芯片焊接散热器的方法和pcb板组件
阅读说明：本技术 芯片焊接散热器的方法和pcb板组件 (Method for welding chip with radiator and PCB assembly ) 是由 周雪松 李岩 于 2019-09-25 设计创作，主要内容包括：本申请实施例提供一种芯片焊接散热器的方法和PCB板组件,能够基于钢网印刷方式将散热器固定在芯片上,且不限制芯片周围器件的高度。该芯片焊接散热器的方法包括：基于第一钢网在多个散热器的焊接面上制作锡膏层；将该多个散热器通过该锡膏层按压至多个芯片的背面金属镀层上,并进行回流焊接,其中,该多个散热器与该多个芯片一一对应,该多个芯片串联供电于一电路板上。(The embodiment of the application provides a method for welding a heat radiator on a chip and a PCB assembly, which can fix the heat radiator on the chip based on a steel mesh printing mode and do not limit the height of devices around the chip. The method for welding the chip with the radiator comprises the following steps: manufacturing a tin paste layer on the welding surfaces of the radiators on the basis of the first steel mesh; and pressing the radiators onto the back metal coatings of the chips through the solder paste layer, and performing reflow soldering, wherein the radiators correspond to the chips one by one, and the chips are connected in series to supply power to a circuit board.)
技术领域
本申请实施例涉及芯片技术领域，并且更具体地，涉及一种芯片焊接散热器的方法和PCB板组件。
背景技术
为了解决芯片的散热问题，通常通过背面金属化(Backside Metallization，BSM)工艺在芯片的背面形成背面金属镀层，以及在芯片的背面金属镀层上刷锡膏以焊接散热器，从而实现芯片散热。然而，这种散热器焊接方式仅适用于印刷电路板(Printed CircuitBoard，PCB)板上单芯片焊接，当PCB板上有多个芯片时，如果直接刷锡膏则要求芯片周围一定范围内不能有高于芯片的器件，因为如果有高于芯片的器件将会导致锡膏刷不到芯片金属镀层上或者锡膏刷到了高的器件上也达不到理想要求。当前的方法是如果芯片周围有高于芯片高度的器件，则需要人工一个一个在芯片上刷锡膏以进行焊接，尤其是在大算力服务器上，每一个PCB板上设置数十颗芯片，如果人工一个一个在芯片上刷锡膏以进行焊接必定限制了散热器在芯片表面的焊接效率，增加了散热器的安装难度和安装成本。
发明内容
本申请实施例提供一种芯片焊接散热器的方法和PCB板组件，能够提高散热器在芯片表面的焊接效率，且不限制芯片周围器件的高度散热器。
第一方面，提供了一种芯片焊接散热器的方法，包括
基于第一钢网在多个散热器的焊接面上制作锡膏层；
将该多个散热器通过该锡膏层按压至多个芯片的背面金属镀层上，并进行回流焊接，其中，该多个散热器与该多个芯片一一对应，该多个芯片串联供电于一电路板上。
