阅读说明：本技术 封装工艺 (Packaging process ) 是由 张超 王颖 章其芬 于 2018-06-27 设计创作，主要内容包括：本申请提供一种封装工艺。包括封装芯片获得塑封件；对塑封件进行加热处理；检测加热处理后的所述塑封件,得到未破损的塑封件。本申请中的塑封件可以通过进行加热处理,使得存在破裂风险的塑封件提前暴露,便于生产厂商淘汰掉不符合要求的塑封件,可以降低电子厂商端在焊接电子元件时芯片的破裂风险、破裂概率。(The application provides a packaging process. Packaging a chip to obtain a plastic package; heating the plastic package; and detecting the plastic package after the heating treatment to obtain an unbroken plastic package. The plastic package spare in this application can be through carrying out heat treatment for the plastic package spare that has the risk of breaking exposes in advance, and the producer of being convenient for eliminates the plastic package spare that is not conform to the requirement, can reduce the risk of breaking, the probability of breaking of electron producer end chip when welding electronic component.)

封装工艺

技术领域

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种封装工艺。

背景技术

当前，电子厂商通常都需要向生产厂商采购驱动芯片组件，然后再采购的驱动芯片组件上焊接电子设备所需的电子元器件。

其中，电子厂商端在焊接电子元器件时通常会采用波峰焊工艺，驱动芯片组件上的焊接面直接与高温液态锡接触，而由于组成驱动芯片组件的各种材料热膨胀系数之间的差异，导致驱动芯片组件的内部应力增加，从而出现驱动芯片组件破损或者断裂，影响生产流程，降低生产效率。

发明内容

本申请提供一种封装工艺，以解决相关技术中的不足。

根据本申请的实施例，提供一种封装工艺，包括：

封装芯片获得塑封件；

对塑封件进行加热处理；

检测加热处理后的所述塑封件，得到未破损的塑封件。

可选的，所述对塑封件进行加热处理，包括：

采用回流焊设备对塑封件进行加热处理。

可选的，所述对塑封件进行加热处理，包括：

自第一温区升温至第二温区对所述塑封件进行加热；

自第二温区降温至第三温区对所述塑封件进行冷却。

可选的，自所述第一温区升温至所述第二温区的上升率、不大于所述第二温区降温至所述第三温区的下降率。

可选的，所述第二温区的温度值不低于240℃、且不高于250℃。

可选的，所述第二温区内的峰值温度为247℃。

可选的，所述第二温区的峰值温度保持时长不小于50秒、且不大于60秒。

可选的，自所述第一温区升温至所述第二温区中峰值温度的时长不超过八分钟。

可选的，所述封装芯片获得塑封件，包括：

连接所述芯片与引线框架；

塑封连接后的所述芯片与所述引线框架进行，获得所述塑封件；

固化所述塑封件。

可选的，针对芯片未破损的塑封件，所述封装工艺还包括：

去除所述塑封件上的毛刺；

对所述塑封件进行电镀；

对所述塑封件进行切筋打弯。

本申请的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：

由上述实施例可知，本申请中的塑封件可以通过进行加热处理，使得存在破裂风险的塑封件提前暴露，便于生产厂商淘汰掉不符合要求的塑封件，可以降低电子厂商端在焊接电子元件时芯片的破裂风险、破裂概率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。

图1是根据一示例性实施例示出的一种封装工艺的流程图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

在本申请使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。

应当理解，尽管在本申请可能采用术语第一、第二、第三等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本申请范围的情况下，第一信息也可以被称为第二信息，类似地，第二信息也可以被称为第一信息。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在……时”或“当……时”或“响应于确定”。

当前，各大电子厂商通常需要向其他生产厂商采购驱动芯片组件，其可以在采购的驱动芯片组件上焊接电子设备所需的其他电子元器件。但是，在相关技术中，通常会采用波峰焊工艺焊接电子元器件，驱动芯片组件的焊接面直接与高温液态锡接触，由于受热使得内部分子活动加速，分子间作用力增加，驱动芯片组件的内应力相应增加，而当驱动芯片组件自身强度不够时，可能出现破损或者断缝，影响生产流程，降低生产效率。因此，本申请旨在提供一种封装工艺，以提高生产厂商端流出的驱动芯片组件的强度，降低电子厂商端使用驱动芯片组件时的破损风险和破损概率。

图1是根据一示例性实施例示出的一种封装工艺的流程图。如图1所示，该封装工艺可以包括以下步骤：

在步骤101中，封装芯片获得塑封件。

在本实施例中，可以先通过顶针将芯片从装载片上顶出，然后通过吸嘴将芯片放置于引线框架上。其中，该装载片可以包括蓝膜，本申请并不对此进行限制。引线框架上可以涂覆有胶粘剂，使得芯片能够与引线框架相对固定，该胶粘剂可以包括环氧树脂等。

在芯片与引线框架粘贴后，可以针对芯片和引线框架进行键合连接，例如，可以通过金线连接芯片与引线框架上的引脚。键合完成后，可以针对连接完成的芯片与引线框架进行塑封，得到塑封件。

其中，该塑封过程可以是将处于熔融状态的绝缘材料包裹芯片和引线框架，并在绝缘材料成型后得到塑封件。在塑封之后，可以进一步针对塑封件进行固化，以使得绝缘材料的分子之间充分键合、交联，从而提高塑封件的稳定性和耐磨性。其中，该固化工艺可以是将塑封件放置于烘烤箱中进行烘烤，烘烤温度可以为175℃、烘烤时长可以为6小时。当然，在其他一些实施例中，也可以是将塑封件放置于自然条件下进行晾干，本申请并不对此进行限制。

