阅读说明：本技术 一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置 (Preparation method of swelling polymerization temperature control circuit based on shape memory effect and circuit device ) 是由 吴雪莲 姜江 曹明昊 郭玉琴 徐凡 袁晓明 于 2019-08-30 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置,涉及温控电路领域,基体为绝缘形状记忆聚合物,在基体表面加工出连续的凹陷结构,所述凹陷区域的深度不大于基体材料厚度的三分之二；所述凹陷结构的深度可相同,也可不同；所述凹陷结构可以是在基体表面加工出的凹槽结构,也可以是在特定温度下进行压印预变形处理所制备的凹痕结构；在凹陷结构中引入有机溶剂,使得有机溶剂和凹陷区域材料发生一定深度范围的溶胀；在凹陷的溶胀区域引入可形成导电物质的溶液；所述导电物质的溶液进入溶胀区材料分子链段形成的网络空隙为反应池,生成导电物质；对溶胀氧化聚合完的凹陷区域固化处理后得到导电线路。(The invention discloses a preparation method of a swelling polymerization temperature control circuit based on a shape memory effect and a circuit device, and relates to the field of temperature control circuits, wherein a substrate is an insulating shape memory polymer, a continuous concave structure is processed on the surface of the substrate, and the depth of a concave area is not more than two thirds of the thickness of a substrate material; the depths of the concave structures can be the same or different; the concave structure can be a groove structure processed on the surface of the substrate or a dent structure prepared by carrying out stamping pre-deformation treatment at a specific temperature; introducing an organic solvent into the recessed structure, so that the organic solvent and the recessed area material are swelled within a certain depth range; introducing a solution capable of forming a conductive substance into the swollen region of the recess; the solution of the conductive substance enters a network gap formed by the molecular chain segment of the material in the swelling area to be a reaction pool, and the conductive substance is generated; and curing the swelled, oxidized and polymerized concave area to obtain the conductive circuit.)

一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电 路装置

技术领域

本发明涉及温控电路领域，具体涉及一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置。

背景技术

当前的温控电路技术主要采用闭环控制系统，将电路实际的温度参数由传感器转换成电信号，再与预先设定的值进行对比反馈，将反馈信息传递给控制器，然后实现电路的通断。虽然该技术应用广泛，但设备成本高，工作信号转变和对比反馈需一定的响应时间，且需外接器件进行信号处理反馈才能进行控制电路的通断。所以，对于温控电路技术的改进和研发就具有一定的意义。

形状记忆聚合物是一种新型智能材料，可在不同的外界刺激条件下(热、电、光等)，在进行预变形后具有保持临时形状的功能，当再次受到外界的刺激时，可自行恢复初始的形状。该功能可应用于温控电路控制电路的通断，自恢复的特性可以充当电路的控制器，无需信号转变和反馈响应。温控电路广泛的应用于家用电器，如冰箱、洗衣机、电热水器等等，但传统的温控电路存在结构复杂，成本高，不便维修等缺点，并在电磁环境下无法正常工作，因此限制了温控电路的应用与发展。形状记忆聚合物具有成本低、易成型、轻便、工作环境要求低等特点，可作为电路的基体实现电路的通断，这对于温控电路的研发应用具有极佳的前景。

目前，对于温控电路技术已有相关专利，但存在着一定的不足。中国专利CN108321010A公开了一种基于形状记忆聚合物的双向温控开关系统和方法，该系统相对于传统温控电路简便，但存在一定不足。首先，该开关的触点导电物质是通过涂覆碳膏层，多次变形后后导电层容易脱落，工作稳定性有待提高；其次，该温控开关的基体制备需添加形状记忆聚合物纤维进行热压成型，制备成本高。

专利CN204291556U公开了一种可快速变化的电路导电部件，该导电部件以形状记忆聚合物为基地，对基体进行预变形处理，再对基体表面进行喷涂或印刷导电层。该专利的要求基体表面初始形状为凹凸结构，预变形后为平面结构，对基体表面初始形貌要求高，增加制造成本；其次，该电路的导电层是通过喷涂或者印刷导电物质，与基体的粘附性不高，工作寿命和稳定性有待提高。

