阅读说明：本技术 液晶介质 (Liquid-crystalline medium ) 是由 H·赫施曼 M·鲍尔 M·温德赫斯特 M·罗伊特 V·雷芬拉斯 于 2015-04-22 设计创作，主要内容包括：本发明涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质,<Image he="232" wi="700" file="DDA0002226698220000011.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="no"></Image>其中R<Sup>1</Sup>和R<Sup>1*</Sup>各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基,其中另外,这些基团中的一个或多个CH<Sub>2</Sub>基团可各自彼此独立地被-C≡C-、-CF<Sub>2</Sub>O-、-OCF<Sub>2</Sub>-、-CH＝CH-、<Image he="89" wi="418" file="DDA0002226698220000012.GIF" imgContent="drawing" imgFormat="GIF" orientation="portrait" inline="no"></Image>-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代,和其中另外,一个或多个H原子可被卤素替代,L<Sup>1</Sup>和L<Sup>2</Sup>各自彼此独立地表示F、Cl、CF<Sub>3</Sub>或CHF<Sub>2</Sub>,并涉及其用于有源矩阵显示器,特别是基于VA、PSA、PA-VA、SS-VA、SA-VA、PS-VA、PALC、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效应的显示器的用途。(The invention relates to liquid-crystalline media comprising at least one compound of the formula I, Wherein R is 1 And R 1* each independently of the other represents an alkyl or alkoxy group having 1 to 15C atoms, wherein, in addition, one or more CH groups of these groups 2 The radicals may each, independently of one another, be-C.ident.C-, -CF 2 O‑、‑OCF 2 ‑、‑CH＝CH‑、 O-, -CO-O-, -O-CO-with O atoms not being mutually exclusiveBy direct linkage, and in which, in addition, one or more H atoms may be replaced by halogen, L 1 And L 2 Each independently of the others represents F, Cl, CF 3 or CHF 2 And to the use thereof for active matrix displays, in particular displays based on the VA, PSA, PA-VA, SS-VA, SA-VA, PS-VA, PALC, IPS, PS-IPS, FFS or PS-FFS effect.)

液晶介质

本申请是申请号为201510426405.6专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，

其中

R¹和R^1*各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中另外，这些基团中的一个或多个CH₂基团可各自彼此独立地被-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH＝CH-、-O-、-CO-O-、-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被卤素替代，

L¹和L²各自彼此独立地表示F、Cl、CF₃或CHF₂。

该类型介质可用于,特别是具有基于ECB效应的有源矩阵寻址的电光显示器和IPS(面内切换)显示器或FFS(边缘场切换)显示器。

背景技术

1971年，首次提出了电场控制双折射，即ECB效应或者即DAP(排列相变形)效应的原理(M.F.Schieckel and K.Fahrenschon,"Deformation of nematic liquid crystalswith vertical orientation in electrical fields",Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。之后J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)发表了论文。

J.Robert和F.Clerc(SID 80Digest Techn.Papers(1980),30)，J.Duchene(Displays 7(1986),3)和H.Schad(SID 82Digest Techn.Papers(1982),244)发表的论文表明，液晶相必须具有高的弹性常量K₃/K₁的比值、高的光学各向异性Δn值和Δε≤-0.5的介电各向异性值，以便适用于基于ECB效应的高信息显示元件。基于ECB效应的电-光显示元件具有垂直边缘排列(VA技术＝垂直排列)。负介电性的液晶介质还可以用于所谓的IPS或者FFS效应的显示器。

使用ECB效应的显示器，如所谓VAN(垂直排列向列)显示器，例如在MVA(多象限垂直配向，例如：Yoshide,H.等，论文3.1:"MVA LCD for Notebook or Mobile PCs...",SID2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,第6–9页,和Liu,C.T.等，论文15.1:"A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology...",SID2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,第750-753页)、PVA(垂直取向排列，例如：Kim,Sang Soo,论文15.4:"Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV",SID 2004International Symposium,Digest of TechnicalPapers,XXXV,Book II,第760-763页)、ASV(超视角，例如：Shigeta,Mitzuhiro和Fukuoka,Hirofumi，论文15.2:"Development of High Quality LCDTV",SID 2004InternationalSymposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book II,第754–757页)模式中，除了IPS(面内切换)显示器(例如：Yeo,S.D.,论文15.3:"An LC Display for the TV Application",SID 2004International Symposium,Digest of Technical Papers,XXXV,BookII,第758&759页)和已知很久的TN(扭转向列)显示器之外，均已将其自身还发展为三种新近的当前最重要的液晶显示器之一，特别是用于电视中。例如，在Souk,Jun,SID Seminar2004,seminar M-6:"Recent Advances in LCD Technology",Seminar Lecture Notes,M-6/1至M-6/26,和Miller,Ian,SID Seminar 2004,seminar M-7:"LCD-Television",Seminar Lecture Notes,M-7/1至M-7/32中以常规形式比较了上述技术。虽然现代ECB显示器的响应时间通过使用超速驱动寻址方法已经显著提高，例如；Kim,Hyeon Kyeong等，论文9.1:"A 57-in.Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application",SID 2004InternationalSymposium,Digest of Technical Papers,XXXV,Book I,第106-109页，但是图像兼容响应时间的进展，特别是在灰色阴影切换上，仍然是个没有得到令人满意地解决的问题。

在电-光显示元件中这种效应的工业化应用需要LC相，其不得不满足需求的多样性。特别重要的是对潮湿、空气的耐化学性以及物理影响例如热、红外线、可见光以及紫外线和直流和交流电场。

此外，工业上可使用的LC相需要在适合温度范围内具有液晶介晶相和低粘度。

迄今公开的具有液晶介晶相的系列化合物没有一个包含能够满足全部这些要求的单个化合物。因而通常制备2-25种，优选3-18种化合物的混合物以便获得能够作为LC相使用的物质。然而，以这种方式容易地准备最适宜的相是不可能的，因为迄今还没有可使用的具有显著负介电各向异性和足够长期稳定性的液晶材料。

已知矩阵液晶显示器(MLC显示器)。能够用于单个像素单独切换的非线性元件例如是有源元件(例如晶体管)。下面使用的术语“有源矩阵”，其中两个类型之间存在区别：

1、作为基板的硅晶片上的MOS(金属氧化物半导体)晶体管

2、作为基板的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。

在类型1的情况下，所使用的电-光效应一般是动态散射或者宾-主效应。作为基板材料的单晶硅的使用限制了显示器的尺寸，因为不同部分显示器的模块集成也会在连接处导致问题产生。

