具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

通过在硅片的表面形成选择性发射极可以降低硅片表面的掺杂浓度，提升晶硅太阳能电池的开路电压。示例性的，在钝化发射极背面接触电池(Passivated Emitterandand Rear Cell，PERC)的电池线(栅线)基础上增加SE激光重掺杂工艺，使电池片的SE线和金属栅线保持良好的套印效果，可以在降低硅片表面掺杂浓度的同时，保证金属栅线与硅片表面形成良好的欧姆接触。

如图1所示，硅片表面通过激光打印有相互平行的SE线，包括SE线1、SE线2、SE线3、SE线4、·······、SE线N-1、SE线N，aa’表示自左向右平行于SE线的方向，bb’表示自上而下垂直于SE线的方向。采用Micro-VU测量仪中运行的自动测量程序可以测量aa’方向的PT值，无法测量bb’方向的PT值，无法知晓平行于SE线方向的SE激光机台台面水平差异和激光图形畸变程度。

若电池片的SE线没有与金属栅线重合，未重合处的电极与硅片接触性差，串联电阻高，欧姆接触和电流输出变差，导致该处区域相较其他区域会黑一些。如图2所示，黑色部分为电池片SE线与金属栅线未重合的区域，即未套印区域。因此，如何准确预测平行于SE线方向的SE激光机台台面水平差异情况和激光图形畸变程度，是保证印刷时金属栅线与SE线之间具有良好的套印效果亟需解决的问题。

为了解决现有技术问题，本发明实施例提供了一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法和电子设备。

本发明提供的电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法，采用Micro-VU测量仪进行测量，如图3所示，该Micro-VU测量仪包括通过系统总线连接的处理器、存储器和输出装置。其中，该Micro-VU测量仪的处理器用于提供计算和控制能力。该Micro-VU测量仪的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机程序被处理器执行时以实现一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法。该Micro-VU测量仪的输出装置可以是显示屏、打印机或者其他数据输出装置等。

在一个实施例中，如图4所示，提供了一种电池片的SE线和金属栅线套印异常的预测方法，该方法应用于待测硅片，待测硅片的表面通过激光打印有第一定位点、第二定位点和多条相互平行的SE线，该方法包括以下步骤：

步骤S410，采集待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息。

待测硅片为SE激光机台根据上传的预先画好的印刷版图形对正面镀有SiNx蓝膜的监控硅片进行激光打印得到的硅片。

第一定位点的信息可以包括第一定位点的坐标，用于确定第一点位点的位置，第二定位点的信息可以包括第二定位点的坐标，用于确定第二定位点的位置。待测硅片的表面可以设置多个定位点，Micro-VU测量仪在进行数据测量时，可任意选取两个定位点作为第一定位点和第二定位点。

在通过Micro-VU测量仪自动测量程序测量电池片的SE线和金属栅线套印数据时，Micro-VU测量仪为了确定在Micro-VU测量仪台面上的测量范围，采集待测硅片表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息，定位第一定位点和第二定位点的位置。

步骤S420，根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置。

Micro-VU测量仪根据第一定位点的信息和第二定位点的信息，便可确定待测硅片的定位点，进而确定在Micro-VU测量仪台面上的测量范围。Micro-VU测量仪的测量对象为通过激光打印在待测硅片上的多条相互平行的SE线。

步骤S430，基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值。

在确定待测硅片的位置之后，开始测量起始SE线与其他SE线之间的距离，如图1所示，SE线1为起始SE线，SE线2至N为除起始SE线之外的其他SE线，测量SE线1和SE线2之间的距离值1，SE线1和SE线3之间的距离值2，SE线1和SE线4之间的距离值3，直到测量出SE线1和SE线N之间的距离值N-1，将距离1、距离2、距离3······距离N-1作为距离测试值。或者，也可以选择性测量测量SE线1和SE线2之间的距离值1，SE线1和SE线4之间的距离值3，SE线1和SE线N之间的距离值N-1等。

步骤S440，若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，预测电池片的SE线和金属栅线套印异常。

距离标准值为印刷版图上相应SE线之间的理论标准间距值，每个距离值对应的距离标准值不同。比如说，距离值1对应的距离标准值为印刷版图上对应位置的第1个SE线和第2个SE线之间的理论标准间距值，例如，该值为1.284。距离值2对应的距离标准值为印刷版图上对应位置的第1个SE线和第3个SE线之间的理论标准间距值，例如，该值为2.568。距离值3对应的距离标准值为印刷版图上对应位置的第1个SE线和第4个SE线之间的理论标准间距值，例如，该值为3.852。

