阅读说明：本技术 用于处理基板的装置和方法 (Apparatus and method for processing substrate ) 是由 朴晃秀 刘俊浩 于 2019-07-18 设计创作，主要内容包括：一种用于处理基板的方法,包括：基板处理步骤：在加工容器的加工空间中通过将处理液体滴涂到被支撑在支撑板上的基板上来处理所述基板,以及容器清洁步骤：通过将清洁溶液滴涂到被支撑在旋转支撑板上的夹具上来清洁所述加工容器。在所述容器清洁步骤中,所述夹具被定位成使得所述夹具的中心偏离所述支撑板的中心。(A method for processing a substrate includes a substrate processing step of processing the substrate by dropping a processing liquid onto the substrate supported on a support plate in a processing space of a processing vessel, and a vessel cleaning step of cleaning the processing vessel by dropping a cleaning solution onto a jig supported on a rotating support plate.)

用于处理基板的装置和方法

技术领域

本文中所描述的本发明构思的实施方式涉及用于处理基板的装置和方法，更具体地涉及基板处理装置和用于清洁加工容器的方法。

背景技术

执行诸如光刻、蚀刻、灰化、薄膜沉积、清洁等各种工艺来制作半导体器件或平面显示面板。在这些工艺之中，光刻、蚀刻、灰化和清洁工艺包括通过将处理液体滴涂到基板上而利用处理液体处理基板的工艺。

光刻工艺包括涂覆步骤、曝光步骤和显影步骤。该涂覆步骤为用光敏液体(诸如光刻胶)涂覆基板的涂覆工艺，并且通过加工容器回收所使用的光敏液体的一部分。

参照图1，在相关领域中的基板涂覆装置包括液体滴涂构件2、壳体3、基板支撑构件4和加工容器5。基板支撑构件4支撑并旋转基板W，且加工容器5围绕基板支撑构件4。将光敏液体滴涂到基板W上，并且通过加工容器5的回收线路回收所使用的光敏液体。光敏液体(其为具有粘度的化学品)在回收工艺中粘附到加工容器5的内侧。由于这点，导致必须在对基板W执行涂覆工艺之后执行用于清洁加工容器5的内侧的清洁工艺。

通过朝向旋转基板W的中心滴涂清洁溶液以及使得滴涂的清洁溶液在被散射到基板W之外时与加工容器5碰撞来执行清洁工艺。然而，在该情况下，可能使清洁效率变差，这是由于基板W与加工容器5的内侧之间的相对较长的距离6。为了解决该问题，在相关领域中提出了一种增大用于清洁加工容器5的基板W的尺寸的方法。然而，用于清洁加工容器5的基板W的尺寸的增大对针对用于执行处理工艺的基板W的尺寸所最佳地设置的基板处理设备系统有影响。

发明内容

本发明构思的实施方式提供用于提高清洁加工容器的效率的装置和方法。

本发明构思的实施方式提供用于提高加工容器的清洁效率的装置和方法，而在基板处理设备系统中无变化。

由本发明构思解决的技术问题不限于前述问题，并且本发明构思所属的领域中的技术人员将从如下描述清楚地理解本文中未提及的其它技术问题。

根据示例性实施方式，一种用于处理基板的方法包括：基板处理步骤：在加工容器的加工空间中通过将处理液体滴涂到支撑在支撑板上的所述基板上来处理所述基板；以及容器清洁步骤：通过将清洁溶液滴涂到支撑在旋转支撑板上的夹具上来清洁所述加工容器。在所述容器清洁步骤中，所述夹具被定位成使得所述夹具的中心偏离所述支撑板的中心。

根据一实施方式，在所述容器清洁步骤中可以改变所述支撑板与所述加工容器之间的相对高度。

根据一实施方式，可以通过电机改变所述加工容器的高度。

根据一实施方式，所述夹具具有与所述基板相同的尺寸。

根据示例性实施方式，一种用于处理基板的装置包括：加工容器，所述加工容器具有在内部的加工空间；基板支撑单元，所述基板支撑单元在所述加工空间中支撑并旋转所述基板或夹具；液体滴涂单元，所述液体滴涂单元包括滴涂用于处理所述基板的处理液体的处理液体滴涂构件、和滴涂用于清洁所述加工容器的清洁溶液的清洁溶液滴涂构件；以及控制器，所述控制器控制所述基板支撑单元和所述液体滴涂单元。所述基板支撑单元包括支撑板，所述基板被放置在所述支撑板上。所述控制器配置成执行：基板处理步骤：通过将所述处理液体滴涂到放置在所述支撑板上的所述基板上来处理所述基板，以及容器清洁步骤：通过将所述清洁溶液滴涂到放置在所述支撑板上的所述旋转夹具上来清洁所述加工容器。在所述容器清洁步骤中，将所述夹具支撑在所述支撑板上使得所述夹具的中心偏离所述支撑板的中心。

