阅读说明：本技术 分布式光电接收机 (Distributed photoelectric receiver ) 是由 J·夏尔马 G·巴拉穆鲁甘 H·李 M·N·萨基卜 H·荣 于 2019-04-29 设计创作，主要内容包括：本文的实施例可以涉及光电接收机,其包括：与光源耦合的光子集成电路(PIC)。PIC中的各个PIC区段可包括光电二极管和结电容器。光电接收机还可以包括与PIC耦合的电子集成电路(EIC)。EIC中的各个EIC区段通信地耦合到PIC区段中的各个区段。说明和/或要求保护了其他实施例。(Embodiments herein may relate to a photoelectric receiver, comprising: a Photonic Integrated Circuit (PIC) coupled to the light source. Each PIC segment in the PIC may include a photodiode and a junction capacitor. The opto-electronic receiver may also include an Electronic Integrated Circuit (EIC) coupled to the PIC. Each EIC zone in the EIC is communicatively coupled to each zone in the PIC zone. Other embodiments are described and/or claimed.)

分布式光电接收机

技术领域

本公开的实施例总体上涉及光电接收机领域。

背景技术

基于硅(Si)波导的光电二极管(PD)可以是用于诸如数据中心互连的应用的高速光收发机产品中的可行的低成本解决方案。此外，Si PD在目前使用基于III-V或锗(Ge)的光电二极管解决方案的极高速光通信链路中提供了与低成本的基于硅的电子器件更容易的集成。

然而，对于给定的p-n结长度，Si PD可以表现出比Ge对应物更低的响应度。为了补偿这种较低的响应度，可以使Si PD更长，但伴随的结电容(其可能比Ge PD大8倍以实现相同的响应度)可能在高数据速率链路中成为瓶颈。具体而言，这种较高的光电二极管电容可能降低光接收机的灵敏度，因为光接收机灵敏度可以是光电二极管电容的函数，这一点上光电二极管电容越高，光接收机灵敏度越低。

具体实施方式

在以下具体实施方式中，参考形成其一部分的附图，其中相似的附图标记在通篇中标明相似的部分，并且其中通过例示的方式示出了可以实践本公开的主题的实施例。应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下，可以利用其他实施例并且可以进行结构或逻辑上的改变。因此，以下具体实施方式不应被视为限制性意义的，并且实施例的范围由所附权利要求及其等同体来限定。

出于本公开的目的，短语“A或B”表示(A)、(B)或(A和B)。出于本公开的目的，短语“A、B或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)或(A、B和C)。

本说明可以使用基于透视的说明，例如顶/底、进/出、上/下等。这种说明仅仅用于便于论述，并非旨在将本文所述实施例的应用限定到任何特定取向。

说明可以使用短语“在一实施例中”或“在实施例中”，其可以各自指代一个或多个相同或不同实施例。而且，如相关于本公开的实施例所使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等是同义词。

本文可以使用术语“与……耦合”连同其派生词。“耦合的”可以表示以下的一个或多个。“耦合的”可以表示两个或多个元件直接物理或电接触。然而，“耦合的”也可以表示两个或多个元件彼此间接接触，但仍彼此协作或相互作用，并且可以表示一个或多个其他元件耦合或连接在表述为彼此耦合在一起的元件之间。术语“直接耦合的”可以表示两个或多个元件直接接触。

在各种实施例中，短语“形成、沉积或以其他方式设置在第二特征部上的第一特征部”可以表示在特征层上方形成、沉积或设置第一特征部，并且至少一部分第一特征部可以与至少一部分第二特征部直接接触(例如直接物理和/或电接触)或者间接接触(例如，在第一特征部与第二特征部之间具有一个或多个其他特征部)。

可以以最有助于理解所要求保护的主题的方式将多个操作说明为依次的多个分离操作。然而，说明的顺序不应解释为暗示这些操作必定是顺序相关的。

本文使用的术语“模块”可以指代或包括专用集成电路(ASIC)、电子电路、执行一个或多个软件或固件程序的处理器(共享的、专用的或分组的)和/或存储器(共享的、专用的或分组的)、组合逻辑电路、和/或提供所述功能的其他适合的部件，或者是以上部件的部分。

