阅读说明：本技术 一种双银低辐射玻璃及其生产工艺 (Double-silver low-emissivity glass and production process thereof ) 是由 韩君晖 于 2019-10-08 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种双银低辐射玻璃及其生产工艺,所述双银低辐射玻璃包括：玻璃基片；所述玻璃基片表面设有双银低辐射膜层,所述双银低辐射膜层包括由内至外依次设置于所述玻璃基片一面的第一SnO<Sub>x</Sub>层、第一ZnO<Sub>x</Sub>层、第一AgTi层、第二ZnO<Sub>x</Sub>层、第二SnO<Sub>x</Sub>层、第三ZnO<Sub>x</Sub>层、第二AgTi层、第四ZnO<Sub>x</Sub>层以及第三SnO<Sub>x</Sub>层；所述双银低辐射膜层通过磁控溅镀工艺镀膜于玻璃基片表面。所述双银低辐射玻璃,在玻璃基片表面通过磁控溅射工艺镀双银低辐射膜层,所得双银低辐射玻璃可见光透过率高,遮阳系数高,传热性能好,生产制造成本低,经济效益好。(The invention provides double-silver low-emissivity glass and a production process thereof, wherein the double-silver low-emissivity glass comprises the following components in parts by weight: a glass substrate; the surface of the glass substrate is provided with a double-silver low-radiation film layer, and the double-silver low-radiation film layer comprises a first SnO layer and a second SnO layer, wherein the first SnO layer is sequentially arranged on one surface of the glass substrate from inside to outside x Layer, first ZnO x Layer, first AgTi layer, second ZnO x Layer, second SnO x Layer, third ZnO x Layer, second AgTi layer, fourth ZnO x Layer and third SnO x A layer; the double-silver low-emissivity film layer is coated on the surface of the glass substrate by a magnetron sputtering process. According to the double-silver low-emissivity glass, the double-silver low-emissivity film layer is plated on the surface of the glass substrate through the magnetron sputtering process, and the obtained double-silver low-emissivity glass is high in visible light transmittance, high in shading coefficient, good in heat transfer performance, low in production and manufacturing cost and good in economic benefit.)

一种双银低辐射玻璃及其生产工艺

技术领域

本发明属于玻璃生产技术领域，具体地，涉及一种双银低辐射玻璃及其生产工艺。

背景技术

Low-E玻璃又称低辐射玻璃，是在玻璃表面镀上多层金属或其他化合物组成的膜系产品。其镀膜层具有对可见光高透过及对中远红外线高反射的特性，使其与普通玻璃及传统的建筑用镀膜玻璃相比，具有优异的隔热效果和良好的透光性。

玻璃是重要的建筑材料，随着对建筑物装饰性要求的不断提高，玻璃在建筑行业中的使用量也不断增大。然而，当今人们在选择建筑物的玻璃门窗时，除了考虑其美学和外观特征外，更注重其热量控制、制冷成本和内部阳光投射舒适平衡等问题。这就使得镀膜玻璃家族中的新贵—Low-E玻璃脱颖而出，成为人们关注的焦点。

对于低辐射玻璃，公开号为CN105174744B的中国专利公开了一种双银低辐射镀膜玻璃及基于该镀膜玻璃的夹层玻璃制品，自玻璃层向外依次为底层介质层或钠阻挡层、附着力增强层I、银功能层I、保护层I、中间介质层、附着力增强层II、银功能层II、顶层介质层或保护层II，所述保护层中含有Cr³⁺和Cr⁶⁺离子，其中：保护层中Cr³⁺和Cr⁶⁺的摩尔比为1:2.8~3.2，介质层含有SnO₂、SiO₂。然而，该专利所提供的双银低辐射镀膜玻璃，结构复杂，生产成本高。

发明内容

为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种双银低辐射玻璃及其生产工艺，所述双银低辐射玻璃，在玻璃基片表面通过磁控溅射工艺镀双银低辐射膜层，所得双银低辐射玻璃可见光透过率高，遮阳系数高，传热性能好，生产制造成本低，经济效益好。

为达到上述目的，本发明的技术方案是：

一种双银低辐射玻璃，所述双银低辐射玻璃包括：玻璃基片；所述玻璃基片表面设有双银低辐射膜层，所述双银低辐射膜层包括由内至外依次设置于所述玻璃基片一面的第一SnO_x层、第一ZnO_x层、第一AgTi层、第二ZnO_x层、第二SnO_x层、第三ZnO_x层、第二AgTi层、第四ZnO_x层以及第三SnO_x层；所述双银低辐射膜层通过磁控溅镀工艺镀膜于玻璃基片表面。

进一步地，所述玻璃基片为白玻璃，玻璃基片的厚度为5~10mm。

进一步地，所述双银低辐射玻璃的遮阳系数≤0.48。

进一步地，所述双银低辐射玻璃的传热系数为1.5~1.8。

进一步地，所述双银低辐射玻璃的可见光透过率为75%。

同时，本发明还提供一种双银低辐射玻璃的生产工艺，所述生产工艺包括如下步骤：

1)将玻璃基片送入磁控溅射镀膜室内，采用直流电源，功率调至32KW，以O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在玻璃基片表面磁控溅射第一SnO_x层；

2) 采用直流电源，功率调至12KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第一SnO_x层远离玻璃基片一表面磁控溅射第一ZnO_x层；

