阅读说明：本技术 基于系统缺陷的半导体晶片的引导式检验 (Guided inspection of semiconductor wafers based on systematic defects ) 是由 约坦·索弗 波阿斯·科恩 萨尔·沙比 伊莱·布克曼 于 2019-06-24 设计创作，主要内容包括：可以在半导体晶片处识别候选缺陷。可以关于在所述半导体晶片处的所述候选缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷做出确定。响应于确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷对应于系统缺陷,可以将在所述半导体晶片处的所述候选缺陷提供到缺陷审查工具以供所述缺陷审查工具审查。(Candidate defects may be identified at a semiconductor wafer. A determination may be made as to whether the candidate defect at the semiconductor wafer corresponds to a systematic defect or a random defect. In response to determining that the candidate defect at the semiconductor wafer corresponds to a system defect, the candidate defect at the semiconductor wafer may be provided to a defect review tool for review by the defect review tool.)

基于系统缺陷的半导体晶片的引导式检验

技术领域

本公开内容一般地涉及引导检验，并且更具体地涉及基于系统缺陷的半导体晶片的引导检验。

背景技术

半导体器件的制造可以利用与超大规模集成相关联的亚微米特征。这种制造工艺可能需要形成具有高精确度和均匀性的半导体器件特征，这可能必需仔细监测制造工艺。例如，可以执行半导体晶片的频繁和详细的检验，以检测半导体晶片的缺陷。详细检验可以对应于半导体晶片的检验图像的分析。

发明内容

以下是本公开内容的简要概述，以便提供对本公开内容的一些方面的基本理解。该概述不是本公开内容的广泛概述。它既不旨在标识本公开内容的关键或重要要素，也不旨在划定本公开内容的特定实现方式的任何范围或权利要求书的任何范围。它唯一目的是以简化形式呈现本公开内容的一些概念，作为之后呈现的更详细的描述的序言。

本公开内容的实现方式可以对应于一种系统，所述系统包括：存储器；和处理装置，所述处理装置用于：识别在半导体晶片处的候选缺陷并确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷。响应于确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷对应于系统缺陷，所述处理装置可以将在所述半导体晶片处的所述候选缺陷提供到缺陷审查工具以供所述缺陷审查工具审查。

在一些实现方式中，为了确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷，所述处理装置可以进一步用于：识别与所述候选缺陷相关联的图案并识别在所述半导体晶片处与相同图案相关联的其它候选缺陷。此外，所述处理装置基于所述候选缺陷的缺陷概率评分和与所述相同图案相关联的所述其它候选缺陷的其它缺陷概率评分而生成所述候选缺陷的组合缺陷概率评分。

在一些实现方式中，与所述候选缺陷相关联的所述图案可以对应于所述半导体晶片的处于或接近所述候选缺陷的结构，并且与所述相同图案相关联的所述其它候选缺陷可以对应于处于或接近所述半导体晶片的具有所述相同图案的另一个结构的候选缺陷。

在一些实现方式中，所述处理装置可以当所述候选缺陷的所述组合缺陷概率评分满足阈值时确定所述候选缺陷是系统缺陷，并且所述处理装置可以进一步当所述候选缺陷的所述组合缺陷概率评分不满足所述阈值时确定所述候选缺陷是随机缺陷。

在一些实现方式中，所述组合缺陷概率评分在与同所述候选缺陷一样的所述相同图案相关联的所述其它候选缺陷的数量较大时比在与同所述候选缺陷一样的所述相同图案相关联的所述其它候选缺陷的数量较小时更高。

在一些实现方式中，基于所述半导体晶片的光学图像而识别所述候选缺陷，并且基于所述半导体晶片的设计数据而确定所述候选缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷。

在一些实现方式中，所述处理装置可以进一步响应于确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷对应于随机缺陷而确定不会将在所述半导体晶片处的所述候选缺陷提供到所述缺陷审查工具以供所述缺陷审查工具审查。

在一些实现方式中，一种方法可以包括：识别在半导体晶片处的候选缺陷，通过处理装置确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷，以及响应于确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷对应于系统缺陷，将在所述半导体晶片处的所述候选缺陷提供到缺陷审查工具以供所述缺陷审查工具审查。