在优选的更有前途的类型2的情况下，使用的电-光效应一般为TN效应。

两种技术的区别：含有化合物半导体例如CdSe的TFT或者基于多晶硅或无定形硅的TFT。后一个技术在全世界范围内得以集中研究。

TFT矩阵被施加到显示器的一个玻璃板的内部，而另一个玻璃板在其中负载透明的对电极。与像素电极的尺寸相比，TFT非常小并且在图像中几乎不存在相反作用。该技术还能扩展到全彩色功能的显示器中，其中将红、绿和蓝滤光片的镶嵌块以使得滤光元件与每个可切换的像素相对置的方式排列。

在此，术语MLC显示器包括具有集成非线性元件的任何矩阵显示器，即除了有源矩阵外，还有具有无源元件的显示器，如可变电阻或二极管(MIM＝金属-绝缘体-金属)。

这类MLC显示器特别适用于TV应用(例如袖珍TV)或者在汽车或者飞机结构中的高信息量显示器。除了关于对比度和响应时间的角度依赖性的问题之外，在MLC显示器中由于液晶混合物不够高的比电阻还引起了问题[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay84,Sept.1984:A 210-288Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings,第141ff页,Paris；STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,Sept.1984:Design of Thin Fi lmTransistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays,第145ff页.,Paris]。随着电阻的下降，MLC显示器的对比度劣化。由于与显示器的内表面相互作用而使液晶混合物的比电阻一般随着MLC显示器的寿命下降，因此对于显示器而言高的(初始的)电阻是非常重要的，故在长期运行之后不得不具有可接受的电阻值。

因此，仍然非常需要具有非常高电阻率同时具有大的工作温度范围、短响应时间和低阈值电压的MLC显示器，在其辅助下可产生多种灰阶。

经常使用的MLC-TN显示器的缺点在于它们比较低的对比度、相对高的视角依赖性和难于在这些显示器中产生灰阶。

VA显示器具有显著更好的视角依赖性并因此主要用于电视和监控器。然而，此处仍然需要改善响应时间，特别是对于具有大于60Hz帧速度(图像改变频率/重复率)的电视应用。然而，必须同时不影响例如低温稳定性的性质。

发明内容

本发明的目的在于提供基于ECB效应或IPS或FFS效应的液晶混合物，特别是用于监控器和TV应用的液晶混合物，所述液晶混合物不具有以上所述缺点，或仅以小的程度具有以上所述缺点。特别地，对于监控器和电视必须确定它们也在非常高和非常低的温度下工作并同时具有非常短的响应时间和同时具有改进的可靠性行为，特别是展示出长期运行时间后无图像残留或显著降低的图像残留。

令人惊讶地，如果通式I极性化合物用于液晶混合物，特别是用于具有负介电各向异性、优选用于VA和FFS显示器的LC混合物，则可改善旋转粘度值和由此的响应时间。

因此，本发明涉及液晶介质，其包含至少一种式I化合物。本发明还涉及式I化合物。

式I化合物被WO 02/055463 A1中通式(I)所涵盖。

根据本发明的混合物优选地展示出非常宽的向列相范围、以及清亮点≥70℃、优选≥75℃、特别是≥80℃、非常有利的电容阈值值、相对高的保持率值和同时非常良好的在-20℃和-30℃温度的低温稳定性、以及非常低的旋转粘度值和短的响应时间。根据本发明的混合物进一步通过以下事实区分：除了改善旋转粘度γ₁，还可观察到相对高的弹性常数值K₃₃以改善响应时间。在优选具有负介电各向异性的LC混合物中使用式I化合物，旋转粘度γ₁和弹性常数K_i之比降低。

根据本发明的混合物的一些优选实施方案阐述于下。

在式I化合物中，R¹和R^1*优选各自彼此独立地表示直链烷基或烷氧基特别是CH₃、C₂H₅、C₃H₇、C₄H₉、C₅H₁₁、C₆H₁₃、C₇H₁₅、OCH₃、n-C₂H₅O、n-OC₃H₇、n-OC₄H₉、n-OC₅H₁₁、n-OC₆H₁₃、n-OC₇H₁₅，以及烯基特别是CH₂＝CH₂、CH₂CH＝CH₂、CH₂CH＝CHCH₃、CH₂CH＝CHC₂H₅，支链烷氧基特别是OC₃H₆CH(CH₃)₂，和烯氧基特别是OCH＝CH₂、OCH₂CH＝CH₂、OCH₂CH＝CHCH₃、OCH₂CH＝CHC₂H₅。

R¹特别优选表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基。R^1*特别优选表示具有1-7个C原子的直链烷氧基。

在式I化合物中的L¹和L²优选均表示F。

优选的式I化合物为式I-1至I-10化合物，

其中

alkyl和alkyl^*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，alkenyl和alkenyl^*各自彼此独立地表示具有2-7个C原子的直链烯基，alkoxy和alkoxy^*各自彼此独立地表示具有1-7个C原子的直链烷氧基，和L¹和L²各自彼此独立地表示F或Cl。

在式I-1至I-10化合物中，L¹和L²优选各自彼此独立地表示F或Cl，特别是L¹＝L²＝F。特别优选的是式I-2和I-6化合物。在式I-2和I-6化合物中，优选L¹＝L²＝F。

根据本发明的混合物非常特别优选包含至少一种式I-1A、I-2A、I-4A和I-6A化合物，

非常特别优选的混合物包含至少一种式I-2.1至I-2.49和I-6.1至I-6.28化合物，

在化合物I-2.1至I-2.49和I-6.1至I-6.28中，L¹和L²优选均表示氟。进一步优选的是包含至少一种式I-1.1至I-1.28化合物的液晶混合物：

其中L¹和L²各自彼此独立地具有权利要求1所给的含义。在式I-1.1至I-1.28化合物中，优选L¹＝L²＝F。

式I化合物可如例如WO 02/055463 A1所述制备。式I化合物优选如下制备：

方案1：

R和R′各自彼此独立地表示直链或支链烷基或烯基

方案2：

R和R′各自彼此独立地表示直链或支链烷基或烯基

根据本发明的介质优选包含一种、两种、三种、四种或更多种，优选一种、两种或三种式I化合物。

式I化合物优选以基于整个混合物≥1wt％，优选≥3wt％的量用于液晶介质。特别优选的是包含1-40wt％，非常特别优选2-30wt％的一种或多种式I化合物的液晶介质。

根据本发明的液晶介质的优选实施方案阐述于下：

a)额外包含一种或多种选自式IIA、IIB和IIC化合物的化合物的液晶介质，

其中

R^2A、R^2B和R^2C各自彼此独立地表示H、具有最多15个C原子的烷基或烯基，其为未取代的、被CN或CF₃单取代的或被卤素至少单取代的，其中另外，这些基团中的一个或多个CH₂基可被-O-、-S-、-C≡C-、-CF₂O-、-OCF₂-、-OC-O-或-O-CO-以O原子不彼此直接连接的方式替代，

