阅读说明：本技术 掩模版及其制造方法、光刻方法、显示面板、曝光装置 (Mask and its manufacturing method, photolithography method, display panel, exposure device ) 是由 王登峰 芮洲 周茂秀 杨海鹏 郭磊 陈琳 于 2019-09-26 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种掩模版,至少包括：第一透光区,设置有第一滤光膜；第二透光区,设置有第二滤光膜；其中,所述第一滤光膜和第二滤光膜能够滤除的光线的频率范围不同。本发明还公开了一种掩模版制造方法、光刻方法、显示面板、显示装置和曝光装置。(The invention discloses a kind of masks, include at least: the first transparent area is provided with the first filter coating；Second transparent area is provided with the second filter coating；Wherein, the frequency range for the light that first filter coating and the second filter coating can filter out is different.The invention also discloses a kind of mask manufacturing method, photolithography method, display panel, display device and exposure devices.)

掩模版及其制造方法、光刻方法、显示面板、曝光装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是指一种掩模版及其制造方法、光刻方法、显示面板、曝光装置。

背景技术

液晶显示屏在制作阵列基板和彩膜基板的工序中均会用到光刻工艺，光刻胶涂覆后用UV光透过掩模版(Mask)照射光刻胶(PR)，曝光处理后显影，再用碱性液除去被光照部分的PR，从而形成与Mask对应的PR图案。以PR图案为掩模，对基底材料刻蚀，从而实现图形从Mask到基板的转移。

在实际的生产中，面板厂在建厂后曝光机分辨率即随之确定，无法轻易改变，例如当曝光机精度为3μm时，就难以将该精度进一步缩小。受限于设备曝光精度固有缺陷，虽然通过相位移补偿等增强曝光技术可以提高分辨率，但提升空间有限。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的之一在于，提出一种掩模版及其制造方法、光刻方法、显示面板、曝光装置，能够在一定程度上突破了曝光机的分辨率限制。