专利CN107249254A公开了一种可拉伸或弯折复合电路系统及其制备方法，该发明通过在弹性体中添加不同热熔胶组分，通过模具成型制备弹性形状记忆聚合物，再对弹性形状记忆聚合物特定温度范围内进行一定的拉伸预变形，然后在预变形后的基体表面喷涂、粘贴或打印电路系统。该专利的基体性能需要添加定量的热熔胶来制备不同参数的弹性形状记忆聚合物，制造工艺较复杂，设备成本高；其电路系统是通过喷涂、粘贴或者打印的方式与基体粘合，电路稳定性和工作寿命是其缺点；其预变形恢复后电路形成褶皱，可能会导致电路部分重叠接触，对电路的正常工作产生一定影响。

发明内容

为了解决当前温控电路技术复杂、成本高、工作范围有限等技术问题，本发明提供了一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置。

相对于现有的技术，对具有形状记忆效应的基体进行预变形处理，可加工成由形状记忆效应控制电路通断的线路结构，使得有机溶剂在加工好的线路结构内与基体材料发生溶胀，以溶胀所形成的聚合物分子网络空隙为反应池发生导电聚合物的原位聚合反应生成导电聚合物，从而实现线路的导电功能，再通过形状记忆效应控制电路的通断。

一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路及其制备方法

(a)基体为绝缘形状记忆聚合物；

(b)在基体表面加工出连续的凹陷结构，所述凹陷区域的深度不大于基体材料厚度的三分之二；所述凹陷结构的深度可相同，也可不同；所述凹陷结构可以是在基体表面加工出的凹槽结构，也可以是在特定温度下进行压印预变形处理所制备的凹痕结构；

(c)在凹陷结构中引入有机溶剂，使得有机溶剂和凹陷区域材料发生一定深度范围的溶胀；

(d)在凹陷的溶胀区域引入可形成导电物质的溶液；所述导电物质的溶液进入溶胀区材料分子链段形成的网络空隙为反应池，生成导电物质；对溶胀氧化聚合完的凹陷区域固化处理后得到导电线路。

进一步的，(a)电路的基体为绝缘形状记忆聚合物；

(b)在基体表面加工出线形凹槽结构，在凹痕区域滴加苯胺溶液，苯胺和凹痕区域材料发生一定深度范围的溶胀；溶胀后的凹痕深度不大于基体材料的三分之二；

(c)向溶胀过后的凹痕区域滴加氧化剂，使其进入形状记忆聚合物凹痕溶胀区域部分的分子网络间隙，苯胺和氧化剂在溶胀聚合物的分子网络间隙内发生原位聚合反应，生成导电聚苯胺；对溶胀氧化聚合完的凹痕区域固化处理后得到导电线路。

进一步的，所述导电物质的电导率范围为10^-5S/cm～10³S/cm。

进一步的，所述线形凹陷结构可以是通过机械加工实现的永久凹陷结构，也可以是基于聚合物形状记忆效应的压印预变形处理。

进一步的，所述使导电线路不导通的预变形处理可以是垂直于导电线路方向的条形局部压印，也可以是沿着导电线路方向进行的局部拉伸。

进一步的，当所述凹陷结构是通过对形状记忆聚合物基体进行压印预变形处理实现时，进行导电线路不连通的预变形处理温度低于第一次压印预变形处理的温度。

进一步的，当所述凹陷结构是通过对形状记忆聚合物基体进行压印预变形处理实现时，可在导电线路制备完成后即对其进行加热，使其发生形状恢复，且形状回复率大于80％。

进一步的，所述可形成导电物质的溶液可以是石墨烯、碳纳米管、碳粉、科琴黑中的一种或几种在有机溶液中形成的分散液，也可以是聚苯胺、聚吡咯、聚乙炔、聚噻吩、聚苯乙烯磺酸、聚苯硫醚的原料单体。

进一步的，所述溶胀处理是使用有机溶剂作用在聚合物上进行的。所述有机溶剂可以是苯胺、甲苯、二甲苯、丙酮、乙醇、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜，N，N二甲基甲酰胺，N-甲基吡咯烷酮，二氯乙烷，乙酸乙酯、丙三醇、三乙醇胺、乙二胺、二氯苯、乙烯乙二醇醚中的一种或多种。

进一步的，所述聚合物是乙烯-醋酸乙烯共聚物、聚氨酯、聚乳酸、聚己内酯、聚四氟乙烯、环氧、聚酰亚胺、聚碳酸酯、酚醛树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯醚、氰酸酯、聚烯烃、聚芳醚酮中的一种或多种。