通过距离测试值与距离标准值的差值可获知待测硅片上SE线的实际距离与印刷版图的理论标准间距之间的误差，若其误差大于相应的阈值，预测通过该待测硅片制造的电池片或经过该激光台面的电池片的SE线和金属栅线套印异常。

为避免首次出现距离测试值异常情况为偶然事件，尽可能减少误判电池片的SE线和金属栅线套印异常的情况，可以当出现有限个异常距离测试值时，预测电池片的SE线和金属栅线套印异常。异常距离测试值的个数最好不要超过3个。

在本发明实施例中，通过采集待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息，并根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置，然后基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，则说明相应区域的SE线的均匀性较差，致使后期印刷的金属栅线和SE线不易对准，从而准确地预测由SE激光台面水平差异导致的电池片的SE线和金属栅线套印异常。本发明通过检测SE线的均匀性确认SE激光台面的水平差异，这能够确定垂直于SE线和平行于SE线方向的SE激光台面的水平差异。本发明通过检测相应区域的SE线的均匀性，能够确定相应区域对应的SE激光台面的水平差异，通过检测所有的SE线的均匀性，可以确定整个SE激光台面的水平差异，通过调整SE激光台面，进而保证电池片的SE线和金属栅线良好地套印。

在一些实施例中，基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：

基于待测硅片的位置沿与SE线相交的方向将待测硅片划分成至少两个待检测区，SE线被划分至不同的待检测区内，每个待检测区中SE线的数目相等；

分别检测每个待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值。

在Micro-VU测量仪检测到待测硅片的位置之后，为了保证测试数据的准确，需要对待测硅片进行分区，沿着与SE线相交的方向划分待测硅片，即，沿着垂直于SE线的方向将待测硅片划分成至少两个待检测区，每个待检测区内包含相同数目的SE线。如图5所示，将待测硅片划分为3个待检测区，分别为A1区、A2区和A3区，A1区、A2区和A3区内的SE线的数目相等。

一个待测硅片划分待检测区的个数与待测硅片的尺寸有关，尺寸越大，划分的待检测区域的个数越多，Micro-VU测量仪测量的数据就越准确。

分别检测每个待检测区中起始SE线与其他SE之间的距离作为距离测试值，其检测方法与步骤S430相同，此处不再赘述。

在一些实施例中，距离起始SE线最远的SE线作为终止SE线，分别检测每个待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：

按照逐渐远离起始SE线的顺序，分别依次检测其他SE线中每个SE线与起始SE线之间的距离并作为距离测试值，直至检测终止SE线与起始SE线之间的距离。

如图1所示，以SE线1为起始SE线，SE线N为终止SE线。按照逐渐远离起始SE线的顺序，即沿着bb’方向，检测SE线2与SE线1之间的距离作为距离测试值，检测SE线3与SE线1之间的距离作为距离测试值，SE线4与SE线1之间的距离作为距离测试值，直至检测出SE线N与SE线1之间的距离作为距离测试值为止。

需要说明的是，在测量距离测试值时，若是测量起始SE线的上边缘位置，那么，其余SE线也要从上边缘位置测量；若是测量起始SE线的下边缘位置，那么，其余SE线也要从下边缘位置测量，从而避免了因测量起始终止位置的不一致使得距离测试值包含SE线本身的宽度而增大差值，使得预测结果更加准确。举例而言，检测SE线2的上边缘与SE线1的上边缘之间的距离作为距离测试值。或者，检测SE线2的下边缘与SE线1的下边缘之间的距离作为距离测试值。

在一些实施例中，分别依次检测其他SE线中每个SE线与起始SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：

采集起始SE线的起始位置对应的位置信息；

按照相邻两条SE线之间的线间距标准值，在依次远离起始SE线一个线间距标准值的位置处采集对应的SE线的位置信息，其中，L＝X/(N-1)，L表示线间距标准值，X表示PT标准值，N表示SE线的总条数；