基于上述目的，本发明实施例的第一个方面，提供了一种掩模版，至少包括：

第一透光区，设置有第一滤光膜；

第二透光区，设置有第二滤光膜；

其中，所述第一滤光膜和第二滤光膜能够滤除的光线的频率范围不同。

可选地，所述第一透光区和第二透光区交错设置。

可选地，所述第一透光区和第二透光区具有梳状部分。

可选地，所述第一滤光膜和第二滤光膜为半透膜。

本发明实施例的第二个方面，提供了一种掩模版制造方法，包括：

在掩模基板上形成第一透光区和第二透光区；

在所述第一透光区形成第一滤光膜；

在所述第二透光区形成第二滤光膜；

其中，所述第一滤光膜和第二滤光膜能够滤除的光线的频率范围不同。

可选地，在所述第一透光区形成第一滤光膜和在所述第二透光区形成第二滤光膜中的至少一个步骤，包括：

在所述掩模基板上涂覆滤光材料；

去除非目标区域的所述滤光材料，并保留目标区域的所述滤光材料；

其中，所述目标区域对应于所述第一透光区或第二透光区。

本发明实施例的第三个方面，提供了一种利用所述的掩模版实现的光刻方法，包括：

在待光刻对象上涂覆光刻胶；

对位放置所述掩模版；

利用具有第一频率的光线经所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光；

利用具有第二频率的光线经所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光；

其中，所述具有第一频率的光线仅能通过所述第一滤光膜，所述具有第二频率的光线仅能通过所述第二滤光膜。

可选地，所述光刻胶包括第一树脂，所述第一树脂为以下结构：

在式(I)中，

Xa表示氢原子或烷基，并且，

Rx表示氢原子或能够通过酸的作用分解并离去的基团。

可选地，所述光刻胶包括第二树脂，所述第二树脂为以下结构：

在式(II)中，

R₀表示氢原子或烷基，

R₁至R₃的每一个独立地表示烷基或环烷基，并且，

R₁至R₃中的两个可以组成以形成单环或多环环烷基。

本发明实施例的第四个方面，提供了一种显示面板，包括像素电极和公共电极；所述像素电极和公共电极中的至少其一采用所述的光刻方法制造。

可选地，所述像素电极和公共电极中的至少其一为梳状电极。

可选地，所述显示面板为ADS显示面板。

本发明实施例的第五个方面，提供了一种显示面板，包括数据线，所述数据线两侧设置有用于屏蔽干扰电场的屏蔽电极；所述屏蔽电极采用所述的光刻方法制造。

本发明实施例的第六个方面，提供了一种显示装置，包括所述的显示面板。

本发明实施例的第七个方面，提供了一种曝光装置，包括：

发光单元，被配置为将光源发出的光线转换为平行光；

滤光单元，被配置为将所述平行光过滤为具有第一频率或第二频率的光线。

可选地，所述滤光单元，包括：

第一滤光部，被配置为将所述平行光过滤为具有第一频率的光线；

第二滤光部，被配置为将所述平行光过滤为具有第二频率的光线；

切换机构，被配置为切换所述第一滤光部和第二滤光部以使所述第一滤光部或第二滤光部朝向所述平行光。

可选地，所述发光单元，包括：

光源，被配置为发出光线；

反射罩，被配置为将所述光线转换为平行光。

从上面所述可以看出，本发明实施例提供的掩模版，通过设置能够滤除不同频率光线的两种透光区，从而可以通过采用不同频率的光线经过两次曝光来完成光刻工艺，这样避免了因为干涉导致的分辨率限制，实现高精细缝隙(Slit)结构。

本发明实施例提供的掩模版制造方法制得的掩模版，能够滤除不同频率光线的两种透光区，从而可以通过采用不同频率的光线经过两次曝光来完成光刻工艺，这样避免了因为干涉导致的分辨率限制，实现高精细缝隙(Slit)结构。

利用本发明实施例提供的掩模版进行的光刻方法，因为掩模版能够滤除不同频率光线的两种透光区，掩模版与基台只需进行一次对位，就可以通过采用不同频率的光线经过两次曝光来完成光刻工艺，进而形成交错分布的光刻胶图案，这样避免了因为干涉导致的分辨率限制，从而可以在待光刻对象上得到高精细缝隙(Slit)结构。

本发明实施例提供的显示面板及显示装置，其中的电极采用所述光刻方法制造，能够提高显示面板及显示装置的透过率。

本发明实施例提供的所述曝光装置，通过滤光单元将发光单元的平行光进行初步的滤光处理，防止在曝光步骤中有干扰光线从非该曝光步骤工作的透光区中透过，影响曝光效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。

图1为一种曝光机的光路系统示意图；

图2为利用掩模版进行光刻工艺时光强分布示意图；

图3为本发明实施例提供的一种掩模版的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种掩模版的俯视结构示意图；

图5为本发明实施例提供的另一种掩模版的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种掩模版制造方法的流程示意图；

图7A为本发明实施例中在掩模基板上形成透光区后的掩模版结构示意图；

图7B为本发明实施例中在第一透光区形成第一滤光膜后的掩模版结构示意图；

图8为本发明实施例提供的一种光刻方法的流程示意图；

图9A为本发明实施例中在待光刻对象上涂覆光刻胶的示意图；

图9B为本发明实施例中对位放置所述掩模版的示意图；

图9C为本发明实施例中利用具有第一频率的光线经所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光的示意图；

图9D为本发明实施例中利用具有第二频率的光线经所述掩膜版对所述光刻胶进行曝光的示意图；

图9E为本发明实施例中得到最终的光刻胶图案的示意图；

图10为以图4所示的掩模版为例的从俯视角度观察的所述光刻方法的过程示意图；

图11为本发明实施例提供的一种曝光装置的框图结构示意图；

图12A为本发明实施例中滤光单元的结构示意图；

图12B为本发明实施例中滤光单元的俯视结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

图1示出了一种曝光机的光路系统示意图。

传统的紫外曝光机使用高压汞灯作为光源，高压汞灯的发光角度为360度，通过相当大面积的反射罩及较远的距离来进行光束调整，将光源发出的光转换为理想平行光，然后，通过平行光将掩模上的图形等比例转移到掩模下面的光刻胶(PR)上，再通过刻蚀，将PR上的图形转移到基片上(如无特别标注，本文特指正性光刻胶)。高压汞灯的辐射范围从紫外波段覆盖到可见光波段，但只有一部分UVA-UVB段的光谱是可作用于紫外曝光用途，其他光谱波段的辐射会造成环境温度升高，因此需要搭配冷却系统与空调设备。