传统的光电接收机可以包括具有标准行波拓扑结构的46千兆赫(GHz)分布式跨阻抗放大器(TIA)。集总式混合光电二极管可以在输入传输线的一端注入电流，输入传输线在另一端以其特征阻抗来端接。增益单元可以沿输入线分接电压并产生比例电流，该电流馈入输出传输线，该输出传输线与输入线延迟匹配。输出传输线也可以在两端以其特征阻抗端接。

然而，传统光电接收机的功效可能受到限制，因为它们试图利用集总光电二极管实施方式来改善接收机性能。具体地，如上所述，一些传统光电接收机可以将分布式方法用于跨阻抗放大器(TIA)。其他传统光电接收机可以使用通用放大器进行宽带光通信。然而，这些拓扑结构可能无法充分解决大PD电容的影响，其可能衰减输入带宽并使来自分布随后阶段或单独将其他通用宽带方法用于放大器的带宽的任何优势无效。这种衰减和无效可能使得Si PD不适用于光学链路的低成本集成解决方案。

本文的实施例可以跨光电接收机的电子和光子域这两者来扩展分布式架构方法。具体地，Si PD可以被划分或分布成多个较小的区段，其中每一个可以在分布式TIA实施方式中驱动对应的增益单元。本文的实施例可提供两个益处。首先，实施例可以通过将总PD电容分成较小的值来减轻大结电容的影响，这可以不衰减相对应的电子增益单元的输入带宽。其次，实施例可以实现各个增益单元的响应与它们各自的PD部分的真正宽带组合。换言之，本文的实施例可以使行波放大器拓扑结构能够比传统技术频带更宽，传统技术可能将分布仅限于电气域，或者可能根本不使用分布。具体而言，本文的实施例可以通过改善光电接收机中的大硅光电二极管电容的带宽和群组延迟影响来相当大地改善接收机灵敏度。

图1示出了根据各种实施例的可以使用具有分布式电子和光子域的光电接收机的示例性系统的高级图。电子和光子域由图1中的横向虚线135指示。光电接收机100可以包括光子域中的光子集成电路(PIC)110。在一些实施例中，PIC也可以称为分布式PD。PIC 110可以与光源105耦合，光源105可以是激光器、发光二极管(LED)、激光器或LED阵列，或某个其他类型的光源。在其他实施例中，光源105可以是光纤，例如硅光纤或单模光纤(SMF)，其传输来自诸如另一光电芯片的另一光源的光。由图1中的虚线表示的光125可以离开光源105并进入PIC 110。尽管光源105和PIC 110在图1中示出为物理上分开，但在其他实施例中，光源105与PIC 110可以彼此直接相邻或彼此物理耦合。在一些实施例中，可以存在位于光源105和PIC 110之间的一个或多个附加元件或电子部件。

光电接收机100还可以包括电子域中的电子集成电路(EIC)115。在一些实施例中，EIC也可以称为分布式TIA。电输出120可以与EIC 115耦合(如图1所示)，而在其他实施例中，电输出120可以是EIC 115的一部分。具体而言，在实施例中，电输出120可以是片上或片外电终端。另外或可替换地，电输出120可以包括后续的片上或片外电子级。在一些实施例中，一个或多个附加元件或电子部件可以位于电输出120和EIC 115之间。

另外，光电接收机100可以包括与EIC 115耦合的电输入140。类似于电输出120，电输入140可以是片上或片外电终端。另外或可替换地，电输入140可以包括片上或片外电子级。电输入140可以在改变电波在区段238-238N中的反射或吸收方面有助于终端222。

在实施例中，EIC 115和PIC 110可以经由多条增益线130彼此连接。具体地，PIC110可以包括串联耦合到光源105的多个PIC区段。每个PIC区段可以包括PD和结电容器。类似地，EIC 115可以包括彼此串联耦合的多个EIC区段。每个PIC区段可以经由增益线130与EIC区段耦合。图1示出了4条增益线130，然而在其他实施例中，光电接收机100可以具有比图1中示出的更多或更少的增益线130。相关于图2更详细地解释了EIC区段和PIC区段。

