阅读说明：本技术 反射型光掩模坯以及反射型光掩模 (Reflective photomask blank and reflective photomask ) 是由 福上典仁 古沟透 于 2018-06-29 设计创作，主要内容包括：第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、在基板(1)上形成的反射层(2)、和在反射层(2)上形成的光吸收层(4)。光吸收层(4)包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。由此,抑制或减轻以远紫外为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应,提高对半导体基板的转印性能,同时提高光吸收层的耐清洗性。(A reflective photomask blank (10) according to a first embodiment is provided with: the light-absorbing layer comprises a substrate (1), a reflecting layer (2) formed on the substrate (1), and a light-absorbing layer (4) formed on the reflecting layer (2). The light absorbing layer (4) contains a tin oxide film having an atomic ratio (O/Sn) of oxygen (O) to tin (Sn) of more than 1.50 and not more than 2.0 and having a film thickness of 25nm to 45 nm. Thus, the projection effect of a reflective photomask for pattern transfer using far ultraviolet as a light source is suppressed or reduced, the transfer performance to a semiconductor substrate is improved, and the cleaning resistance of a light absorbing layer is improved.)

反射型光掩模坯以及反射型光掩模

技术领域

本发明涉及一种以远紫外线为光源的平版印刷中使用的反射型光掩模以及用于其制作的反射型光掩模坯。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，随着半导体器件的微细化，对于光刻技术的微细化要求也相应提高。在光刻中转印图案的最小分辨率尺寸与曝光光源的波长有很大关系，波长越短，最小分辨率尺寸就越小。因此，为了实现转印图案的进一步微细化，曝光光源正从以往的ArF准分子激光(波长193nm)置换成波长为13.5nm的EUV(Extreme Ultra Violet：远紫外线)。

EUV可被大部分的物质以高比例吸收。因此，在EUV平版印刷中，不能使用利用了光的透射的折射光学系统，也不能使用透过型的光掩模。因此，EUV曝光用的光掩模(EUV掩模)使用反射型的光掩模。

专利文献1中公开了一种EUV光掩模，其是这样得到的：在玻璃基板上形成由钼(Mo)层和硅(Si)层交替层叠而成的多层膜构成的光反射层，再在其上形成以钽(Ta)为主成分的光吸收层，并在该光吸收层上形成图案。

另外，构成曝光仪的光学系统的部件，也不能使用透镜或透过型的光束分离器，而使用反射镜等反射型部件。因此，不能得到将入射到EUV掩模的入射光与来自EUV掩模的反射光设置在同轴上这样的设计。所以，通常在EUV平版印刷中，相对于与EUV掩模面垂直的方向，使光轴倾斜6度而入射EUV，在与入射光相反的那一侧，使光轴倾斜了6度的反射光射向半导体基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2011-176162号公报

发明内容

[发明要解决的课题]

这样，在EUV平版印刷中，由于使光轴倾斜，因而入射到EUV掩模的入射光会产生EUV掩模的掩模图案(图案化的光吸收层)的影子。伴随这个影子的产生而发生的问题被称为投影效应。该投影效应是光轴倾斜的EUV平版印刷的原理性问题。

现在的EUV掩模坯中，使用以膜厚60～90nm的钽(Ta)为主成分的膜作为光吸收层。在使用该掩模坯制作的EUV掩模中，在进行图案转印的曝光时，依据入射方向与掩模图案方向之间的关系，在成为掩模图案的影子的边缘部分处有可能引起对比度降低。随之而来，产生半导体基板上的转印图案的线边缘粗糙度增加、线幅不能形成所需尺寸等问题，转印性能有可能劣化。

另外，对于EUV掩模坯以及EUV掩模，为了今后的量产化，也要求提高光吸收层的耐清洗性。

本发明的课题是抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用反射型光掩模的投影效应，提高对于半导体基板的转印性能，并且提高光吸收层的耐清洗性。

[解决课题的手段]

为了解决上述课题，本发明的第一方式为一种反射型光掩模坯，其用于制作以远紫外线作为光源的图案转印用反射型光掩模，具备：基板、在基板上形成的反射层、以及在反射层上形成的光吸收层。光吸收层包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。

