阅读说明：本技术 一种sram及其制造方法和电子装置 () 是由 王楠 于 2018-06-05 设计创作，主要内容包括：本发明提供一种SRAM及其制造方法和电子装置,所述方法包括：提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有第一鳍片结构和第二鳍片结构；在半导体衬底上形成彼此间隔设置的第一伪栅极结构和第二伪栅极结构,其中,第一伪栅极结构横跨第一鳍片结构以及第二鳍片结构,第二伪栅极结构横跨所述第二鳍片结构与第一传输门晶体管区相邻的区域；在第一伪栅极结构两侧的所述第二鳍片结构中、以及所述第二伪栅极结构两侧的第二鳍片结构中形成应力外延层；去除第一伪栅极结构和第二伪栅极结构,以分别形成第一栅极凹槽和第二栅极凹槽；去除第二栅极凹槽中露出的部分第二鳍片结构,以形成第一沟槽；形成第一金属栅极结构和第二金属栅极结构。()