在一些实现方式中，一种非暂时性计算机可读介质可以包括指令，所述指令在由处理装置执行时进行如下步骤：致使所述处理装置识别在半导体晶片处的候选缺陷；确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷；以及响应于确定在所述半导体晶片处的所述候选缺陷对应于系统缺陷，将在所述半导体晶片处的所述候选缺陷提供到缺陷审查工具以供所述缺陷审查工具审查。

附图说明

从下面给出的详细描述和本公开内容的各种实现方式的附图将更全面地理解本公开内容。

图1示出了根据本公开内容的一些实施方式的引导检验系统的示例环境。

图2是根据一些实施方式的基于潜在缺陷是系统缺陷而选择潜在缺陷以供审查工具审查的示例方法的流程图。

图3A示出了根据一些实施方式的不包括系统缺陷的半导体晶片。

图3B示出了根据一些实施方式的包括系统缺陷的半导体晶片。

图4是根据本公开内容的一些实施方式的识别潜在缺陷是系统缺陷还是随机缺陷的示例方法的流程图。

图5是其中可操作本公开内容的实现方式的示例计算机系统的框图。

具体实施方式

本公开内容的各方面涉及基于系统缺陷的半导体晶片的引导检验。通常，半导体晶片检验系统可以用于执行半导体晶片的检验。例如，半导体晶片检验系统可以用于识别在半导体晶片处的缺陷。

半导体晶片检验系统可以包括光学工具和缺陷审查工具。例如，光学工具可以用于在制造工艺之后或期间识别在半导体晶片处的潜在或候选缺陷。随后，缺陷审查工具可以用于检查、分类或确定候选缺陷是否是实际缺陷或不是缺陷(例如，“误报警”)。在半导体晶片的设计或其它此类技术(例如，制造工艺、材料使用或设计特征)较新的情况下，半导体晶片的制造工艺可能不稳定并导致半导体晶片制造的良率较低。如果在半导体晶片中实现的设计存在缺陷，那么制造工艺也可能导致在半导体晶片处的多个缺陷。

本公开内容的各方面通过基于系统缺陷引导半导体晶片的检验来解决上述和其它缺陷。例如，半导体晶片的检验可以是基于通过以下方式识别作为系统缺陷的潜在缺陷：提供将由缺陷审查工具审查的系统缺陷。通过使用缺陷评分(例如，潜在缺陷基于潜在缺陷的光学图像而是实际缺陷的概率)和对应于潜在缺陷的位置的图案(例如，指定在半导体晶片上实现的电路设计的图案或结构的计算机辅助设计(CAD)数据)，可以将潜在缺陷识别为系统缺陷。例如，可以基于半导体晶片的光学图像而识别潜在缺陷，并且可以识别与潜在缺陷相关联的图案。图案可以是在半导体晶片中实现的处于或接近潜在缺陷的结构或结构的一部分。还可以识别具有相同或类似图案的其它潜在缺陷。此外，可以接收潜在缺陷和其它潜在缺陷中的每个的缺陷评分。缺陷评分可以指示对应潜在缺陷可能是实际缺陷的概率。例如，特定潜在缺陷的缺陷评分可以是基于来自特定潜在缺陷的光学图像的特性或属性。然后，可以基于缺陷评分的集合或缺陷评分的其它这种组合而将潜在缺陷识别为是系统缺陷或不是系统缺陷。例如，如果累积缺陷评分(aggregate defect score)满足阈值条件或阈值，那么潜在缺陷可能是系统缺陷(具有相同或类似图案的其它潜在缺陷也是如此)。否则，潜在缺陷可能不是系统缺陷，而可能是随机缺陷(例如，不是在半导体晶片上实现的设计缺陷的结果的缺陷)。

本公开内容的优点包括但不限于通过聚焦于要提供到审查工具的系统缺陷的选择来较早地检测在制造工艺中的系统缺陷。例如，可以更早地识别由半导体制造工艺实现的新的设计或工艺中的漏洞(flaws)导致的缺陷，从而可以改变设计或工艺以解决导致系统缺陷的漏洞。因此，通过解决系统缺陷的根本原因，可以更早地实现这种半导体晶片的半导体制造工艺中的提高的良率。

