具体实施方式

下面结合具体实施方式对本专利的技术方案作进一步详细地说明。

下面详细描述本专利的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利，而不能理解为对本专利的限制。

在本专利的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利的限制。

在本专利的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利中的具体含义。

请参阅图1，本实施例提供了一种半导体器件测量装置，包括支撑部1、第一驱动部2、第二驱动部3、检测部4、盛放部5以及卸料部6，所述盛放部5转动设置在所述支撑部1一侧，用于对半导体器件提供支撑，所述第一驱动部2设置在所述支撑部1一侧，用于带动所述盛放部5转动，所述检测部4设置在所述盛放部5远离所述支撑部1的一侧，用于对半导体器件的厚度进行测量，所述卸料部6安装在所述盛放部5内部，所述第二驱动部3设置在所述支撑部1内侧，第二驱动部3用于带动所述卸料部6移动，以将测量后的半导体器件自所述盛放部5边缘顶出。

测量时，可将若干半导体器件置于盛放部5一侧，通过第一驱动部2带动盛放部5转动，盛放部5转动时可带动其一侧的若干半导体器件转动，使得若干半导体器件由检测部4一侧移过，利用检测部4对若干半导体器件的厚度进行测量，在半导体器件测量完毕后，第二驱动部3可带动卸料部6移动，以将半导体器件自盛放部5边缘顶出。

请参阅图1，在一个实施例中，所述检测部4包括支撑筒42、探针41、位移传感器44、控制器以及显示器，所述探针41伸缩配合在所述支撑筒42的一端，探针41远离所述支撑筒42的一端与所述盛放部5一侧抵接，所述位移传感器44设置在所述支撑筒42内部并与所述控制器电连接，位移传感器44用于检测所述探针41的位移数据，并将所述位移数据传递至所述控制器，所述控制器与所述显示器电连接，控制器可将所述位移数据传递至所述显示器进行数值显示。

实际安装时，支撑筒42可通过支架等结构固定在盛放部5远离支撑部1的一侧，在盛放部5转动时，探针41可沿盛放部5一侧滑动，此时探针41的位移量为零，当探针41可由盛放部5一侧过度至半导体器件上，此时探针41相较于支撑筒42进行位移，利用位移传感器44对该位移量进行检测，从而反映出当前半导体器件的厚度。

请继续参阅图1，在一个实施例中，所述支撑筒42内部还设置有用于支撑所述探针41的第一弹性件43，通过第一弹性件43的设置，以对探针41提供弹性支撑力，驱使探针41能够紧贴盛放部5一侧以及半导体器件一侧，从而提高检测精度。

在另一实施例中，所述检测部4还可包括设置在所述盛放部5一侧并与所述盛放部5正对的激光测距传感器，在盛放部5转动时，激光测距传感器对与盛放部5一侧表面之间的距离进行测量，此距离记为L1，当盛放部5带动某一组半导体器件移动至激光测距传感器一侧时，激光测距传感器对与半导体器件一侧表面之间的距离进行测量，此距离记为L2，利用L1-L2即可得出当前半导体器件的厚度值。

请参阅图1，在一个实施例中，所述盛放部5一侧固定设置有支撑柱11，所述支撑柱11远离所述盛放部5的一端与所述支撑部1转动连接，所述支撑柱11上固定设置有传动齿轮12，所述第一驱动部2包括固定设置在所述支撑部一侧的电机21以及与所述电机21输出端通过转轴22连接的驱动齿轮23，所述驱动齿轮23与所述传动齿轮12啮合。

通过电机21带动转轴22转动，进而带动驱动齿轮23转动，利用驱动齿轮23与传动齿轮12之间的啮合作用带动支撑柱11转动，进而带动盛放部5转动，以将不同的半导体器件转移至检测部4一侧，实现半导体器件的连续检测。

在另一实施例中，所述第一驱动部2还可包括固定设置在所述支撑部1一侧的驱动电机、连接在所述驱动电机输出端的主动带轮以及固定设置在所述支撑柱11上的从动带轮，所述主动带轮与所述从动带轮之间通过传动带相连。

通过驱动电机带动驱动带轮转动，利用传动带的传动作用带动从动带轮转动，进而带动支撑柱11以及盛放部5转动。

请参阅图1和图2，在一个实施例中，所述盛放部5一侧边缘开设有若干第二卡槽52，所述第二卡槽52与半导体器件大小相匹配，且第二卡槽52的深度小于半导体器件的厚度。

通过第二卡槽52的设置，以便于容纳半导体器件，使得盛放部5转动时能够顺利的带动半导体器件转动，保证探针41能够顺利的由盛放部5一侧滑动至半导体器件一侧，实现半导体器件厚度的检测，应当注意的是，由于第二卡槽52存在，探针41由盛放部5一侧过度至半导体器件一侧时，其位移量不再反映半导体器件的厚度，需要在位移量的基础上加上第二卡槽52的深度才能反映半导体器件的真实厚度。