根据一实施方式，所述夹具可以具有圆形形状。

根据一实施方式，所述夹具可以具有比所述支撑板更大的直径。

根据一实施方式，所述支撑板可以包括真空管路，所述真空管路将真空压力施加到所述支撑板以引起所述支撑板通过所述真空压力夹紧所述基板或所述夹具。

根据一实施方式，所述装置还可以包括转移机械手，所述转移机械手将所述基板或所述夹具装载到所述基板支撑单元上。所述控制器可以控制所述转移机械手。所述转移机械手可以转移所述基板，使得当所述转移机械手将所述基板装载到所述支撑板上时，所述基板的所述中心与所述支撑板的所述中心对齐。所述转移机械手可以转移所述夹具，使得当所述转移机械手将所述夹具装载到所述支撑板上时，所述夹具的所述中心偏离所述支撑板的所述中心。

根据一实施方式，所述装置还可以包括升降单元，所述升降单元调节所述基板支撑单元与所述加工容器之间的相对高度。所述控制器可以控制所述升降单元，以及在所述容器清洁步骤中可以改变所述基板支撑单元与所述加工容器之间的所述相对高度。

根据一实施方式，所述夹具具有与所述基板相同的尺寸。

附图说明

从参照附图的如下描述，上述目的和特征以及其它目的和特征将变得明显，其中，贯穿各个图，相同参考标记指代相同部分，除非另有指示，且其中：

图1为示出了在相关领域中的基板处理装置的截面图；

图2为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的俯视图；

图3为示出了在方向A-A上观看时的图2的设备的截面图；

图4为示出了在方向B-B上观看时的图2的设备的截面图；

图5为示出了在方向C-C上观看时的图2的设备的截面图；

图6为示出了图2的涂覆腔的截面图；

图7a和图7b分别为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理步骤和容器清洁步骤的截面图；

图8为示出了在容器清洁步骤中清洁加工容器的一个实施方式的截面图；以及

图9为示出了在容器清洁步骤中清洁加工容器的另一个实施方式的截面图。

具体实施方式

在下文中将参照附图更详细地描述本发明构思的实施方式。然而，本发明构思可以以不同形式来体现，且不应当被视为受限于本文中提出的实施方式。而是，提供这些实施方式，使得本发明构思将是透彻的且完整的，以及将向本领域的技术人员全面传达本发明构思的范围。在附图中，为了说明清楚，扩大了部件的规格。

根据本实施方式的设备可以用于在基板(诸如半导体晶片或平面显示面板)上执行光刻工艺。特别地，根据本实施方式的设备可以连接到步进器且可以用于对基板执行涂覆工艺和显影工艺。在如下描述中，示例性的将是将晶片用作基板。

在下文中将参照图2至图6描述本发明构思的基板处理设备。

图2为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理设备的俯视图。图3为示出了在方向A-A上观看时的图2的设备的视图。图4为示出了在方向B-B上观看时的图2的设备的视图。图5为示出了在方向C-C上观看时的图2的设备的视图。

参照图2至图5，基板处理设备1包括装载端口100、转位模块200、第一缓存模块300、涂覆和显影模块400、第二缓存模块500、预/后曝光处理模块600和接口模块700。将装载端口100、转位模块200、第一缓存模块300、涂覆和显影模块400、第二缓存模块500、预/后曝光处理模块600和接口模块700沿一个方向顺序地布置在一行中。

在下文中，第一方向12指的是布置装载端口100、转位模块200、第一缓存模块300、涂覆和显影模块400、第二缓存模块500、预/后曝光处理模块600和接口模块700的方向。第二方向14指的是当俯视时垂直于第一方向12的方向，并且第三方向指的是垂直于第一方向12和第二方向14的方向。

基板W在被容纳在暗盒20中的状态下被移动。暗盒20具有可从外部密封的结构。例如，可以使用正面开口标准箱(Front Open Unified Pod，FOUP)作为暗盒20，每个FOUP在其前面具有门。在下文中将详细地描述装载端口100、转位模块200、第一缓存模块300、涂覆和显影模块400、第二缓存模块500、预/后曝光处理模块600和接口模块700。

