制造半导体元件的方法
阅读说明：本技术 制造半导体元件的方法 (Method for manufacturing semiconductor element ) 是由 林俊亨 金亨俊 金莹俊 朴柱相 禹皇帝 于 2021-04-29 设计创作，主要内容包括：实施例涉及一种制造半导体元件的方法,所述方法包括下述步骤：准备基底；在所述基底上形成半导体层,其中,所述半导体层包括结晶的二维层；在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；通过使用次氯酸钠湿蚀刻所述半导体层,形成半导体构件,其中,所述湿蚀刻导致残留物；以及使用纯净水和惰性气体去除所述残留物。(An embodiment relates to a method of manufacturing a semiconductor component, the method comprising the steps of: preparing a substrate; forming a semiconductor layer on the substrate, wherein the semiconductor layer comprises a crystalline two-dimensional layer; forming a source electrode and a drain electrode on the semiconductor layer; forming a semiconductor member by wet etching the semiconductor layer using sodium hypochlorite, wherein the wet etching results in a residue; and removing the residue using purified water and an inert gas.)
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年4月29日提交的第10-2020-0052093号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请通过引用被并入。
技术领域
技术领域
涉及一种制造半导体元件的方法。背景技术
显示装置可以根据输入信号显示图像。现代显示装置包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
显示装置可以包括显示元件和用于控制显示元件的晶体管。晶体管可以包括有源构件。为了形成有源构件，需要蚀刻有源层。如果通过干蚀刻工艺蚀刻有源层，则通常需要一组大型设备。一般而言，干蚀刻工艺需要长时间。
发明内容
实施例可以涉及一种制造包括半导体元件的显示装置的方法。实施例的目的可以是提供一种用时短且不需要在干法蚀刻中使用的大型设备的蚀刻工艺。
根据实施例的制造半导体元件的方法可以包括下述步骤：准备基底；在所述基底上形成有源层，所述有源层具有结晶的二维层状结构并且包括第一区域、与所述第一区域间隔开的第二区域以及在所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；在所述第一区域上形成源极电极并且在所述第二区域上形成漏极电极；通过将次氯酸钠(NaOCl)施加到所述有源层湿蚀刻所述有源层，形成有源图案；以及使用纯净水和惰性气体去除由所述湿蚀刻产生的残留物。
根据实施例，所述有源层可以包括钼化合物中的至少一种，所述钼化合物包括二硫化钼(MoS2)、二硒化钼(MoSe2)和二碲化钼(MoTe2)。
根据实施例，可以通过由氯化钼(MoCl5)和硫化氢(H2S)合成生产所述二硫化钼(MoS2)。可以在650摄氏度至750摄氏度下以13分钟至17分钟进行所述合成。
根据实施例，可以通过由氯化钼(MoCl5)和硫化氢(H2S)合成生产所述二硫化钼(MoS2)。可以在700摄氏度下以15分钟进行所述合成。
根据实施例，所述有源层可以包括钨化合物中的至少一种，所述钨化合物包括二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)和二碲化钨(WTe2)。
根据实施例，所述有源层可以包括锆化合物中的至少一种，所述锆化合物包括二硫化锆(ZrS2)和二硒化锆(ZrSe2)。
根据实施例，所述有源层可以包括铪化合物中的至少一种，所述铪化合物包括二硫化铪(HfS2)和二硒化铪(HfSe2)。
根据实施例，所述有源层可以包括铂化合物中的至少一种，所述铂化合物包括二硫化铂(PtS2)和二硒化铂(PtSe2)。