通常，在操作中，可以在光电接收机100处由PIC 110从光源105接收光。每个PIC区段的PD可以与光125相互作用以产生电流。来自每个PIC区段的电流可以经由增益线130从PIC 110的PIC区段传输到EIC 115的EIC区段。然后，每个EIC区段的输出电流可以在电输出120处输出之前求和。电输出120可以与例如能够从输出电流或电压提取数据的处理器通信地耦合或者是处理器的一部分。以这种方式，借助经由光源105进入光电接收机100的光传送的数据可以由光电接收机100提取并且经由电输出120作为电子信号传送。

值得注意的是，诸如光电接收机100的光电接收机的响应度可随PD长度而增加。但是，提供足够响应度所需的PD长度会导致较大的容性负载。换言之，可能必须有相对大的结电容器来适应具有提供足够响应度所需的长度的PD。然而，如上所述，相对大的结电容器可能衰减输入带宽并对光电接收机100的性能产生不利影响。然而，通过在110中的多个PIC区段之间分布PD结电容，本文的实施例可以通过减小每个PIC区段所经受的电容，从而增加PIC 110的输入带宽，并因此增加光电接收机100的总带宽来实现各种优点。这可以减轻增大的结电容对光电接收机100的灵敏度的影响。

图2示出了根据各种实施例的图1的示例性光电接收机100的示例性电路图。光电接收机100可以包括PIC 110和EIC 115，如上面相关于图1所述。EIC可以与电输出120耦合，或者可以包括电输出120。类似地，PIC可以与光源105耦合或包括光源105，光源105被配置为通过PIC引入光125。

出于说明图2的目的，将注意到该图可以包括重复的区段，例如多个PIC区段202和202N，或多个EIC区段238和238N。通常，在EIC区段238N之一和PIC区段202N之一周围绘制虚线以示出在一些实施例中可以视为在这些区段内的元件。然而，在一些实施例中，各个区段可以具有附加元件，或者某些元件(例如PIC区段202和202N中的地212)可以被组合或在区段之外。例如，在一些实施例中，PIC 110或PIC区段202/202N中的一个或多个可以具有附加的PD寄生元件，例如二极管电阻器、接触电阻器等。另外，为了清楚起见，区段202的元件可以列举并给出标注，但是对于PIC区段202N，可以不再重复这些数字和标注。除非明确指出，否则可以假设例如PIC区段202的结电容器206或PD 208的描述可以另外应用于PIC区段202N的结电容器和PD。类似地，除非明确指出，否则关于EIC区段238给出的元件的描述可以应用于EIC区段238N的元件。还将理解，关于EIC区段238/238N描述的元件旨在作为示例，并且在其他实施例中，EIC区段中的一个或多个可以具有附加或替代元件。

PIC区段202和202N可以包括与结电容器206并联的PD208。结电容器206和PD208两者都可以与地212耦合。在一些实施例中，结电容器206可以具有约50毫微微法(fF)至约200fF的电容。具体而言，在一些实施例中，结电容器206可以具有约100fF的电容。在一些实施例中，每个PIC区段202-202N的结电容器206的电容可以彼此相同或大致相同。在其他实施例中，每个PIC区段202-202N的结电容器206的电容可以彼此不同。

通常，PIC 110可以具有N个区段。在图2中，N等于2，然而其他实施例可以具有2到8个区段，但在其他实施例中，PIC 110可以具有多于8个区段。在一些实施例中，可能需要PIC110具有介于约100fF和约1.6皮法(pF)之间的总结电容。于是例如，区段N的数量可以基于结电容器206的电容值和PIC 110的期望的总结电容。换言之，区段的数量可以基于为了达到PIC 110的期望的总结电容而必须有多少个结电容器206。

在实施例中，当光125穿过PIC区段202-202N时，PD 208可以与光125相互作用，并且在214处产生电流。然后可以在多个光子焊盘216处接收214处的电流，多个光子焊盘216分别与PIC区段202-202N通信地耦合，如图2所示。在一些实施例中，由PD 208产生并在光子焊盘216处接收的电流可以与在另一光子焊盘216处接收的电流相同。然而在其他实施例中，在第k个光子焊盘(其中k是1和N之间的数值)处接收的电流可以通过因子A_k缩放，因为光125的光功率沿着PIC 110的长度衰减。