L^1-4各自彼此独立地表示F、Cl、CF₃或CHF₂，

Z²和Z^2’各自彼此独立地表示单键、-CH₂CH₂-、-CH＝CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-CF＝CF-、-CH＝CHCH₂O-，

p表示0、1或2，

q表示0或1，和

v表示1-6。

在式IIA和IIB化合物中，Z²可具有相同或不同的含义。在式IIB化合物中，Z²和Z²'可具有相同或不同的含义。

在式IIA、IIB和IIC化合物中，R^2A、R^2B和R^2C各自优选表示具有1-6个C原子的烷基，特别是CH₃、C₂H₅、n-C₃H₇、n-C₄H₉、n-C₅H₁₁。

在式IIA和IIB化合物中，L¹、L²、L³和L⁴优选表示L¹＝L²＝F和L³＝L⁴＝F，还有L¹＝F和L²＝Cl，L¹＝Cl和L²＝F，L³＝F和L⁴＝Cl，L³＝Cl和L⁴＝F。在式IIA和IIB中，Z²和Z²'优选各自彼此独立地表示单键、以及-C₂H₄-桥。

如果在式IIB中，Z²＝-C₂H₄-或-CH₂O-，则Z²'优选为单键，或者如果Z²'＝-C₂H₄-或-CH₂O-，则Z²优选为单键。在式IIA和IIB化合物中，(O)C_vH_2v+1优选表示OC_vH_2v+1、以及C_vH_2v+1。在式IIC化合物中，(O)C_vH_2v+1优选表示C_vH_2v+1。在式IIC化合物中，L³和L⁴优选各自表示F。

优选的式IIA、IIB和IIC化合物阐述于下：

其中alkyl和alkyl^*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。

根据本发明的特别优选混合物包含一种或多种式IIA-2、IIA-8、IIA-14、IIA-26、II-28、IIA-33、IIA-39、IIA-45、IIA-46、IIA-47、IIA-50、IIB-2、IIB-11、IIB-16和IIC-1化合物。

在整个混合物中，式IIA和/或IIB化合物的比例优选为至少20wt％。

根据本发明的特别优选介质包含至少一种式IIC-1化合物，

其中alkyl和alkyl^*具有以上所述含义，优选的量为>3wt％，特别是>5wt％和特别优选5-25wt％。

b)额外包含一种或多种式III化合物的液晶介质，

其中

R³¹和R³²各自彼此独立地表示具有最多12个C原子的直链烷基、烷氧基、烯基、烷氧基烷基或烷氧基，和

表示

Z³表示单键、-CH₂CH₂-、-CH＝CH-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-C₄H₈-、-CF＝CF-。

优选的式III化合物阐述于下：

其中

alkyl和alkyl^*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基。

根据本发明的介质优选包含至少一种式IIIa和/或式IIIb化合物。

在整个混合物中，式III化合物的比例优选为至少5wt％。

c)额外包含下式化合物的液晶介质

优选总量为≥5wt％，特别是≥10wt％。

进一步优选的是根据本发明的混合物包含以下化合物(缩写：CC-3-V1)

优选量为2-15wt％。

优选的混合物包含5-60wt％，优选10-55wt％，特别是20-50wt％的下式化合物(缩写：CC-3-V)

进一步优选的是包含下式化合物(缩写：CC-3-V)

和下式化合物(缩写：CC-3-V1)的混合物

优选量为10-60wt％。

d)额外包含一种或多种下式四环化合物的液晶介质

其中

R^7-10各自彼此独立地具有针对权利要求3中R^2A所述含义之一，和w和x各自彼此独立地表示1-6。

特别优选的是包含至少一种式V-9化合物的混合物。

e)额外包含一种或多种式Y-1至Y-6化合物的液晶介质，

其中R¹⁴-R¹⁹各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的烷基或烷氧基；z和m各自彼此独立地表示1-6；x表示0、1、2或3。

根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式Y-1至Y-6化合物，优选量为≥5wt％。

f)额外包含一种或多种式T-1至T-21氟代三联苯的液晶介质，

其中

R表示具有1-7个C原子的直链烷基或烷氧基，和m＝0、1、2、3、4、5或6和n表示0、1、2、3或4。

R优选表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基。

根据本发明的介质优选以2-30wt％，特别是5-20wt％的量包含式T-1至T-21三联苯。

特别优选的是式T-1、T-2、T-4、T-20和T-21化合物。在这些化合物中，R优选表示烷基以及烷氧基，各自具有1-5个C原子。在式T-20化合物中，R优选表示烷基或烯基，特别是烷基。在式T-21化合物中，R优选表示烷基。

如果混合物的△n值≥0.1，则三联苯优选用于根据本发明的混合物中。优选的混合物包含2-20wt％的一种或多种选自化合物T-1至T-21的三联苯化合物。

g)额外包含一种或多种式B-1至B-3二联苯的液晶介质，

其中

alkyl和alkyl^*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，和

alkenyl和alkenyl^*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基。

在整个混合物中，式B-1至B-3二联苯的比例优选为至少3wt％，特别是≥5wt％。

式B-1至B-3化合物中，特别优选式B-2化合物。

特别优选的二联苯为

其中alkyl^*表示具有1-6个C原子的烷基。根据本发明的介质特别优选包含一种或多种式B-1a和/或B-2c化合物。

h)包含至少一种式Z-1至Z-7化合物的液晶介质，

其中R和alkyl具有以上所述的含义。

i)额外包含至少一种式O-1至O-18化合物的液晶介质，

其中R¹和R²具有对于R^2A所述的含义。R¹和R²优选各自彼此独立地表示直链烷基或烯基。

优选的介质包含一种或多种式O-1、O-3、O-4、O-6、O-7、O-10、O-11、O-12、O-14、O-15、O-16和/或O-17化合物。

根据本发明的混合物非常特别优选包含式O-10、O-12、O-16和/或O-17化合物，特别地量为5-30％。

优选的式O-10和O-17化合物阐述于下：

根据本发明的介质特别优选包含式O-10a和/或式O-10b三环化合物、以及一种或多种式O-17a至O-17d双环化合物。式O-10a和/或O-10b化合物以及一种或多种选自式O-17a至O-17d双环化合物的化合物的总比例为5-40％，非常特别优选为15-35％。

