阅读说明：本技术 反射型光掩模坯以及反射型光掩模 (Reflective photomask blank and reflective photomask ) 是由 古沟透 福上典仁 于 2018-06-29 设计创作，主要内容包括：第一实施方式的反射型光掩模坯(10)具备：基板(1),在基板(1)上形成的反射层(2),以及在反射层(2)上形成的、包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层(4)。由此,抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用的反射型光掩模的投影效应,提高对半导体基板的转印性能,并且同时抑制因清洗而产生的图案倒塌。(A reflective photomask blank (10) according to a first embodiment is provided with: the liquid crystal display device includes a substrate (1), a reflective layer (2) formed on the substrate (1), and a light absorption layer (4) formed on the reflective layer (2) and including a tin oxide film having a thickness of 17nm or more and less than 25.0 nm. Thus, the projection effect of a reflective photomask for pattern transfer using far ultraviolet rays as a light source is suppressed or reduced, the transfer performance to a semiconductor substrate is improved, and pattern collapse due to cleaning is suppressed.)

反射型光掩模坯以及反射型光掩模

技术领域

本发明涉及一种以远紫外线为光源的平版印刷中使用的反射型光掩模以及用于其制作的反射型光掩模坯。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，随着半导体器件的微细化，对于光刻技术的微细化要求也相应提高。在光刻中转印图案的最小分辨率尺寸与曝光光源的波长有很大关系，波长越短，最小分辨率尺寸就越小。因此，为了实现转印图案的进一步微细化，曝光光源正从以往的ArF准分子激光(波长193nm)置换成波长为13.5nm的EUV(Extreme Ultra Violet：远紫外线)。

EUV可被大部分的物质以高比例吸收。因此，在EUV平版印刷中，不能使用利用了光的透射的折射光学系统，也不能使用透射型的光掩模。因此，EUV曝光用的光掩模(EUV掩模)使用反射型的光掩模。

专利文献1中公开了一种EUV光掩模，其是这样得到的：在玻璃基板上形成由钼(Mo)层和硅(Si)层交替层叠而成的多层膜构成的光反射层，再在其上形成以钽(Ta)为主成分的光吸收层，并在该光吸收层上形成图案。

另外，构成曝光仪的光学系统的部件，也不能使用透镜或透射型的光束分离器，而使用反射镜等反射型部件。因此，不能得到将入射到EUV掩模的入射光与来自EUV掩模的反射光设置在同轴上这样的设计。所以，通常在EUV平版印刷中，相对于与EUV掩模面垂直的方向，使光轴倾斜6度而入射EUV，在与入射光相反的那一侧，使光轴倾斜了6度的反射光射向半导体基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2011-176162号公报

发明内容

[发明要解决的课题]

这样，在EUV平版印刷中，由于使光轴倾斜，因而入射到EUV掩模的入射光会产生EUV掩模的掩模图案(图案化的光吸收层)的影子。伴随这个影子的产生而发生的问题被称为投影效应。该投影效应是光轴倾斜的EUV平版印刷的原理性问题。

现在的EUV掩模坯中，使用以膜厚60～90nm的钽(Ta)为主成分的膜作为光吸收层。在使用该掩模坯制作的EUV掩模中，在进行图案转印的曝光时，依据入射方向与掩模图案方向之间的关系，在成为掩模图案的影子的边缘部分处有可能引起对比度降低。随之而来，产生半导体基板上的转印图案的线边缘粗糙度增加、线幅不能形成所需尺寸等问题，转印性能有可能劣化。

另外，现有的EUV掩模中也存在因制作时的清洗而产生的图案倒塌(パターン倒れ)的问题。

本发明的课题是抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用反射型光掩模的投影效应，提高对于半导体基板的转印性能，并且同时抑制因清洗而产生的图案倒塌。

[解决课题的手段]

为了解决上述课题，本发明的第一方式为一种反射型光掩模坯，其用于制作以远紫外线作为光源的图案转印用反射型光掩模，具备：基板、在基板上形成的反射层、以及在反射层上形成的且包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层。

本发明的第二方式为一种反射型光掩模，具备：基板，在基板上形成的反射层，以及在反射层上形成的且包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的、形成有图案的光吸收图案层。