3)采用直流电源，功率调至2.2KW，Ar气作为反应气体，反应气体的气压为3.0mt，在所述第一ZnO_x层外表面磁控溅射Ag，将直流电源功率调至2.6KW，所述第一ZnO_x层外表面磁控溅射Ti，完成所述第一AgTi层在第一ZnO_x层外表面的磁控溅射；

4)采用直流电源，功率调至15KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第一AgTi层外表面磁控溅射第二ZnO_x层；

5)采用直流电源，功率调至80KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第二ZnO_x层外表面磁控溅射第二SnO_x层；

6)采用直流电源，功率调至15KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第二SnO_x层外表面磁控溅射第三ZnO_x层；

7) 采用直流电源，功率调至3.2KW，Ar气作为反应气体，反应气体的气压为3.0mt，在所述第三ZnO_x层外表面磁控溅射Ag，将直流电源功率调至2.8KW，所述第三ZnO_x层外表面磁控溅射Ti，完成所述第二AgTi层在第三ZnO_x层外表面的磁控溅射；

8)采用直流电源，功率调至15KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第二AgTi层外表面磁控溅射第四ZnO_x层；

9)采用直流电源，功率调至35KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第四ZnO_x层外表面磁控溅射第三SnO_x层，完成所述双银低辐射玻璃的生产。

进一步地，以O₂和Ar气的混合气体作为反应气体的步骤中，O₂和Ar气的比例为100:8。

进一步地，所述玻璃基片的溅射传动速度为180cm/min。

本发明的有益效果在于：

所述双银低辐射玻璃，在玻璃基片表面通过磁控溅射工艺镀双银低辐射膜层，所得双银低辐射玻璃可见光透过率高，遮阳系数高，传热性能好，生产制造成本低，经济效益好。

附图说明

图1为本发明所提供的一种双银低辐射玻璃的结构示意图。

具体实施方式

参照图1，本发明所述的一种双银低辐射玻璃，所述双银低辐射玻璃包括：玻璃基片1；所述玻璃基片1表面设有双银低辐射膜层2，所述双银低辐射膜层2包括由内至外依次设置于所述玻璃基片1一面的第一SnO_x层21、第一ZnO_x层22、第一AgTi层23、第二ZnO_x层24、第二SnO_x层25、第三ZnO_x层26、第二AgTi层27、第四ZnO_x层28以及第三SnO_x层29；所述双银低辐射膜层通过磁控溅镀工艺镀膜于玻璃基片1表面。

进一步地，所述玻璃基片1为白玻璃，玻璃基片的厚度为5~10mm。

进一步地，所述双银低辐射玻璃的遮阳系数≤0.48。

进一步地，所述双银低辐射玻璃的传热系数为1.5~1.8。

进一步地，所述双银低辐射玻璃的可见光透过率为75%。

同时，本发明还提供一种双银低辐射玻璃的生产工艺，所述生产工艺包括如下步骤：

1)将玻璃基片1送入磁控溅射镀膜室内，采用直流电源，功率调至32KW，以O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在玻璃基片表面磁控溅射第一SnO_x层21；

2) 采用直流电源，功率调至12KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第一SnO_x层21远离玻璃基片1一表面磁控溅射第一ZnO_x层22；

3)采用直流电源，功率调至2.2KW，Ar气作为反应气体，反应气体的气压为3.0mt，在所述第一ZnO_x层外表面磁控溅射Ag，将直流电源功率调至2.6KW，所述第一ZnO_x层22外表面磁控溅射Ti，完成所述第一AgTi层23在第一ZnO_x层22外表面的磁控溅射；

4)采用直流电源，功率调至15KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第一AgTi层23外表面磁控溅射第二ZnO_x层24；

5)采用直流电源，功率调至80KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第二ZnO_x层24外表面磁控溅射第二SnO_x层25；

6)采用直流电源，功率调至15KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第二SnO_x层25外表面磁控溅射第三ZnO_x层26；

7) 采用直流电源，功率调至3.2KW，Ar气作为反应气体，反应气体的气压为3.0mt，在所述第三ZnO_x层26外表面磁控溅射Ag，将直流电源功率调至2.8KW，所述第三ZnO_x层26外表面磁控溅射Ti，完成所述第二AgTi层27在第三ZnO_x层26外表面的磁控溅射；

8)采用直流电源，功率调至15KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第二AgTi层27外表面磁控溅射第四ZnO_x层28；

9)采用直流电源，功率调至35KW，O₂和Ar气的混合气体作为反应气体，反应气体的气压为2.0mt，在所述第四ZnO_x层28外表面磁控溅射第三SnO_x层29，完成所述双银低辐射玻璃的生产。

进一步地，以O₂和Ar气的混合气体作为反应气体的步骤中，O₂和Ar气的比例为100:8。

进一步地，所述玻璃基片的溅射传动速度为180cm/min。

本发明所述的一种双银低辐射玻璃，在玻璃基片1表面通过磁控溅射工艺镀双银低辐射膜层2，所得双银低辐射玻璃可见光透过率高，遮阳系数高，传热性能好，所述双银低辐射玻璃的遮阳系数≤0.48，所述双银低辐射玻璃的传热系数为1.5~1.8，所述双银低辐射玻璃的可见光透过率为75%，所述双银低辐射玻璃生产制造成本低，经济效益好。

说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制。尽管参照较佳实施例对本发明进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的范围，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。