非常特别优选的混合物包含化合物O-10a和O-17a：

化合物O-10a和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。

非常特别优选的混合物包含化合物O-10b和O-17a：

化合物O-10b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。

非常特别优选的混合物包含以下三种化合物：

化合物O-10a、O-10b和O-17a优选以基于整个混合物15-35％，特别优选15-25％和尤其优选18-22％的浓度存在于混合物中。

优选的混合物包含至少一种选自以下化合物的化合物

其中R¹和R²具有以上所述的含义。优选在化合物O-6、O-7和O-17中，R¹表示分别具有1-6或2-6个C原子的烷基或烯基和R²表示具有2-6个C原子的烯基。

优选的混合物包含至少一种式O-6a、O-6b、O-7a、O-7b、O-17e、O-17f、O-17g和O-17h的化合物：

其中alkyl表示具有1-6个C原子的烷基。

式O-6、O-7和O-17e-h的化合物优选以1-40wt％，优选2-35wt％和非常特别优选2-30wt％的量存在于根据本发明的混合物中。

j)优选的根据本发明的液晶介质包含一种或多种含有四氢化萘基或萘基单元的物质，例如式N-1至N-5的化合物，

其中R^1N和R^2N各自彼此独立地具有对于R^2A所示的含义，优选表示直链烷基、直链烷氧基或直链烯基，和

Z¹和Z²各自彼此独立地表示-C₂H₄-、-CH＝CH-、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₃O-、-O(CH₂)₃-、-CH＝CHCH₂CH₂-、-CH₂CH₂CH＝CH-、-CH₂O-、-OCH₂-、-COO-、-OCO-、-C₂F₄-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CH₂-或单键。

k)优选的混合物包含一种或多种选自式BC二氟二苯并色满化合物、式CR色满、式PH-1和PH-2氟代菲、式BF-1和BF-2氟代二苯并呋喃的化合物，

其中

R^B1、R^B2、R^CR1、R^CR2、R¹、R²各自彼此独立地具有R^2A的含义。c为0、1或2。R¹和R²优选彼此独立地表示具有1-6个C原子的烷基或烷氧基。

根据本发明的混合物优选以3-20wt％的量，特别是以3-15wt％的量包含式BC、CR、PH-1、PH-2和/或BF化合物。

特别优选的式BC和CR化合物为化合物BC-1至BC-7和CR-1至CR-5，

其中

alkyl和alkyl^*各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基，和

alkenyl和alkenyl^*各自彼此独立地表示具有2-6个C原子的直链烯基。

非常特别优选的是包含一种、两种或三种式BC-2、BF-1和/或BF-2化合物的混合物。

l)优选的混合物包含一种或多种式In茚满化合物，

其中

R¹¹、R¹²、R¹³各自彼此独立地表示具有1-6个C原子的直链烷基、烷氧基、烷氧基烷基或烯基，

R¹²和R¹³额外表示卤素，优选F，

表示

i表示0、1或2。

优选的式In化合物为示于下式In-1至In-16化合物：

特别优选的是式In-1、In-2、In-3和In-4化合物。

式In和子式In-1至In-16化合物优选以≥5wt％，特别是5-30wt％和非常特别优选5-25wt％的浓度用于根据本发明的混合物中。

m)优选的混合物额外包含一种或多种式L-1至L-11化合物，

其中

R、R¹和R²各自彼此独立地具有针对权利要求5中R^2A所示的含义，和alkyl表示具有1-6个C原子的烷基。s表示1或2。

特别优选的是式L-1和L-4，特别是L-4化合物。

式L-1至L-11化合物优选以5-50wt％，特别是5-40wt％和非常特别优选10-40wt％的浓度使用。

特别优选的混合物概念阐述于下：(所用缩写解释于表A中。此处n和m各自彼此独立地表示1-15，优选1-6)。

根据本发明的混合物优选包含

-一种或多种式I化合物，其中L¹＝L²＝F和R¹＝R^1*＝烷氧基；

-CPY-n-Om，特别是CPY-2-O2、CPY-3-O2和/或CPY-5-O2，优选基于整个混合物具有>5％，特别是10-30％的浓度，

和/或

-CY-n-Om，优选CY-3-O2、CY-3-O4、CY-5-O2和/或CY-5-O4，优选基于整个混合物具有>5％，特别是15-50％的浓度，

和/或

-CCY-n-Om，优选CCY-4-O2、CCY-3-O2、CCY-3-O3、CCY-3-O1和/或CCY-5-O2，优选以基于整个混合物具有>5％，特别是10-30％的浓度，

和/或

-CLY-n-Om，优选CLY-2-O4、CLY-3-O2和/或CLY-3-O3，优选基于整个混合物具有>5％，特别是10-30％的浓度，

和/或

-CK-n-F，优选CK-3-F、CK-4-F和/或CK-5-F，优选基于整个混合物具有>5％，特别是5-25％的浓度。

进一步优选的是根据本发明的混合物，其包含以下混合物概念：

(n和m各自彼此独立地表示1-6。)

-CPY-n-Om和CY-n-Om，优选基于整个混合物具有10-80％的浓度，

和/或

-CPY-n-Om和CK-n-F，优选基于整个混合物具有10-70％的浓度，

和/或

-CPY-n-Om和PY-n-Om，优选CPY-2-O2和/或CPY-3-O2和PY-3-O2，优选基于整个混合物具有10-45％的浓度，

和/或

-CPY-n-Om和CLY-n-Om，优选基于整个混合物具有10-80％的浓度，

和/或

-CCVC-n-V，优选CCVC-3-V，优选基于整个混合物具有2-10％的浓度，

和/或

-CCC-n-V，优选CCC-2-V和/或CCC-3-V，优选基于整个混合物具有2-10％的浓度，

和/或

-CC-V-V，优选基于整个混合物具有5-50％的浓度。

本发明进一步涉及基于ECB、VA、PS-VA、PA-VA、IPS、PS-IPS、FFS或PS-FFS效应、具有有源矩阵寻址的电光显示器，特征在于其含有根据权利要求1-15一项或多项的液晶介质作为电介质。

根据本发明的液晶介质优选具有≤-20℃至≥70℃，特别优选≤-30℃至≥80℃，非常特别优选≤-40℃至≥90℃的向列相。

表述“具有向列相”此处一方面意指于低温下于相应温度下未观察到近晶相和结晶且另一方面意指从向列相加热未变得清亮。低温研究在流动粘度计中、于相应温度下进行并通过储存于具有相应于至少100小时电光用途的层厚度的测试盒中检验。如果在-20℃温度下相应测试盒中的储存稳定性为1000小时或更多，则该介质被称为于该温度下稳定。在-30℃和-40℃的温度下，相应时间分别为500小时和250小时。高温下，清亮点通过传统方法于毛细管中测量。