[发明的效果]

根据本发明，可期待抑制或减轻以远紫外线为光源的图案转印用反射型光掩模的投影效应，提高对于半导体基板的转印性能，并且同时抑制因清洗而产生的图案倒塌。

附图说明

[图1]是表示本发明的实施方式的反射型光掩模坯的剖面图。

[图2]是表示本发明的实施方式的反射型光掩模的剖面图。

[图3]是表示在EUV波长下各金属材料的光学常数的曲线图。

[图4]是表示包含在氧化锡膜中的氧相对于锡之比(O/Sn)与熔点之间的关系的曲线图。

[图5]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与EUV反射率之间的关系的曲线图。

[图6]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与OD值之间的关系的曲线图。

[图7]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与利用光掩模所转印的图案的HV偏差值之间的关系的曲线图。

[图8]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，OD值为1.0、2.0时的HV偏差值的计算结果的曲线图。

[图9]是表示在光吸收层是氧化锡(SnOx)膜以及钽(Ta)膜的情况下，计算结果所得到的光吸收层的膜厚与利用光掩模所转印的图案的NILS(X方向以及Y方向上的各值)之间的关系的曲线图。

[图10]是表示实施例的反射型光掩模坯的剖面图。

[图11]是说明使用了实施例的反射型光掩模坯制作反射型光掩模的方法的一个工序的剖面图。

[图12]是说明关于使用了实施例的反射型光掩模坯制作反射型光掩模的方法中，图11的下一工序的剖面图。

[图13]是表示实施例中得到的反射型光掩模的剖面图。

具体实施方式

[实施方式]

以下，对本发明的实施方式进行说明，但本发明不限于以下所示的实施方式。在以下所示的实施方式中，为了实施本发明而进行了技术上的优选限定，但是该限定不是本发明的必要条件。

如图1所示，本实施方式的反射型光掩模坯10具备：基板1，在基板1上形成的反射层2，在反射层2上形成的封盖层3，和在封盖层3上形成的光吸收层4。光吸收层4由膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜构成。基板1使用的是由低膨胀性的合成石英等构成的基板。

如图2所示，本实施方式的反射型光掩模20具备：基板1，在基板1上形成的反射层2，在反射层2上形成的封盖层3，和在封盖层3上形成的光吸收图案层41。光吸收图案层41由膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜构成。光吸收图案层41是对反射型光掩模坯10的光吸收层4形成图案而得到的。

[完成本发明所获得的考察]

(关于吸收膜的光吸收性)

当对反射型光掩模坯的光吸收层(以下简称为“吸收层”)进行干式蚀刻以形成预定的曝光转印图案时，该光吸收层吸收所照射的EUV。为了降低成为课题的投影效应，有必要使吸收层变薄，但是在仅仅将现在一般使用的材料Ta(钽)变薄的情况下，EUV的吸收性并不充分，吸收层区域中的反射率会变高。因此，为了同时实现吸收层的薄膜化和EUV的光吸收性，需要这样的材料，与现有的吸收层材料相比，该材料对EUV具有更高的光吸收性。

(关于高吸收材料的缺点)

图3示出了在EUV区域波长下各金属材料的光学常数，横轴表示折射率n，纵轴表示衰减系数k。作为衰减系数k较高的材料，有Ag、Ni、Sn、Te等。这些材料的衰减系数在0.07到0.08的范围内，为传统的吸收层材料Ta的衰减系数0.041的大约两倍。即，这些材料具有高的光吸收性。但是，这些高吸收材料的干式蚀刻性差(这些元素的卤化物的挥发性低)因而不能形成图案，或者由于熔点低而无法承受在制作光掩模时或EUV曝光时的热量，所以大部分都缺乏作为光掩模的光吸收层材料的实用性。

(关于氧化锡膜的熔点和耐药液性之间的关系)

为了避免这样的缺点，考虑将反射型光掩模坯以及反射型光掩模的光吸收层设置为氧化锡膜。Sn单体的熔点低至230℃附近，在热稳定性和耐清洗性存在问题，然而通过设置为氧化锡膜，如图4所示，可使其熔点达到1000℃以上。由此，如果是氧化锡膜，则对光掩模制作时或EUV曝光时的热量具有充分的耐受性，并且由于Sn和O之间的化学键因而在化学性方面也是稳定的，所以对光掩模制作时的清洗液(酸或碱)可以具有充分的耐受性。

