一种半导体晶体刻蚀设备
阅读说明：本技术 一种半导体晶体刻蚀设备 (Semiconductor crystal etching equipment ) 是由 黄敏谊 于 2021-09-16 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种半导体晶体刻蚀设备,包括机体以及所述机体中的覆膜腔,所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨,所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板,所述覆膜板上端固定设有覆膜装置,所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面,设备设有导管,通过导管能够在晶体表面滴加少量的刻蚀液从而对晶体进行刻蚀处理,避免了过多的刻蚀液对晶体造成的损坏,并且无需后续对刻蚀液进行回收处理,减少了工作步骤提高了效率,同时装置中设有挡板,挡板能够在刻蚀液对晶体进行刻蚀时防止其向刻痕的两侧移动,避免了刻蚀液腐蚀刻痕的两侧,从而对晶体进行保护,确保刻蚀后的晶体能够正常使用,并使得晶体上的刻痕更加美观。(The invention discloses a semiconductor crystal etching device, which comprises a machine body and a film coating cavity in the machine body, wherein first electric slide rails are symmetrically arranged on the left wall and the right wall of the film coating cavity, a film coating plate is arranged on the first electric slide rails in a sliding manner, a film coating device is fixedly arranged at the upper end of the film coating plate, the film coating device can be used for attaching a film with an etching pattern to the surface of a crystal, the device is provided with a conduit, a small amount of etching liquid can be dripped on the surface of the crystal through the conduit so as to etch the crystal, the damage to the crystal caused by excessive etching liquid is avoided, the subsequent recovery treatment of the etching liquid is not needed, the working steps are reduced, the efficiency is improved, meanwhile, a baffle plate is arranged in the device, the baffle plate can be prevented from moving to the two sides of nicks when the crystal is etched by the etching liquid, the etching liquid is prevented from corroding the two sides of the nicks, so that the crystal is protected, ensure the normal use of the etched crystal and make the nicks on the crystal more beautiful.)
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体为一种半导体晶体刻蚀设备。
背景技术
刻蚀可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，而湿法刻蚀中采用刻蚀液对晶体进行刻蚀处理，然而刻蚀液在使用过程中无法准确的把握用量，并需要对多余的刻蚀液进行回收处理，加大了工作强度，并且刻蚀液在使用中容易对刻痕两侧的晶体进行腐蚀，从而容易对晶体造成破坏。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种半导体晶体刻蚀设备，解决了刻蚀机刻蚀液用量不好控制以及向对刻痕两侧腐蚀严重的问题。
本发明是通过以下技术方案来实现的。
本发明的一种半导体晶体刻蚀设备，包括机体以及所述机体中的覆膜腔，所述覆膜腔左右壁上对称设有第一电动滑轨，所述第一电动滑轨上滑动设有覆膜板，所述覆膜板上端固定设有覆膜装置，所述覆膜装置能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面，所述机体中设有位于所述覆膜腔右侧的移动腔，所述移动腔底壁上滑动设有第二电动滑轨，所述第二电动滑轨上滑动设有移动板，所述机体中设有位于所述移动腔前侧的工作箱，所述第二电动滑轨前端延伸至所述工作箱中，所述工作箱顶壁上固定设有导管，所述导管中设有阀门，所述阀门能够将少量的刻蚀液滴下，所述工作箱右壁上设有第三电动滑轨，所述第三电动滑轨上滑动设有滑动块，所述滑动块中上下对称设有固定腔，所述固定腔后壁上设有第四电动滑轨，所述第四电动滑轨上滑动设有卡块，所述滑动块中设有模具块，所述模具块右端延伸至外界并能够更换，所述模具块中上下对称设有卡槽，所述卡块能够卡住所述卡槽中从而固定设有模具块的位置，所述模具块中设有上下贯穿的输液口，所述输液口位于所述导管正下方，所述模具块下端固定设有挡板，所述挡板不会被刻蚀液腐蚀，所述挡板形状与要刻蚀的图案一致。
优选地，所述移动板上端左右对称设有输液口，所述输液口上前后对称滑动设有夹紧块，所述夹紧块能够固定晶体的位置并使得装置能够加工不同大小的晶体。
