具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。

实施例一

如图1所示，一种GOA面板静电损坏的分析方法，包括如下步骤：

步骤100：驱动点亮待检GOA面板。

在该步骤100中，将待检GOA面板放置于一背光源上，然后点亮所述背光源，接着驱动待检GOA面板上的所有子像素打开，使待检GOA面板显示一白色画面。

步骤200：根据待检GOA面板上显示不良的情况，确定是否为外围区域上的栅驱动电路发生损坏，若是则进行步骤300。

在该步骤200中，若是栅驱动电路中的某一驱动单元损坏的话，则连接至与该损坏驱动单元对应的Gate线上的所有子像素都无法打开或打开不良，对应的，待检GOA面板上会出现黑色横线、局部偏暗或局部色偏等情况。

具体的，根据待检GOA面板上显示不良的情况，确定是否为外围区域上的栅驱动电路发生损坏的步骤如下：

步骤201：根据待检GOA面板的宏观显示情况，确定显示不良区域。

在该步骤201中，上述提到的待检GOA面板上会出现黑色横线、局部偏暗或局部色偏等情况则为栅驱动电路发生损坏时的宏观显示情况，这些情况一般出现在待检GOA面板某一行上或由多行组成的的局部区域上，比如待检GOA面板的下侧出现横向覆盖的黑色横线、偏暗区域或色偏区域等，而待检GOA面板的上侧则显示正常。

步骤202：放大观察显示不良区域的微观显示情况，确定显示不良子像素。

在该步骤202中，通过光学显微镜放大观察待检GOA面板上显示不良区域中的子像素。

步骤203：根据显示不良子像素的情况，确定是否为外围区域上的栅驱动电路发生损坏。

待检GOA线板的栅驱动电路是由多个栅驱动单元组成的，每个栅驱动单元通过一条或多条Gate线连接驱动一行或多行子像素开关。在该步骤203中，若同一条Gate线上的所有子像素均显示不良，则可确定为外围区域上的栅驱动电路发生损坏，否则，则可排除初步栅驱动电路损坏的可能性，并通过其他方式进一步验证发生损坏的是栅驱动电路还是其他地方的电路。

步骤300：根据待检GOA面板上显示不良的位置，确定外围区域上的栅驱动电路损坏的大致区域。

在该步骤300中，由于栅驱动电路一般位于待检GOA面板外围区域的左右两侧上，栅驱动电路损坏的大致区域与待检GOA面板上显示不良的位置横向对应。

当然，若栅驱动电路不是位于待检GOA面板外围区域的左右两侧上的话，比如设置于外围区域的下侧上，然后通过引线延伸至外围区域的左右两侧上，则可通过连接的引线来找到损坏的大致区域。

步骤400：放大观察栅驱动电路损坏的大致区域，以确定栅驱动电路损坏的准确位置。

在该步骤400中，通过光学显微镜和FIB设备（聚焦离子束显微镜）相结合来放大观察栅驱动电路损坏的大致区域。由于在上述步骤300中先确定了栅驱动电路损坏的大致区域，此时大大缩小了光学显微镜和FIB设备所需观察的栅驱动电路的范围，无需对整个外围区域上的栅驱动电路进行观察，极大地提高了效率。

具体的，栅驱动电路损坏的准确位置包括损坏点和损坏膜层，其中放大观察栅驱动电路损坏的大致区域，以确定栅驱动电路损坏的准确位置的具体步骤如下：

步骤401：放大观察栅驱动电路损坏的大致区域，以确定栅驱动电路的损坏点。

在该步骤401中，通过光学显微镜来放大观察栅驱动电路损坏的大致区域，以找到栅驱动电路的损坏点。在分析过程中，发明人发现大部分损坏点均位于栅驱动电路中用于连接上下电路膜层的导通孔。

步骤402：继续放大观察栅驱动电路的损坏点，并逐层剥离观察损坏点的功能膜层，以确定栅驱动电路的损坏膜层。

在该步骤402中，通过FIB设备来继续放大观察栅驱动电路的损坏点，与光学显微镜不同，FIB设备的放大倍数更大，可清楚地看到各功能膜层的表面结构，以确定各功能膜层是否损坏，而且FIB设备具有离子束扫描功能和离子束剥离功能，离子束扫描功能可对各功能膜层的表面结构进行三维成像，离子束剥离功能可对各功能膜层进行剥离。在分析过程中，发明人发现大部分损坏膜层均为导通孔中的ITO层。

步骤403：对栅驱动电路的损坏膜层进行切片，以确定栅驱动电路的损坏原因是否为静电损伤。

在该步骤403中，通过对损坏膜层进行切片可以清楚看到损坏膜层的内部及上下表面。损坏膜层如果是被静电击穿的话，其上下表面都有一定程度的损伤，有时内部也会有损伤，严重的话会因膜层局部被击穿而出现膜层局部缺失的情况，如果是普通划伤的话，一般仅上表面有损坏。

该分析方法通过先确定栅驱动电路损坏的大致区域，再在大致区域中观察确定栅驱动电路损坏的准确位置，大大缩小了所需观察的栅驱动电路的范围，无需对整个外围区域上的栅驱动电路进行观察，极大地提高了效率。

实施例二

如图2所示，一种GOA面板的改善结构，包括大板面板，所述大板面板包括多个面板区域11以及设置于相邻面板区域11之间废料区域12，每个面板区域11对应于一个GOA面板并制作有栅驱动电路110；所述废料区上设置有至少一条静电引导线120，每条静电引导线120均与至少两个面板区域11中的栅驱动电路110相连接。

该改善结构通过增设静电引导线120来连接各个面板区域11中的栅驱动电路110，当某一栅驱动电路110在GOA面板的制程中产生静电时，该栅驱动电路110可通过所述静电引导线120将静电分流至其他栅驱动电路110上，以与其他栅驱动电路110平摊静电，增强抗静电能力。

所述静电引导线120为ITO线，与所述栅驱动电路110中导通孔内的ITO层同步制作，且与所述ITO层连接。

多个面板区域11呈N行M列阵列分布，其中N、M均为正整数且N大于M。

实施例三

如图3所示，一种GOA面板的改善方法，包括如下步骤：

步骤一：制作实施例二中所述的GOA面板的改善结构；

步骤二：对所述大板面板进行切割，将各个面板区域11与所述废料区域12剥离，以形成GOA面板。

在剥离之后，所述静电引导线120留在所述废料区域12上，各个GOA面板中的栅驱动电路110间不再互相连接。

以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。