液晶混合物优选具有至少60K的向列相范围和于20℃下最多30mm²·s^-1的流动粘度ν₂₀。

液晶混合物中的双折射值△n通常为0.07-0.16，优选0.08-0.13。

根据本发明的液晶混合物具有-0.5至-8.0的△ε，特别是-2.5至-6.0，其中△ε表示介电各向异性。20℃下旋转粘度γ₁优选为≤150mPa·s，特别是≤120mPa·s。

根据本发明的液晶介质具有相对低的阈值电压值(V₀)。其优选范围为1.7V-3.0V，特别优选≤2.5V和非常特别优选≤2.3V。

对于本发明，术语“阈值电压”涉及电容阈值(V₀)，也称作Freedericks阈值，除非另有明确说明。

另外，根据本发明的液晶介质具有液晶盒中高电压保持率值。

通常，具有低寻址电压或阈值电压的液晶介质展示出比具有更高寻址电压或阈值电压的那些更低的电压保持率，反之亦然。

对于本发明，术语“正介电化合物”表示具有△ε>1.5的化合物，术语“中性介电化合物”表示具有-1.5≤△ε≤1.5的那些和术语“负介电化合物”表示具有△ε<-1.5的那些。此处，化合物的介电各向异性通过在至少一个测试盒中将10％的化合物溶于液晶主体并测定所得混合物的电容而测定，在每种情况下测试盒具有20μm的层厚度并在1kHz下具有垂面和均匀表面配向。测量电压通常为0.5V-1.0V，但总是低于所研究的各液晶混合物的电容阈值。

本发明所述全部温度值以℃表示。

根据本发明的混合物适用于全部VA-TFT应用，例如，VAN、MVA、(S)-PVA、ASV、PSA(聚合物稳定的VA)和PS-VA(聚合物稳定化的VA)。它们还适用于具有负△ε的IPS(面内切 换)和FFS(边缘场切换)应用。

在根据本发明的显示器中的向列液晶混合物通常包含两种成分A和B，它们由一种或多种各个的化合物组成。

成分A具有显著负介电各向异性并给予向列相≤-0.5的介电各向异性。除了一种或多种式I化合物，其还优选包含式IIA、IIB和/或IIC化合物、还有一种或多种式O-17化合物。

成分A的比例优选为45-100％，特别是60-100％。

对于成分A，优选选择具有△ε≤-0.8值的一种(或多种)各个的化合物。在整个混合物中A的比例越小，则该值必须越负。

成分B具有显著的向列性(nematogeneity)和20℃下不大于30mm²·s^-1，优选不大于25mm²·s^-1的流动粘度。

本领域技术人员自文献可知多种适合的物质。特别优选的是式O-17化合物。

在成分B中特别优选的各个化合物为粘度非常低的向列液晶，其于20℃下具有不大于18mm²·s^-1的流动粘度，优选不大于12mm²·s^-1。

成分B为单向转变或互变向列相，不具有近晶相并在液晶混合物中降至非常低温时能够防止近晶相的出现。例如，如果将多种高向列性材料加入近晶液晶混合物，则这些材料的向列性可通过所实现近晶相的抑制程度来进行比较。

混合物也可任选包含成分C，其包含具有△ε≥1.5介电各向异性的化合物。这些所谓的正性化合物通常以基于整个混合物≤20wt％的量存在于负介电各向异性混合物中。

如果根据本发明的混合物包含一种或多种具有△ε≥1.5介电各向异性的化合物，则其优选为一种或多种选自式P-1至P-4化合物的化合物，

其中

R表示各自分别具有1或2至6个C原子的直链烷基、烷氧基或烯基，和

X表示F、Cl、CF₃、OCF₃、OCHFCF₃或CCF₂CHFCF₃，优选F或OCF₃。

式P-1至P-4化合物优选以2-15％，特别是2-10％的浓度用于根据本发明的混合物中。

特别优选的是下式化合物

其优选以2-15％的量用于根据本发明的混合物中。

另外，这些液晶相也可包含大于18种成分，优选18-25种成分。

除一种或多种式I化合物之外，相优选包含4-15种，特别是5-12种，和特别优选<10种的式IIA、IIB和/或IIC化合物和任选一种或多种式O-17化合物。

除式I化合物和式IIA、IIB和/或IIC以及任选的O-17化合物之外，也可存在其它成分，例如以整个混合物最多45％的量，但优选最多35％，特别是最多10％存在。

其它成分优选选自向列或向列性物质，特别是已知物质，来自氧化偶氮苯、亚苄基苯胺、二联苯、三联苯、苯基苯甲酸酯或环己基苯甲酸酯、苯基环己烷羧酸酯或环己基环己烷羧酸酯、苯基环己烷、环己基二联苯、环己基环己烷、环己基萘、1,4-双环己基二联苯或环己基嘧啶、苯基二烷或环己基二烷、任选卤代的二苯乙烯、苄基苯基醚、二苯乙炔和取代的肉桂酸酯。

适合作为该类型液晶相成分的最重要化合物可以式IV表征

R²⁰-L-G-E-R²¹ IV

其中L和E各自表示选自1,4-二取代苯和环己烷环、4,4’-二取代二联苯、苯基环己烷和环己基环己烷体系、2,5-二取代嘧啶和1,3-二烷环、2,6-二取代萘、二和四氢化萘、喹唑啉和四氢化喹唑啉的碳环或杂环系，

G表示-CH＝CH-、-N(O)＝N-、-CH＝CQ-、-CH＝N(O)-、-C≡C-、-CH₂-CH₂-、-CO-O-、-CH₂-O-、-CO-S-、-CH₂-S-、-CH＝N-、-COO-Phe-COO-、-CF₂O-、-CF＝CF-、-OCF₂-、-OCH₂-、-(CH₂)₄-、-(CH₂)₃O-或C-C单键；Q表示卤素，优选氯，或-CN，且R²⁰和R²¹各自表示具有最多18个，优选最多8个碳原子的烷基、烯基、烷氧基、烷氧基烷基或烷氧基羰氧基，或这些基团之一替代地表示CN、NC、NO₂、NCS、CF₃、SF₅、OCF₃、F、Cl或Br。

在这些化合物的绝大多数中，R²⁰和R²¹彼此不同，这些基团之一通常为烷基或烷氧基。所提出的取代基的其它变形也是常规的。许多该类物质或其混合物为可商购的。全部这些物质可通过文献已知方法制备。