本发明的第二方式为一种反射型光掩模，具备：基板，在基板上形成的反射层，以及在反射层上形成的且形成有图案的光吸收图案层，该光吸收图案层包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、并且膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。

[发明的效果]

根据本发明，可期待抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用反射型光掩模的投影效应，提高对于半导体基板的转印性能，并且提高光吸收层的耐清洗性。

附图说明

[图1]是表示本发明的实施方式的反射型光掩模坯的剖面图。

[图2]是表示本发明的实施方式的反射型光掩模的剖面图。

[图3]是表示在EUV波长下各金属材料的光学常数的曲线图。

[图4]是表示包含在氧化锡膜中的氧相对于锡之比(O/Sn)与熔点之间关系的曲线图。

[图5]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与EUV反射率之间的关系的曲线图。

[图6]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与OD值之间的关系的曲线图。

[图7]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与利用光掩模所转印的图案的HV偏差值之间的关系的曲线图。

[图8]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，OD值为1.0、2.0时的HV偏差值的计算结果的曲线图。

[图9]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与利用光掩模所转印的图案的NILS(X方向以及Y方向上的各值)之间的关系的曲线图。

[图10]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与利用光掩模所转印的图案的NILS(X方向和Y方向上的平均值)之间的关系的曲线图。

[图11]是表示实施例的反射型光掩模坯的剖面图。

[图12]是说明使用了实施例的反射型光掩模坯制作反射型光掩模的方法的一个工序的剖面图。

[图13]是说明关于使用了实施例的反射型光掩模坯制作反射型光掩模的方法中，图12的下一工序的剖面图。

[图14]是表示实施例中得到的反射型光掩模的剖面图。

具体实施方式

[实施方式]

以下，对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限于以下所示的实施方式。在以下所示的实施方式中，为了实施本发明而进行了技术上的优选限定，但是该限定不是本发明的必要条件。

如图1所示，本实施方式的反射型光掩模坯10具备：基板1，在基板1上形成的反射层2，在反射层2上形成的封盖层3，和在封盖层3上形成的光吸收层4。光吸收层4由氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜构成。基板1使用的是由低膨胀性的合成石英等构成的基板。

如图2所示，本实施方式的反射型光掩模20具备：基板1，在基板1上形成的反射层2，在反射层2上形成的封盖层3，和在封盖层3上形成的光吸收图案层41。光吸收图案层41由氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜构成。光吸收图案层41是对反射型光掩模坯10的光吸收层4形成图案而得到的。

[完成本发明所获得的考察]

(关于吸收膜的光吸收性)

当对反射型光掩模坯的光吸收层(以下简称为“吸收层”)进行干式蚀刻以形成预定的曝光转印图案时，该光吸收层吸收所照射的EUV。为了降低成为课题的投影效应，有必要使吸收层变薄，但是在仅仅将现在一般使用的材料Ta(钽)变薄的情况下，EUV的吸收性并不充分，吸收层区域中的反射率会变高。因此，为了同时实现吸收层的薄膜化和EUV的光吸收性，需要这样的材料，与现有的吸收层材料相比，该材料对EUV具有更高的光吸收性。

(关于高吸收材料的缺点)

图3示出了在EUV区域波长下各金属材料的光学常数，横轴表示折射率n，纵轴表示衰减系数k。作为衰减系数k较高的材料，有Ag、Ni、Sn、Te等。这些材料的衰减系数在0.07到0.08的范围内，为传统的吸收层材料Ta的衰减系数0.041的大约两倍。即，这些材料具有高的光吸收性。但是，这些高吸收材料的干式蚀刻性差(这些元素的卤化物的挥发性低)因而不能形成图案，或者由于熔点低而无法承受在制作光掩模时或EUV曝光时的热量，所以大部分都缺乏作为光掩模的光吸收层材料的实用性。

(关于氧化锡膜的O/Sn比与熔点以及耐药液性的关系)

为了避免这样的缺点，考虑将反射型光掩模坯以及反射型光掩模的光吸收层设置为氧化锡膜。Sn单体的熔点低至230℃附近，在热稳定性和耐清洗性存在问题，然而通过设置为氧化锡膜，可以大幅度提高熔点。另外，实际上，利用反应性溅射法制作出多个O/Sn比不同的氧化锡膜，并通过热分析装置测定其熔点，结果，如图4所示，可以看出O/Sn比越大，熔点越高。