在整个制造过程中，影响曝光精度的因素有很多，如Mask与基板的对齐精度、PR胶表面平坦度等，其中光通过掩膜版图案(Mask Pattern)边缘处引起的干涉是最关键因素，如图2所示。理论计算可知，特征尺寸b存在极限最小值，公式如下：

其中，bmin为光刻可实现的最小特征尺寸，S为mask和光刻胶之间的距离，λ为曝光用光波长，Z为光刻胶厚度。

此处的特征尺寸可以是指掩膜版图案的实体尺寸或镂空尺寸，两者具有相同的物理意义。

由此可见，因为最小特征尺寸bmin受干涉的影响，使得曝光机的分辨率受限(或精度受限)，在一次曝光步骤中，透光区间的间距不能小于最小特征尺寸bmin，使得曝光机的固有属性限制了更小关键尺寸(CD)图形的制造。

图3示出了本发明实施例提供的一种掩模版的结构示意图。

如图3所示，所述掩模版，包括：

第一透光区，设置有第一滤光膜21；

第二透光区，设置有第二滤光膜22；

其中，所述第一滤光膜21和第二滤光膜22能够滤除的光线的频率范围不同。

可选地，如图3所示，所述掩模版还包括衬底材料(掩模基板)10和掩模版图案20，所述掩模版图案20由透光区和实体区域24构成，其中透光区至少能够透过特定频率的光线。在本实施例中，所述第一透光区和第二透光区因为设置了不同的滤光膜，使得二者能够透过的光线的频率是不同的。

这样，在利用所述掩模版进行光刻工艺的时候，可以利用具有第一频率并能通过所述第一滤光膜21的光线先进行光照，而此时具有第一频率的光线并不会通过设置有第二滤光膜22的第二透光区，然后利用具有第二频率并能通过所述第二滤光膜22的光线再进行光照，而此时具有第二频率的光线并不会通过设置有第一滤光膜21的第一透光区，使得第一透光区和第二透光区能够互相为另一透光区的间隔，从而减少干涉造成的影响，进而实际上缩小了最小特征尺寸。如图3所示，尺寸大小b即bmin，L值可自定义。第一次曝光，由于Mask上第一滤光膜21和第二滤光膜22交替排布，故相邻两个第一滤光膜21的间隔区域肯定大于曝光机的bmin；第一次曝光后再进行第二次曝光，同理，相邻两个第二滤光膜22的间隔区域也大于曝光机bmin。

从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的掩模版，通过设置能够滤除不同频率光线的两种透光区，从而可以通过采用不同频率的光线经过两次曝光来完成光刻工艺，这样避免了因为干涉导致的分辨率限制，实现高精细缝隙(Slit)结构。

可选地，参考图4所示，所述第一透光区和第二透光区交错设置，通过交错设置透光区，使得相邻的透光区不会在同一次曝光步骤中使用，进而减少干涉的影响。

可选地，参考图4所示，所述第一透光区和第二透光区具有梳状部分。这样，利用该掩模版制作的金属电极具有高精细梳状结构，能够改善显示面板的透过率。

可选地，若对应的曝光机的bmin＝3μm，则所述掩模版关键尺寸精度可达±1.5μm。

例如，所述第一滤光膜21和第二滤光膜22可以采用半透膜或选择性透光膜，从而实现滤除某一频率范围的光线的效果。

图5示出了本发明实施例提供的另一种掩模版的结构示意图。

如图5所示，所述掩模版，包括：

第一透光区，设置有第一滤光膜21；

第二透光区，设置有第二滤光膜22；

第三透光区，设置有第三滤光膜23；

其中，所述第一滤光膜21、第二滤光膜22和第三滤光膜23能够滤除的光线的频率范围各不相同。

可以看出，本实施例中透光区被分成了三部分，并能分别滤除频率范围各不相同的光线，这种设计，相较于前一实施例而言，能够进一步减小最小特征尺寸，从而得到更加精细的图案。

