阅读说明：本技术 一种基于双芯片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法 (Anti-radiation high-voltage digital-to-analog conversion system and method based on double chips ) 是由 屈若媛 张伟 张延伟 祝名 谷重阳 肖波 吕倩倩 张松 于 2019-07-18 设计创作，主要内容包括：一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法,包括：数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线；基准源裸片通过第一管壳金属走线与数模转换裸片连接,用于提供片外低温漂基准参考电压值；薄膜电阻基板通过第二管壳金属走线与数模转换裸片连接,用于提供片外参考电阻值；数模转换裸片用于对输入数字信号进行电流型数模转换。本发明方法解决了由于商业流片工艺线不能提供高精度低温漂电阻及齐纳二极管而影响转换精度的问题,实现了抗辐射的高精度低温漂数模转换。(A radiation-resistant high-voltage digital-to-analog conversion system and method based on double bare chips are disclosed, which comprises: the digital-to-analog conversion device comprises a digital-to-analog conversion bare chip, a reference source bare chip, a thin film resistor substrate, a first tube shell metal wire and a second tube shell metal wire; the reference source bare chip is connected with the digital-to-analog conversion bare chip through a first tube shell metal wire and used for providing an off-chip low-temperature drift reference voltage value; the thin film resistor substrate is connected with the digital-to-analog conversion bare chip through a second tube shell metal wire and used for providing an off-chip reference resistance value; the digital-to-analog conversion die is used for performing current-mode digital-to-analog conversion on an input digital signal. The method solves the problem that the conversion precision is influenced because a commercial tape-out process line cannot provide high-precision low-temperature drift resistors and Zener diodes, and realizes the radiation-resistant high-precision low-temperature drift digital-to-analog conversion.)

一种基于双芯片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法

技术领域

本发明涉及一种具有抗辐射高精度低温漂特性的数模转换系统及方法，属于航天领域数模转换器设计技术领域。

背景技术

数模转换电路是连接数字域与模拟域的重要硬件电路器件，在航天器姿态轨道控制领域有着重要的应用。在该方面应用中通常要求器件具有宇航抗辐射、高精度及低温漂等特性，然而对于模拟电路设计中，该三项指标存在设计折衷，现有技术通常基于单片集成电路技术路线，受限于单一流片工艺提供的有限精度电阻及基准器件，难以达到相关航天型号任务要求的辐射指标、精度和温漂要求。

发明内容

本发明的技术解决问题是：克服现有技术的不足，提供一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统及方法，解决由于现有标准商用流片工艺不能提供高精度电阻及低温漂齐纳二极管而导致的器件辐射指标、精度和温漂指标低的问题。

本发明的技术方案是：

一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，包括：数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线；

基准源裸片通过第一管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外低温漂基准参考电压值；薄膜电阻基板通过第二管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外参考电阻值；数模转换裸片用于对输入数字信号进行电流型数模转换。

进一步的，数模转换裸片采用抗辐射电流舵型数模转换芯片。

进一步的，采用抗辐射基准源裸片。

进一步的，采用联合封装形式，将数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线封装在一起。

进一步的，薄膜电阻基板包括陶瓷基板和印刷在陶瓷基板上的四只薄膜电阻，其中电阻R1用于将参考电压输入转换为参考电流输出，电阻R2、R3、R4用于将数模转换后的转换电流输入转换为转换电压输出。

进一步的，电阻R2将数模转换后的转换电流输入转换为等幅的转换电压输出。

进一步的，电阻R3和电阻R4串联连接，将数模转换后的转换电流输入转换为2倍或4倍幅度的转换电压输出。

进一步的，电阻R2、R3与R4的阻值相同，R1＝2R2，且任意两只电阻的相对精度在千分之一以内。

进一步的，本发明还提出一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统实现的数模转换方法，步骤如下：

(1)由基准源裸片提供低温漂基准参考电压给数模转换裸片；

(2)由薄膜电阻基板提供参考电阻，将参考电压转换为参考电流，并将该参考电流提供给数模转换裸片；所述参考电压为基准源裸片提供的片外低温漂基准参考电压值通过数模转换裸片提供给薄膜电阻基板。

