读/写控制部61在写轨道WT12中使调整扇区SS12a相对于调整扇区SS12a中的目标写位置向顺向移位来进行写入，从扇区S121开始基于目标写位置进行写入。读/写控制部61在写轨道WT13中，使调整扇区SS13a相对于调整扇区SS13a中的目标写位置向顺向移位来进行写入，从扇区S131开始根据目标写位置进行写入。读/写控制部61在写轨道WT14中使调整扇区SS14a相对于调整扇区SS14a中的目标写位置向顺向移位来进行写入，从扇区S141开始根据目标写位置进行写入。读/写控制部61在写轨道WT15中使调整扇区SS15a相对于调整扇区SS15a中的目标写位置向顺向移位来进行写入，从扇区S151开始根据目标写位置进行写入。读/写控制部61在写轨道WT12～WT15取得写位置信息。读/写控制部61在取得了写轨道(最终轨道)WT15的写位置信息之后，将包含写轨道WT11～WT15的各写位置信息的带信息PD1写于开始扇区SS11。

读/写控制部61与带区域TG1同样地分别对带区域TG2的写轨道WT21～WT25写数据，从带区域TG2的写轨道WT21～WT25分别取得写位置信息。读/写控制部61在取得了写轨道(最终轨道)WT25的写位置信息之后，将包含写轨道WT21～WT25的各写位置信息的带信息PD2写于开始扇区SS21。

图20是表示变形例3涉及的带区域TG1的轨道的写方法的一例的图。图20示出进行了写轨道WT11～WT13的重叠写入的带区域TG1的一部分。在图20中，在写轨道WT12的调整扇区SS12a以外的区域中，将写头15W定位于初始写位置WTC12来写入，在写轨道WT13的调整扇区SS13a以外的区域中，将写头15W定位于初始写位置WTC13来写入。在图20中，初始写位置WTC11相当于写轨道WT11的目标写位置，初始写位置WTC12相当于写轨道WT12的目标写位置，初始写位置WTC13相当于写轨道WTC13的目标写位置。

在图20所示的例子中，读/写控制部61将数据相对于与调整扇区SC12a对应的目标写位置、例如初始写位置WTC12向顺向移位偏离量Xd而写入于调整扇区SS12a。偏离量Xd例如被设定在Xd＞WW12－RW12a的范围内。在此，Xd是进行了带信息PD1的写入的开始扇区SS11的在顺向上相邻的调整扇区SS12a的数据的半径方向的偏离量，WW12是相对于目标写位置不移位而写入于调整扇区SS12a的情况下的写轨道WT12的调整扇区SS12a的数据的半径方向的宽度，RW12a是读轨道RT12的调整扇区SS12a的数据的半径方向的宽度。读/写控制部61将数据以偏离量Xd向顺向移位来写于调整扇区SS12a之后，从扇区SS121将写头15W定位于与扇区SS121对应的目标写位置、例如初始写位置WTC12来进行写入。读/写控制部61与写轨道WT12同样地进行位于写轨道WT12的顺向上的其他写轨道的写入。

根据变形例3，磁盘装置1使与进行预定带区域所对应的带信息的写入的开始区域在顺向上排列的预定带区域的各区域分别在顺向上移位来进行写入。磁盘装置1能够使带信息在半径方向上不移位地写于开始区域。因此，磁盘装置1能够提高读性能。

(变形例4)

变形例4的磁盘装置1在与进行带区域所对应的带信息的写入的区域相邻的区域不写数据这一点与前述的实施方式、变形例不同。

读/写控制部61在与进行预定带区域所对应的带信息的写入的开始轨道的预定区域在顺向上相邻的预定区域(以下称为未写区域)、例如扇区(以下称为未写扇区)不写数据。换言之，读/写控制部61在与开始轨道在顺向上相邻的轨道，向未写区域以外的区域写数据。读/写控制部61例如在与开始轨道在顺向上相邻的轨道，在未写区域以外的区域取数据。

图21是表示变形例4涉及的带区域TG1及TG2的各轨道的写方法的一例的图。在图21中，写轨道WT12及读轨道RT12包含未写扇区BA12。写轨道WT22及读轨道RT22包含未写扇区BA22。

读/写控制部61在带区域TG1的写轨道WT12，向与开始扇区SS11在顺向上相邻的未写扇区BA12以外的写轨道WT12的区域写数据。

读/写控制部61与带区域TG1同样地在带区域TG2的写轨道WT22，向与开始扇区SS21在顺向上相邻的写轨道WT22的未写扇区BA22以外的区域写数据。

根据变形例4，磁盘装置1将与预定带区域对应的带信息写于开始区域。磁盘装置1在与开始区域在顺向上相邻的未写区域不写数据。磁盘装置1能够将带信息在半径方向上不移位地进行写入。因此，磁盘装置1能够提高读性能。

(变形例5)