需要说明的是，上述基于第一钢网在多个散热器的焊接面上分别制作锡膏层的方式，可以使得该多个散热器的焊接面上所制作的锡膏层具有平滑、均匀等特性，从而可以提升散热器的焊接质量。
可选地，该电路板可以称之为算力板。例如，该电路板为PCB板。
可选地，该多个芯片中的芯片可以称之为计算处理器芯片或者算力芯片，例如，中央处理器(Central Processing Unit，CPU)芯片，图形处理器(Graphics ProcessingUnit，GPU)芯片等。
在一些可能的实现方式中，该基于第一钢网在多个散热器的焊接面上制作锡膏层，包括：
将该多个散热器固定于一平台上；
将该第一钢网固定于该多个散热器的焊接面上方，其中，该多个散热器的焊接面正对于该第一钢网的开窗；
在该第一钢网的开窗区域刷锡膏，以在该多个散热器的焊接面上制作锡膏层；
移除该第一钢网。
需要说明的是，在该第一钢网固定于该多个散热器的焊接面上方之后，可以灵活解除这一固定，即在该第一钢网的开窗区域刷锡膏之后，可以灵活移除该第一钢网。
在一些可能的实现方式中，该多个散热器固定为一整体结构，且该多个散热器的分布方式由该多个芯片的分布方式决定。
可选地，该多个散热器可以通过以下方式中的至少一种固定为一整体结构：螺钉固定方式、卡扣固定方式、胶材贴合固定方式、钢网固定方式。
在一些可能的实现方式中，该将该多个散热器通过该锡膏层按压至多个芯片的背面金属镀层上，包括：
将该多个散热器作为一个整体通过该锡膏层按压至该多个芯片的背面金属镀层上。
需要说明的是，该多个散热器固定为一整体结构，从而可以将该多个散热器作为一个整体通过该锡膏层按压至该多个芯片的背面金属镀层上，进而提升散热器在芯片表面的焊接效率。
在一些可能的实现方式中，该多个散热器分别固定于该平台之上。
在一些可能的实现方式中，该将该多个散热器通过该锡膏层按压至多个芯片的背面金属镀层上，包括：
将该多个散热器分别通过该锡膏层按压至该多个芯片的背面金属镀层上。
需要说明的是，将该多个散热器分别通过该锡膏层按压至该多个芯片的背面金属镀层上，可以确保每个散热器在芯片表面的焊接质量。
在一些可能的实现方式中，该散热器在靠近其下表面处收缩形成有凸台结构，该凸台结构包括该散热器的焊接面。
需要说明的是，该凸台结构可以方便在该散热器上设置焊接面，从而将该散热器焊接在该多个芯片上。
应理解，为了提高散热效率，该散热器还可以具有一些方便散热的设计，本申请对此并不限定。
在一些可能的实现方式中，该散热器的焊接面的表面积小于或者等于该散热器对应的芯片的背面金属镀层的表面积。
需要说明的是，该散热器的焊接面的表面积小于或者等于该散热器对应的芯片的背面金属镀层的表面积，可以避免该散热器的设置对该散热器对应的芯片周围其他器件的影响。
在一些可能的实现方式中，该锡膏层占该散热器的焊接面的部分区域。
需要说明的是，该锡膏层占该散热器的焊接面的部分区域，在保证该散热器焊接质量的同时，可以减少锡膏残余，从而降低焊接之后残余的锡膏对芯片造成负面影响。
在一些可能的实现方式中，该锡膏层占该散热器的焊接面的面积的40％～60％。
例如，该锡膏层占该散热器的焊接面的面积的43％。
在一些可能的实现方式中，该多个散热器中每个散热器的锡膏层包括相互分离的多个锡膏区域。
需要说明的是，该锡膏层包括相互分离的多个锡膏区域，在保证该散热器焊接质量的同时，可以减少锡膏残余。
在一些可能的实现方式中，该多个锡膏区域中相邻锡膏区域之间的间隔小于第一阈值。
在一些可能的实现方式中，该多个锡膏区域中相邻锡膏区域之间的间隔范围为0.1mm～0.6mm。
例如，该多个锡膏区域中相邻锡膏区域之间的间隔为0.4mm。