装载端口100具有安装台120，在该安装台120上放置暗盒20，该暗盒20具有容纳在其中的基板W。将多个安装台120沿着第二方向14放置在一行中。在图2中，提供四个安装台120。转位模块200在放置在装载端口100的安装台120上的暗盒20与第一缓存模块300之间转移基板W。转位模块200具有框架210、转位机械手220和导轨230。框架210具有基本矩形的平行六面体形状，其内部具有空闲空间，且置于装载端口100与第一缓存模块300之间。转位模块200的框架210可以位于比第一缓存模块300的框架310(这将在下文描述)更低的位置。转位机械手220和导轨230置于框架210中。转位机械手220具有使4轴驱动能够允许直接操作基板W的手部221沿着第一方向12、第二方向14和第三方向16移动和旋转的结构。转位机械手220具有手部221、臂部222、支撑杆223和底座224。手部221固定地附接到臂部222。以可缩回结构和可旋转结构提供臂部222。支撑杆223被布置使得其纵向方向平行于第三方向16。将臂部222与支撑杆223组合，从而沿着支撑杆223可移动。将支撑杆223与底座224固定地组合在一起。导轨230被布置使得其纵向方向平行于第二方向14。将底座224与导轨230组合，从而沿着导轨230可移动。此外，尽管未示出，但是附加地提供用于打开/关闭暗盒20的门的开门器。

第一缓存模块300具有框架310、第一缓存器320、第二缓存器330、冷却室350和第一缓存机械手360。框架310具有矩形的平行六面体形状，其内部具有空闲空间。框架310置于转位模块200与涂覆和显影模块400之间。第一缓存器320、第二缓存器330、冷却室350和第一缓存机械手360位于框架310中。沿着第三方向16从下到上顺序地布置冷却室350、第二缓存器330和第一缓存器320。第一缓存器320位于涂覆和显影模块400的涂覆模块401(这将在下文描述)所对应的高度，以及第二缓存器330和冷却室350位于涂覆和显影模块400的显影模块402(这将在下文描述)所对应的高度。在第二方向14上使第一缓存机械手360与第二缓存器330、冷却室350和第一缓存器320间隔开预定距离。

第一缓存器320和第二缓存器330均临时存储多个基板W。第二缓存器330具有壳体331和多个支撑部332。支撑部332置于壳体331中且沿着第三方向16彼此间隔开。将一个基板W放置在每个支撑部332上。壳体331具有开口(未示出)，该开口面向设置转位机械手220、第一缓存机械手360和显影机械手482的方向，使得转位机械手220、第一缓存机械手360、和显影模块402的显影机械手482(这将在下文描述)将基板W装载到支撑部332上或从支撑部332卸载基板W。第一缓存器320具有与第二缓存器330的结构基本相似的结构。然而，第一缓存器320的壳体321具有开口，该开口面向设置第一缓存机械手360和位于涂覆模块401中转移机械手432的方向。在第一缓存器320中提供的支撑部332的数量可以与在第二缓存器330中提供的支撑部332的数量相同或不同。根据一实施方式，在第二缓存器330中提供的支撑部332的数量可以大于在第一缓存器320中提供的支撑部332的数量。第一缓存机械手360在第一缓存器320与第二缓存器330之间转移基板W。

第一缓存机械手360具有手部361、臂部362和支撑杆363。手部361固定地附接到臂部362。臂部362具有可缩回结构以使手部361能够沿着第二方向14移动。将臂部362与支撑杆363组合，从而在第三方向16上沿着支撑杆363可线性移动。支撑杆363具有从第二缓存器330所对应的位置延伸到第一缓存器320所对应的位置的长度。支撑杆363还可以在更高或更低方向上延伸。第一缓存机械手360可以允许手部361沿着第二方向14和第三方向16执行仅2轴驱动。

冷却室350冷却各个基板W。冷却室350具有壳体351和冷却板352。冷却板352具有放置基板W的上表面和冷却基板W的冷却单元353。可以将各种方法(诸如通过冷却水进行冷却、使用热电元件进行冷却等)用于冷却单元353。此外，冷却室350可以包括将基板W定位在冷却板352上的升降销组件(未示出)。壳体351具有开口(未示出)，该开口面向设置转位机械手220和显影机械手482的方向，使得转位机械手220和在显影模块402中提供的显影机械手482将基板W装载到冷却板352上或从冷却板352卸载基板W。此外，冷却室350可以包括打开或关闭上述开口的门(未示出)。