对于本领域技术人员不言而喻的是根据本发明的混合物，优选用于VA、PS-VA、SS-VA(表面稳定化的VA)、SA-VA(自配向VA)、PA-VA(光配向-VA)、IPS、FFS、UB-FFS(超高亮度FFS)和PALC应用，也可包含其中例如H、N、O、Cl和F已被相应的同位素替代的化合物。

可聚合化合物，所谓的反应性介晶(RMs)，例如U.S.6,861,107中所公的，可进一步以基于混合物优选0.01-5wt％，特别优选0.2-2wt％的浓度加入至根据本发明的混合物。这些混合物也可任选包含引发剂，如U.S.6,781,665中所描述的。引发剂，例如来自BASF的Irganox-1076，优选以0-1％的量加入至包含可聚合化合物的混合物。该类型混合物可用于所谓的聚合物稳定化的VA模式(PS-VA)或PSA(聚合物稳定的VA)，其中反应性介晶的聚合意欲发生于液晶混合物中。前提是液晶混合物自身不包含任何可聚合成分。

在本发明的优选实施方案中，可聚合化合物选自式M化合物

R^Ma-A^M1-(Z^M1-A^M2)_m1-R^Mb M

其中各基团具有以下含义：

R^Ma和R^Mb各自彼此独立地表示P、P-Sp-、H、卤素、SF₅、NO₂、烷基、烯基或炔基，其中基团R^Ma和R^Mb的至少一个优选表示或含有基团P或P-Sp-，

P表示可聚合基团，

Sp表示间隔基团或单键，

A^M1和A^M2各自彼此独立地表示芳基、杂芳基、脂环基或杂环基，优选具有4-25个环原子，优选C原子，其也包括或可含有稠合环和其可任选被L单或多取代，

L表示P、P-Sp-、OH、CH₂OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)N(R^x)₂、-C(＝O)Y¹、-C(＝O)R^x、-N(R^x)₂、任选取代的甲硅烷基、具有6-20个C原子的任选取代的芳基、或具有1-25个C原子的直链或支链烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外，一个或多个H原子可被F、Cl、P或P-Sp-替代，优选P、P-Sp-、H、OH、CH₂OH、卤素、SF₅、NO₂、烷基、烯基或炔基，

Y¹表示卤素，

Z^M1表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂-、-CH₂O-、-SCH₂-、-CH₂S-、-CF₂O-、-OCF₂-、-CF₂S-、-SCF₂-、-(CH₂)_n1-、-CF₂CH₂-、-CH₂CF₂-、-(CF₂)_n1-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-C≡C-、-CH＝CH-、-COO-、-OCO-CH＝CH-、CR⁰R⁰⁰或单键，

R⁰和R⁰⁰各自彼此独立地表示H或具有1-12个C原子的烷基，

R^x表示P，P-Sp-，H，卤素，具有1-25个C原子的直链、支链或环状烷基，其中另外，一个或多个不相邻的CH₂基团可被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被F、Cl、P或P-Sp-替代，具有6-40个C原子的任选取代的芳基或芳氧基，或具有2-40个C原子的任选取代的杂芳基或杂芳氧基，

m1表示0、1、2、3或4和

n1表示1、2、3或4，

其中所存在的基团R^Ma,R^Mb和取代基L的至少一个，优选一个、两个或三个，特别优选一个或两个表示基团P或P-Sp-或含有至少一个基团P或P-Sp-。

特别优选的式M化合物为其中以下的那些

R^Ma和R^Mb各自彼此独立地表示P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF₅、或具有1-25个C原子的直链或支链烷基，其中另外，一个或多个不相邻的CH₂基团可各自彼此独立地被-C(R⁰)＝C(R⁰⁰)-、-C≡C-、-N(R⁰⁰)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-替代，其中基团R^Ma和R^Mb的至少一个优选表示或含有基团P或P-Sp-，

A^M1和A^M2各自彼此独立地表示1,4-亚苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、芴-2,7-二基、香豆素、黄酮，其中另外，这些基团中的一个或多个CH基团可被N替代，环己烷-1,4-二基，其中另外，一个或多个不相邻的CH₂基团可被O和/或S替代，1,4-亚环己烯基、双环[1.1.1]戊烷-1,3-二基、双环[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氢萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基、茚满-2,5-二基或八氢-4,7-桥亚甲基茚满-2,5-二基，其中全部这些基团可为未取代的或被L单或多取代，

L表示P、P-Sp-、OH、CH₂OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(＝O)N(R^x)₂、-C(＝O)Y¹、-C(＝O)R^x、-N(R^x)₂、任选取代的甲硅烷基、具有6-20个C原子的任选取代的芳基、或具有1-25个C原子的直链或支链烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中，另外，一个或多个H原子可被F、Cl、P或P-Sp-替代，

P表示可聚合基团，

Y¹表示卤素，

R^x表示P，P-Sp-，H，卤素，具有1-25个C原子的直链、支链或环状烷基，其中另外，一个或多个不相邻的CH₂基团可被-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被F、Cl、P或P-Sp-代替，具有6-40个C原子的任选取代的芳基或芳氧基，或具有2-40个C原子的任选取代的杂芳基或杂芳氧基。

非常特别优选的是其中R^Ma和R^Mb之一或均表示P或P-Sp-的式M化合物。

用于根据本发明的液晶介质和PS-VA显示器或PSA显示器的合适并优选的RM或单体或共聚单体选自例如下式：

其中各基团具有以下含义：

P¹、P²和P³各自相同或不同地表示可聚合基团，优选地具有上下文对于P所述含义之一，特别优选丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氧杂环丁基、乙烯氧基或环氧基，

Sp¹、Sp²和Sp³各自彼此独立地表示单键或间隔基团，优选具有上下文对于Sp^a所示的含义之一，和特别优选-(CH₂)_p1-、-(CH₂)_p1-O-、-(CH₂)_p1-CO-O-或-(CH₂)_p1-O-CO-O-，其中p1为1-12的整数，和其中在后提及的基团中与相邻环的连接经由O原子发生，

其中基团P¹-Sp¹-、P²-Sp²-和P³-Sp³-的一个或多个也可表示R^aa，条件是所存在的基团P¹-Sp¹-、P²-Sp²-和P³-Sp³-的至少一个不表示R^aa，

R^aa表示H、F、Cl、CN或具有1-25个C原子的直链或支链烷基，其中另外，一个或多个不相邻的CH₂基团可各自彼此独立地被C(R⁰)＝C(R⁰⁰)-、-C≡C-、-N(R⁰)-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-以O和/或S原子不彼此直接连接的方式替代，和其中另外，一个或多个H原子可被F、Cl、CN或P¹-Sp¹-替代，特别优选具有1-12个C原子的直链或支链、任选单或多氟代的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基(其中烯基和炔基具有至少两个C原子和支链基团具有至少三个C原子)，