当然，除了上述的两个实施例外，根据实际需要，为了进一步得到更加精细的图案，还可以再增加设置滤除不同频率光线的透光区，在此不再赘述。

需要说明的是，本实施例的Mask需要合理的分割图形，并确保分割的正确性，分割设计时应考虑到，两个曝光区域的连接处要保证两次曝光后光刻胶均一，防止光刻胶残留导致后续的图案中形成短路。此外，当待形成的图案中有大尺寸子图案时，大尺寸子图案采用一次曝光即可，而当存在精细尺寸子图案时，且精细图案超过曝光机精度时，Mask需进行分割设计。

图6示出了本发明实施例提供的一种掩模版制造方法的流程示意图。

如图6所示，所述掩模版制造方法，包括：

步骤31：在掩模基板10上形成第一透光区21’和第二透光区22’，如图7A所示；

步骤32：在所述第一透光区21’形成第一滤光膜21，如图7B所示；

步骤33：在所述第二透光区22’形成第二滤光膜22，如图3所示；

其中，所述第一滤光膜21和第二滤光膜22能够滤除的光线的频率范围不同。

从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的掩模版制造方法制得的掩模版，能够滤除不同频率光线的两种透光区，从而可以通过采用不同频率的光线经过两次曝光来完成光刻工艺，这样避免了因为干涉导致的分辨率限制，实现高精细缝隙(Slit)结构。

可选地，在形成透光区之前，还包括在掩模基板10上涂覆遮光材料的步骤，所述遮光材料可以是金属铬(Cr)。可选地，在掩模基板10上形成透光区的步骤可以采用描绘机(一种激光机)利用激光在遮光材料上形成透光区图案。因为描绘机的精度较高，能够更好地形成具有高精细图案的所述掩模版的透光区。

可选地，在所述第一透光区21’形成第一滤光膜21和在所述第二透光区22’形成第二滤光膜22中的至少一个步骤，包括：

在所述掩模基板10上涂覆滤光材料；

去除非目标区域的所述滤光材料，并保留目标区域的所述滤光材料；

其中，所述目标区域对应于所述第一透光区或第二透光区。

这里，当在采用上述步骤形成第一滤光膜21时，所述滤光材料相应地应该是滤除第一滤光膜21能够滤除的光线的材料；同理，当在采用上述步骤形成第二滤光膜22时，所述滤光材料则相应地应该是滤除第二滤光膜22能够滤除的光线的材料。

需要说明的是，形成第一滤光膜21和第二滤光膜22的先后顺序并不限定，二者的形成先后顺序并不影响最终形成的掩模版的结构，不需对该先后顺序进行限定。

图8示出了本发明实施例提供的一种光刻方法的流程示意图。

如图8所示，利用所述掩模版的任一实施例或实施例的排列、组合实现的光刻方法，包括：

步骤41：在待光刻对象50上涂覆光刻胶60，如图9A所示；可选地，所述待光刻对象50可以是任意的需要通过光刻工艺形成所需图案的对象，例如，阵列基板、彩膜基板等等。

步骤42：对位放置所述掩模版，如图9B所示。

步骤43：利用具有第一频率的光线经所述掩膜版对所述光刻胶60进行曝光，如图9C所示，所述具有第一频率的光线仅能通过所述第一滤光膜21，并照射到光刻胶60上形成对应的感光区域61。

步骤44：利用具有第二频率的光线经所述掩膜版对所述光刻胶60进行曝光，如图9D所示，所述具有第二频率的光线仅能通过所述第二滤光膜22，并照射到光刻胶60上形成对应的感光区域62。

最后经过显影处理(用碱性溶液清洗以剥离光照射的区域)，得到光刻胶图案(如图9E所示)，可以进一步进行刻蚀工艺进而在待光刻对象50上形成想要的图案。

图10以图4所示的掩模版为例，示出了从俯视角度观察的上述光刻方法的过程。其中，从左至右依次是涂覆光刻胶→第一次曝光→第二次曝光→最终刻蚀得到的图案。

从上述实施例可以看出，利用本发明实施例提供的掩模版进行的光刻方法，因为掩模版能够滤除不同频率光线的两种透光区，掩模版与基台只需进行一次对位，就可以通过采用不同频率的光线经过两次曝光来完成光刻工艺，进而形成交错分布的光刻胶图案，这样避免了因为干涉导致的分辨率限制，从而可以在待光刻对象上得到高精细缝隙(Slit)结构。