接着，对于同样制作的多个样品，确认了是否因清洗导致光吸收层的膜减少。

清洗采用SPM(sulfuric-acid and hydrogen-peroxide mixture，硫酸和过氧化氢混合物)清洗、APM(ammonium hydrogen-peroxide mixture，铵过氧化氢混合物)清洗、强清洗三种方法来进行。

SPM清洗的条件设为：硫酸:过氧化氢水＝4:1(体积比)，温度100℃，浸渍时间90分钟。

APM清洗的条件设为：氨水:过氧化氢水:水＝1:1:5(体积比)，温度90℃，浸渍时间90分钟。

强清洗是指在施加了兆声波带范围中的超声波(1MHz，4W)的状态下，按照顺序进行上述条件下的SPM清洗和上述条件下的APM清洗。

然后，关于有无膜减少，利用分析用电子天平测量来检查清洗前后的样品的重量变化，当存在有相当于膜厚5nm的重量变化时，则判断为“有”膜减少。

如表1所示，O/Sn比不足1.50的氧化锡膜中，因SPM清洗而观察到了膜减少。另外，在O/Sn比为1.50以下的氧化锡膜中，因强清洗而观察到了膜减少。

[表1]

O/Sn比

1.00

1.30

1.50

1.51

1.55

1.60

1.65

1.80

2.00

SPM

有

有

无

无

无

无

无

无

无

APM

无

无

无

无

无

无

无

无

无

强清洗

有

有

有

无

无

无

无

无

无

从这些结果可以明白以下事情。如果是氧相对于锡的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下的氧化锡膜，则对光掩模制作时或EUV曝光时的热量具有充分的耐受性，并且对光掩模制作时的清洗液(酸或碱)以及兆声波带范围中的超音波清洗具有充分的耐受性。

另外，氧化锡膜是化学稳定的，另一方面，由于能够使用氯系气体进行干式蚀刻，因而可以形成图案。其理由是因为由Sn和Cl构成的化合物即SnCl₄的挥发性比由Sn以外的高吸收材料和Cl构成的化合物的挥发性高。

(关于氧化锡膜的O/Sn比与光吸收性之间的关系)

关于相对于EUV的光学常数(衰减系数、折射率)，O/Sn比为1.5～2.0的氧化锡与锡单体几乎没有变化。因此，通过将反射型光掩模坯及反射型光掩模的光吸收层设为O/Sn比为1.5～2.0的氧化锡膜，从而能够维持与光吸收层为Sn单体时相同的光吸收性。

实际上，在O/Sn比为1.5以上2.0以下的范围内，制作了多个氧含量变化的氧化锡膜样品，并测定在波长13.5nm(EUV区域)下的光学常数，结果均得到了折射率n＝0.930～0.935、衰减系数k＝0.0714～0.0721这样的值。它们是接近于图3所示的Sn单体值的值。也就是说，在O/Sn比为1.5以上2.0以下的氧化锡与Sn单体中，光学常数基本相同。

(Ta膜和氧化锡膜中，反射率、OD以及膜厚的比较)

以实际测定的氧化膜(O/Sn比为1.5以上2.0以下的测试样品)的光学常数的平均值(折射率n＝0.933，衰减系数k＝0.0718)为基础，计算出在使用由氧化锡构成的光吸收层的情况下的EUV反射率。另外，使用下述的(1)式对表示掩模的基本性能的OD值(OpticalDensity:吸收层部与反射层部的对比度)进行了计算。

OD＝-log(Ra/Rm)…(1)

在(1)式中，Rm表示来自反射层区域的反射光强度，Ra表示来自光吸收层区域的反射光强度。

当然，在EUV平版印刷中OD值越高越好。需要说明的是，该计算中，将光掩模的构成设为这样的构成：在吸收层下方存在厚2.5nm的由Ru形成的封盖层(保护层)，进一步在其下方存在40对由Si和Mo形成的反射层，并且在其下方存在平坦的合成石英制基板，在基板的背面存在由CrN组成的导电层，使用这些各层的光学常数(折射率、衰减系数)，并使光吸收层的膜厚发生变化从而进行计算。