R⁰、R⁰⁰各自彼此独立且每次出现时相同或不同地表示H或具有1-12个C原子的烷基，

R^y和R^z各自彼此独立地表示H、F、CH₃或CF₃，

X¹、X²和X³各自彼此独立地表示-CO-O-、O-CO-或单键，

Z¹表示-O-、-CO-、-C(R^yR^z)-或-CF₂CF₂-，

Z²和Z³各自彼此独立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CH₂O-、-OCH₂-、-CF₂O-、-OCF₂-或-(CH₂)_n-，其中n为2、3或4，

L每次出现时相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF₅或具有1-12个C原子的直链或支链、任选单或多氟代的烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，优选F，

L'和L″各自彼此独立地表示H、F或Cl，

r表示0、1、2、3或4，

s表示0、1、2或3，

t表示0、1或2，

x表示0或1。

在式M1-M36化合物中，

优选表示

其中L每次出现时相同或不同地具有以上含义之一并优选表示F、Cl、CN、NO₂、CH₃、C₂H₅、C(CH₃)₃、CH(CH₃)₂、CH₂CH(CH₃)C₂H₅、OCH₃、OC₂H₅、COCH₃、COC₂H₅、COOCH₃、COOC₂H₅、CF₃、OCF₃、OCHF₂、OC₂F₅或P-Sp-，特别优选F、Cl、CN、CH₃、C₂H₅、OCH₃、COCH₃、OCF₃或P-Sp-，非常特别优选F、Cl、CH₃、OCH₃、COCH₃或OCF₃，特别是F或CH₃。

合适的可聚合化合物列于例如表D中。

根据本申请的液晶介质优选包含总计0.1-10％，优选0.2-4.0％，特别优选0.2-2.0％的可聚合化合物。

特别优选的是式M和式RM-1至RM-94可聚合化合物。

根据本发明的混合物可进一步包含常规添加剂，例如稳定剂、抗氧剂、UV吸收剂、纳米颗粒、微粒等。

根据本发明的液晶显示器的结构符合通常的几何学如例如EP-A 0 240379中所描述的。

以下实施例意欲解释本发明而非对其进行限制。在上下文中，百分数数据表示重量百分数；全部温度以摄氏度表示。

贯穿本申请，1,4-亚环己基环和1,4-亚苯基环描绘于下：

亚环己基环为反式-1,4-亚环己基环。

贯穿本申请和工作实施例，液晶化合物的结构通过缩写的方式表达。除非另有说明，依据表1-3转变为化学式。全部基团C_nH_2n+1、C_mH_2m+1和C_m′H_2m′+1或C_nH_2n和C_mH_2m为直链烷基或亚烷基，每次出现时分别具有n、m、m’或z个C原子。n、m、m′、z各自彼此独立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，优选1、2、3、4、5或6。表1中编码各化合物的环单元，表2中列出桥要素和表3中阐明化合物左手侧链或右手侧链的符号含义。

表1：环单元

表2：桥要素

表3：侧链

除式I化合物之外，根据本发明的混合物优选包含一种或多种以下所述的表A所提及的化合物的化合物。

表A

使用以下缩写：

(n、m、m’、z：各自彼此独立地为1、2、3、4、5或6；

(O)C_mH_2m+1意指OC_mH_2m+1或C_mH_2m+1)

可根据本发明使用的液晶混合物以本身常规的方式制备。通常，所需量的成分以较少量溶于构成主要成分的组分中，有利地在升高的温度下进行。也可以混合该组分在有机溶剂例如丙酮、氯仿或甲醇中的溶液，并在充分混合之后再次移除溶剂，例如通过蒸馏。

通过合适的添加剂使根据本发明的液晶相可以它们可以任意类型用于例如迄今已经公开的ECB、VAN、IPS、GH或ASM-VA LCD显示器中的方式来改进。

电介质也可进一步包含本领域技术人员已知和描述于文献中的添加剂，例如UV吸收剂、抗氧剂、纳米颗粒和自由基清除剂。例如，可加入0-15％多色性染料、稳定剂或手性掺杂剂。用于根据本发明混合物的合适稳定剂特别为表B中所列的那些。

例如，可加入0-15％多色性染料、以及可加入导电盐，优选乙基二甲基十二烷基4-己氧基苯甲酸铵、四丁基四苯基硼酸铵或冠醚的复合盐(参见，例如，Haller等,Mol.Cryst.Liq.Cryst.,第24卷,第249-258页(1973))，以改善导电性或可加入物质以改进向列相的介电各向异性、粘性和/或配向。该类型物质描述于例如DE-A 22 09 127、22 40864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430和28 53 728中。

表B显示了可加入根据本发明的混合物的可能掺杂剂。如果混合物包含掺杂剂，则其以0.01-4wt％，优选0.1-1.0wt％的量使用。

表B

表B阐明通常加入根据本发明混合物的可能掺杂剂。混合物优选包含0-10wt％，特别是0.01-5wt％和特别优选0.01-3wt％的掺杂剂。

表C

可例如以0-10wt％的量加入根据本发明混合物的稳定剂示于下。

表D

表D显示了可优选用作根据本发明的LC介质中反应性介晶化合物的示例化合物。如果根据本发明的混合物包含一种或多种反应性化合物，则它们优选以0.01-5wt％的量使用。也可能需要加入引发剂或两种或更多种引发剂的混合物用于聚合。引发剂或引发剂混合物优选以基于混合物0.001-2wt％的量加入。合适的引发剂为例如Irgacure(BASF)或Irganox(BASF)。

在优选实施方案中，根据本发明的混合物包含一种或多种可聚合化合物，优选选自式RM-1至RM-94可聚合化合物。该类型介质是适合的，特别是，用于PS-FFS和PS-IPS应用。在表D所示反应性介晶中，特别优选化合物RM-1、RM-2、RM-3、RM-4、RM-5、RM-11、RM-17、RM-35、RM-41、RM-44、RM-62和RM-81。

具体实施方式

工作实施例：

以下实施例意欲解释本发明而非对其进行限制。在实施例中，m.p.表示熔点和C表示液晶物质以摄氏度表示的清亮点；沸腾温度表示为m.p。进一步地：C表示晶体固态，S表示近晶相(指数表示相类型)，N表示向列相，Ch表示胆甾醇相，I表示各向同性相，T_g表示玻璃化转变温度。两符号之间的数值表示以摄氏度表示的转变温度。