在一些可能的实现方式中，该多个锡膏区域的面积相同，且该多个锡膏区域呈阵列式分布。
在一些可能的实现方式中，该多个锡膏区域的形状为正方形、长方形、以及菱形中的一种。
在一些可能的实现方式中，该多个锡膏区域包括第一锡膏区域和第二锡膏区域，该第二锡膏区域包围该第一锡膏区域。
在一些可能的实现方式中，该第一锡膏区域的形状为正方形、长方形、以及菱形中的一种，该第二锡膏区域的形状为回字形。
在一些可能的实现方式中，该第一钢网包括相互分离的多个开窗。
需要说明的是，该第一钢网包括相互分离的多个开窗，从而在散热器的焊接面上印刷出的锡膏层可以包括相互分离的多个锡膏区域，即该多个开窗与该多个锡膏区域一一对应。
在一些可能的实现方式中，该多个开窗中相邻开窗之间的间隔第二阈值。
在一些可能的实现方式中，该多个开窗中相邻开窗之间的间隔范围为0.1mm～0.6mm。
例如，该多个开窗中相邻开窗之间的间隔为0.4mm。
在一些可能的实现方式中，该多个开窗的面积相同，且该多个开窗呈阵列式分布。
在一些可能的实现方式中，该多个开窗的开窗数量范围为4～16。
例如，该多个开窗的开窗数量范围为6。
在一些可能的实现方式中，该多个开窗的形状为正方形、长方形、以及菱形中的一种。
在一些可能的实现方式中，该多个开窗包括第一开窗和第二开窗，该第二开窗包围该第一开窗。
在一些可能的实现方式中，该第一开窗的形状为正方形、长方形、以及菱形中的一种，该第二开窗的形状为回字形。
在一些可能的实现方式中，该第一钢网的厚度范围为0.08mm～0.16mm。
例如，该第一钢网的厚度为0.12mm。
在一些可能的实现方式中，该多个芯片具有相同的尺寸和/或结构，以及该多个芯片在该电路板上呈阵列式分布。
例如，该多个芯片中的每个芯片的尺寸为8×8mm，每个芯片的厚度为0.6mm。
在一些可能的实现方式中，该多个芯片中的芯片为专用集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuit，ASIC)芯片或者非专用集成电路芯片。
第二方面，提供了一种PCB板组件，包括
多个散热器和多个芯片，该多个散热器与该多个芯片一一对应，该多个芯片串联供电于一PCB板上；
其中，该多个散热器通过第一方面或第一方面的任意可能的实现方式中的方法分别焊接在该多个芯片上。
在一些可能的实现方式中，该多个芯片具有相同的尺寸和/或结构，以及该多个芯片在该电路板上呈阵列式分布。
在一些可能的实现方式中，该多个芯片中的芯片为专用集成电路芯片或者非专用集成电路芯片。
在本申请实施例中，能够基于钢网印刷方式将多个散热器焊接至多个芯片的背面金属镀层上，能够提高散热器在芯片表面的焊接效率，且不限制芯片周围器件的高度散热器。
附图说明
图1是本申请提供的一种散热器焊接在芯片上的示意性结构图。
图2是根据本申请实施例的芯片焊接散热器的方法的示意性流程图。
图3是根据本申请实施例的一种芯片和散热器的分布示意图。
图4是根据本申请实施例的另一种芯片和散热器的分布示意图。
图5是根据本申请实施例的一种散热器焊接在芯片上的示意性结构图。
图6是根据本申请实施例的另一种散热器焊接在芯片上的示意性结构图。
图7是根据本申请实施例的一种锡膏层的示意图。
图8是根据本申请实施例的另一种锡膏层的示意图。
图9是根据本申请实施例的再一种锡膏层的示意图。
图10是根据本申请实施例的再一种锡膏层的示意图。
图11是根据本申请实施例的PCB板组件的示意性结构图。
图12是根据本申请实施例的PCB板组件的示意性图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本申请中的技术方案进行描述。