由图5可知，与Ta膜相比，在氧化锡(SnOx)膜中，例如在相同膜厚的情况下可以将反射率降低到一半以下，在相同反射率的情况下则可以将膜厚降低到一半以下。由此，氧化锡膜作为光吸收膜是有效的。

由图6可知，例如为了得到OD≥1.0，Ta膜需要至少40nm以上的厚度，与此相对，氧化锡(SnOx)膜则约为17nm的厚度即可。因此，从OD的观点也可知，氧化锡膜作为能够降低膜厚的光吸收膜是有效的。

另外，例如为了得到OD＝2.0，Ta膜需要至少70nm以上的厚度，与此相对，氧化锡膜为26nm的厚度即可，可知即使对于OD＝2，氧化锡膜作为能够降低膜厚度的光吸收层也是有效的。

这样，通过使用氧化锡膜，能够在维持表示光掩模的基本性能OD值的同时，使光吸收层变薄。

(Ta膜和氧化锡膜中，HV偏差值的比较)

接着，为了评价投影效应的影响，在Ta膜和氧化锡膜的每一个中，通过利用了根据FDTD(时域有限差分)法的模拟器进行的模拟，比较了膜厚浮动时HV偏差值是如何变化的。需要说明的是，模拟条件是：光源的波长为13.5nm(EUV波长)，NA为0.33，入射角为6度，照明为quasar。

所谓HV偏差值，是指依赖于掩模图案方向的转印图案的线幅差，即，H(Horizontal)方向的线幅与V(Vertical)方向的线幅之间的差。H方向的线幅表示与入射光和反射光所形成的面平行方向上的线幅，V方向的线幅表示与入射光和反射光所形成的面垂直方向上的线幅。

受投影效应影响的是Horizontal的图案尺寸，其转印图案的边缘部分的对比度降低或线幅(Y方向)减少。受投影效应影响的图案在转印后的线幅变小，因此Vertical的转印图案尺寸与Horizontal的转印图案尺寸之间产生线幅差(所谓的HV偏差值)。

本模拟中使用的图案是以在半导体基板上成为16nm的LS(Line与Space为1:1)的尺寸来设计掩模图案而得的。因而，由于在EUV平版印刷中通常是四分之一的缩小投影曝光，所以EUV掩模上的图案尺寸成为64nm的LS图案。如图7所示，可知对于Ta膜和氧化锡膜而言，吸收层的膜厚越厚，该转印图案的HV偏差值越大。

这里，对OD＝2左右时的Ta膜(膜厚70nm)和氧化锡膜(膜厚26nm)的各自的HV偏差值进行比较，结果，Ta膜中为10.5nm，该值非常大，而在氧化锡膜中为3.3nm，该值大幅度降低，得到了改善(图8)。进一步，在OD＝1时的Ta膜(40nm)和氧化锡膜(17nm)中，关于HV偏差值，在Ta膜中为3.2nm，在氧化锡膜中为2.1nm。

这样可知，通过在反射型光掩模坯以及光掩模的光吸收层材料中使用氧化锡，可以大幅降低投影效应的影响(HV偏差值)。

(Ta膜和氧化锡膜中，NILS的比较)

投影效应的影响也表现在被称为NILS(Normalized Image Log Slope，归一化图像对数斜率)的图案对比度中。NILS是指从转印图案的光强度分布中表示明部和暗部的斜率的特性值，该值大时，图案转印性(分辨率、线边缘粗糙度等)优良。利用形成光吸收层的Ta和氧化锡的光学常数，依据计算(与上述相同的模拟)来评价NILS。结果如图9所示。

如图9所示，在Ta膜的情况下，在OD为2附近时的膜厚70nm下，X(Vertical的线幅方向上的NILS)为1.5，Y(Horizontal的线幅方向上的NILS)为0.2。即，受投影效应影响的Horizontal的线幅方向(Y方向)的NILS大幅度劣化。