可以知道，可根据需要选择合适的间距L，例如，当0＜L＜6μm时即可获得突破分辨率极限的线宽，且曝光过程中不会有边缘干涉效应；如图9E所示，本发明只要设定L＞0，实际上mask pattern两个相邻镂空部分最小间距为bmin+L/2＞3μm，故不会有光的边缘干涉。例如，当L＝2μm时，在bmin为3μm时，可形成宽1μm(L/2)的线条，如图9E所示。

本例中以正性光刻胶为例，实现光刻胶下方高精细金属线宽，按照当前方案在形成精细化图案时，能保证镂空或实体其中之一是高精度的，如图9E所示，实体条最终刻蚀可以实现＜bmin的尺寸精度，但与其相邻的镂空，分别在第一次曝光、第二次曝光中仍只能达到现有技术所能允许的最小特征尺寸bmin。

如图4和图10所示，目标图形实体线条宽度＜bmin，为实现精细刻蚀，完整maskpattern设计为第一滤光膜与第二滤光膜的嵌套结构，在第一次曝光时仅第一滤光膜有光透过，此时光刻胶上曝光区域宽度及间距都≥bmin，紧接着第二次曝光，仅第二滤光膜有光透过，第二滤光膜的曝光区域宽度及间距也都≥bmin，但是第一次曝光和第二次曝光的综合曝光效果实现了光刻胶遮挡区域＜bmin，两次曝光完成后，显影并刻蚀，目标图形实现。

此外，在计算bmin时，曝光用光波长也是影响因素之一，那么当曝光用的滤光膜由第一滤光膜切换至第二滤光膜后，相应的bmin值也会改变。因此，若第一滤光膜和第二滤光膜对应的最小特征尺寸分别为bmin_A，bmin_B，且bmin_A＞bmin_B，则设定bmin＝bmin_A，反之bmin_A＜bmin_B，则设定bmin＝bmin_B，即取第一滤光膜和第二滤光膜对应的最小特征尺寸中较大的最小特征尺寸为掩模版的最终bmin，这样在第一滤光膜和第二滤光膜进行切换才可以都确保精度。

在一些实施方式中，所述光刻胶包括第一树脂，所述第一树脂为以下结构：

在式(I)中，

Xa表示氢原子或烷基，并且，

Rx表示氢原子或能够通过酸的作用分解并离去的基团。

可选地，所述第一树脂的具体结构可以是以下几种。

在另一些实施方式中，所述光刻胶包括第二树脂，所述第二树脂为以下结构：

在式(II)中，

R₀表示氢原子或烷基，

R₁至R₃的每一个独立地表示烷基或环烷基，并且，

R₁至R₃中的两个可以组成以形成单环或多环环烷基。

可选地，所述第二树脂的具体结构可以是以下几种。

可以知道，在一些可选实施方式中，所述光刻胶可以既包括第一树脂也包括第二树脂。

上述光刻胶实施例均为高对比度非线性光刻胶，因为第二次曝光多少对第一次曝光图形会产生一些影响，因此需要高对比度非线性光刻胶吸收来自邻近曝光的弱光，但又不会形成图案，进而在后续显影后形成更规则的光刻胶图案，从而保证所述高精细缝隙结构的精度。

本发明的一个实施例，还提供了一种显示面板。所述显示面板包括像素电极和公共电极；所述像素电极和公共电极中的至少其一采用前述光刻方法的任一实施例或实施例的排列、组合制造。这样，当所述显示面板的电极采用所述光刻方法制造，该电极精度较高，并且有利于提高透过率。