基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法获得的电路装置，

步骤一：将步骤d中得到的导电线路通过电子器件连接形成电路装置；

步骤二：在特定温度下对导电线路的一段或者多段区域进行预变形处理，从而使得基体上的导电物质失去连续性，电路装置不连通；或者在表面加工出连续的且深度不同的凹陷结构的较深部分区域引入助剂，使得导电物质失去导电性能，导电线路失去连续型，电路装置不连通；

步骤三：依次加热预变形区域，预变形区域发生形状恢复，导电物质重新形成连续相，电路装置连通；或者再次引入助剂，使得不导通区域再次具有导电性能。

本发明与现有技术相比，有以下优点：

1.本发明提供的基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法，其导电线路是在一定深度的溶胀区域内聚合成导电物质，因此导电线路与基体具有良好的连接性。

2.本发明提供的基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法，其导电线路中的导电成分存在于溶胀所形成的聚合物分子网络空隙为反应池内，因此其受空气环境因素影响小，导电性能稳定。

3.本发明提供的基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法，其控制电路的通断无需进行信号转变和反馈，而是通过控制温度的变化(控制形状记忆效应的发生)或在局部电路区域滴加特定溶剂，从而控制电路的通断。

4.本发明提供的基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法，其控制电路可在特定温度下对不同区域进行电路的通断控制。

5.本发明提供的基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法，其电路溶胀聚合方案简单，对设备要求低，工艺简便，且高效经济。

6.本发明提供的基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法，其整个基体都是形状记忆聚合物，可应用于相关的可折叠电路。

附图说明

图1(a)是本发明实施例一中基体表面上加工出线形凹槽后溶胀聚合成导电聚合物(灰色为导电聚合物)结构示意图；

图1(b)是本发明实施例一中在线形凹槽内导电聚合物预变形处理后结构示意图(灰色为导电聚合物)；

图1(c)是本发明实施例一中预变形后导电线路进行热回复的结构示意图；

图2(a)是本发明实施例三中基体表面上预变形加工出线形不同深度凹槽的结构示意图；

图2(b)是本发明实施例三中滴加助剂使得导电线路不连续的结构示意图(黑色为不导电物质)；

图2(c)是本发明实施例三中通过添加助剂使得导电线路连续的结构示意图；

图3(a)是本发明实施例八中基体表面上加工出线形凹槽结构示意图；

图3(b)是本发明实施例八中在线形凹槽内溶胀聚合成连续导电聚合物结构示意图(灰色为导电聚合物)；

图3(c)是本发明实施例八中对整个导电线路进行横向拉伸后电路不连续失去导电性的结构示意图(黑色为不导电部分，灰色为导电聚合物)；

图3(d)是本发明实施例八中拉伸预变形后进行恢复后的电路结构示意图；

图4是本发明技术流程图。

具体实施方式

实施例一：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为40×30×1.5mm的乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)为基体，其玻璃化转变温度为50℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为30×1.5×0.6mm；在加工好的凹槽内滴加苯胺溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，20min后溶胀层达到30μm；取出凹槽中剩余苯胺溶液，滴加过硫酸铵氧化剂，使得溶胀层内的苯胺单体氧化聚合成导电聚苯胺，30min氧化聚合完成；用四探针测得电导率为10^-3S/cm；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；将聚合好的线路进行局部预变形，70℃下在线路凹槽横向10mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为5×1.5×1mm，此时导电物质不连续，电路断开；将电路进行加热恢复，恢复温度为65℃，恢复率达到95％，导电物质连续，线路导通，LED灯正常工作。

实施例二：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为30×30×1.5mm的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基体，其玻璃化转变温度为110℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为25×1.2×0.6mm；在加工好的凹槽内滴加二甲苯溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，15min后溶胀层达到50μm；取出凹槽中剩余二甲苯溶液，引入苯胺单体，使得苯胺进入溶胀区域内，滴加过硫酸铵氧化剂，使得溶胀层内的苯胺单体氧化聚合成导电聚苯胺，30min氧化聚合完成；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10^-1S/cm；将聚合好的线路进行压印预变形，105℃下线路凹槽横向10mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为3×1.2×1mm，120℃下线路凹槽横向20mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为3×1.2×1mm，此时导电物质不连续，电路断开；将电路进行加热恢复，加热到105℃时，10mm处小凹槽恢复率达到98％，恢复温度到130℃，20mm处小凹槽恢复率达到95％，导电物质连续，线路导通，LED灯正常工作。