应当理解，在一些实施例中，光子焊盘216可以不在物理上彼此分离，而是两个或多个焊盘可以彼此物理耦合但是可通信上彼此分离，例如通过介电材料。在一些实施例中，单个光子焊盘216可以与多个PIC区段202-202N耦合。如本文所用，光子焊盘可以指光子域中的焊盘。光子焊盘216可以包括铜、金、其合金或某个其他导电材料。

EIC 115还可以包括一个或多个电焊盘236。如本文所使用的，电焊盘236可以指电子域中的焊盘。类似于光子焊盘216，电焊盘236可以包括铜、金、其合金或某个其他导电材料。电焊盘236中的相应电焊盘可以与EIC区段238-238N通信地耦合。类似于光子焊盘216，在一些实施例中，单个电焊盘236可以与多个EIC区段238-238N耦合。在一些实施例中，两个或多个电焊盘可以不在物理上彼此分离，而是两个或多个焊盘可以彼此物理耦合，但是可通信上彼此分离，例如通过介电材料。在一些实施例中，光子焊盘216和电焊盘236可以彼此引线键合，或者焊盘中的一个可以以倒装芯片配置与另一个耦合。可替换地，在单片硅光子学工艺中，两个焊盘之间的连接可以在管芯上。在使用单片硅光子工艺的一些实施例中，可以没有焊盘，而是可以通过EIC 115和PIC 110之间的直接通信耦合来替换焊盘。

在实施例中，EIC可以包括放置在电焊盘236和EIC区段238-238N中的每个之间的放大器234。每个放大器234可以具有相同的增益，而在其他实施例中，每个放大器可以具有不同的增益。在一些实施例中，放大器234可以与EIC 115中的增益G_k成线性关系。具体地，增益G_k可以是第k个放大器的增益。在实施例中，增益G_k可以在EIC 115的区段之间变化，以适应跨越各个区段的电流的变化幅度。通常，光子焊盘216、电焊盘236和放大器234可以对应于图1的增益线130。

通常，放大器234可以被认为是通用放大器。放大器234可以例如包括可以克服传统行波分布式放大器难题的各种晶体管或无源器件网络。这些难题可能包括例如放大器234中的较高增益和带宽、或EIC区段238-238N中的损耗。

如上所述，EIC 115于是可以包括多个EIC区段238-238N。在实施例中，EIC区段的数量N可以是等同于PIC区段的数量N。然而，在其他实施例中，EIC 115可以包括比PIC区段更多或更少的EIC区段。

EIC区段238-238N中的各个区段可以包括可调电终端228，其在一侧耦合到放大器234的输出，并且在另一侧耦合到地226。EIC区段238-238N还可以包括电延迟区段232，其将在下面被进一步详细讨论。电延迟区段238中的各个区段中的延迟可以是约1.3和约1.5皮秒(ps)之间的量级。可调元件228可以用于调谐电延迟区段232的电特性。电特性可以包括但不限于传播延迟和特征阻抗。电气元件228可以是但不限于放大器234的输出负载、电容器、电容旁路电感器、或可调有源和无源电气部件的组合。电气元件228可以是值约为15-30fF的电容器，并且可以用于使EIC区段238中的传播延迟与PIC区段202匹配。

EIC 115还可以包括耦合到地224的电终端222。电终端222可以通过修改电终端222或电输入140处的波反射和吸收来控制EIC区段238-238N中的行波的特性。EIC 115还可以包括耦合到地244的电终端242。电终端242可以通过独立于或结合电终端222修改电终端242处的波反射和吸收，来控制EIC区段238-238N中的行波的特性。电终端222和242可以是但不限于与电气区段238-238N的特征阻抗匹配的电阻器，其可以接收由放大器234放大的光电二极管电流的相长组合。