随着大功率芯片(例如，ASIC芯片)的应用，芯片发热问题受到越来越多的关注。对于大功率ASIC芯片，往往采用漏芯片(die)，结合背面BSM封装工艺。散热器如图1所示，ASIC芯片1设置于PCB 2上，散热器3刷锡膏以焊接于ASIC芯片1的背面金属镀层上。在ASIC芯片1周围一定范围内，不能存在高于ASIC芯片1的器件，否则可能会损伤这些ASIC芯片1周围的器件，例如，划破或者破坏这些ASIC芯片1周围的器件。从而限制了散热器在芯片表面的焊接，增加了散热器的安装难度和安装成本。
基于上述问题，本申请提出一种新的芯片焊接散热器的方法，能够将多个散热器焊接至多个芯片的背面金属镀层上，且不限制芯片周围器件的高度。
下面结合图2至图12详细说明本申请实施例的芯片焊接散热器的方法200以及PCB板组件300。需要说明的是，为便于说明，在本申请实施例中，相同的附图标记用于表示相同的部件，并且为了简洁，在不同实施例中，省略对相同部件的详细说明。
图2是本申请实施例的芯片焊接散热器的方法200的示意性流程图。
S210，基于第一钢网在多个散热器的焊接面上制作锡膏层；
S220，将该多个散热器通过该锡膏层按压至多个芯片的背面金属镀层上，并进行回流焊接，其中，该多个散热器与该多个芯片一一对应，该多个芯片串联供电于一电路板上。
应理解，该芯片焊接散热器的方法200可以由一焊接设备执行。具体地，该焊接设备基于第一钢网在多个散热器的焊接面上制作锡膏层；以及该焊接设备将该多个散热器通过该锡膏层按压至多个芯片的背面金属镀层上，并进行回流焊接。
需要说明的是，上述基于第一钢网在多个散热器的焊接面上制作锡膏层，可以同时给多个散热器的焊接面刷锡膏，并且使得该多个散热器的焊接面上所制作的锡膏层具有平滑、均匀等特性，从而可以提升散热器的焊接质量。
进一步地，由于可以同时给多个散热器的焊接面刷锡膏，能够提高刷锡膏的效率，进而能够提高散热器在芯片表面的焊接效率。
可选地，该多个芯片中的芯片为ASIC芯片或者非专用集成电路芯片。
在本申请实施例中，该多个芯片中的芯片可以称之为计算处理器芯片或者算力芯片，例如，CPU芯片，GPU芯片等。
可选地，在本申请实施例中，该多个芯片固定于该电路板上，且该多个芯片串联供电于该电路板上。
可选地，该电路板可以称之为算力板。例如，该电路板为PCB板。
也就是说，在本申请实施例中，在一片PCB板(算力板)上往往会密集设置多颗结构完全相同的计算处理器芯片(算力芯片)，而且这些计算处理器芯片中，往往存在至少两个芯片是通过串联方式连接。
可选地，这一PCB板上还可以设置有其他的芯片或者一些其他器件，例如电容器，本申请实施例对此并不限定。
可选地，该芯片焊接散热器的方法200具体可以包括如下步骤1a-1f，应理解，步骤1a-1f为上述步骤S210和S220的细化。
1a，将该多个散热器作为一整体结构固定于一平台上；
1b，将该第一钢网固定于该多个散热器的焊接面上方，其中，该多个散热器的焊接面正对于该第一钢网的开窗；
1c，在该第一钢网的开窗区域刷锡膏，以在该多个散热器的焊接面上制作锡膏层；
1d，移除该第一钢网；
1e，将该多个散热器作为一个整体通过该锡膏层按压至该多个芯片的背面金属镀层上，得到待焊接组件；
1f，将该待焊接组件进行回流焊接。
需要说明的是，该多个散热器的焊接面正对于该第一钢网的开窗，从而可以通过该第一钢网的开窗准确将锡膏刷至该多个散热器的焊接面。
可选地，在本申请实施例中，该多个芯片可以具有相同的尺寸和/或结构，以及该多个芯片在该电路板上呈阵列式分布。
可选地，在该多个散热器固定为一整体结构的情况下，该多个散热器的分布方式由该多个芯片的分布方式决定。换句话说，该多个散热器的分布方式与该多个芯片的分布方式一致，以使该多个散热器整体通过该锡膏层按压至该多个芯片的背面金属镀层上。