变形例5的磁盘装置1在写处理时和读处理时顺向不同这一点与前述的实施方式、变形例不同。

读/写控制部61的写处理时的顺向与读处理时的顺向不同。读/写控制部61按照从主机100发送的要写于预定带区域的、从读处理时最后读的数据例如从主机100发送的要写于预定带区域的数据的逻辑地址内中最大编号的逻辑地址所对应的数据(以下称为最后数据)到最前数据的顺序，通过存储器、例如缓冲80等对从主机100发送的要写于预定带区域的数据进行重写排列。读/写控制部61在写处理时将从内方向ID向外方向OD作为顺向来向预定带区域的各轨道写数据。在一个例子中，将从内方向ID向外方向OD作为顺向，读/写控制部61在写处理时按从最后数据向最前数据的顺序将从主机100发送的数据写于预定带区域的各轨道。读/写控制部61将从内方向向外方向作为顺向，取得预定带区域的各轨道的各写位置信息。读/写控制部61在预定带区域中向最终轨道写入与该带区域对应的带信息。在变形例5中，最终轨道相当于前述的开始轨道。因此，最终轨道例如在读预定带区域时被最初读取。通过这样写数据，能抑制将带信息覆盖到在与进行了带信息的写入的开始轨道的预定区域在顺向上相邻的区域所写的数据。

读/写控制部61在读处理时将从外方向OD向内方向ID作为顺向，读在预定带区域的各轨道写入的数据。在一个例子中，读/写控制部61在读处理时首先读带信息，根据带信息按从最前数据到最后数据的顺序将从外方向OD向内方向ID作为顺向来从预定带区域的各轨道开始读。

图22是表示变形例5涉及的带区域TG1及TG2的各轨道的写方法的一例的图。

读/写控制部61例如在带区域TG1从内方向向外方向在从写轨道WT11到写轨道WT15为止的各轨道按从最后数据到最前数据的顺序进行写入，在各轨道取得写位置信息。读/写控制部61在取得了写轨道(最终轨道)WT15的写位置信息之后，将包含写轨道WT11～WT15的各写位置信息的带信息PD1写于写轨道WT15的开始扇区SS15。读/写控制部61例如在开始扇区SS15读带信息PD1，从外方向向内方向根据带信息PD1按读轨道RT15、RT14、RT13、RT12及RT11的顺序进行读取。

另外，读/写控制部61例如与带区域TG1同样地在带区域TG2中从内方向向外方向在从写轨道WT21到写轨道WT25为止的各轨道按从最后数据到最前数据的顺序进行写入，在各轨道取得写位置信息。读/写控制部61在取得了写轨道(最终轨道)WT25的写位置信息之后，将包含写轨道WT21～WT25的各写位置信息的带信息PD2写于写轨道WT25的开始扇区SS25。读/写控制部61例如在开始扇区SS25读带信息PD2，从外方向向内方向根据带信息PD2对读轨道RT25进行读取，从外方向向内方向按读轨道RT25、RT24、RT23、RT22及RT21的顺序进行读取。

图23是表示变形例5涉及的写处理方法的一例的流程图。

系统控制器130从主机100接收写命令(B801)，将头15移动到所指定的预定扇区(B802)。系统控制器130在半径方向上在与读处理时相反的方向上写数据(B2301)。例如，系统控制器130将从主机100发送的要写于预定带区域的数据按从最后数据到最前数据的顺序进行重新排列，在半径方向上向与读处理时相反的方向在该带区域的各轨道按从最后数据到最前数据的顺序相继地进行写入。系统控制器130进行数据的写入(B803)，在写处理时取得写位置信息(B804)，将头15移动到预定扇区(B805)，向预定扇区写带信息(B806)，结束处理。

图24是表示变形例5涉及的读处理方法的一例的流程图。

系统控制器130从主机100接收读命令(B901)。将头15移动到所指定的预定带区域的预定扇区(B902)，进行写于预定扇区的带信息的读取(B903)，执行读ATC控制(B904)。系统控制器130在半径方向上在与写处理时相反的方向上读数据(B2401)，结束处理。例如，系统控制器130在半径方向上向与写处理时相反的方向从该带区域的各轨道按从最前数据到最后数据的顺序相继地进行读取。

根据变形例5，磁盘装置1根据写处理时及读处理时而顺向不同。磁盘装置1将带信息写于开始区域。磁盘装置1能够不会覆盖与开始区域的顺向上相邻的区域所写入的数据而将带信息写于开始区域。磁盘装置1能够在预定带区域中取得了最终轨道的写位置信息之后，不对其他轨道进行头15的寻道地将与该带区域对应的带信息写于开始扇区。另外，磁盘装置1能够在写了预定带区域的带信息之后，不对其他轨道进行头15的寻道地读取与该带区域对应的带信息并根据该带信息执行该带区域的读处理。因此，磁盘装置1能够提高读性能。

以上对几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子提示的，并不意在限定发明的范围。这些新实施方式可以用其他各种的方式来实施，能够在不脱离发明的宗旨的范围内进行各种的省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围和宗旨内，并且，包含在权利要求书记载的发明及其等同的范围内。