在实施例中，PIC 110可以包括多个光子延迟区段218-218N。如图2所示，在一些实施例中，光子延迟区段218-218N可以被认为与PIC区段202-202N分离。在其他实施例中，光子延迟区段218-218N可以被认为是PIC区段202-202N的整体元件。在一些实施例中，可存在与所存在的PIC区段相同数量的光子延迟区段，而在其他实施例中，可存在比所存在的PIC区段更多或更少的光子延迟区段。通常，在一些实施例中，光子延迟区段218-218N中的各个区段可以在光125沿其传播的光子波导的延伸部分中实现。换言之，光子延迟区段218可以是***各个PIC区段202-202N之间的长度增加的硅波导。在一些实施例中，光子延迟区段218-218N中的每一个可以具有彼此相同的长度，而在其他实施例中，光子延迟区段中的一个或多个可以具有与另一个光子延迟区段不同的长度。在一些实施例中，光子延迟区段的长度可以在约100微米(μm)和约250μm之间。在一些实施例中，对于紧凑的实施方式，光子延迟区段的长度可以是曲折的以适合光子焊盘216之间的间距。换言之，在一些实施例中，在紧凑的实施方式中，各种光子延迟区段可以在各种光子焊盘216之间或周围布线。

EIC 115还可以包括多个电延迟区段232-232N。在一些实施例中，电延迟区段232-232N中的各个区段可以实现为螺旋电感器。这可以实现紧凑的实施方式。在实施例中，螺旋电感器的特征可在于它们的电感L_spiral。在一些实施例中，每个螺旋电感器可具有L_spiral的值，其可在约100至约300皮亨(pH)之间。然而，在一些实施例中，一个或多个螺旋电感器可以具有与另一个螺旋电感器不同的值。例如，在一些实施例中，电延迟区段232，即第一电延迟区段可以具有L_spiral/2的值。类似地，可以存在可以位于EIC区段238N和电终端242之间的附加电延迟区段(图2中未示出)，其可以具有L_spiral/2的值。区段232-232N中螺旋值不同于L_spiral的修改的目的可以是为了更好地接近真实的宽带传输线。

为了多种好处，可以使用螺旋电感器代替传输线。例如，螺旋导体可以减少给定EIC区段中的损耗，因为螺旋可以具有比传输线更高的每单位长度的电感，这是由于螺旋电感器的匝之间的互耦合而引起的。另外，螺旋电感器可以减小EIC 115的整体拓扑结构的面积。换言之，螺旋电感器可以占用更少的空间。在一些实施例中，布拉格频率，即EIC区段可停止以充当传输线的频率，可以告知螺旋电感器的选择。各个EIC区段238-238N的布拉格频率可以选择为大于符号率的大约5倍，以防止在穿过EIC 115传播的输入数据中主要谐波的衰减。如本文所使用的，符号率可以指已被调制到光125中的输入数据的速度。

在一个实施例中，电延迟区段232-232N和光子延迟区段218-218N可以彼此结合操作以延迟光(在PIC 110的情况下)或电波(在EIC 115的情况下)，使得在电输出120处观察到的电流在相位上相长地组合。更一般地，每个EIC区段238-238N的输出电流可以通过使用以其特征阻抗端接的另一传输线(例如，由电终端222、242或某个其他电终端)以宽带方式求和。传输线可以吸收每个EIC区段238-238N的寄生输出电容，以消除EIC 115的带宽限制。通过将每个PIC区段202-202N的延迟(例如，基于光子延迟区段218-218N的延迟)与每个EIC区段238-238N的延迟(例如，基于电延迟区段232-232N的延迟)相匹配，来自每个放大器234的电流在电输出120处可以具有相同的累积延迟。因此，来自每个EIC区段238-238N的电流可以在电输出120处同相，并且相长地相加以提供可以基于例如由PD208和放大器234产生的电流总和的增益。该累积增益可以与行波分布式放大器拓扑结构一致。

更一般地，在实施例中，PIC区段202-202N和EIC区段238-238N可以修改EIC 115内的电波形。例如，在实施例中，如上所述，PIC区段202-202N和EIC区段238-238N可以修改EIC115内的波形，使得在电输出120处的电流同相。然而，在其他实施例中，可以以某种其他方式修改波形，使得电流仅部分地同相，异相，或改变波形或电流的某个其他方面。