另外，氧化锡膜是化学稳定的，另一方面，由于能够使用氯系气体进行干式蚀刻，因而可以形成图案。其理由是因为由Sn和Cl构成的化合物即SnCl₄的挥发性比由Sn以外的高吸收材料和Cl构成的化合物的挥发性高。

(关于氧化锡膜的O/Sn比与光吸收性之间的关系)

关于相对于EUV的光学常数(衰减系数、折射率)，O/Sn比为1.0以上2.0以下的氧化锡与锡单体几乎没有变化。因此，通过将反射型光掩模坯及反射型光掩模的光吸收层设为O/Sn比为1.0以上2.0以下的氧化锡膜，从而能够维持与光吸收层为Sn单体时相同的光吸收性。

实际上，在O/Sn比为1.0以上2.0以下的范围内，制作了多个氧含量变化的氧化锡膜样品，并测定在波长13.5nm(EUV区域)下的光学常数，结果均得到了折射率n＝0.930～0.940、衰减系数k＝0.0714～0.0728这样的值。它们是接近于图3所示的Sn单体值的值。也就是说，在O/Sn比为1.0以上2.0以下的氧化锡与Sn单体中，光学常数基本相同。

(Ta膜和氧化锡膜中，反射率、OD以及膜厚的比较)

以氧化锡膜的光学常数(折射率n＝0.936、衰减系数k＝0.0721)为基础，计算出在使用由氧化锡构成的光吸收层的情况下的EUV反射率。另外，使用下述的(1)式对表示掩模的基本性能的OD值(Optical Density:吸收层部与反射层部的对比度)进行了计算。

OD＝-log(Ra/Rm)…(1)

在(1)式中，Rm表示来自反射层区域的反射光强度，Ra表示来自光吸收层区域的反射光强度。

当然，在EUV平版印刷中OD值越高越好。需要说明的是，该计算中，将光掩模的构成设为这样的构成：在吸收层下方存在厚2.5nm的由Ru形成的封盖层(保护层)，进一步在其下方存在40对由Si和Mo形成的反射层，并且在其下方存在平坦的合成石英制基板，在基板的背面存在由CrN构成的导电层，使用这些各层的光学常数(折射率、衰减系数)，并使光吸收层的膜厚发生变化从而进行计算。

由图5可知，与Ta膜相比，在氧化锡(SnOx)膜中，例如在相同膜厚的情况下可以将反射率降低到一半以下，在相同反射率的情况下则可以将膜厚降低到一半以下。由此，氧化锡膜作为光吸收膜是有效的。

由图6可知，例如为了得到OD≥1.0，Ta膜需要至少40nm以上的厚度，与此相对，氧化锡(SnOx)膜则约为17nm的厚度即可。因此，从OD的观点也可知，氧化锡膜作为能够降低膜厚的光吸收膜是有效的。

另外，为了得到OD＝2.0，Ta膜需要至少70nm以上的厚度，与此相对，氧化锡膜为26nm的厚度即可，可知即使对于OD＝2，氧化锡膜作为能够降低膜厚度的光吸收层也是有效的。

这样，通过使用氧化锡膜，能够在维持表示光掩模的基本性能OD值的同时，使光吸收层变薄。

(Ta膜和氧化锡膜中，HV偏差值的比较)

接着，为了评价投影效应的影响，在Ta膜和氧化锡膜的每一个中，通过利用了根据FDTD(时域有限差分)法的模拟器进行的模拟，比较了膜厚浮动时HV偏差值是如何变化的。需要说明的是，模拟条件是：光源的波长为13.5nm(EUV波长)，NA为0.33，入射角为6度，照明为quasar。

所谓HV偏差值，是指依赖于掩模图案方向的转印图案的线幅差，即，H(Horizontal)方向的线幅与V(Vertical)方向的线幅之间的差。H方向的线幅表示与入射光和反射光所形成的面平行方向上的线幅，V方向的线幅表示与入射光和反射光所形成的面垂直方向上的线幅。