例如，如图3所示，电路板上固定有18个呈阵列式分布的芯片(俯视图)，这18个芯片分别对应18个散热器，这18个散热器也呈阵列式分布(俯视图)，且这18个散热器的分布方式与18个芯片的分布方式一致，该18个散热器彼此连接为一个整体结构，以使该18个散热器整体通过该锡膏层按压至该18个芯片的背面金属镀层上。
又例如，如图4所示，电路板上固定有12个无序分布的芯片(俯视图)，这12个芯片分别对应12个散热器，且这12个散热器(俯视图)的分布方式与12个芯片的分布方式一致，该12个散热器彼此连接为一个整体结构，以使该12个散热器整体通过该锡膏层按压至该12个芯片的背面金属镀层上。
应理解，上述图3和图4仅仅只是示意，芯片与散热器的数量和分布方式并不对本申请构成限定。
可选地，该多个散热器可以通过以下方式中的至少一种固定为一整体结构：螺钉固定方式、卡扣固定方式、胶材贴合固定方式、钢网固定方式等。
需要说明的是，在该第一钢网固定于该多个散热器的焊接面上方之后，可以灵活解除这一固定，即在该第一钢网的开窗区域刷锡膏之后，可以灵活移除该第一钢网。
可选地，该芯片焊接散热器的方法200具体也可以包括如下步骤2a-2f，应理解，步骤2a-2f为上述步骤S210和S220的细化。
2a，将该多个散热器分别固定于一平台上，例如可以通过与芯片阵列方式相同的能容纳散热器的第二钢网将该多个散热器分别固定于一平台上；
2b，将该第一钢网固定于该多个散热器的焊接面上方，其中，该多个散热器的焊接面正对于该第一钢网的开窗；
2c，在该第一钢网的开窗区域刷锡膏，以在该多个散热器的焊接面上制作锡膏层；
2d，移除该第一钢网；
2e，将该多个散热器通过该锡膏层分别按压至该多个芯片的背面金属镀层上，得到待焊接组件；
2f，将该待焊接组件进行回流焊接。
需要说明的是，该多个散热器的焊接面正对于该第一钢网的开窗，从而可以通过该第一钢网的开窗准确将锡膏刷至该多个散热器的焊接面。
上述第二钢网的开窗方式与第一钢网的开窗方式可以相同，也可以不相同，本申请对此并不限定。
在上述步骤2a-2f中，可以将该多个散热器通过该锡膏层分别按压至该多个芯片的背面金属镀层上，从而可以确保每个散热器在芯片表面的焊接质量。
需要说明的是，上述步骤2a-2f与上述步骤1a-1f的区别在于，多个散热器分别固定于一平台，即多个散热器中每个散热器作为一个独立的个体固定于一平台上，以及将多个散热器中每个散热器通过其对应的锡膏层一个一个按压至多个芯片的背面金属镀层上。
可选地，在本申请实施例中，该多个芯片中的每个芯片的尺寸为8×8mm，每个芯片的厚度为0.6mm。
可选地，在本申请实施例中，该散热器在靠近其下表面处收缩形成有凸台结构，该凸台结构包括该散热器的焊接面。
例如，如图5所示，芯片20设置于电路板10的上表面，散热器30焊接于芯片20的背面金属镀层上。如图5所示，散热器30在靠近其下表面处收缩形成有凸台结构31。
需要说明的是，该凸台结构31可以方便在该散热器30上设置焊接面，例如，如图5所示，可以将焊接面设置在凸台结构31的下表面，从而将该散热器30焊接在该多个芯片20上。
可选地，为了提高散热效率，该散热器30还可以具有一些方便散热的设计，例如，如图5所示，该散热器30包括多个片状结构32，以增加该散热器30的散热面积。
可选地，为了方便散热器30的安装或者方便支撑散热器30上方的一些器件，如图6所示，该散热器30包括多个片状结构32，以增加该散热器30的散热面积，该散热器30还包括支架33以方便散热器30的安装或者方便支撑散热器30上方的一些器件。
可选地，在本申请实施例中，该散热器的焊接面的表面积小于或者等于该散热器对应的芯片的背面金属镀层的表面积。例如，如图5或者图6所示，该散热器30的焊接面的表面积等于该散热器30对应的芯片20的背面金属镀层的表面积。