根据任意相邻的两条SE线的位置信息确定每相邻两个SE线之间的距离；

自起始SE线开始依次累加每相邻两个SE线之间的距离得到起始SE线和其他SE线中对应的SE线之间的距离并作为距离测试值。

Micro-VU测量仪的采集组件通过获取点的坐标来确定SE线的位置，采集组件可以为摄像组件或者显微镜。Micro-VU测量仪的采集组件在识别SE线位置时，具有一定的识别范围，因此，Micro-VU测量仪的采集组件每下移一个线间距标准值时，即使待测硅片上的SE线实际间距不等于SE线标准间距，Micro-VU测量仪仍然可以测得两SE线之间的线间距。

其中，根据L＝X/(N-1)确定线间距标准值，X表示PT标准值，N表示SE线的总条数。PT标准值为印刷版图中起始SE线与终止SE线之间的间距值。

起始SE线的起始位置对应的位置信息包括起始SE线上的点的坐标，远离起始SE线一个线间距标准值的位置处采集对应的SE线的位置信息包括除起始SE线之外的其他SE线的点的坐标。通过Micro-VU测量仪的采集组件自动抓取SE线的起始位置对应的位置信息识别待测硅片上起始SE线上边缘的位置，按照自动测量程序预先设定的线间距标准值，沿着垂直于SE线的方向自动向下平移一个线间距标准值，随后自动抓取第2个SE线的位置对应的位置信息识别第2个SE线上边缘的位置，并自动输出起始SE线与第2个SE线之间的间距值。

随后，再自动向下平移一个线间距标准值，自动抓取识别第3个SE线上边缘的位置，并自动输出起始SE线与第2个SE线之间的间距值和第2个SE线和第3个SE线之间的间距值之和；Micro-VU测量仪自动依次向下每次平移一个线间距标准值，自动抓取下一个SE线上边缘位置，并自动输出自起始SE线距离本次抓取识别的SE线之间每相邻2个SE线的间距值的累加值，直至抓取识别终止SE线的位置，并输出待测硅片上所有SE线中每相邻两个SE之间间距值的累加值。

如图1所示，第1个SE线为起始SE线，测量第1个SE线和第2激光线的间距值L11，间距值L11即为第1个距离测试值，Micro-VU测量仪输出L11。Micro-VU测量仪接着测量第2个SE线与第3个SE线之间的间距值L12，此时，将间距值L11和间距值L12相加，得到第2个距离测试值，其表示为L11+L12，Micro-VU测量仪输出L11+L12。Micro-VU测量仪接着向下测量第3个SE线与第4个SE线之间间距值L13，此时，累加间距值L11、间距值L12和间距值L13，得到第3个距离测试值，其表示为L11+L12+L13，Micro-VU测量仪输出L11+L12+L13的值，以此类推。

按照上述测量方法，直至测量到最后1个SE线结束，得到N-1个距离测试值。具体地，可以通过如下的公式(1)计算得到各距离测试值；

其中，M_i指第i个距离测试值，i∈[1,N-1]，m_j指即第j个SE线与第j+1个SE线之间的距离，N指待测硅片上SE线的总数。

在一些实施例中，待测硅片包括相对的第一边缘和第二边缘，至少两个待检测区包括靠近第一边缘的第一待检测区和靠近第二边缘的第二待检测区，针对于第一待检测区，在采集起始SE线的起始位置对应的位置信息之前，方法还包括：

采集第一边缘的第三位置信息；

根据第三位置信息确定第一边缘的位置；

将第一待检测区中起始SE线上距离第一边缘的位置预设距离的位置作为起始位置。

如图5所示，待测硅片包括相对的第一边缘F1和第二边缘F2，至少两个待检测区包括靠近第一边缘F1的第一待检测区A1和靠近第二边缘F2的第二待检测区A2，以及位于第一待检测区A1和第二待检测区A2之间的第三待检测区A3。

为了在出现套印异常时，能够对全部的待检测区定位异常位置，在将待测硅片的部分区域划分为待检测区，其余部分作为未检测区。

针对第一待检测区，在采集起始SE线的起始位置对应的位置信息之前，采集第一边缘的第三位置信息，其中，第三位置信息包括第一边缘的点的坐标。根据第一边缘的点的坐标确定第一边缘的位置，将第一待检测区中起始SE线上距离第一边缘的位置预设距离的位置作为起始位置，如点B1，将终止SE线上距离第一边缘的位置预设距离的位置作为终止位置，如点C1。其中，预设距离对应的区域为未检测区域。