涂覆和显影模块400在曝光过程之前执行用光刻胶涂覆基板W的工艺以及在曝光过程之后对基板W执行显影工艺。涂覆和显影模块400具有基本矩形的平行六面体形状。涂覆和显影模块400具有涂覆模块401和显影模块402。涂覆模块401和显影模块402置于不同层面上。根据一实施方式，涂覆模块401位于显影模块402之上。

涂覆模块401执行用光敏液体(诸如光刻胶)涂覆基板W的工艺以及在光刻胶涂覆工艺之前和之后执行热处理工艺，诸如加热或冷却基板W。涂覆模块401具有光刻胶涂覆室410、烘焙室420和转移室430。沿着第二方向14顺序地布置光刻胶涂覆室410、转移室430和烘焙室420。相应地，在第二方向14上使光刻胶涂覆室410和烘焙室420彼此间隔开，在此二者之间具有转移室430。光刻胶涂覆室410在第一方向12和第三方向16上布置。附图示出了提供6个光刻胶涂覆室410的示例。烘焙室420在第一方向12和第三方向16上布置。附图示出了提供6个烘焙室420的示例。然而，可以提供更大数量的烘焙室420。

转移室430与第一缓存模块300的第一缓存器320在第一方向12上并排定位。转移机械手432和导轨433位于转移室430中。转移室430具有基本矩形的形状。转移机械手432在烘焙室420、光刻胶涂覆室410、第一缓存模块300的第一缓存器320和第二缓存模块500的第一冷却室520(这将在下文描述)之间转移基板W。导轨433被布置成使得其纵向方向平行于第一方向12。导轨433引导转移机械手432在第一方向12上的线性移动。转移机械手432具有手部434、臂部435、支撑杆436和底座437。手部434固定地附接到臂部435。臂部435具有可缩回结构以使手部434能够沿着水平方向移动。支撑杆436被布置使得其纵向方向平行于第三方向16。将臂部435与支撑杆436组合，从而在第三方向16上沿着支撑杆436可线性移动。将支撑杆436与底座437固定地组合，以及将底座437与导轨433组合，从而沿着导轨433可移动。

光刻胶涂覆室410全部具有相同结构。然而，在各自的光刻胶涂覆室410中使用的光刻胶的类型可以彼此不同。例如，可以使用化学放大抗蚀剂作为光刻胶。提供光刻胶涂覆室410作为用光刻胶涂覆基板W的基板处理装置。

图6为示出了图2的涂覆腔的截面图。

参照图6，在涂覆室410中提供的基板处理装置800执行液体涂覆工艺。基板处理装置800包括壳体810、气流供应单元820、基板支撑单元830、液体滴涂单元840、加工容器850、升降单元870和控制器900。

壳体810具有矩形的平行六面体容器形状，其内部具有空间812。壳体810在其一侧具有开口(未示出)。该开口用作入口，通过该入口将基板W放置在壳体810中或从壳体810提取基板W。在该开口中提供门(未示出)。该门打开或关闭开口。当执行基板处理工艺时，该门关闭开口以从外部密封壳体810的内部空间812。壳体810具有在其底部形成的外排气口816，并且加工容器850具有在其底部形成的内排气口814。通过内排气口814和外排气口816将壳体810中形成的气流排放到外部。根据一实施方式，可以通过内排气口814释放加工容器850内部的气流，并且可以通过外排气口816排放加工容器850之外的气流。

气流供应单元820在壳体810的内部空间812中形成向下的气流。气流供应单元820包括气流供应线路822、风扇824和过滤器826。气流供应线路822连接到壳体810。气流供应线路822将外部空气供应到壳体810中。过滤器826过滤从气流供应线路822供应的空气。过滤器826去除空气中含有的杂质。风扇824被安装在壳体810的上壁中。风扇824位于壳体810的上壁的中心区域中。风扇824在壳体810的内部空间812中形成向下的气流。当将空气从气流供应线路822供应到风扇824时，风扇824向下供应空气。