这样的X方向和Y方向上的图案对比度(NILS)的较大差异如上上述引起了Ta膜的较大的HV偏差值。

另一方面，在氧化锡膜的情况下，在OD为2附近时的膜厚26nm下，X＝1.4，Y＝0.9，Y方向的NILS大幅度改善，因而HV偏差值也变小。

当然，Y方向的NILS(图案对比度)的降低不仅影响HV偏差值，还与转印图案的线边缘粗糙度增大相关，在最坏的情况下，无法析像也将是一个大问题。

图10的曲线图表示对于氧化锡膜和Ta膜，依据计算(与上述相同的模拟)算出的NILS(X方向和Y方向的平均值)的膜厚依赖性。由此图可知，在氧化锡膜和Ta膜的任意一者的情况下，如果膜厚变薄，则NILS都变小。上述的理由可以推测为，如果吸收膜较薄，则吸收膜区域中的反射率变高，从而掩模的OD变小，NILS降低。因此，为了得到转印图案所需的NILS值，需要一定程度的膜厚。

另外，从图10也可知，当膜厚过厚时，NILS的值降低。在吸收膜较厚的情况下，吸收膜区域的反射率变低，掩模的OD变大，但是据认为，当OD为2以上(即，吸收膜区域中的反射率是反射层区域的反射率的1％以下)时，因为吸收膜区域的反射率本来就小，因而即使膜厚再变厚，也不会有NILS变大的效果。而与此相比，据认为，如果吸收膜过厚，则在掩模图案的边缘部分，由于倾斜入射的EUV对图案的影子表现出强的影响，因而NILS降低。

由此可知，为了增大表示图案对比度的NILS，存在最佳的膜厚范围。

从图10可知，通过使用膜厚45nm以下的氧化锡膜作为反射型光掩模坯以及反射型光掩模的光吸收层，与使用Ta膜的情况相比，能够提高NILS(X方向和Y方向的平均值)。在Ta膜的情况下，最佳的膜厚大约在45nm以上，但是，在45nm以上的大部分膜厚中NILS都不超过1。

[关于本发明的第一方式以及第二方式]

本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模具备光吸收层，该光吸收层包含氧(O)相对于锡(Sn)的原子数比(O/Sn)超过1.50且为2.0以下、膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜。作为原子数比(O/Sn)的范围为“超过1.50且为2.0以下”的例子，可以列举“1.51以上2.0以下”。

本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模所具备的光吸收层包含膜厚为25nm以上45nm以下的氧化锡膜，因此与具备由Ta膜构成的光吸收层的反射型光掩模坯以及反射型光掩模相比，可以减小投影效应的影响。结果，得到高的NILS(图案对比度)，有望提高转印图案的分辨率和降低线边缘粗糙度。

另外，由于氧化锡膜的膜厚为25nm以上45nm以下，与具备包含膜厚不满足25nm以上45nm以下的氧化锡膜的光吸收层的反射型光掩模坯以及反射型光掩模相比，可以减小投影效应的影响。并且，与光吸收层中包含的氧化锡膜的原子数比(O/Sn)为1.50以下的反射型光掩模坯以及反射型光掩模相比，具有高的耐清洗性。

在本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模中，用于形成包含在光吸收层中的氧化锡膜的材料优选含有合计80原子％以上的锡(Sn)和氧(O)。

这是因为，如果氧化锡膜中含有锡(Sn)和氧(O)以外的成分，则由氧化锡膜所产生的EUV吸收性会降低，但是，如果该成分不足20原子％，则EUV吸收性的降低非常微小，EUV掩模的作为光吸收层的性能几乎没有降低。

作为锡和氧以外的材料，有时根据其目的混合Si、In、Te、Ta、Pt、Cr、Ru等金属，或氮和碳等轻元素。

例如，通过将In加入氧化锡膜中，有可能在确保透明性的同时赋予膜以导电性，因此，在使用波长为190～260nm的DUV光的掩模图案检查中，有可能提高检查性。或者，当将氮或碳混合到氧化锡膜中时，有可能提高氧化锡膜在干式蚀刻时的蚀刻速度。

如上所述，根据本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模，通过具备包含膜厚25nm以上45nm以下的氧化锡膜的光吸收层，能够降低投影效应的影响，与具备由Ta膜构成的光吸收层的现有产品相比，能够得到高的NILS。因此，可以实现转印图案分辨率的提高和线边缘粗糙度的降低。另外，由于在X方向和Y方向上的NILS接近，也能够降低HV偏差值，得到忠实于掩模图案的转印图案。

[实施例]