受投影效应影响的是Horizontal的图案尺寸，其转印图案的边缘部分的对比度降低或线幅(Y方向)减少。受投影效应影响的图案在转印后的线幅变小，因此Vertical的转印图案尺寸与Horizontal的转印图案尺寸之间产生线幅差(所谓的HV偏差值)。

本模拟中使用的图案是以在半导体基板上成为16nm的LS(Line与Space为1:1)的尺寸来设计掩模图案而得的。因而，由于在EUV平版印刷中通常是四分之一的缩小投影曝光，所以EUV掩模上的图案尺寸成为64nm的LS图案。如图7所示，可知对于Ta膜和氧化锡膜而言，吸收层的膜厚越厚，该转印图案的HV偏差值越大。

这里，对OD＝2左右时的Ta膜(膜厚70nm)和氧化锡膜(膜厚26nm)的各自的HV偏差值进行比较，结果，Ta膜中为10.5nm，该值非常大，而在氧化锡膜中为3.3nm，该值大幅度降低，得到了改善(图8)。进一步，在OD＝1时的Ta膜(40nm)和氧化锡膜(17nm)中，关于HV偏差值，在Ta膜中为3.2nm，在氧化锡膜中为2.1nm。

这样可知，通过在反射型光掩模坯以及光掩模的光吸收层材料中使用氧化锡，可以大幅降低投影效应的影响(HV偏差值)。

(Ta膜和氧化锡膜中，NILS的比较)

投影效应的影响也表现在被称为NILS(Normalized Image Log Slope，归一化图像对数斜率)的图案对比度中。NILS是指从转印图案的光强度分布中表示明部和暗部的斜率的特性值，该值大时，图案转印性(分辨率、线边缘粗糙度等)优良。利用形成光吸收层的Ta和氧化锡的光学常数，依据计算(与上述相同的模拟)来评价NILS。结果如图9所示。

如图9所示，在Ta膜的情况下，在OD为2附近时的膜厚70nm下，X(Vertical的线幅方向上的NILS)为1.5，Y(Horizontal的线幅方向上的NILS)为0.2。即，受投影效应影响的Horizontal的线幅方向(Y方向)的NILS大幅度劣化。这样的X方向和Y方向上的图案对比度(NILS)的较大差异如上述引起了Ta膜的较大的HV偏差值。

另一方面，在氧化锡膜的情况下，在OD为2附近时的膜厚26nm下，X＝1.4，Y＝0.9，Y方向的NILS大幅度改善，因而HV偏差值也变小。

当然，Y方向的NILS(图案对比度)的降低不仅影响HV偏差值，还与转印图案的线边缘粗糙度增大相关，在最坏的情况下，无法析像也将是一个大问题。

然后，如图9所示，如果是膜厚为17nm以上36nm以下的氧化锡膜，与任意膜厚的Ta膜相比，Y方向上的NILS值都变高。

(图案倒塌和膜厚的关系)

研究了光吸收层的膜厚与因光掩模的清洗而产生的图案倒塌之间的关系，结果可知，在氧化锡膜的情况下，当膜厚为25.0nm以上时容易产生图案倒塌。

[关于本发明的第一方式以及第二方式]

本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模具备包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层。

本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模所具备的光吸收层包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜，因此与具备由Ta膜构成的光吸收层的反射型光掩模坯以及反射型光掩模相比，可以大幅度改善投影效应的影响(图案分辨率劣化或线边缘粗糙度增加)。

另外，与具备包含膜厚不满足17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层的反射型光掩模坯以及反射型光掩模相比，由于可以提高反射型光掩模的Y方向上的NILS，因此可以减小投影效应的影响，并且同时抑制因反射型光掩模的清洗而产生的图案倒塌。

本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模也可以具备包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层。

在本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模中，包含在光吸收层中的氧化锡膜中，氧相对于锡的原子数比(O/Sn)为1.0以上2.0以下的范围内即可。

在本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模中，用于形成包含在光吸收层中的氧化锡膜的材料优选含有合计80原子％以上的锡(Sn)和氧(O)。