请参阅图2，在一个实施例中，所述盛放部5一侧还设置有若干导向块53，所述导向块53对应设置在所述第二卡槽52一侧，导向块53远离所述盛放部5的一侧设置有坡面。

通过导向块53以及坡面的设置，使得探针41能够由盛放部5一侧顺利的过度至半导体器件一侧，进而保证探针41能够顺利的发生位移。

请参阅图3，在一个实施例中，所述探针41远离所述支撑筒42的一端活动嵌设有滚珠45，通过滚珠45的设置，可减小探针41与盛放部5以及半导体器件之间的摩擦，以防止探针41、盛放部5以及半导体器件之间的磨损，从而提高测量精度。

请参阅图1和图2，在一个实施例中，所述盛放部5另一侧边缘开设有若干与所述第二卡槽52对应连通的第一卡槽51，所述卸料部6包括推板62以及推杆61，所述推板62活动设置在所述第一卡槽51内部，所述盛放部5内部开设有内腔，所述推杆61一端与所述推板62固定连接，另一端延伸至所述内腔内部并与所述盛放部5伸缩配合，所述第二驱动部3包括风机31以及管道32，所述风机31设置在所述支撑柱11内部，所述管道32一端与所述内腔连通，另一端延伸至所述支撑柱11内部并连通至所述风机31的输出端。

通过风机31向管道32中输送空气，空气进入内腔中进而推动推杆61向内腔外部移动，以带动推板62沿第一卡槽51内部移动，推板62移动至可推动位于第二卡槽52内部的半导体器件，以将半导体器件自盛放部5边缘顶出，实现半导体器件的卸料。

请参阅图1，在一个实施例中，所述内腔内部还设置有用于支撑所述推杆61的第二弹性件63，所述管道32侧壁连接有排气管，所述管道32上设置有第一电磁阀，所述排气管上设置有第二电磁阀，所述第一电磁阀与第二电磁阀均与所述控制器电连接。

在当前半导体器件经检测部4厚度检测后，控制器可控制第一电磁阀打开，第二电磁阀关闭，此时风机31输出的空气可由管道32进入内腔中，以驱使推杆61以及推板62移动，以将半导体器件自盛放部5边缘推出，随后控制器控制第一电磁阀关闭，第二电磁阀开启，位于内腔中的空气可由排气管排出，第二弹性件63可拉动推杆61，使得推杆61向内腔内部移动，以带动推板62反向移动，以实现推板62的复位，以便于半导体器件的下一次推出。

在另一实施例中，所述卸料部6还可包括铰接在所述第一卡槽51内部顶板，所述第二驱动部3还可包括设置在所述第一卡槽51内部的气缸，所述气缸输出端与所述顶板相连，气缸与所述控制器电连接。

通过控制器控制顶板一端向上翻转，以带动位于第二卡槽52内部的半导体器件翻转，使得半导体器件自盛放部5边缘翻出。

在一个实施例中，所述第一弹性件43与所述第二弹性件63为弹簧或弹片，此处不做限制。

在一个实施例中，所述盛放部5呈圆形板状结构或盘状环形结构，所述支撑部1为支撑底座或支撑台面，此处不做限制。

上述实施例中，所述控制器的型号为V-ST10或STM32F103ZGT6，所述第一电磁阀与第二电磁阀采用ZCK系列空气电磁阀，所述位移传感器型号为NS-WY01，所述激光测距传感器型号为VL53L0，所述显示器型号为LCD12864，上述器件均有市售，本领域技术人员可根据需要进行采购。

本发明实施例测量时，可将若干半导体器件置于盛放部5一侧，通过第一驱动部2带动盛放部5转动，盛放部5转动时可带动其一侧的若干半导体器件转动，使得若干半导体器件由检测部4一侧移过，利用检测部4对若干半导体器件的厚度进行测量，在半导体器件测量完毕后，第二驱动部3可带动卸料部6移动，以将半导体器件自盛放部5边缘顶出，相较于现有技术，能够实现多个半导体器件的连续测量，具有测量效率高的优点。

上面对本专利的较佳实施方式作了详细说明，但是本专利并不限于上述实施方式，在本领域的普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本专利宗旨的前提下做出各种变化。