基板支撑单元830在壳体810的内部空间812中支撑基板W。基板支撑单元830旋转基板W。基板支撑单元830包括支撑板832、旋转轴834和致动器836。支撑板832具有圆板形状。将基板W放置在支撑板832的上表面上。支撑板832具有比基板W更小的直径。根据一实施方式，可以在支撑板832中提供真空管路837以引起支撑板832通过真空压力固紧基板W。可以将产生真空压力的减压构件838安装在真空管路837上。因此，支撑板832可以通过真空压力固紧基板W。基板W可以被定位，使得当俯视时，基板W的中心轴与支撑板832的中心轴对齐。可替选地，支撑板832可以使用物理力固紧基板W。旋转轴834可以支撑支撑板832的底部。旋转轴834可以被布置使得其纵向方向平行于竖直方向。旋转轴834可围绕其中心轴旋转。致动器835可以施加驱动力以使旋转轴834旋转。例如，致动器836可以为电机。

液体滴涂单元840将处理液体和清洁溶液滴涂到基板W上。液体滴涂单元840可以包括处理液体滴涂构件842和清洁溶液滴涂构件844。处理液体可以为光敏液体，诸如光刻胶，且清洁溶液可以是稀释剂。处理液体滴涂构件842和清洁溶液滴涂构件844可以将处理液体和清洁溶液滴涂在中心位置上。在此，该中心位置可以为液体滴涂构件842和844面向基板W的中心区域的位置。

加工容器850位于壳体810的内部空间812中。加工容器850具有在内部的加工空间852。加工容器850具有在其顶部打开的杯形。加工容器850可以围绕基板支撑单元830。加工容器850包括下部854、侧部856和上部858。下部854具有带有开口的圆板形状。

回收线路855形成在下部854上。回收线路855可以将通过加工空间852回收的处理液体和清洁溶液传送到外部的液体再生系统(未示出)。侧部856具有圆柱形，其内部具有空闲空间。侧部856从下部854的侧端竖直地延伸。侧部856从下部854向上延伸。上部858从侧部856的上端延伸。上部858可以朝向基板支撑单元830向上倾斜。

升降单元870调节基板支撑单元830与加工容器850之间的相对高度。升降单元870提升或降低加工容器850。升降单元870包括支架872、可移动轴874和致动器876。致动器876可以为电机。支架872固定地附接到加工容器850的侧部856。可移动轴874支撑支架872。可移动轴874被布置使得其纵向方向平行于竖直方向。致动器876使可移动轴874在竖直方向上移动。因此，支架872和加工容器850在竖直方向上可移动。

控制器900可以控制基板支撑单元830、液体滴涂单元840、升降单元870和转移机械手432以执行将在下文描述的基板处理步骤和容器清洁步骤。

接着，将描述一种使用上述基板处理装置处理基板W的方法。该基板处理方法可以包括：基板处理步骤：在加工容器850的加工空间852中通过在使支撑在支撑板832上的基板W旋转时将处理液体滴涂到基板W上来处理基板W，以及容器清洁步骤：通过将清洁溶液滴涂到支撑在支撑板832上的夹具G上来清洁加工容器850。在如下描述中，示例性的将是基板W和夹具G具有相同尺寸。

图7a和图7b分别为示出了根据本发明构思的实施方式的基板处理步骤和容器清洁步骤的截面图。

参照图7a，在基板处理步骤中，可以通过转移机械手432将基板W装载到支撑板832上。当将基板W装载到支撑板832上时，转移机械手432可以转移基板W，使得基板W的中心与支撑板832的中心对齐。支撑板832可以将真空压力施加到基板W。因此，可以通过真空压力将基板W固持到支撑板832上。

通过基板支撑单元830使基板W旋转。在中心位置上，处理液体滴涂构件842将处理液体滴涂到基板W上。该处理液体可以为光敏液体，诸如光刻胶。通过基板W的旋转将滴涂到基板W的顶侧的中心区域上的处理液体施加到基板W的边缘区域。当完成执行用处理液体涂覆基板W的工艺时，可以执行清洁加工容器850的工艺。

参照图7b，在容器清洁步骤中，可以通过转移机械手432将用于清洁加工容器850的夹具G装载到支撑板832上。当将夹具G装载到支撑板832上时，转移机械手432可以转移夹具G，使得夹具G的中心被定位成偏心地偏离支撑板832的中心。例如，转移机械手432可以转移夹具G，使得夹具G的中心与支撑板832的中心之间的距离为设定距离P2。该设定距离P2可以短于基板W与加工容器850的上部858的内部远端之间的距离P1(在基板W处于支撑板832上的正确位置的情况下)。可替选地，设定距离P2可以与距离P1相同。此外，夹具G可以具有比支撑板832更大的直径。