图1图示引导检验系统100的示例环境。一般，引导检验系统100可以包括检验工具110、系统缺陷采样部件120和缺陷审查工具130。

如图1所示，引导检验系统100包括检验工具110，该检验工具110可以用于提供来自对象(例如，来自半导体晶片的样本)的缺陷检查的信息，作为半导体制造工艺的一部分。检查可以是半导体制造工艺的一部分，并且可以在制造对象期间进行。引导检验系统100还可以使用在晶片制造期间或之后获得的图像自动地确定半导体缺陷相关信息。例如，检验工具110可以接收输入105，并且可以在半导体晶片处生成潜在或候选缺陷(例如，候选样本)的图。输入105可以包括但不限于半导体晶片的图像、设计数据(例如，指定包括对象的设计的结构或图案的计算机辅助设计(CAD)数据)、或指定已经由用户识别的半导体晶片的特定部分的感兴趣区域信息。在一些实施方式中，检验工具110可以被配置为捕获检验图像。例如，检验工具110可以利用高速度和/或低分辨率光学系统来获得半导体晶片的图像。所得到的图像可以提供潜在缺陷的信息。

来自检验工具110的检验数据115可以被提供到系统缺陷采样部件120。检验数据115可以识别在半导体晶片处的潜在缺陷的位置。在一些实施方式中，系统缺陷采样部件120可以是缺陷检测系统的一部分。缺陷检测系统可以被配置为处理接收到的检验数据115以选择用于审查的候选样本(例如，潜在缺陷)。例如，系统缺陷采样部件120可以从检验数据115选择一个或多个潜在缺陷或样本到缺陷审查工具130，以确定潜在缺陷是实际缺陷或不是实际缺陷(例如，误报警)，并且可以对任何实际缺陷进行分类。缺陷审查工具130可以被配置为捕获由检验工具110检测到并由系统缺陷采样部件120选择的潜在缺陷的至少一部分或子集的检查图像。例如，缺陷审查工具130可以包括相对于检验工具110的高速度和/或低分辨率光学系统的低速度和/或高分辨率光学系统。在一些实施方式中，缺陷审查工具130可以是扫描电子显微镜(SEM)。缺陷审查工具130的输出135然后可以被提供到系统缺陷采样部件120，以选择要由缺陷审查工具130审查的其它潜在缺陷。例如，系统缺陷采样部件120可以识别作为系统缺陷的潜在缺陷，并且可以提供将由缺陷审查工具130审查的系统缺陷。

在操作中，检验工具110可以识别在半导体晶片处的潜在缺陷的位置。检验工具110可以将潜在缺陷的位置提供到系统缺陷采样部件120。随后，系统缺陷采样部件120可以对已经由检验工具110识别的潜在缺陷的子集执行迭代选择过程。例如，可以选择潜在缺陷的第一子集并将其提供到缺陷审查工具130，以用于对来自第一子集的潜在缺陷进行分类。然后，可以接收来自这些特定潜在缺陷的缺陷信息。随后，可以使用该缺陷信息以识别将由系统缺陷审查工具130审查的潜在缺陷的第二子集的潜在缺陷。被选择为第二子集的潜在缺陷可以被识别为不与先前审查的其它潜在缺陷类似。此外，潜在缺陷的第一子集和第二子集可以包括已经被识别为系统缺陷的潜在缺陷。例如，潜在缺陷的第一子集可以被提供到缺陷审查工具130。潜在缺陷的第一子集可以是最可能是系统缺陷的潜在缺陷(例如，如基于下面描述的计算评分)。然后，可以基于缺陷审查工具130关于潜在缺陷的第一子集的结果来选择潜在缺陷的第二子集，并且潜在缺陷的第二子集可以是在第一子集之后最可能是系统缺陷的潜在缺陷的下一子集。

