阅读说明：本技术 一种压力变送器加工方法 (Pressure transmitter processing method ) 是由 朱道政 朱继海 于 2019-09-21 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种压力变送器加工方法,一体成型壳体,在壳体内部焊接有芯片,在芯片底部安装扩散硅芯体,在壳体底部设置有管接头,所述管接头为无腔平膜,其内部设置有底座,并将底座通过密封圈与壳体密封连接,管接头底部设置有抗冲击阻尼,壳体顶部安装有防腐橡胶,防腐橡胶的顶部安装有PVE工程塑料制成的赫斯曼接头,所述赫斯曼接头一侧连接有聚氯乙烯屏蔽线。本发明制成的压力变送器结构新颖、设计巧妙、方便使用的特点,提高了变送器的稳定性和密封性,设置赫斯曼接头提高了变送器的抗震动能力,芯片采用激光焊接工艺焊接在壳体的内部,有利于提高变送器的抗干扰能力。(The invention discloses a pressure transmitter processing method, which comprises the steps of integrally forming a shell, welding a chip in the shell, installing a diffusion silicon core body at the bottom of the chip, arranging a pipe joint at the bottom of the shell, wherein the pipe joint is a cavity-free flat membrane, arranging a base in the shell, connecting the base with the shell in a sealing manner through a sealing ring, arranging impact resistance damping at the bottom of the pipe joint, arranging anticorrosive rubber at the top of the shell, arranging a Husman joint made of PVE engineering plastics at the top of the anticorrosive rubber, and connecting a polyvinyl chloride shielding wire at one side of the Husman joint. The pressure transmitter manufactured by the invention has the characteristics of novel structure, ingenious design and convenience in use, the stability and the sealing performance of the transmitter are improved, the anti-vibration capability of the transmitter is improved by arranging the Husman connector, and the anti-interference capability of the transmitter is improved by welding the chip in the shell by adopting a laser welding process.)

一种压力变送器加工方法

技术领域

本发明涉及压力变送器领域,特别涉及一种压力变送器加工方法。

背景技术

压力变送器是一种接受压力变量按比例转换为标准输出信号的仪表，将测压元件传感器感受到的气体、液体等物理压力参数转变成标准的电信号，以供给指示报警仪、记录仪、调节器等二次仪表进行测量、指示和过程调节。目前，压力变送器在实际使用中检测待检测物体上压力的轻微变化，将压力信号转换成电信号，输出到采集设备，所以，压力信号的好坏直接影响到采集信息的准确性和完整性；但是，外界干扰信号对压力信号检测质量有很大影响，严重的直接导致信号失真，无法对信号正常解码。压力变送器是许多工业设备中用以控制工业过程和压力变化的重要原件。压力变送器用于测量液体、气体或蒸汽的液位、密度和压力，然后将压力信号转变成电信号输出，常常在高温低温腐蚀振动冲击等环境中工作，在石油、化工、电力、钢铁、轻工等行业的压力 测量及现场控制中应用非常广泛。现有的压力变送器与外部连接不稳固，容易在剧烈震动情况下发生脱落，笨重，容易堵塞。

发明内容

针对相关技术中的问题，本发明提出一种压力变送器加工方法，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。

为此，本发明采用的具体技术方案如下：

一体成型壳体，在壳体内部焊接有芯片，在芯片底部安装扩散硅芯体，在壳体底部设置有管接头，所述管接头为无腔平膜，其内部设置有底座，并将底座通过密封圈与壳体密封连接，管接头底部设置有抗冲击阻尼，壳体顶部安装有防腐橡胶，防腐橡胶的顶部安装有PVE工程塑料制成的赫斯曼接头，所述赫斯曼接头一侧连接有聚氯乙烯屏蔽线。

进一步的，所述芯片采用激光焊接工艺焊接在壳体的内部。

进一步的，所述壳体为不锈钢材质制成。

本发明的有益效果为：本发明方法结设计巧妙、产品方便使用的特点，芯片采用激光焊接工艺焊接在壳体的内部，有利于提高变送器的抗干扰能力；通过设置进口扩散硅芯体，提高了变送器的稳定性；20PMa检测量程以上，增加抗冲击阻尼设计，变送器开始检测瞬间，压力冲击激增，阻尼设计可将瞬时压力一分为二，减少瞬时压力对芯体的冲击，保护芯体不受冲击，大大增加了变送器的使用寿命，及测量精度；通过设置密封圈，有利于提高变送器的密封性；通过设置赫斯曼接头提高了变送器的抗震动能力，同时使变送器抗干扰、耐高温、防爆。

具体实施方式

为进一步说明各实施例，这些实施例为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理，配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。

根据本发明的实施例，提供了一种压力变送器加工方法。

实施例一：

利用不锈钢材质一体成型成壳体，在壳体内部采用激光焊接工艺焊接有芯片，在芯片底部安装扩散硅芯体，在壳体底部设置有管接头，所述管接头为无腔平膜，其内部设置有底座，并将底座通过密封圈与壳体密封连接，管接头底部设置有抗冲击阻尼，壳体顶部安装有防腐橡胶，防腐橡胶的顶部安装有PVE工程塑料制成的赫斯曼接头，所述赫斯曼接头一侧连接有聚氯乙烯屏蔽线。

综上所述，本发明加工出的压力变送器，芯片高精度和高稳定性，芯片采用激光焊接工艺焊接在壳体的内部，有利于提高变送器的抗干扰能力；芯片的下方设有扩散硅芯体,提高了变送器的稳定性；壳体的底部设有管接头，管接头为无腔平膜，所述管接头内部设有底座，底座通过烧结而成，牢固耐用，有利于提高变送器的使用寿命，所述底座和所述壳体之间设有密封圈，有利于提高变送器的密封性，所述管接头的底部设有抗冲击阻尼，20PMa检测量程以上，增加抗冲击阻尼设计，变送器开始检测瞬间，压力冲击激增，阻尼设计可将瞬时压力一分为二，减少瞬时压力对芯体的冲击，保护芯体不受冲击，大大增加了变送器的使用寿命，及测量精度；所述壳体的顶部设有防腐橡胶，有利于防止变送器腐蚀的未硫化，同时防止磨损，所述防腐橡胶的顶部设有赫斯曼接头，提高了变送器的抗震动能力，同时使变送器抗干扰、耐高温、防爆；所述赫斯曼接头的一侧设有聚氯乙烯屏蔽线，聚氯乙烯屏蔽线具有阻燃、耐化学药品性高、机械强度及电绝缘性良好的优点；所述壳体为防腐蚀不锈钢材质，提高变送器的使用寿命；所述赫斯曼接头为PVE工程塑料，抗腐蚀能力强，不与酸、碱反应且成本低，耐用、防水、质轻，是良好的绝缘体。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。