以下对本发明的实施例进行说明。

(反射型光掩模坯的制作)

作为图11所示的层构造的反射型光掩模坯100，按照以下步骤制作多个样品。

首先，在合成石英制的基板11上，形成由40对(合计膜厚280nm)Si和Mo构成的多层构造的反射层12，在反射层12上以2.5nm的膜厚形成由Ru膜构成的封盖层13。接着，在封盖层13上形成光吸收层14。接着，在基板11的背面以100nm的膜厚形成由CrN构成的导电层15。

各样品中，通过如表2所示那样改变材料(Ta或氧化锡)和厚度而形成光吸收层14。以O/Sn比为2.00或1.51的方式形成氧化锡膜。

各层的形成是利用溅射装置来进行的。利用反应性溅射法，通过控制溅射过程中导入至腔内的氧气量，从而以O/Sn比成为2.00或1.51的方式形成氧化锡膜。各层的膜厚利用透射电子显微镜测定，氧化锡膜的O/Sn比利用XPS(X射线光电子能谱测定法)测定。

(反射型光掩模的制作)

使用所得到的反射型光掩模坯100各样品，按照以下步骤制作反射型光掩模。

首先，在反射型光掩模坯100的光吸收层14上，以170nm的膜厚涂布正型化学增幅抗蚀剂(SEBP9012:信越化学社制)。接着，使用电子束绘图机(JBX3030:日本电子社制)在该抗蚀剂膜上绘制了预定图案。接着，在110℃下进行了10分钟的预烘干处理后，使用溅射显影仪(SFG3000:シグマメルテック社制)进行显影处理。由此，如图12所示，在光吸收层14上形成了抗蚀剂图案16。

接着，通过将抗蚀剂图案16作为蚀刻掩模的干式蚀刻，对光吸收层14进行了图案形成。在光吸收层14为Ta膜的样品中，使用以氟系气体为主体的蚀刻气体，在光吸收层14为氧化锡膜的样品中，使用以氯系气体为主体的蚀刻气体。由此，如图13所示，光吸收层14被设为光吸收图案层141。

接着，将抗蚀剂图案16剥离。由此，如图14所示，得到了这样的反射型光掩模200各样品：其中，在合成石英制的基板11的表面上依次具备：由40对(合计膜厚280nm)Si和Mo构成的多层构造的反射层12、由2.5nm的Ru膜构成的封盖层13、以及光吸收图案层141，且在合成石英制的基板11的背面形成有导电层15。

(晶圆曝光)

使用所得到的反射型光掩模200各样品，在形成于晶圆上的EUV用正型化学增幅抗蚀剂膜上，利用EUV曝光装置(ASML社制的NXE3300B)进行曝光，从而转印了光吸收图案层141的图案。

(转印图案的分辨率和线边缘粗糙度)

使用电子束尺寸测定仪观察上述形成的晶圆上的抗蚀剂图案，对线边缘粗糙度实施了测定。结果如表2所示。

[表2]

如表2所示，在使用具有O/Sn比为2.00或1.51、膜厚为25nm以上45nm以下的SnO膜作为光吸收层的反射型光掩模的情况下，分辨率没有问题，并且线边缘粗糙度为3.6nm以下。该值比使用具有Ta膜作为光吸收层的反射型光掩模的情况下的值要低。

也就是说，可知，通过使用具有O/Sn比为2.00或1.51、膜厚为25nm以上45nm以下的SnO膜作为光吸收层的反射型光掩模，可以得到良好的结果。另外可知，在使用具有O/Sn比为2.00或1.51、膜厚为32nm以上45nm以下的SnO膜作为光吸收层的反射型光掩模的情况下，线边缘粗糙度为3.4nm以下，可以得到更加良好的结果。

由以上结果可以确认，通过使用本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模，转印图案的光刻特性(分辨率、线边缘粗糙度)比以往得到了提高。

[符号的说明]

1 基板

2 反射层

3 封盖层

4 光吸收层

41 光吸收图案层

11 基板

12 反射层

13 封盖层

14 光吸收层

141 光吸收图案层

15 导电层

16 抗蚀剂图案

10 反射型光掩模坯

20 反射型光掩模

100 反射型光掩模坯

200 反射型光掩模