在一些实施方式中，检验工具110、系统缺陷采样部件120和缺陷审查工具130可以是位于相同或不同位置的不同工具，或以不同模式操作的单个工具。在后一种情况下，可以首先以较低的分辨率和高速度操作工具，以获得对象的相关区域的所有或至少大部分的图像(例如，对应于检验工具110的检验图像)。一旦检测到潜在缺陷，就可以以更高的分辨率和可能更低的速度操作工具，以检查与潜在缺陷相关联的具***置(例如，对应于缺陷审查工具130的操作)。在一些实施方式中，本文描述的功能性可以在缺陷审查工具中实现。例如，缺陷审查工具可以执行对应于系统缺陷采样部件120的操作，以选择潜在缺陷或将由缺陷审查工具在特定迭代中检查的其它此类系统缺陷。在一些实施方式中，系统缺陷采样部件120可以实现在独立工具或服务器中。例如，缺陷检验系统可以在分布式环境中实现，其中检验审查工具、系统缺陷采样部件和缺陷审查工具经由网络彼此耦接。

图2是基于潜在缺陷为系统缺陷而选择供审查工具审查的潜在缺陷的示例方法200的流程图。方法200可以由处理逻辑执行，处理逻辑可以包括硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑、微代码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或以上项的组合。在一些实施方式中，方法200可以由图1的系统缺陷采样部件120执行。

如图2所示，方法200可以在框210处开始，其中处理逻辑识别潜在缺陷。例如，检验工具可以识别在半导体晶片处的潜在或候选缺陷。在一些实施方式中，可以从由检验工具接收和分析的输入数据识别潜在或候选缺陷。例如，检验工具可以接收或生成半导体晶片的图像，并且可以从图像识别潜在缺陷。可以在半导体晶片的图上识别或标记潜在缺陷，其中该图指示在沿着半导体晶片的位置处的潜在缺陷的位置。随后，处理逻辑可以确定潜在缺陷是对应于系统缺陷还是随机缺陷(框220)。系统缺陷可能是来自半导体制造工艺的缺陷，这些缺陷由在经受半导体制造工艺的半导体晶片处实现的图案或设计结构导致。系统缺陷可以存在于半导体晶片的多个位置处，包括相同或类似图案或结构或接近相同或类似图案或结构。随机缺陷可能是并非由设计的图案或结构导致的缺陷。例如，随机缺陷可以是在具有图案的一个位置处但不存在于半导体晶片的在处于或接近相同或类似图案的其它位置处的缺陷。随机缺陷可能由半导体制造工艺中的另一个漏洞导致，该缺陷并非由半导体晶片的设计(例如，在半导体制造工艺中无意中落在半导体晶片上的外来颗粒)导致的。当潜在缺陷的图案在半导体晶片的多个位置处并且图案的累积缺陷评分满足阈值条件时，该潜在缺陷可以被识别为系统缺陷。否则，当潜在缺陷的图案不在半导体晶片的多个位置处和/或图案的累积缺陷评分不满足阈值条件时，潜在缺陷可以被识别为随机缺陷。关于将潜在缺陷识别为系统缺陷的进一步细节结合图4进行描述。

参考图2，处理逻辑可以识别潜在缺陷是否对应于系统缺陷(框230)，并且可以响应于识别潜在缺陷是系统缺陷而将潜在缺陷提供到审查工具(框240)。例如，可以提供潜在缺陷以分类到缺陷审查工具。在一些实施方式中，缺陷审查工具可以用于确定潜在缺陷是否是实际缺陷和/或确定实际缺陷的类型。然后，可以使用缺陷审查工具的结果来选择将由缺陷审查工具分类或审查的后续潜在缺陷。例如，也可以将具有或接近于与被识别为实际缺陷的潜在缺陷相同的图案的其它潜在缺陷提供到缺陷审查工具。否则，如果处理逻辑识别出潜在缺陷不对应于系统缺陷，那么处理逻辑可能不会将潜在缺陷提供到审查工具(框250)。例如，可以将潜在缺陷识别为随机缺陷，并且可以不将其提供到缺陷审查工具。在一些实施方式中，然后，可以识别另一个潜在缺陷，并且可以分析该新的潜在缺陷以确定它是否是系统缺陷。