针对第二待检测区，在采集起始SE线的起始位置对应的位置信息之前，采集第二边缘的点的坐标。根据第二边缘的点的坐标确定第二边缘的位置，将第二待检测区中起始SE线上距离第二边缘的位置预设距离的位置作为起始位置，如点B3，将终止SE线上距离第二边缘的位置预设距离的位置作为终止位置，如点C3。预设距离可选取3mm、2mm、1mm等，在节省操作时间的情况下，根据实际需求选取合适的预设距离。

在一些实施例中，待测硅片包括相对的第一边缘和第二边缘，至少两个待检测区包括靠近第一边缘的第一待检测区、靠近第二边缘的第二待检测区以及位于第一待检测区和第二待检测区之间的第三待检测区，针对于第三待检测区，在采集起始SE线的起始位置对应的位置信息之前，方法还包括：

采集第三待检测区靠近第一待检测区的边缘的第四位置信息和第三待检测区靠近第二待检测区的边缘的第五位置信息；

根据第四位置信息和第五位置信息确定平分第三待检测区的中线；

确定第三待检测区中起始SE线和中线的交点并作为起始位置。

如图5所示，第四位置信息包括第三待检测区A3的某一边缘的点的坐标，比如，边缘F3的点的坐标，第五位置信息包括第三待检测区A3的另一边缘的点的坐标，比如，边缘F4的点的坐标。根据第四位置信息和第五位置信息确定第三待检测区A3的边缘位置，识别出平分第三待检测区的中线G，该中线垂直贯穿起始SE线和终止SE线，将第三待检测区中起始SE线和中线G的交点B2作为起始位置，将第三待检测区A3中终止SE线和中线G的交点C2作为终止位置。

在一些实施例中，第一定位点和第二定位点均位于相邻两条SE线之间，根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置，包括：

根据第一定位点的信息和第二定位点的信息，确定第一定位点与第二定位点之间的中心点，将中心点作为待测硅片的位置。

如图5所示，第一定位点D1和第二定位D2均位于相邻两条SE线之间，且处于同一水平线上，根据第一定位点D1和第二定位点D2的位置确定两个定位点之间的中心点，根据中心点标定待测硅片的位置。

在一些实施例中，待测硅片的表面还通过激光打印有平行于SE线的标识线，方法还包括：

若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，采集待测硅片的标识线的信息；

根据标识线的信息确定用于对待测硅片进行激光打印的SE激光机台。

标识线E的信息包括标识线的点的坐标和标识特征，标识线可作为SE激光机台的唯一标识，现场制程异常可根据该标识线快速排查异常机台，也可用于光伏组件端异常反馈后及时锁定异常机台。

若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，表明待测硅片上的SE线在水平方向上存在异常，预测电池片的SE线和金属栅线套印异常，采集待测硅片的标识线的信息，根据标识线的信息确定用于对待测硅片进行激光打印的SE激光机台为异常SE激光机台。

标识线区分SE激光机台的方法也可用于背面激光开槽区分印刷机台线别，同样也便于光伏组件端异常反馈后及时锁定印刷机台，缩小异常排查范围。

在一些实施例中，若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值小于或等于相应的阈值，预测电池片的SE线和金属栅线套印正常。

若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值小于或等于相应的阈值，表明SE线间距均匀性良好，不会因SE线间距均匀性异常导致SE线和金属栅线套印发黑。因此，预测电池片的SE线和金属栅线套印正常。

其中，阈值可通过以下方法确定：根据现场制程出现的套印发黑位置，按照步骤S430和步骤S440记载的方法，测量起始SE线与其他SE线之间的距离测试值，并将所有距离测试值导出，把每一个距离测试值与印刷版图的距离标准值进行比对并做图。根据现场各机台实际测试结果与SE线和金属栅线套印结果选取阈值。

在一个实施例中，当成品电池片反馈出现SE线和金属栅线套印异常时，留取SE线和金属栅线套印异常片，根据标识线确认对应的SE激光机台，将SE线和金属栅线套印异常片对应的SE激光机台四个台面均使用正常激光图形打印蓝膜片，使用Micro-VU测量仪执行上述步骤S410至S440的方法，判定激光台面是否存在异常，如出现异常进行检查确认调节，调整激光图形正常后复机生产即可。

在一个实施例中，若SE激光机台台面更换，或为改善某个台面激光PT值而调整台面水平后，在调整后的激光台面上使用正常图形打印蓝膜片，使用Micro-VU测量仪执行上述步骤S410至S440的方法，判定激光台面是否存在异常，如出现异常进行检查确认调节，调整激光图形正常后复机生产即可。