实施例三：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为40×30×1.2mm的聚苯乙烯为基体，其玻璃化转变温度为100℃；在120℃下用模具压印预变形出线形凹槽，其尺寸为30×1.5×0.6mm；将压印好的线路进行二次压印预变形，即在80℃下在线路凹槽横向10mm处和20mm处分别压印预变形尺寸为3×1.5×0.9mm的小型凹槽；在加工好的凹槽内滴加丙酮溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，30min后溶胀层达到80μm；取出凹槽中剩余丙酮溶液，引入苯胺单体，使得苯胺进入溶胀区域内，滴加过硫酸铵氧化剂，使得溶胀层内的苯胺单体氧化聚合成导电聚苯胺，30min氧化聚合完成；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10¹S/cm；在两处预变形小型凹槽内滴加1mol/L氨水，30min后小型凹槽内导电物质被还原，失去导电性，电路断开；再次滴加过硫酸铵溶液，20min后小型凹槽区域再次氧化成导电聚合物，导电物质连续，线路再次导通，LED灯正常工作。实施例四：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为50×40×2mm的ABS为基体，其玻璃化转变温度为110℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为40×1×0.8mm；在加工好的凹槽内滴加N，N二甲基甲酰胺溶液(DMF)溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，3h后溶胀层达到60μm；取出凹槽中剩余N，N二甲基甲酰胺溶液(DMF)溶液，引入吡咯单体，使得吡咯进入溶胀区域内，滴加三氯化铁氧化剂，使得溶胀层内的苯胺单体氧化聚合成导电聚吡咯，20min氧化聚合完成；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10^-3S/cm；将聚合好的线路进行压印预变形，40℃下线路凹槽横向10mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为3×1×1.2mm，此时导电线路a不导通；80℃下线路凹槽横向20mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为3×1×1.2mm，此时导电线路b不导通；110℃下线路凹槽横向30mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为3×1×1.2mm，此时导电线路c不导通；将电路进行加热恢复，恢复温度到40℃，10mm处小型凹槽恢复率达到97％，此时导电线路a导通；恢复温度到80℃，20mm处小凹槽恢复率达到95％，此时导电线路b导通；恢复温度到120℃，30mm处小凹槽恢复率达到95％，导电物质全部连续，线路导通，LED灯正常工作。

实施例五：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为45×45×1.5mm的聚乳酸为基体，其玻璃化转变温度为65℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为35×1.5×0.6mm；在加工好的凹槽内滴加苯胺溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，30min后溶胀层达到30μm；滴加含有碳纳米管的盐酸混合溶液后，再引入过硫酸铵氧化剂，聚合形成包裹碳纳米管的导电聚苯胺层线路，30min氧化聚合完成；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯泡，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10²S/cm；将聚合好的线路进行局部预变形，100℃下线路凹槽横向15mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为4×1.5×0.8mm，110℃下线路凹槽横向25mm处压印预变形一个小型凹槽，其尺寸为4×1.5×0.8mm，此时导电物质不连续，电路断开；将电路进行加热恢复，恢复温度到100℃，15mm处小凹槽恢复率达到98％，恢复温度到160℃，25mm处小凹槽恢复率达到95％，导电物质连续，线路导通，小灯泡正常工作。

实施例六：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为30×20×1.5mm的聚氯乙烯(PVC)为基体，其玻璃化转变温度为50℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为25×2×0.6mm；在加工好的凹槽内横向8mm处再加工小型永久性凹槽，其尺寸为2×2×0.8mm；在加工好的凹槽内滴加苯胺溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，1h后溶胀层达到80μm；取出凹槽中剩余苯胺溶液，滴加过硫酸铵氧化剂，使得溶胀层内的苯胺单体氧化聚合成导电聚苯胺，30min氧化聚合完成；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10^-1S/cm；在小型凹槽内滴加1mol/L氨水，1h后小型凹槽内聚合物失去导电性，线路断开；再次滴加过硫酸铵溶液，20min后小型凹槽区域再次氧化成导电聚合物，导电物质连续，线路再次导通，LED灯正常工作。