用于测定式I化合物光学各向异性△n的主体混合物为可商购混合物ZLI-4792(Merck KGaA)。介电各向异性△ε使用可商购混合物ZLI-2857测定。待研究化合物的物理数据获自主体混合物在加入待研究化合物之后介电常数的改变并外推至100％所用化合物。通常，取决于溶解度，10％待研究化合物溶于主体混合物。

除非另有说明，份数或百分数数据表示以重量计的份数或以重量计的百分数。

上下文中：

V₀表示阈值电压，电容性[V]，20℃下，

n_e表示20℃和589nm下的非寻常折射率，

n_o表示20℃和589nm下的寻常折射率，

△n表示20℃和589nm下的光学各向异性，

ε_⊥表示20℃和1kHz下垂直于指向矢的介电常数，

ε_||表示20℃和1kHz下平行于指向矢的介电常数，

△ε表示20℃和1kHz下的介电各向异性，

cl.p.,T(N,I)表示清亮点[℃]，

γ₁表示20℃下的旋转粘度[mPa·s]，通过磁场中旋转方法测定，

K₁表示弹性常数，20℃下的“斜展”变形[pN]，

K₂表示弹性常数，20℃下的“扭曲”变形[pN]，

K₃表示弹性常数，20℃下的“弯曲”变形[pN]。

LTS表示低温稳定性(向列相)，测试盒中测定。

除非另有明确说明，在本申请中指明的所有温度的值，如熔点T(C,N)，从近晶(S)相到向列(N)相的转变T(S,N)以及清亮点T(N,I)，都以摄氏温度(℃)表示。M.p.表示熔点，cl.p.＝清亮点。此外，Tg＝玻璃相，C＝结晶态，N＝向列相，S＝近晶相和I＝各向同性相。这些符号之间的数据表示转变温度。

所有物理性能是依据“Merck Liquid Crystals,Physical Properties ofLiquid Crystals”，Status 1997年11月,Merck KGaA(德国)测定的并且适用温度为20℃，且△n在589nm下和△ε在1kHz下确定，除非每种情形下另外明确指出。

对于本发明，术语“阈值电压”指的是电容性阈值(V₀)，也称为Freedericksz阈值，除非另外明确指出。在实施例中，如一般通常的那样，也可以给出对于10％相对对比度的光学阈值(V₁₀)。

用于测量电容性阈值电压的显示器由间隔为20μm的两个平面平行的玻璃外板构成，所述外板的每个在内侧上具有电极层以及位于顶部的、未经摩擦的聚酰亚胺配向层，其导致液晶分子的垂面边缘配向。

用于测量倾斜角的显示器或测试盒由间隔为4μm的两个平面平行的玻璃外板构成，所述外板的每个在内侧上具有电极层以及位于顶部的聚酰亚胺配向层，其中所述两个聚酰亚胺层反向彼此平行地(antiparallel)摩擦并导致液晶分子的垂面边缘配向。

通过用一定强度的UVA光(通常365nm)辐照预定时间，同时向显示器施加电压(通常为10V～30V交流电，1kHz)使可聚合化合物在显示器或测试盒中聚合。在实施例中，除非另有说明，采用50mW/cm²汞蒸气灯，和使用装配有365nm带通滤波器的标准UV计(makeUshio UNI meter)测量强度。

通过旋转晶体实验(Autronic-Melchers TBA-105)测定倾斜角。小的值(即相对于90°角的大的偏离)在此对应于大的倾斜。

VHR值按照如下进行测量：将0.3％可聚合单体化合物加入LC主体混合物，并将得到的混合物引入TN-VHR测试盒中(90°摩擦，配向层TN聚酰亚胺，层厚度d≈6μm)。在1V，60Hz,64μs脉冲下UV曝光2小时(阳光试验)之前和之后在100℃下于5分钟后测定HR值(测量仪器：Autronic-Melchers VHRM-105)。

为了研究低温稳定性，也称作“LTS”，即LC混合物对于单个成分低温自发结晶析出的稳定性，将含有1g LC/RM混合物的瓶子储存于-10℃下，并有规律地检验混合物是否已结晶析出。

所谓的“HTP”表示光学活性或手性物质在LC介质中的螺旋扭转力(以μm计)。除非另有说明，在可商购向列LC主体混合物MLD-6260(Merck KGaA)中、于20℃下测量HTP。

除非另有明确说明，本申请中所有浓度以重量百分数表示并相对于作为整个相应混合物计，包含全部固体或液晶成分，但不包括溶剂。全部物理性质根据“Merck LiquidCrystals,Physical Properties of Liquid Crystals”,Status November 1997,MerckKGaA,Germany测定，并应用于20℃的温度，除非另有明确说明。

混合物实施例

实施例M1

实施例M2

实施例M3

实施例M4

实施例M5

实施例M6

实施例M7

实施例M8

实施例M9

为了PS-VA混合物的制备，将99.7％的根据实施例M1的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

实施例M10

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M11

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M2的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M12

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M13

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M4的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M14

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M1的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M15

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M1的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M16

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M5的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M17

实施例M18

实施例M19

实施例M20

实施例M21

实施例M22

实施例M23

实施例M24

实施例M25

实施例M26

实施例M27

实施例M28

实施例M29

实施例M30

实施例M31

实施例M32

实施例M33

实施例M34

实施例M35

实施例M36

为了PS-VA混合物的制备，将99.7％的根据实施例M17的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

实施例M37

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M17的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M38

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M17的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M39

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M17的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M40

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M17的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M41

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M17的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M42

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M17的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M43

为了PS-VA混合物的制备，将99.7％的根据实施例M19的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

实施例M44

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M19的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M45

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M19的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M46

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M19的混合物与0.001％Irganox 1076和0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M47

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M19的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M48

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M19的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M49

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M19的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M50

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M19的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M51

为了PS-VA混合物的制备，将99.7％的根据实施例M22的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

实施例M52

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M22的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M53

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M22的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例54

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M22的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M55

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M22的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M56

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M22的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M57

为了PS-VA混合物的制备，将99.8％的根据实施例M22的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M58

为了PS-VA混合物的制备，将99.6％的根据实施例M28的混合物与0.2％下式可聚合化合物混合

实施例M59

为了PS-VA混合物的制备，将99.75％的根据实施例M28的混合物与0.25％下式可聚合化合物混合

实施例M60

为了PS-VA混合物的制备，将99.7％的根据实施例M33的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

实施例M61

为了PS-VA混合物的制备，将99.7％的根据实施例M33的混合物与0.3％下式可聚合化合物混合

实施例62

为了PS-VA混合物的制备，将99.6％的根据实施例M33的混合物与0.2％下式可聚合化合物

和0.2％下式可聚合化合物混合