本文中的实施例的使用可以实现放大器234的输出的真正宽带组合。该宽带组合在光链路中是有用的，其中窄带功率组合技术，例如直接组合，基于变压器的电压组合，或匹配-组合器技术可能无效。

图3示出了根据各种实施例的用于制造图1或2的光电接收机100的示例性工艺。该工艺可以包括在305处形成诸如PIC 110的PIC。PIC 110可以包括多个PIC区段，诸如PIC区段202-202N。在实施例中，PIC区段202-202N中的各个区段可以包括诸如结电容器206的结电容器或诸如PD 208的PD。PIC还可以包括诸如光子延迟区段218-218N的多个光子延迟区段。

该工艺还可以包括在310处形成诸如EIC 115的EIC。EIC可以包括诸如EIC区段238-238N的多个EIC区段。EIC区段中的各个区段可以包括诸如电延迟区段232-232N的电延迟区段或诸如终端228的电终端，如本文所述的。

该工艺还可以包括在315处将EIC的相应EIC区段与PIC的相应PIC区段通信地耦合。耦合可以包括例如将诸如增益线130的一条或多条增益线通信地耦合到EIC区段和PIC区段中的相应区段。具体而言，各条增益线可以包括诸如本文所述的电焊盘236、光子焊盘216或放大器234的元件。

应当理解，按照一个顺序说明了图3的工艺，但是在其他实施例中，工艺的某些部分可以并行执行，或者以不同的顺序执行。例如，在一些实施例中，可以在PIC 305之前或与PIC 305并行地在310处形成EIC。另外，在一些实施例中，该工艺可以包括附加或替代步骤。

示例

示例1可以包括一种光电接收机，包括：与光源耦合的光子集成电路(PIC)，其中，PIC包括与光源耦合的多个PIC区段，其中，各个PIC区段包括光电二极管和结电容器；以及与PIC耦合的电子集成电路(EIC)，其中，EIC包括多个EIC区段，其中，EIC区段中的相应区段通信地耦合到PIC区段中的相应区段。

示例2可以包括示例1的系统，其中，多个PIC区段与光源串联耦合。

示例3可以包括示例1的系统，其中，EIC区段的数量与PIC区段的数量基于PIC区段的各个结电容器的总电容。

示例4可以包括示例1-3中任一个的系统，其中，多个EIC区段中的至少一个EIC区段包括电延迟区段，并且其中，多个PIC区段中的至少一个PIC区段包括光子延迟区段。

示例5可以包括示例4的系统，其中，电延迟区段包括螺旋电感器。

示例6可以包括示例4的系统，其中，电子集成电路还包括电输出，并且其中，光子延迟区段和电延迟区段用于修改EIC内的电波形。

示例7可以包括示例6的系统，其中，电延迟区段和光子延迟区段用于使电输出处的电波形基于光子延迟区段的长度和电延迟区段的阻抗而同相。

示例8可以包括示例1-3中任一个的系统，其中，PIC区段中的各个区段包括光子焊盘，并且EIC区段中的各个区段包括通信地耦合到光子焊盘的电焊盘。

示例9可以包括一种用于生成光电接收的方法，该方法包括：形成包括多个PIC区段的光子集成电路(PIC)，其中，各个PIC区段包括光电二极管和结电容器，并且其中，多个PIC区段用于与光源耦合；形成电子集成电路(EIC)，其中，EIC包括多个EIC区段；并且将多个EIC区段的各个EIC区段与多个PIC区段中的各个PIC区段通信地耦合。

示例10可以包括示例9的方法，其中，多个PIC区段与光源串联耦合。

示例11可以包括示例9的方法，其中，EIC区段的数量与PIC区段的数量基于PIC区段的各个结电容器的总电容。

示例12可以包括示例9的方法，其中，各个EIC区段包括与各个PIC区段的光子焊盘通信地耦合的电焊盘。

示例13可以包括示例9-12中任一个的方法，还包括将PIC与光源耦合。

示例14可以包括示例9-12中任一个的方法，其中，多个EIC区段中的至少一个EIC区段包括电延迟区段，并且其中，多个PIC区段中的至少一个PIC区段包括光子延迟区段。