(3)数模转换裸片依据输入数字信号对参考电流进行组织分配，进行电流型数模转换，得到模拟转换电流；

(4)由薄膜电阻基板提供参考电阻，将模拟转换电流转换为模拟转换电压输出。

本发明与现有技术相比的有益效果是：

(1)本发明采用片外高精度薄膜电阻基板，解决商用标准硅工艺片上电阻精度低的问题；

(2)本发明采用薄膜电阻基板，通过基板上相邻靠近的印刷相同工艺的电阻阵列，解决了片外分别采用多个分立相对精度低的问题；

(3)本发明采用片外低温漂基准源，解决商用标准硅工艺难以提供低温漂齐纳二极管的而导致器件温漂性能差的问题；

(4)本发明采用管壳金属走线进行裸片、基板间互联，相较于印刷电路板板级互联，减小寄生及走线长造成的干扰。

附图说明

图1是本发明基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统框图；

图2为薄膜电阻基板示意图。

具体实施方式

由于宇航型号的典型应用环境，抗辐射高压高精度数模转换器有着重要的应用需求。模拟器件高精度、高压、抗辐射三个设计指标存在设计折衷，一直是宇航元器件的研制重点难点。在国产抗辐射高压高精度数模转换器SH565BRH的研制过程中，由于电源电压的高压要求选择了TSMC BCD0.25um流片工艺，然而该流片工艺不具备高精度电阻和低温漂齐纳二极管等工艺线配套器件，采用片上多晶硅电阻和带隙基准的结构，使得器件精度和温漂性能仅能达到4LSB和50ppm，难以达到使用要求。同时，通过调研，国内标准商用流片工艺线均难以满足设计要求的相关工艺，采用单片集成技术路线难以满足器件设计要求。

本发明针对国内流片工艺线现状，提出联合片外薄膜电阻基板和低温漂基准源的系统解决方案：采用特殊的薄膜电阻网络基板提供参考电阻、电流舵型的数模转换电路完成转换功能、以及基准源电路提供低温漂参考电压，可保证同时满足抗辐射指标的同时，实现高压和高精度的设计，对标进口器件的相关性能，满足型号的使用需求。

具体的，如图1所示，本发明提出的一种基于双裸片实现的抗辐射高压数模转换系统，包括：数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线；

基准源裸片通过第一管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外低温漂基准参考电压值；薄膜电阻基板通过第二管壳金属走线与数模转换裸片连接，用于提供片外参考电阻值；数模转换裸片用于对输入数字信号进行电流型数模转换。

数模转换裸片采用抗辐射电流舵型数模转换芯片。采用抗辐射基准源裸片。采用联合封装形式，将数模转换裸片、基准源裸片、薄膜电阻基板、第一管壳金属走线和第二管壳金属走线封装在一起。

如图2所示，薄膜电阻基板包括陶瓷基板和印刷在陶瓷基板上的四只薄膜电阻，其中电阻R1用于将参考电压输入转换为参考电流输出，电阻R2、R3、R4用于将数模转换后的转换电流输入转换为转换电压输出。电阻R2将数模转换后的转换电流输入转换为等幅的转换电压输出。

电阻R3和电阻R4串联连接，将数模转换后的转换电流输入转换为2倍或4倍幅度的转换电压输出。电阻R2、R3与R4的阻值相同，R1＝2R2，且任意两只电阻的相对精度在千分之一以内。

上述数模转换系统的工作原理如下：

第一步由基准源裸片提供低温漂基准参考电压给数模转换裸片

基准源裸片产生一个低温漂参考电压给数模转换裸片。

第二步由薄膜电阻基板提供参考电阻，将参考电压转换为参考电流，并将该参考电流提供给数模转换裸片。参考电压为基准源裸片提供的片外低温漂基准参考电压值通过数模转换裸片提供给薄膜电阻基板。

电流舵型数模转换器的一个核心参考为满幅电流，而满幅电流由片外低温漂参考电压和片外高精度电阻分压得到，如公式1因此第一步得到低温漂基准电压，为第二步提供分压。

I_FS＝V_ref/R_ref (1)

其中，I_FS为满幅电流，V_ref为参考电压，R_ref为参考电阻。

依据公式1，满幅电流由第一步得到的基准电压和本步片外提供的高精度电阻分压得到。

第三步数模转换裸片依据输入数字信号对参考电流进行组织分配，进行电流型数模转换，得到模拟转换电流。

最小有效电流为数模转换器每次可分配组合的最小电流值，不同位数精度的输出摆幅与最小有效电流的关系如公式2所示。根据输入的数字码控制分配最小有效电流，通过对高中低各段位的电流分配组合，形成对应该数字码的电流值，如公式3所示。

I_FS＝2^N*I_LSB (2)

其中，I_FS为满幅电流，N为有效位数，I_LSB为最小有效电流。

I_out＝D*I_LSB (3)

其中，I_out为输出电流，D为输入数字值，I_LSB为最小有效电流。

第四步由薄膜电阻基板提供参考电阻，将模拟转换电流转换为模拟转换电压输出。

根据下公式4，最终的模拟输出电压由第二步提供的片外高精度电阻与第三部得到的输出电流得到。

V_out＝R_ref*I_out (4)

其中，V_out为输出电压，R_ref为参考电阻，I_out为输出电流。

至此完成了一次数模转换。

本发明相对于现有技术，采用片外高精度薄膜电阻和低温漂基准源电路，有效提高了抗辐射数模转换电路的精度和温漂性能。例如在国产SHDA565BRH的研制中，通过采用以上技术路线和系统方法，实现了1LSB精度和6ppm的低温漂性能，使得该器件可以替代进口对标产品，满足相关型号应用。

本发明说明书中未作详细描述的内容属本领域专业技术人员的公知技术。