可选地，所述像素电极和公共电极中的至少其一为梳状电极。采用所述光刻方法制造梳状电极，能够得到高精细缝隙(Slit)结构，电极精度高。

透过率是显示面板的重要光学品质，在传统液晶显示器中，最终只有约5％的光线能够透过显示屏。提高透过率是提升产品竞争力、降低产品功耗的重要手段，常规方法包括无存储电容设计优化、采用高透液晶、减小BM等。针对ADS显示模式产品，像素电极缝隙结构W/S比例优化，能显著改善面板透过率，其中，W为金属线宽，S为相邻金属线间距。因此，所述显示面板为ADS(Advanced Super Dimension Switch，高级超维场转换技术)显示面板时，采用所述光刻方法制造ADS显示面板的电极，能够得到高精细缝隙(Slit)结构，进而提升显示面板的透过率。

本发明的一个实施例，还提供了另一种显示面板。所述显示面板包括数据线(例如SD信号线)，所述数据线两侧设置有用于屏蔽干扰电场的屏蔽电极；所述屏蔽电极采用前述光刻方法的任一实施例或实施例的排列、组合制造。

因为显示面板在工作时，数据线(例如SD信号线)附近存在干扰电场，为了减小干扰电场对数据线中数据造成影响，通常在数据线两侧设置屏蔽电极，但屏蔽电极的宽度通常较宽，会对显示面板的透过率产生影响，因此，本实施例采用前述的光刻方法制造所述屏蔽电极，能够减小屏蔽电极的尺寸，有利于提高开口率，进而提升显示面板的透过率。

本发明的一个实施例，还提供了一种显示装置，包括所述显示面板的任一实施例或实施例的排列、组合。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

图11示出了本发明实施例提供的一种曝光装置的框图结构示意图。

如图11所示，所述曝光装置包括：

发光单元70，被配置为将光源发出的光线转换为平行光；

滤光单元80，被配置为将所述平行光过滤为具有第一频率或第二频率的光线。

可选地，当需要利用第一透光区完成曝光时，所述滤光单元80的将所述平行光过滤为具有第一频率光线，当需要利用第二透光区完成曝光时，所述滤光单元80的将所述平行光过滤为具有第二频率光线。这里的光线过滤是初步过滤，因为光源(例如高压汞灯)的辐射范围从紫外波段覆盖到可见光波段，但只有一部分UVA-UVB段的光谱是可作用于紫外曝光用途，初步过滤能够更好地配合后续的曝光步骤。

从上述实施例可以看出，本发明实施例提供的所述曝光装置，通过滤光单元将发光单元的平行光进行初步的滤光处理，防止在曝光步骤中有干扰光线从非该曝光步骤工作的透光区中透过(例如，在利用第一透光区实现曝光时，有干扰光线(或称杂质光线)从第二透光区透过并对不该在该步骤曝光的光刻胶进行了曝光)，影响曝光效果。

可选地，如图12A和12B所示，所述滤光单元80，包括：

第一滤光部81，被配置为将所述平行光过滤为具有第一频率的光线；

第二滤光部82，被配置为将所述平行光过滤为具有第二频率的光线；

切换机构83，被配置为切换所述第一滤光部81和第二滤光部82以使所述第一滤光部81或第二滤光部82朝向所述平行光。

如图12A和12B所示，所述第一滤光部81和第二滤光部82分别由一个半圆形的滤光材料制成，二者拼接在一起，并在中轴线部位设置所述切换机构83，所述切换机构83通过旋转即可切换所述第一滤光部81和第二滤光部82的位置。当需要利用第一滤光部81完成滤光时，将第一滤光部81朝向所述平行光，当需要利用第二滤光部82完成滤光时，所述切换机构83通过旋转即可将第二滤光部82朝向所述平行光。

可选地，所述发光单元70，包括：

光源，被配置为发出光线；

反射罩，被配置为将所述光线转换为平行光。

由于光源近似于点光源，故需抛物面反射灯罩实现平行光，所述滤光单元80可以设计在所述平行光的出光口。

可选地，所述滤光单元80选择性透过特定频率的光线后，曝光强度可能会相应降低，但光刻胶曝光时交联反应主要与总体接收光能量有关，故可以通过增加曝光时间或增加汞灯照射强度来保证曝光强度。

可选地，本发明实施例的所述曝光装置，除所述滤光单元80外，其余结构可以与现有曝光机保持一致，不做变更。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间惟一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。