示例15可以包括示例14的方法，其中，光子延迟区段和电延迟区段用于修改EIC内的电波形。

示例16可以包括一种计算系统，包括：光源；以及光电接收机，其中，光电接收机包括：与光源耦合的光子集成电路(PIC)，其中，PIC包括与光源耦合的多个PIC区段，其中，各个PIC区段包括光电二极管、结电容器和光子延迟区段；以及与PIC耦合的电子集成电路(EIC)，其中，EIC包括多个EIC区段，其中，EIC区段中的各个区段包括电延迟区段并通信地耦合到PIC区段中的各个区段。

示例17可以包括示例16的系统，其中，多个PIC区段与光源串联耦合。

示例18可以包括示例16的系统，其中，EIC区段的数量与PIC区段的数量基于PIC区段的各个结电容器的总电容。

示例19可以包括示例16的系统，其中，电延迟区段包括螺旋电感器。

示例20可以包括示例16-19中任一个的系统，其中，电子集成电路还包括电输出，并且其中，光子延迟区段和电延迟区段用于修改EIC内的电波形。

示例21可以包括示例20的系统，其中，电延迟区段和光子延迟区段用于使电输出处的电波形基于光子延迟区段的长度和电延迟区段的阻抗而同相。

示例22可以包括示例16-19中任一个的系统，其中，PIC区段中的各个区段包括光子焊盘，并且EIC区段中的各个区段包括通信地耦合到光子焊盘的电焊盘。

示例23可以包括一种光子集成电路(PIC)，包括：与光源耦合的第一PIC区段，其中，第一PIC区段包括第一光电二极管、第一结电容器和第一光子延迟区段；以及与第一PIC区段耦合的第二PIC区段，其中，第二PIC区段用于与光源耦合，并且第二PIC区段包括第二光电二极管、第二结电容器和第二光子延迟区段。

示例24可以包括示例23的PIC，其中，第一PIC区段和第二PIC区段用于与光源串联耦合，使得第一PIC区段相对于来自光源的光位于第二PIC区段和光源之间。

示例25可以包括示例23的PIC，其中，第一PIC区段用于与电子集成电路(EIC)中的第一EIC区段耦合，并且第二PIC区段用于与EIC的第二EIC区段耦合。

示例26可以包括示例25的PIC，其中，第一EIC区段包括第一电延迟区段，并且第二EIC区段包括第二电延迟区段。

示例27可以包括示例26的PIC，其中，第一电延迟区段、第二电延迟区段、第一光子延迟区段和第二光子延迟区段用于修改EIC内的电波形。

示例28可以包括示例27的PIC，其中，第一电延迟区段、第二电延迟区段、第一光子延迟区段和第二光子延迟区段用于使电波形在EIC的输出处同相。

示例29可以包括示例23-28中任一个的PIC，其中，PIC中的PIC区段的数量基于PIC中的各个PIC区段的结电容器的总电容。

各种实施例可包括上述实施例的任何合适组合，包括以上以联合形式(和)描述的实施例的替代(或)实施例(例如，“和”可以是“和/或”)。此外，一些实施例可以包括具有存储在其上的指令的一个或多个制品(例如，非暂时性计算机可读介质)，所述指令在被执行时导致任何上述实施例的操作。此外，一些实施例可以包括具有用于执行上述实施例的各种操作的任何合适模块的装置或系统。

本发明的所示实施方式的以上描述(包括摘要中所描述的内容)并非旨在是穷举的或将本发明限制于所公开的精确形式。虽然本文中出于说明性目的描述了本发明的特定实施方式和示例，但是如相关领域的技术人员将认识到的，在本发明的范围内可以进行各种等同修改。

根据以上具体实施方式，可以对本发明进行这些修改。以下权利要求中使用的术语不应被解释为将本发明限制为说明书和权利要求中公开的特定实施方式。相反，本发明的范围完全由所附权利要求来确定，所附权利要求应根据权利要求解释的既定原则来解释。