在步骤102中，对塑封件进行加热处理。

在本实施例中，可以将塑封件置于任一加热设备中进行加热，在加热过程中，塑封件内部各种材料分子的运动加剧，塑封件内部应力随之增加。由此，对于已经存在破损风险、或者强度不够的塑封件，可能会提前破损、或者出现断缝，从而工作人员可以通过检测以淘汰破损的塑封件，提高后续封装结构在进行波峰焊时的良品率。

其中，针对塑封件的加热处理可以包括自第一温区升温至第二温区的加热过程、和第二温区降温至第三温区的冷却过程，其中，第二温区的温度值不低于240℃、且不高于250℃，在第二温区内，塑封件所包括的材料，例如铜、硅和树脂的分子之间能够相互作用，使得塑封件的内应力增大，使得强度不够的塑封件提前破损。

第二温区的峰值温度可以为247℃，或者247℃±2℃，并且，在加热过程中，峰值温度的保持时长不小于50秒、且不大于60秒的时长，以使得塑封件内的分子间充分运动，尽可能使得存在破损风险的塑封件提前破损。该峰值温度的持续时长还可以是57秒、55秒、56秒等，本申请并不对此进行限制。

进一步地，第一温区升温至第二温区的上升率、小于第二温区下降至第三温区的下降率，使得塑封件在被充分预热后进行第二温区，避免塑封件突然进入高温区，导致在波峰焊时并不会出现损坏的芯片被损坏，提高生产成本。

其中，第一温区至第二温区的上升率不大于3℃/秒，例如，可以是1.7℃/秒，或者1.8℃/秒，或者2℃/秒等，本申请并不对此进行限制。第二温区至第三温区的下降率不大于6℃/秒，例如，可以是2.7℃/秒、3℃/秒或者3.5C/秒等，本申请并不对此进行限制。而且，由第一温区升温至第二温区中峰值温度的时长不超过八分钟，例如，可以是八分钟、七分钟、六分半钟等，本申请并不对此进行限制。

在上述各个实施例中，可以采用回流焊设备对塑封件进行加热处理，该回流焊设备可以包括传送带，塑封件可以被置于传送带上，随着传送带的运输，塑封件在回流焊设备内可以依次经历第一温区、第二温区和第三温区。通常而言，回流焊设备对应的回流焊温度曲线可以包括预热区、加热区、回流区和冷却区。其中，回流区对应的温度高于与预热区、加热区以及冷却区的温度，且回流区对应的温度包括回流焊温度曲线的峰值温度。

当采用回流焊设备对本申请中的塑封件进行加热时，第一温区可以对应为回流焊温度曲线的预热区和加热区、第二温区可以对应为回流焊温度曲线的回流区、第三温度曲线可以对应为回流焊温度曲线的冷却区。其中，回流焊设备可以包括五温区回流焊设备、八温区回流焊设备和十二温区回流焊设备中的一种，本申请并对此进行限制。换言之，只要能够使得本申请中的塑封件经历低温-高温-低温的加热过程，无论采用多少温区的回流焊设备均在本申请的保护范围之列。

关于采用回流焊设备针对塑封件进行加热的技术方案，本申请对不同的回流焊温度、以及无加热处理情况下得到的封装结构进行波峰焊，得到了不同情况下进行波峰焊时的破损率如表1所示：

表1

如表1所示，未对塑封件进行加热处理时，所得到的芯片结构在进行波峰焊时的破损率最高，当回流焊温度(即第二温区的温度)在240℃以上且不超过250℃时，波峰焊的破损率最低，几乎可以达到0破损率。由此可以说明，对塑封件进行加热，使得存在破损风险的塑封件提前被淘汰，可以降低波峰焊时的破损率；而且，加热过程中第二温区温度位于240℃至250℃之间时，波峰焊焊损率最低。

在步骤103中，检测加热处理后的塑封件，得到未破损的塑封件。

在本实施例中，在塑封件被加热后，可以将未发生破损，或者也没有出现瑕疵、裂缝的塑封件，流入后续的封装工艺流程。具体而言，塑封件未破损可以是指塑封件内的芯片未发生碎裂、塑封件内部的电路未翘起、塑封件表面不存在断缝、瑕疵等情况。

在上述各个实施例中，还可以在塑封件上进行印刷，以标注芯片型号、生产厂商等相关信息；还可以去除塑封件在工艺过程中遗留的毛刺，提高塑封件的美观性，避免毛刺刮擦用户或者包装用品。在去除塑封件的毛刺之后，可以塑封件进行表面处理，例如进行电镀，可以提高预设封装结构的耐腐蚀性。在电镀完成之后，可以对塑封件进行切筋和打弯，以适应于客户需求。

具体而言，塑封件通常可以包括多个芯片，通过切筋工艺将该多个芯片以及各个芯片所对应的引线框架以及封装部分进行分离，然后根据目标封装结构对引脚形状的要求，可以折弯每一芯片所对应的引脚，以得到目标封装结构。

在上述各个实施例中，针对塑封件进行加热处理的工艺流程可以是在对塑封件进行固化之后进行，从而后续打印、电镀、去毛刺和切筋打弯工艺可以针对未破损的塑封件进行，节约工时、避免材料浪费；或者，在其他一些实施例中，也可以是在打印、电镀、去毛刺和切筋打弯中任意一种工艺完成之后进行，本申请并不对此进行限制。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本申请的其它实施方案。本申请旨在涵盖本申请的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本申请的一般性原理并包括本申请未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本申请的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本申请并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本申请的范围仅由所附的权利要求来限制。