实施例七：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为50×50×1.5mm的形状记忆聚酰亚胺为基体，其玻璃化转变温度为170℃；180℃下基体材料用模具压印预变形出线形凹槽，其尺寸为30×1.5×0.6mm，将压印好的线路凹槽再进行局部预变形，90℃在凹槽横向10mm处再压印小型凹槽，其尺寸为3×1.5×1mm，150℃在凹槽横向20mm处再压印小型凹槽，其尺寸为3×1.5×1mm；在加工好的凹槽内滴加苯胺溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，20min后溶胀层达到30μm；取出凹槽中剩余苯胺溶液，滴加二苯二硫醚单体，再滴加乙酰丙酮作为催化剂，氧气为氧化剂，30min氧化聚合成聚苯硫醚；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，导电物质不连续，电路断开；用四探针测得电导率为10^-4S/cm；对小型凹槽进行加热恢复，恢复温度到90℃，10mm处小型凹痕恢复率达到95％，20mm处凹槽恢复率为40％，恢复温度到170℃时，20mm处小型凹槽恢复率达到98％，导电物质连续，线路导通，LED灯正常工作。

实施例八：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为40×30×1.5mm的聚氨酯为基体，其玻璃化转变温度为70℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为30×1.5×0.6mm；在加工好的凹槽内滴加苯胺溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，6h后溶胀层达到100μm；取出凹槽中剩余苯胺溶液，滴加过硫酸铵氧化剂，使得溶胀层内的苯胺单体氧化聚合成导电聚苯胺，30min氧化聚合完成；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10²S/cm；将聚合好的线路进行拉伸变形处理，90℃将导电线路进行横向拉伸变形400％，凹痕导电线路失去连续型，电路断开；对拉伸后的线路进行形状回复，100℃进行形状恢复率达到85％，导电物质连续，线路导通，LED灯正常工作；用四探针测得电导率为10^-2S/cm。

实施例九：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为25×25×1.2mm的乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)为基体，其玻璃化转变温度为70℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为15×1×0.4mm；在加工好的凹槽内滴加二甲基亚砜溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，1h后溶胀层达到50μm；取出凹槽中剩余二甲基亚砜溶液，滴加石墨烯和碳纳米管在N,N二甲基甲酰胺中的分散溶液，30min电路成型；将成型的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10³S/cm；对导电线路在70℃下进行预变形处理，在凹痕横向8mm处进行局部压印小型凹槽，其尺寸为2×1×0.8mm，局部导电物质不连续，电路断开；再对局部预变形区域进行加热形状恢复，80℃恢复率达到98％，导电线路连续，电路正常工作。

实施例十：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为40×30×1.5mm的PET为基体，其玻璃化转变温度为80℃；100℃下将基体材料用模具压印预变形出线形凹槽，其尺寸为30×1.5×1mm；在加工好的凹槽内滴加二甲基酰胺溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，12h后溶胀层达到150μm；取出凹槽中剩余二甲基酰胺溶液，滴加噻吩单体，再滴加过氧化氢氧化剂，使得溶胀层内的噻吩单体氧化聚合成导电聚噻吩，20min氧化聚合完成；将溶胀氧化聚合好的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10³S/cm；将聚合好的线路进行拉伸变形处理，40℃下将凹痕进行横向拉伸变形200％，纵向拉伸变形100％，凹痕区域导电线路失去连续型，电路断开；对拉伸后的线路进行形状恢复，80℃进行形状恢复率达到90％，导电物质连续，线路导通，LED灯正常工作；用四探针测得电导率为10¹S/cm。

实施例十一：一种基于形状记忆聚合物的溶胀聚合温控电路的制备方法，以尺寸为50×30×1.2mm的乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)为基体，其玻璃化转变温度为70℃；通过机械加工在基体表面加工出线形凹槽，其尺寸为15×1×0.4mm；在加工好的凹槽内滴加苯胺溶剂，使得凹槽内的表层材料溶胀，4h后溶胀层达到70μm；取出凹槽中剩余苯胺溶液，滴加过硫酸铵氧化剂，使得溶胀层内的苯胺单体氧化聚合成导电聚苯胺，30min氧化聚合完成；80℃下对电路进行预变形，以凹槽电路长度的中点为折叠点，进行90°折叠；将成型的线路连接LED灯，电路接通后正常工作；用四探针测得电导率为10²S/cm；再对折叠电路板进行加热恢复，90℃恢复率达到95％，且电路正常工作。

所述实施例为本发明的优选的实施方式，但本发明并不限于上述实施方式，在不背离本发明的实质内容的情况下，本领域技术人员能够做出的任何显而易见的改进、替换或变型均属于本发明的保护范围。