图3A示出了不包括系统缺陷的半导体晶片300。半导体晶片300的潜在缺陷可以由图1的系统缺陷采样部件120识别。

如图3A所示，半导体晶片300可以对应于具有潜在缺陷的半导体晶片的位置图。潜在缺陷可以对应于在半导体晶片处的电路或结构的设计的特定图案。例如，图案可以表示在半导体制造工艺期间形成的设计的结构或部分结构(例如，电触点、通孔、互连线、介电结构等)。可以识别半导体晶片300的第一潜在缺陷310、第二潜在缺陷311和第三潜在缺陷312。此外，第一潜在缺陷310可以对应于第一图案，第二潜在缺陷可以对应于第二图案，并且第三潜在缺陷312可以对应于第三图案，其中第一图案、第二图案和第三图案中的每个是不同的，或不是同一类型的结构的一部分。因此，第一潜在缺陷310、第二潜在缺陷311和第三潜在缺陷312可能不被认为是系统缺陷，因为这些潜在缺陷不与另一个潜在缺陷共用相同或类似图案。

图3B图示包括系统缺陷的半导体晶片350。半导体晶片350的系统缺陷可以由图1的系统缺陷采样部件120识别。

如图3B所示，具有潜在缺陷的半导体晶片的位置图可以包括第一潜在缺陷360、第二潜在缺陷361和第三潜在缺陷362。第一潜在缺陷360、第二潜在缺陷361和第三潜在缺陷362中的每个可以对应于相同图案“P1”。例如，这些潜在缺陷中的每个可以处于或接近相同或类似图案。因此，第一潜在缺陷360、第二潜在缺陷361和第三潜在缺陷362可以被认为是系统缺陷，因为这些潜在缺陷共用相同或类似图案。在一些实施方式中，第一潜在缺陷360、第二潜在缺陷361和第三潜在缺陷362可以各自被分配缺陷评分，该缺陷评分表示基于对应缺陷的图像的特性而每个对应缺陷是实际缺陷的概率。基于这些缺陷具有相同图案并且累积缺陷评分满足阈值或阈值条件，第一潜在缺陷360、第二潜在缺陷361和第三潜在缺陷362可以被认为是系统缺陷，如下面进一步详细地描述的。

尽管图3B示出了具有三个潜在缺陷的半导体晶片350，但是半导体晶片350可以包括任何数量的潜在缺陷和/或可能是随机缺陷的潜在缺陷和可能是系统缺陷的潜在缺陷的分布。在一些实现方式中，可以识别不同组的系统缺陷。例如，可以识别共用第一图案的第一组潜在缺陷，并且可以识别共用不同于第一图案的第二图案的第二组潜在缺陷。可以将来自第一组的潜在缺陷确定为系统缺陷，并且可以将其提供到如先前所述的缺陷审查工具。类似地，来自第二组的第二潜在缺陷也可以被确定为系统缺陷，并且可以将其与第一组潜在缺陷分开地提供到缺陷审查工具。

图4是用于识别潜在缺陷是系统缺陷还是随机缺陷的示例方法400的流程图。方法400可以由处理逻辑执行，处理逻辑可以包括硬件(例如，处理装置、电路、专用逻辑、可编程逻辑、微代码、装置的硬件、集成电路等)、软件(例如，在处理装置上运行或执行的指令)或以上项的组合。在一些实施方式中，方法400可以由图1的系统缺陷采样部件120执行。