图8为示出了在容器清洁步骤中清洁加工容器的一个实施方式的截面图。参照图8，在容器清洁步骤中，夹具G可以被定位成，使得夹具G的中心偏离支撑板832的中心。可以通过支撑板832使夹具G旋转。当清洁溶液滴涂构件844将清洁溶液滴涂到旋转夹具G的顶侧的中心区域上时，可以将清洁溶液散射在夹具G的边缘区域之上。可以沿着由夹具G提供的路径、在水平方向上将滴涂到夹具G上的清洁溶液散射在夹具G之外。散射的清洁溶液可以与加工容器850的内侧碰撞。与加工容器850的内侧碰撞的清洁溶液可以去除粘附到加工容器850的内侧的处理液体。

根据本发明构思的实施方式，转移机械手432可以转移夹具G，使得夹具G的中心偏离支撑板832的中心。在该情况下，可以增大滴涂到旋转夹具G的顶侧上的清洁溶液的流速。例如，可以使滴涂到夹具G上的清洁溶液沿着由夹具G提供的路径散射。当将夹具G放置在支撑板832上使得夹具G的中心偏离支撑板832的中心时，可以延长由夹具G提供的路径。因此，可以增加将夹具G的离心力施加到清洁溶液所经历的时间，导致使清洁溶液加速所经历的时间增加。因此，可以增大朝向加工容器850的内侧散射的清洁溶液的流速。

清洁溶液施加到加工容器850的内侧的碰撞力可以随着散射的清洁溶液的流速增大而增大。因此，可以提高加工容器850的清洁效率。

根据本发明构思的实施方式，可以改变滴涂到夹具G的清洁溶液的散射距离。例如，可以减小散射距离。在此，可以将散射距离定义为夹具G的外侧与加工容器850的内侧之间的距离。

当散射距离长时，散射的清洁溶液可能立即滴落到加工容器850的下部854，而不与加工容器850碰撞。然而，根据本发明构思的实施方式，可以通过离心地定位夹具G而减小散射距离。因此，可以减少不与加工容器850的内侧碰撞的清洁溶液的量。因此，可以提高加工容器850的清洁效率。另外，可以降低未用于清洁加工容器850的清洁溶液的浪费。

图9为示出了在容器清洁步骤中清洁加工容器的另一个实施方式的截面图。参照图9，在容器清洁步骤中，升降单元870可以改变支撑板832与加工容器850之间的相对高度。升降单元870的致动器876可以为电机。相对高度变化可以通过由电机改变加工容器850的高度来实现。不像液压机那样，电机能够细微地调整加工容器850的高度。因此，可以缓慢地改变加工容器850的高度。因此，可以提高加工容器850的清洁效率。另外，在容器清洁步骤的执行期间，可以随着加工容器850与支撑板832之间的相对高度的变化而加宽清洁区域。例如，可以清洁粘附到加工容器850的侧部856和上部858的内侧的处理液体。

在上述实施方式中，示例性的是通过使用夹具G清洁加工容器850。然而，可以通过使用基板W清洁加工容器850。

在上述实施方式中，示例性的是通过使用具有与基板W相同的形状的夹具G清洁加工容器850。然而，夹具G可以具有各种形状。例如，夹具G可以具有平的中心区域和向上倾斜的边缘区域。可替选地，夹具G可以在边缘区域上具有朝着外部向上倾斜的多个突出部。在另一情况下，夹具G可以在边缘区域上具有朝着外部向上倾斜的多个突出部和朝着外部向下倾斜的多个凹陷部。在又一情况下，夹具G的边缘区域可以朝着外部向上倾斜且可以具有沿着周向的波纹形状。因此，可以使滴涂到夹具G上的清洁溶液在各个方向上散射，以有效地清洁加工容器850。

根据本发明构思的实施方式，可以有效地清洁加工容器。

根据本发明构思的实施方式，可以有效地清洁加工容器，而在基板处理设备系统中无变化。

本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属的领域中的技术人员可以从本说明书和附图清楚地理解本文中未提及的任何其它效果。

尽管参照示例性实施方式描述了本发明构思，但是本领域的技术人员将清楚，可以进行各种变化和修改，而不脱离本发明构思的精神和范围。因此，应当理解，上述实施方式不是限制性的，而是说明性的。