阅读说明：本技术 一种石英晶片打磨工艺 (Quartz wafer polishing process ) 是由 夏良军 于 2019-10-10 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种石英晶片打磨工艺,具体涉及石英晶片生产领域,S1、打磨压力为5至6psi,打磨转速为100至120rpm；S2、当监测系统的抛光打磨强度为最高强度的75％,即停止抛光打磨,清洗时间为65至70秒,清洗流量为600至800ml/min；S3、打磨压力为3至4psi,打磨转速为80至90rpm；S4、当监测系统的抛光打磨强度为最高强度时,即停止抛光打磨,清洗时间为90至105秒,清洗流量为600至800ml/min；S5、打磨压力为1至2psi,打磨转速为65至75rpm,第三次抛光打磨；S6、打磨时间为第一抛光打磨和第二次抛光打磨时间总和的5％至10％,即停止抛光打磨,清洗时间为50至60秒,清洗流量为400至500ml/min。本发明打磨工艺尺寸精准,可轻易满足生产需求。(The invention provides a quartz wafer polishing process, and particularly relates to the field of quartz wafer production, wherein S1 is used for polishing at a pressure of 5-6 psi and a polishing speed of 100-120 rpm; s2, stopping polishing when the polishing intensity of the monitoring system is 75% of the highest intensity, wherein the cleaning time is 65-70 seconds, and the cleaning flow is 600-800 ml/min; s3, grinding pressure is 3-4 psi, and grinding speed is 80-90 rpm; s4, stopping polishing when the polishing intensity of the monitoring system is the highest intensity, wherein the cleaning time is 90-105 seconds, and the cleaning flow is 600-800 ml/min; s5, polishing for the third time, wherein the polishing pressure is 1-2 psi, the polishing speed is 65-75 rpm; and S6, stopping polishing when the polishing time is 5 to 10 percent of the sum of the first polishing time and the second polishing time, wherein the cleaning time is 50 to 60 seconds, and the cleaning flow is 400 to 500 ml/min. The grinding process is accurate in size and can easily meet production requirements.)

一种石英晶片打磨工艺

技术领域

本发明属于石英晶片生产领域，具体涉及一种石英晶片打磨工艺。

背景技术

石英晶体是一种重要的电子材料；沿一定方向切割的石英晶片，当受到机械应力作用时将产生与应力成正比的电场或电荷，这种现象称为正压电效应。反之，当石英晶片受到电场作用时将产生与电场成正比的应变，这种现象称为逆压电效应。正、逆两种效应合称为压电效应。石英晶体不仅具有压电效应，而且还具有优良的机械特性、电学特性和温度特性。用它设计制作的谐振器、振荡器和滤波器等，在稳频和选频方面都有突出的优点；

化学机械抛光技术可以够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面，首先石英晶片表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应，生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层,使工件表面重新裸露出来，然后再进行化学反应，这样在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成工件表面抛光，但此类方法想要按照打磨出符合工艺水准的石英晶片，打磨工艺至关重要，仍有待进一步改进；

针对上述不足，现需要一种石英晶片打磨工艺，打磨工艺尺寸精准，可轻易满足生产需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种石英晶片打磨工艺，打磨工艺尺寸精准，可轻易满足生产需求。

本发明提供了如下的技术方案：

一种石英晶片打磨工艺，具体步骤如下:

S1、第一次抛光打磨：打磨压力为5至6psi，打磨转速为100至120rpm，将石英晶片进行第一次抛光打磨；

S2、第一次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度的75％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第一次清洗，其中清洗时间为65至70秒，清洗流量为600至800ml/min；

S3、第二次抛光打磨：打磨压力为3至4psi，打磨转速为80至90rpm，将石英晶片进行第二次抛光打磨；

S4、第二次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度时，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为90至105秒，清洗流量为600至800ml/min；

S5、第三次抛光打磨：打磨压力为1至2psi，打磨转速为65至75rpm，将石英晶片进行第三次抛光打磨；

S6、第三次清洗：打磨时间为第一抛光打磨和第二次抛光打磨时间总和的5％至10％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为50至60秒，清洗流量为400至500ml/min。

优选的，第一次抛光打磨：打磨压力为5.5psi，打磨转速为110rpm，将石英晶片进行第一次抛光打磨。

优选的，第一次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度的75％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第一次清洗，其中清洗时间为68秒，清洗流量为700ml/min。