如图4所示，在框410处方法400可以开始于处理逻辑识别与潜在缺陷相关联的图案。例如，可以识别处于或接近潜在缺陷的位置(例如，在阈值距离内)的结构的图案。可以从指定半导体晶片的设计特性的计算机辅助设计(CAD)信息识别与潜在缺陷相关联的图案。在一些实施方式中，可以基于来自半导体晶片的光学图像的潜在缺陷的光学特性而识别潜在缺陷。半导体晶片的光学图像可以与半导体晶片的CAD信息相关或映射到半导体晶片的CAD信息，以识别哪些特定结构或图案在半导体晶片的特定位置处。处理逻辑可以进一步识别具有相同或类似图案的其它潜在缺陷(框420)。例如，可以从光学图像识别其它潜在缺陷，并且可以从CAD信息识别在其它潜在缺陷的位置处的对应结构或图案。相同或类似图案可以对应于相同图案或作为相同结构的一部分的图案或作为其中结构的设计在半导体晶片的各个位置处重复的结构的一部分的图案。处理逻辑可以进一步接收潜在缺陷和具有相同或类似图案的其它潜在缺陷中的每个的缺陷评分(框430)。缺陷评分可以是基于潜在缺陷是实际缺陷的概率。这个概率可以是基于潜在缺陷的特性。例如，缺陷评分可以是基于潜在缺陷的光学特性和/或与潜在缺陷相关联的图案的设计特性。这种特性可以对应于在光学空间中潜在缺陷的噪声特征。在一些实施方式中，噪声特征可以是基于各种特性，诸如大小、尺寸、灰度级或潜在缺陷的其它此类属性。处理逻辑可以进一步基于潜在缺陷和其它潜在缺陷的缺陷评分而确定累积缺陷评分(框440)。例如，可以使用缺陷评分的组合来确定累积缺陷评分。在一些实施方式中，累积缺陷评分可以是潜在缺陷和其它潜在缺陷的缺陷评分的平均值。在相同或替代实施方式中，累积缺陷评分可以是基于具有相同或类似图案的潜在缺陷的数量和相应缺陷评分。例如，如果更多潜在缺陷与相同或类似图案相关联，那么累积缺陷评分可能高于当更少潜在缺陷与相同或类似图案相关联时的情况。

参考图4，处理逻辑可以基于累积缺陷评分而将潜在缺陷识别为系统缺陷(框450)。例如，如果累积缺陷评分等于或超过阈值或阈值条件，那么潜在缺陷可以被视为系统缺陷。类似地，具有相同或类似图案的其它潜在缺陷也可以被视为系统缺陷。否则，如果累积缺陷评分不等于或超过阈值或阈值条件，那么潜在缺陷可以被视为随机缺陷。

在一些实施方式中，可以识别来自设计数据(例如，CAD信息)的类似图案，并且可以识别处于或接近类似图案的潜在缺陷。然后，可以针对类似图案确定累积缺陷评分。此外，在一些实施方式中，可以基于设计的已知热点、特定感兴趣区域(例如，设计的部分)或其它此类信息而识别潜在缺陷。

图5示出了计算机系统500的示例机器，在计算机系统500内，可以执行用于致使机器执行本文讨论的任一种或多种方法的指令集。在替代实现方式中，机器可以连接(例如，联网)到LAN、内联网、外联网和/或互联网中的其它机器。机器可以在客户端-服务器网络环境中以服务器或客户端机器的身份、作为对等(或分布式)网络环境中的对等机器、或作为云计算基础设施或环境中的服务器或客户端操作。

机器可以是个人计算机(PC)、平板计算机、机顶盒(STB)、个人数字助理(PDA)、蜂窝电话、网络装置、服务器、网络路由器、交换机或桥、或能够执行指定该机器要采取的动作的指令集(顺序或其它)的任何机器。此外，尽管示出了单个机器，但是术语“机器”还应当被视为包括单独地或联合地执行一个(或多个)指令集以执行本文讨论的任一种或多种方法的任何机器集合。

示例计算机系统500包括处理装置502、主存储器804(例如，只读存储器(ROM)、闪存存储器、动态随机存取存储器(DRAM)(诸如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、静态存储器506(例如，闪存存储器、静态随机存取存储器(SRAM)等)和数据存储装置518，它们经由总线530彼此通信。

处理装置502表示一个或多个通用处理装置，诸如微处理器、中央处理单元或类似装置。更特定地，处理装置可以是复杂指令集计算(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器，或实现其它指令集的处理器或实现指令集的组合的处理器。处理装置502还可以是一个或多个专用处理装置，诸如专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、数字信号处理器(DSP)、网络处理器等。处理装置502被配置为执行用于执行本文讨论的操作和步骤的指令526。

计算机系统500可以进一步包括网络接口装置508，以通过网络520进行通信。计算机系统500还可以包括视频显示单元510(例如，液晶显示器(LCD)或阴极射线管(CRT))、字母数字输入装置512(例如，键盘)、光标控制装置514(例如，鼠标)、图形处理单元522、信号发生装置516(例如，扬声器)、图形处理单元522、视频处理单元528和音频处理单元532。