需要说明的是，该散热器的焊接面的表面积小于或者等于该散热器对应的芯片的背面金属镀层的表面积，可以避免该散热器的设置对该散热器对应的芯片周围其他器件的影响。
可选地，在本申请实施例中，对于任意一个散热器而言，其锡膏层可以占该散热器的焊接面的部分或者全部区域。
具体地，可以通过对该第一钢网的开窗的控制或者设计使得该锡膏层可以占该散热器的焊接面的部分或者全部区域。
需要说明的是，在该锡膏层占该散热器的焊接面的全部区域的情况下，即该散热器的焊接面全部刷有锡膏层，在回流焊接之后，散热器的焊接面与芯片的背面金属镀层表面完全贴合，从而能够提高散热效率。在该锡膏层占该散热器的焊接面的部分区域的情况下，在保证该散热器焊接质量的同时，可以减少锡膏残余，从而降低焊接之后残余的锡膏对芯片造成负面影响。
可选地，在该锡膏层占该散热器的焊接面的部分区域的情况下，例如，该锡膏层可以占该散热器的焊接面的面积的40％～60％。
例如，该锡膏层占该散热器的焊接面的面积的43％。
可选地，在本申请实施例中，对于任意一个散热器而言，其锡膏层可以为一个完整的锡膏区域，或者，也可以包括相互分离的多个锡膏区域。
需要说明的是，该锡膏层包括相互分离的多个锡膏区域，有利于焊接时锡膏中的助焊剂在高温环境下的挥发，在保证该散热器焊接质量的同时，可以减少锡膏残余。
可选地，该多个锡膏区域中相邻锡膏区域之间的间隔小于第一阈值。
需要说明的是，该多个锡膏区域中相邻锡膏区域之间的间隔小于第一阈值，有利于焊接时锡膏中的助焊剂在高温环境下的挥发，减少焊接过程中所产生的气泡，提高焊接强度。
可选地，该多个锡膏区域中相邻锡膏区域之间的间隔范围为0.1mm～0.6mm。
例如，该多个锡膏区域中相邻锡膏区域之间的间隔为0.4mm。
可选地，该多个锡膏区域的面积可以相同或者不同，且该多个锡膏区域呈阵列式分布。
例如，该多个锡膏区域的形状可以包括正方形、长方形、以及菱形中的一种。
例如，如图7所示，该锡膏层包括6个长方形的锡膏区域，该6个锡膏区域的面积相同，且该6个锡膏区域呈阵列式分布。
又例如，如图8所示，该锡膏层包括13个菱形的锡膏区域，该13个锡膏区域的面积相同，且该13个锡膏区域呈阵列式分布。
可选地，该多个锡膏区域包括第一锡膏区域和第二锡膏区域，该第二锡膏区域包围该第一锡膏区域。
例如，该第一锡膏区域的形状为正方形、长方形、以及菱形中的一种，该第二锡膏区域的形状为回字形。
例如，如图9所示，第一锡膏区域A的形状为长方形，第二锡膏区域B的形状为回字形，且第二锡膏区域B包围第一锡膏区域A。
需要说明的是，在该第一锡膏区域的外部也可以有多个该第二锡膏区域。例如，如图10所示，第一锡膏区域A的形状为长方形，第二锡膏区域B和第三锡膏区域C的形状为回字形，且第二锡膏区域B包围第一锡膏区域A，第三锡膏区域C包围第二锡膏区域B。
可选地，在本申请实施例中，该第一钢网包括相互分离的多个开窗。
在本申请实施例中，该第一钢网的多个开窗与该多个散热器的焊接面的对应关系可以包括以下方式中的一种或者多种。
方式一，该第一钢网的多个开窗与该多个散热器的焊接面一一对应。
方式二，该第一钢网的多个开窗与该多个散热器的焊接面满足多对一的对应关系。
需要说明的是，基于上述方式一，该散热器的焊接面上所形成的锡膏层为一整体；基于上述方式二，该散热器的焊接面上所形成的锡膏层可以包括相互分离的多个锡膏区域。
可选地，该多个开窗中相邻开窗之间的间隔小于第二阈值。
可选地，该多个开窗中相邻开窗之间的间隔范围为0.1mm～0.6mm。
例如，该多个开窗中相邻开窗之间的间隔为0.4mm。
可选地，该多个开窗的面积可以相同或者不同，且该多个开窗呈阵列式分布。
可选地，该多个开窗的开窗数量范围为4～16。
例如，该多个开窗的开窗数量范围为6。
可选地，该多个开窗的形状包括正方形、长方形、以及菱形中的至少一种。