优选地，所述夹紧块前端固定设有海绵垫，所述海绵垫能够减小所述夹紧块夹住晶体后对晶体的伤害，从而避免了晶体损坏。
优选地，所述机体中设有位于所述覆膜腔左侧的运输腔，所述运输腔左右壁之间转动设有滚筒轴，所述滚筒轴电机控制转动，所述滚筒轴上固定设有滚筒，所述滚筒能够运输要刻蚀的晶体。
优选地，所述机体中左右对称设有电机，所述电机前端动力连接有电机轴，所述电机轴上固定设有固定杆，所述固定杆左端固定设有固定块，所述固定块下端固定设有吸附块，所述吸附块能够运输晶体。
优选地，所述导管上端设有与外界连通的注液口，通过所述注液口能够向所述导管中加入刻蚀液，所述注液口上设有封闭块，所述封闭块能够控制所述注液口的开关。
优选地，所述滑动块在所述第三电动滑轨移动幅度很小，从而保证了所述挡板与晶体始终相抵。
优选地，所述阀门采用不会被刻蚀液腐蚀的材质从而确保了装置的使用寿命。
本发明的有益效果：设备设有导管，通过导管能够在晶体表面滴加少量的刻蚀液从而对晶体进行刻蚀处理，避免了过多的刻蚀液对晶体造成的损坏，并且无需后续对刻蚀液进行回收处理，减少了工作步骤提高了效率；
同时装置中设有挡板，挡板能够在刻蚀液对晶体进行刻蚀时防止其向刻痕的两侧移动，避免了刻蚀液腐蚀刻痕的两侧，从而对晶体进行保护，确保刻蚀后的晶体能够正常使用，并使得晶体上的刻痕更加美观。
附图说明
为了更清楚地说明发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例的结构示意图；
图2是本发明实施例图1中A-A处示意图；
图3是本发明实施例图2中B-B处示意图；
图4是本发明实施例图1中C处放大示意图；
图5是本发明实施例图1中D处放大示意图；
图6是本发明实施例图1中E处放大示意图。
具体实施方式
下面结合图1-6对本发明进行详细说明，其中，为叙述方便，现对下文所说的方位规定如下：下文所说的上下左右前后方向与图1本身投影关系的上下左右前后方向一致。
结合附图1-6所述的一种半导体晶体刻蚀设备，包括机体10以及所述机体10中的覆膜腔15，所述覆膜腔15左右壁上对称设有第一电动滑轨16，所述第一电动滑轨16上滑动设有覆膜板17，所述覆膜板17上端固定设有覆膜装置18，所述覆膜装置18能够带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面，所述机体10中设有位于所述覆膜腔15右侧的移动腔26，所述移动腔26底壁上滑动设有第二电动滑轨20，所述第二电动滑轨20上滑动设有移动板21，所述机体10中设有位于所述移动腔26前侧的工作箱19，所述第二电动滑轨20前端延伸至所述工作箱19中，所述工作箱19顶壁上固定设有导管30，所述导管30中设有阀门31，所述阀门31能够将少量的刻蚀液滴下，所述工作箱19右壁上设有第三电动滑轨36，所述第三电动滑轨36上滑动设有滑动块35，所述滑动块35中上下对称设有固定腔37，所述固定腔37后壁上设有第四电动滑轨39，所述第四电动滑轨39上滑动设有卡块38，所述滑动块35中设有模具块32，所述模具块32右端延伸至外界并能够更换，所述模具块32中上下对称设有卡槽44，所述卡块38能够卡住所述卡槽44中从而固定设有模具块32的位置，所述模具块32中设有上下贯穿的输液口33，所述输液口33位于所述导管30正下方，所述模具块32下端固定设有挡板34，所述挡板34不会被刻蚀液腐蚀，所述挡板34形状与要刻蚀的图案一致。
当晶体落入覆膜腔15中，控制元件启动覆膜板17使得覆膜板17沿第一电动滑轨16向上移动，使得覆膜装置18将带有刻蚀图案的薄膜贴在晶体表面，而后晶体被运输至移动板21上，移动板21沿第二电动滑轨20向前滑动使得晶体进入工作箱19中并位于导管30正下方，而后选择对应的模具块32，模具块32插入工作箱19中后控制元件启动卡块38使其沿第四电动滑轨39滑动，从而卡入卡槽44中固定模具块32的位置，控制元件启动滑动块35使其沿第三电动滑轨36向下滑动，从而使得挡板34与晶体相接触，此时控制元件打开阀门31，将导管30中少量的刻蚀液滴在晶体上从而对晶体进行刻蚀处理，同时滑动块35继续沿第三电动滑轨36向下移动使得挡板34始终与晶体相接触，从而避免了刻蚀液腐蚀刻痕的两侧，阀门31可多次滴加刻蚀液避免了刻蚀液滴加过多而影响刻蚀效果。
有益地，所述移动板21上端左右对称设有输液口33，所述输液口33上前后对称滑动设有夹紧块28，所述夹紧块28能够固定晶体的位置并使得装置能够加工不同大小的晶体。
当晶体运输至移动板21上后，控制元件启动夹紧块28使其沿输液口33前后移动，从而夹住晶体并固定晶体的位置，同时使得装置能够加工不同大小的晶体。
有益地，所述夹紧块28前端固定设有海绵垫45，所述海绵垫45能够减小所述夹紧块28夹住晶体后对晶体的伤害，从而避免了晶体损坏。
有益地，所述机体10中设有位于所述覆膜腔15左侧的运输腔11，所述运输腔11左右壁之间转动设有滚筒轴13，所述滚筒轴13电机控制转动，所述滚筒轴13上固定设有滚筒12，所述滚筒12能够运输要刻蚀的晶体。
将要刻蚀的的半导体晶体放在滚筒12上，控制元件启动电机从而带动滚筒轴13、滚筒12转动，使得晶体向后移动。
有益地，所述机体10中左右对称设有电机22，所述电机22前端动力连接有电机轴23，所述电机轴23上固定设有固定杆25，所述固定杆25左端固定设有固定块24，所述固定块24下端固定设有吸附块27，所述吸附块27能够运输晶体。
当晶体移动至吸附块27下端后吸附块27吸附住晶体，而后控制元件启动左侧电机22，带动电机轴23、固定杆25转动，从而将晶体运输至覆膜腔15中，而后吸附块27松开晶体，使得装置对其进行覆膜处理，而后左侧的电机22反转使得吸附块27回到起始位置，覆膜完成后右侧的吸附块27吸住晶体，控制元件启动右侧的电机22，从而将晶体运输至移动板21上端。
有益地，所述导管30上端设有与外界连通的注液口41，通过所述注液口41能够向所述导管30中加入刻蚀液，所述注液口41上设有封闭块40，所述封闭块40能够控制所述注液口41的开关。
当导管30的刻蚀液不足时，工作人员取下封闭块40从而打开注液口41，通过注液口41向导管30中加入新的刻蚀液
有益地，所述滑动块35在所述第三电动滑轨36移动幅度很小，从而保证了所述挡板34与晶体始终相抵。
有益地，所述阀门31采用不会被刻蚀液腐蚀的材质从而确保了装置的使用寿命。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
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