优选的，第二次抛光打磨：打磨压力为3.5psi，打磨转速为85rpm，将石英晶片进行第二次抛光打磨。

优选的，第二次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度时，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为95秒，清洗流量为700ml/min。

优选的，第三次抛光打磨：打磨压力为1.5psi，打磨转速为70rpm，将石英晶片进行第三次抛光打磨。

优选的，第三次清洗：打磨时间为第一抛光打磨和第二次抛光打磨时间总和的8％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为55秒，清洗流量为450ml/min。

优选的，所述清洗液的pH值为2至3。

本发明的有益效果：

本发明可有效减少残留和对晶片的腐蚀作用，通过不同的压力、打磨速度和清洗速度，避免了杂质的留存，实现了石英晶片的精准打磨。

具体实施方式

实施例1：

S1、第一次抛光打磨：打磨压力为5psi，打磨转速为100rpm，将石英晶片进行第一次抛光打磨；

S2、第一次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度的75％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第一次清洗，其中清洗时间为65秒，清洗流量为600ml/min，清洗液pH值为2；

S3、第二次抛光打磨：打磨压力为3psi，打磨转速为80rpm，将石英晶片进行第二次抛光打磨；

S4、第二次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度时，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为90秒，清洗流量为600ml/min，清洗液pH值为2；

S5、第三次抛光打磨：打磨压力为1psi，打磨转速为65rpm，将石英晶片进行第三次抛光打磨；

S6、第三次清洗：打磨时间为第一抛光打磨和第二次抛光打磨时间总和的5％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为50秒，清洗流量为400ml/min，清洗液pH值为2。

实施例2：

S1、第一次抛光打磨：打磨压力为5.5psi，打磨转速为110rpm，将石英晶片进行第一次抛光打磨。

S2、第一次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度的75％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第一次清洗，其中清洗时间为68秒，清洗流量为700ml/min，清洗液pH值为2.5。

S3、第二次抛光打磨：打磨压力为3.5psi，打磨转速为85rpm，将石英晶片进行第二次抛光打磨。

S4、第二次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度时，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为95秒，清洗流量为700ml/min，清洗液pH值为2.5。

S5、第三次抛光打磨：打磨压力为1.5psi，打磨转速为70rpm，将石英晶片进行第三次抛光打磨。

S6、第三次清洗：打磨时间为第一抛光打磨和第二次抛光打磨时间总和的8％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为55秒，清洗流量为450ml/min，清洗液pH值为2.5。

实施例3：

S1、第一次抛光打磨：打磨压力为6psi，打磨转速为120rpm，将石英晶片进行第一次抛光打磨；

S2、第一次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度的75％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第一次清洗，其中清洗时间为70秒，清洗流量为800ml/min，清洗液pH值为3；

S3、第二次抛光打磨：打磨压力为4psi，打磨转速为90rpm，将石英晶片进行第二次抛光打磨；

S4、第二次清洗：当监测系统的抛光打磨强度为最高强度时，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为105秒，清洗流量为800ml/min，清洗液pH值为3；

S5、第三次抛光打磨：打磨压力为2psi，打磨转速为75rpm，将石英晶片进行第三次抛光打磨；

S6、第三次清洗：打磨时间为第一抛光打磨和第二次抛光打磨时间总和的10％，即停止抛光打磨，将石英晶片表面进行第二次清洗，其中清洗时间为60秒，清洗流量为500ml/min，清洗液pH值为3。

实验数据分析：

实施例1随机抽检6个样品，分别标记为A1、A2、A3、A4、A5、A6

实施例2随机抽检6个样品，分别标记为B1、B2、B3、B4、B5、B6

实施例3随机抽检6个样品，分别标记为C1、C2、C3、C4、C5、C6

进行公差测量，

其公差测量，具体数据如下：

标号	A1	A2	A3	A4	A5	A6
							公差/毫米	0.021	0.022	0.025	0.023	0.021	0.022
标号	B1	B2	B3	B4	B5	B6
							公差/毫米	0.016	0.018	0.015	0.014	0.015	0.016
标号	C1	C2	C3	C4	C5	C6
							公差/毫米	0.026	0.022	0.024	0.025	0.022	0.020

有上表可知，本打磨工艺公差尺寸精准，可满足高精度打磨的需求

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。