需要说明的是，在该多个开窗的面积相同且该多个开窗呈阵列式分布的情况下，该多个开窗的设置可以参考上述图7或图8中的多个锡膏区域的设置，为了简洁，在此不再赘述。
可选地，该多个开窗包括第一开窗和第二开窗，该第二开窗包围该第一开窗。
可选地，该第一开窗的形状为正方形、长方形、以及菱形中的一种，该第二开窗的形状为回字形。
需要说明的是，在该多个开窗包括第一开窗和第二开窗，且该第二开窗包围该第一开窗的情况下，该多个开窗的设置可以参考上述图9中的多个锡膏区域的设置，为了简洁，在此不再赘述。
需要说明的是，在该第一开窗的外部也可以有多个该第二开窗。具体可以参考上述图10中的多个锡膏区域的设置，为了简洁，在此不再赘述。
可选地，在本申请实施例中，该第一钢网的厚度范围为0.08mm～0.16mm。
例如，该第一钢网的厚度为0.12mm。
本申请实施例所采用的锡膏可以是常规的锡膏，也可以是无铅锡膏。
本申请实施例所述的散热器也可以是一些其他的部件，例如支撑件，这些部件与芯片的之间的焊接方式可以参考上述芯片焊接散热器的方法200，为了简洁，在此不再赘述。
需要说明的是，在本申请实施例中，上述步骤S220中的回流焊接可以是在真空环境下采用热回流方式在焊接炉中进行的。
在本申请实施例中，在执行完步骤S220之后，还可以执行诸如清洗、塑封等步骤，本申请对此并不限定。
本申请实施例还提供了一种PCB板组件300，如图11所示，该PCB板组件300包括多个散热器30、多个芯片20和PCB板10，该多个散热器30与该多个芯片20一一对应，该多个芯片20串联供电于一电路板10上；其中，该多个散热器30通过上述芯片焊接散热器的方法200分别焊接在该多个芯片20上，该PCB板组件300的具体可以如图12所示。
需要说明的是，上述图12为该PCB板组件300的一主视图，且图12仅仅为该PCB板组件300的一示意图，并未对散热器30和芯片20的数量构成限定。
可选地，该多个芯片20具有相同的尺寸和/或结构，以及该多个芯片20在该电路板10上呈阵列式分布。
可选地，该多个芯片20中的芯片为专用集成电路芯片或者非专用集成电路芯片。
应理解，本申请实施例中的具体的例子只是为了帮助本领域技术人员更好地理解本申请实施例，而非限制本申请实施例的范围。
应理解，在本申请实施例和所附权利要求书中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请实施例。例如，在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“上述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。
本领域普通技术人员可以意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本申请的范围。
本领域普通技术人员可以意识到，以上结合附图详细描述了本申请的优选实施方式，但是，本申请并不限于上述实施方式中的具体细节，在本申请的技术构思范围内，可以对本申请的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本申请的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本申请对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，本申请的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本申请的思想，其同样应当视为本申请所申请的内容。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。