应该理解的是，虽然图4的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图4中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

在一个实施例中，提供了一种电子设备，该电子设备可以是终端，其内部结构图可以如图6所示。该电子设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、网络接口、显示屏和输入装置。其中，该电子设备的处理器用于提供计算和控制能力。该电子设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该电子设备的网络接口用于与外部的终端通过网络连接通信。该计算机程序被处理器执行时以实现一种SE-PERC电池套印异常预判方法。该电子设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该电子设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是电子设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。

本领域技术人员可以理解，图6中示出的结构，仅仅是与本发明方案相关的部分结构的框图，并不构成对本发明方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

在一个实施例中，提供了一种电子设备，包括采集组件，用于采集待测硅片的表面的第一定位点的信息和第二定位点的信息，其中，采集组件可以是摄像组件或者显微镜类似的结构；

存储器，存储有计算机程序；以及

处理器，可运行存储器上存储的计算机程序，以实现以下方法：

根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置；基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值；若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，预测电池片的SE线和金属栅线套印异常。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

基于待测硅片的位置检测待测硅片的起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：基于待测硅片的位置沿与SE线相交的方向将待测硅片划分成至少两个待检测区，SE线被划分至不同的待检测区内，每个待检测区中SE线的数目相等；分别检测每个待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

距离起始SE线最远的SE线作为终止SE线，分别检测每个待检测区中起始SE线与其他SE线之间的距离并作为距离测试值，包括：按照逐渐远离起始SE线的顺序，分别依次检测其他SE线中每个SE线与起始SE线之间的距离并作为距离测试值，直至检测终止SE线与起始SE线之间的距离。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

采集起始SE线的起始位置对应的位置信息；按照相邻两条SE线之间的线间距标准值，在依次远离起始SE线一个线间距标准值的位置处采集对应的SE线的位置信息，其中，L＝X/(N-1)，L表示线间距标准值，X表示PT标准值，N表示SE线的总条数；根据任意相邻的两条SE线的位置信息确定每相邻两个SE线之间的距离；自起始SE线开始依次累加每相邻两个SE线之间的距离得到起始SE线和其他SE线中对应的SE线之间的距离并作为距离测试值。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

待测硅片包括相对的第一边缘和第二边缘，至少两个待检测区包括靠近第一边缘的第一待检测区和靠近第二边缘的第二待检测区，针对于第一待检测区，在采集起始SE线的起始位置对应的位置信息之前，方法还包括：采集第一边缘的第三位置信息；根据第三位置信息确定第一边缘的位置；将第一待检测区中起始SE线上距离第一边缘的位置预设距离的位置作为起始位置。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

待测硅片包括相对的第一边缘和第二边缘，至少两个待检测区包括靠近第一边缘的第一待检测区、靠近第二边缘的第二待检测区以及位于第一待检测区和第二待检测区之间的第三待检测区，针对于第三待检测区，在采集起始SE线的起始位置对应的位置信息之前，方法还包括：采集第三待检测区靠近第一待检测区的边缘的第四位置信息和第三待检测区靠近第二待检测区的边缘的第五位置信息；根据第四位置信息和第五位置信息确定平分第三待检测区的中线；确定第三待检测区中起始SE线和中线的交点并作为起始位置。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

第一定位点和第二定位点均位于相邻两条SE线之间，根据第一定位点的信息和第二定位点的信息确定待测硅片的位置，包括：根据第一定位点的信息和第二定位点的信息，确定第一定位点与第二定位点之间的中心点，将中心点作为待测硅片的位置。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

待测硅片的表面还通过激光打印有平行于SE线的标识线，方法还包括：若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值大于相应的阈值，采集待测硅片的标识线的信息；根据标识线的信息确定用于对待测硅片进行激光打印的SE激光机台。

在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：

若起始SE线与其他SE线之间的距离标准值与其所对应的距离测试值之间差值的绝对值小于或等于相应的阈值，预测电池片的SE线和金属栅线套印正常。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本发明所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)或闪存。易失性存储器可包括随机存取存储器(RAM)或者外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限，RAM以多种形式可得，诸如静态RAM(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)、双数据率SDRAM(DDRSDRAM)、增强型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM(RDRAM)、直接存储器总线动态RAM(DRDRAM)、以及存储器总线动态RAM(RDRAM)等。

以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。