这是因为，如果氧化锡膜中含有锡(Sn)和氧(O)以外的成分，则由氧化锡膜所产生的EUV吸收性会降低，但是，如果该成分不足20原子％，则EUV吸收性的降低非常微小，EUV掩模的作为光吸收层的性能几乎没有降低。

作为锡和氧以外的材料，有时根据其目的混合Si、In、Te、Ta、Pt、Cr、Ru等金属，或氮和碳等轻元素。

例如，通过将In加入氧化锡膜中，有可能在确保透明性的同时赋予膜以导电性，因此，在使用波长为190～260nm的DUV光的掩模图案检查中，有可能提高检查性。或者，当将氮或碳混合到氧化锡膜中时，有可能提高氧化锡膜在干式蚀刻时的蚀刻速度。

本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模中，将来自反射层的反射光强度设为Rm，并将来自光吸收层的反射光强度设为Ra，则下述的(1)式中规定的OD值(Optical Density:光学浓度)优选为1以上。

OD＝-log(Ra/Rm)…(1)

使用OD值小于1的氧化锡膜(膜厚小于17nm)进行曝光模拟，结果可以发现，光吸收层部与反射层部之间的对比度不足，不能形成转印图案。Ta膜的情况下也是同样地，在OD值小于1时不能形成转印图案。

如上所述，根据本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模，通过具备包含膜厚为17nm以上且小于25.0nm的氧化锡膜的光吸收层，能够降低投影效应的影响。另外，与具备由Ta膜构成的光吸收层的现有产品相比，能够在转印图案的Y方向上得到高的NILS。因此，可以实现转印图案分辨率的提高和线边缘粗糙度的降低。另外，由于在X方向和Y方向上的NILS接近，也能够降低HV偏差值，得到忠实于掩模图案的转印图案。

[实施例]

以下对本发明的实施例进行说明。

(反射型光掩模坯的制作)

作为图10所示的层构造的反射型光掩模坯100，按照以下步骤制作多个样品。

首先，在合成石英制的基板11上，形成由40对(合计膜厚280nm)Si和Mo构成的多层构造的反射层12，在反射层12上以2.5nm的膜厚形成由Ru膜构成的封盖层13。接着，在封盖层13上形成光吸收层14。接着，在基板11的背面以100nm的膜厚形成由CrN构成的导电层15。

各样品中，通过如表1所示那样改变材料(Ta或氧化锡)和膜厚度而形成光吸收层14。将O/Sn比为1的SnO膜(表1中表示为“SnO1”)和O/Sn比为2的SnO₂膜(表1中表示为“SnO2”)分别以各膜厚为26nm、25.0nm、24.5nm、17nm和16nm的方式形成氧化锡膜。Ta膜则以膜厚70nm和40nm的方式形成。

各层的形成是利用溅射装置来进行的。利用反应性溅射法，通过控制溅射过程中导入至腔内的氧气量，从而以O/Sn比成为1.0或2.0的方式形成氧化锡膜。各层的膜厚利用透射电子显微镜测定，氧化锡膜的O/Sn比利用XPS(X射线光电子能谱测定法)测定。

(反射率测定和OD的计算)

利用EUV反射率测定装置，对Ta膜和氧化锡膜的在反射层区域中的反射率Rm和在光吸收层区域中的反射率Ra进行了测定。根据其结果计算了作为掩模特性的OD。

(反射型光掩模的制作)

使用所得到的反射型光掩模坯100各样品，按照以下步骤制作反射型光掩模。

首先，在反射型光掩模坯100的光吸收层14上，以170nm的膜厚涂布正型化学增幅抗蚀剂(SEBP9012:信越化学社制)。接着，使用电子束绘图机(JBX3030:日本电子社制)在该抗蚀剂膜上绘制了预定图案(40nm的1:1Line and Space图案)。接着，在110℃下进行了10分钟的预烘干处理后，使用溅射显影仪(SFG3000:シグマメルテック社制)进行显影处理。由此，如图11所示，在光吸收层14上形成了抗蚀剂图案16。

接着，通过将抗蚀剂图案16作为蚀刻掩模的干式蚀刻，对光吸收层14进行了图案形成。在光吸收层14为Ta膜的样品中，使用以氟系气体为主体的蚀刻气体，在光吸收层14为氧化锡膜的样品中，使用以氯系气体为主体的蚀刻气体。由此，如图12所示，光吸收层14被形成为光吸收图案层141。