数据存储装置518可以包括机器可读存储介质524(也被称为计算机可读介质)，在其上存储有体现本文所述的方法或功能中的任一种或多种的一个或多个指令集或软件526。指令526还可以在由计算机系统500执行期间完全地或至少部分地驻留在主存储器504内和/或处理装置502内，主存储器504和处理装置502还构成机器可读存储介质。

在一个实现方式中，指令526包括用于实现对应于系统缺陷采样部件(例如，图1的系统缺陷采样部件120)的功能性的指令。尽管机器可读存储介质524在示例实现方式中被示出为单个介质，但是术语“机器可读存储介质”应当被视为包括存储一个或多个指令集的单个介质或多个介质(例如，集中式或分布式数据库，和/或相关联的高速缓存和服务器)。术语“机器可读存储介质”还应当被视为包括能够存储指令集或对其进行编码以供机器执行并致使机器执行本公开内容的方法中的任一种或多种的任何介质。因此，术语“机器可读存储介质”应当被视为包括但不限于固态存储器、光学介质和磁性介质。

已经就计算机存储器内的数据位的操作的算法和符号表示来呈现前述详细描述的一些部分。这些算法描述和表示是数据处理领域的技术人员用来最有效地将他们工作的实质传达给本领域的其它技术人员的方式。这里的算法通常被认为是产生所期望的结果的自一致的操作序列。操作是需要物理操纵物理量的操作。通常，尽管不是必需，但是这些量采用能够被存储、组合、比较和以其它方式操纵的电信号或磁信号的形式。有时，主要出于通用原因，已经证明将这些信号称为位、值、元素、符号、字符、术语、数字或类似量是方便的。

然而，应当记住，所有这些和类似术语都与适当的物理量相关联，并且仅是应用于这些量的方便标签。除非另外明确地说明，如从上面的讨论显而易见，否则应当理解，在整个说明书中，利用诸如“识别”或“确定”或“执行”或“进行”或“收集”或“产生”或“发送”或类似术语的讨论是指计算机系统或类似电子计算装置的将表示为在计算机系统的寄存器和存储器内的物理(电子)量的数据操纵和转换成类似地表示为在计算机系统的存储器或寄存器或其它此类信息存储装置中的物理量的其它数据的动作和过程。

本公开内容还涉及用于执行本文的操作的设备。该设备可以专门为预期目的而构造，或它可以包括由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或重新配置的通用计算机。这样的计算机程序可以存储在计算机可读存储介质中，诸如但不限于任何类型的盘(包括软盘、光盘、CD-ROM和磁-光盘)、只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、EPROMs、EEPROMs、磁卡或光卡、或适于存储电子指令的任何类型的介质，它们都耦接到计算机系统总线。

本文给出的算法和显示并非固有地与任何特定计算机或其它设备相关。根据本文的教导，各种通用系统可以与程序一起使用，或它可以对于构造更专用的设备以执行该方法来说是方便的。用于各种这些系统的结构将如下面的描述中阐述的那样呈现。另外，不参考任何特定编程语言来描述本公开内容。应当理解，可以使用各种编程语言来实现如本文所述的本公开内容的教导。

本公开内容可以被提供为计算机程序产品或软件，计算机程序产品或软件可以包括在其上存储有指令的机器可读介质，指令可以用于对计算机系统(或其它电子装置)进行编程以执行根据本公开内容的工艺。机器可读介质包括用于以机器(例如，计算机)可读的形式存储信息的任何机制。例如，机器可读(例如，计算机可读)介质包括机器(例如，计算机)可读存储介质，诸如只读存储器(“ROM”)、随机存取存储器(“RAM”)、磁盘存储介质、光学存储介质、闪存存储器装置等。

在前述说明书中，已经参考本公开内容的具体示例实现方式描述了本公开内容的实现方式。显而易见的是，在不背离随附权利要求书中阐述的本公开内容的实现方式的更广泛的精神和范围的情况下，可以对其做出各种修改。因此，说明书和附图应当被视为说明性意义而没有限制性意义。