接着，将抗蚀剂图案16剥离。由此，如图13所示，得到了这样的反射型光掩模200各样品：其中，在合成石英制的基板11的表面上依次具备：由40对(合计膜厚280nm)Si和Mo构成的多层构造的反射层12、由2.5nm的Ru膜构成的封盖层13、以及光吸收图案层141，且在合成石英制的基板11的背面形成有导电层15。

(晶圆曝光)

使用所得到的反射型光掩模200各样品，在形成于晶圆上的EUV用正型化学增幅抗蚀剂膜上，利用EUV曝光装置(ASML社制的NXE3300B)进行曝光，从而转印了光吸收图案层141的图案。

(转印图案的评价：HV偏差值和线边缘粗糙度)

使用电子束尺寸测定仪观察上述形成的晶圆上的抗蚀剂图案，并测定了图案的线幅。

为了确认光刻特性，测定了各抗蚀剂图案的X方向和Y方向上的尺寸，并取差分，确认了HV偏差值。Y方向上的尺寸受到投影效应的影响。另外，也对抗蚀剂图案的LER(LineEdge Roughness：图案的浮动)进行了确认。

(掩模图案的评价：耐清洗性)

利用由上述方法所制作的反射型光掩模200即用于曝光之前的各样品，进行加速清洗试验以研究掩模图案是否产生了倒塌。

加速清洗试验是在下述条件下通过重复100次APM(ammonium hydrogen-peroxidemixture，铵过氧化氢混合物)清洗而进行的。APM清洗的条件设为：氨水:过氧化氢水:水＝1:1:5(体积比)，温度80℃，浸渍时间10分钟。

利用扫描型电子显微镜(SEM)对加速清洗后的掩模图案进行观察，研究了线形图案是否产生了倒塌。

将这些结果汇总表示在表1中。

[表1]

如表1所示，在Ta膜中膜厚为70nm(OD＝1.8)时HV偏差值为11.1nm，而膜厚为26nm(OD＝2.0)时在SnO膜中HV偏差值为3.5nm、在SnO₂膜中则为3.4nm，可以确认得到了大幅度改善。

另外，在SnO膜中膜厚为17nm(OD＝1.1)时HV偏差值为2.1nm，在SnO₂膜中膜厚为17nm(OD＝1.0)时则为2.1nm，由此可见薄膜化可导致HV偏差值的降低。同样地，在Ta膜中膜厚为40nm(OD＝1.1)时HV偏差值为3.5nm，也可以看到薄膜化导致HV偏差值的降低，但是，相较于Ta膜，氧化锡膜的HV偏差值的降低结果更大。

另外，关于LER，在Ta膜中膜厚为70nm时，由于受到投影效应的影响而在Horizontal上未析像，因此无法测定，但是在膜厚为40nm时LER为4.2nm。与此相对，在SnO膜和SnO₂膜中，膜厚为16nm时部分未析像，但是在膜厚为17nm以上26nm以下时，LER为3.8nm以下，这是良好的。

另外，关于掩模图案的耐清洗性，在Ta膜的情况下、以及在SnO膜和SnO₂膜中膜厚为25.0nm和26nm的情况下，都因加速清洗试验而产生了图案倒塌，但是在SnO膜和SnO₂膜中在膜厚为24.5nm和17nm的情况下，没有因加速清洗试验而发生图案倒塌。

由以上结果可以确认，通过使用本发明第一方式的反射型光掩模坯以及第二方式的反射型光掩模，实际的掩模特性(OD值)、转印图案的光刻特性(HV偏差值、分辨率、线边缘粗糙度)比以往得到了提高，并且可以抑制因反射型光掩模的清洗而导致的图案倒塌。

[符号的说明]

1 基板

2 反射层

3 封盖层

4 光吸收层

41 光吸收图案层

11 基板

12 反射层

13 封盖层

14 光吸收层

141 光吸收图案层

15 导电层

16 抗蚀剂图案

10 反射型光掩模坯

20 反射型光掩模

100 反射型光掩模坯

200 反射型光掩模