根据实施例，所述有源层可以包括铼化合物中的至少一种，所述铼化合物包括二硫化铼(ReS2)和二硒化铼(ReSe2)。
根据实施例，可以通过平版印刷工艺形成所述源极电极和所述漏极电极。
根据实施例，所述源极电极和所述漏极电极可以包括钛(Ti)和银(Ag)中的一种或多种。
根据实施例，所述方法还可以包括：在所述有源图案上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极电极；以及在所述栅极电极上形成层间绝缘层。
根据实施例，所述方法还可以包括：在所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层中形成暴露所述源极电极的第一接触孔；以及在所述层间绝缘层上形成填充所述第一接触孔的源极图案。
根据实施例，所述方法还可以包括：在所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层中形成暴露所述漏极电极的第二接触孔；以及在所述层间绝缘层上形成填充所述第二接触孔的漏极图案。
根据实施例，所述惰性气体可以包括氮气(N2)。
根据实施例，所述惰性气体可以包括氩气(Ar)。
根据实施例，所述惰性气体可以包括氮气(N2)和氩气(Ar)的混合气体。
根据实施例，可以通过滴管施加所述次氯酸钠(NaOCl)。
根据实施例，所述方法还可以包括：在准备所述基底的所述步骤之后并且在形成所述有源层的所述步骤之前，在所述基底上形成缓冲层。
根据实施例的制造半导体元件的所述方法可以包括：在所述基底上形成具有结晶的二维层状结构的有源层；通过将次氯酸钠(NaOCl)施加到所述有源层湿蚀刻所述有源层，形成有源图案；以及使用纯净水和惰性气体去除由所述湿蚀刻产生的残留物。
实施例可以涉及一种制造半导体元件的方法。所述方法可以包括下述步骤：准备基底；在所述基底上形成半导体层，其中所述半导体层可以包括结晶的二维层；在所述半导体层上形成源极电极和漏极电极；通过使用次氯酸钠湿蚀刻所述半导体层，形成半导体构件，其中，所述湿蚀刻可以导致残留物；以及使用纯净水和惰性气体去除所述残留物。
所述半导体层可以包括二硫化钼、二硒化钼和二碲化钼中的至少一种。
可以通过在650摄氏度至750摄氏度范围内的温度下以13分钟至17分钟范围内的时间长度由氯化钼和硫化氢合成，生产所述二硫化钼。
可以通过在700摄氏度以15分钟由氯化钼和硫化氢合成，生产所述二硫化钼。
所述半导体层可以包括二硫化钨、二硒化钨和二碲化钨中的至少一种。
所述半导体层可以包括二硫化锆和二硒化锆中的至少一种。
所述半导体层可以包括二硫化铪和二硒化铪中的至少一种。
所述半导体层可以包括二硫化铂和二硒化铂中的至少一种。
所述半导体层可以包括二硫化铼和二硒化铼中的至少一种。
可以通过平版印刷工艺形成所述源极电极和所述漏极电极。
所述源极电极和所述漏极电极可以包括钛和银中的一种或多种。
所述方法还可以包括下述步骤：在所述半导体构件上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极电极；以及在所述栅极电极上形成层间绝缘层。
所述方法还可以包括下述步骤：在所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层中形成第一接触孔，所述第一接触孔暴露所述源极电极；以及在所述层间绝缘层上形成源极构件，所述源极构件填充所述第一接触孔。
所述方法还可以包括下述步骤：在所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层中形成第二接触孔，所述第二接触孔暴露所述漏极电极；以及在所述层间绝缘层上形成漏极构件，所述漏极构件填充所述第二接触孔。
所述惰性气体可以包括氮气。
所述惰性气体可以包括氩气。
所述惰性气体可以包括氮气和氩气的混合气体。
可以通过滴管将所述次氯酸钠施加到所述半导体层。
所述方法还可以包括：在准备所述基底的所述步骤之后并且在形成所述半导体层的所述步骤之前，在所述基底上形成缓冲层。
根据实施例，在制造半导体元件的方法中，蚀刻有源层/半导体层的工艺可以是非常简单的，用于蚀刻有源层/半导体层所需的时间可以最小化，和/或可以节省蚀刻有源层/半导体层的成本。
附图说明
图1是示出根据实施例的显示装置的截面图。
图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F和图2G是示出在根据至少一实施例的制造半导体元件的方法中形成的结构的图。
具体实施方式
参照附图描述说明性实施例。尽管可以使用术语“第一”、“第二”等描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语限制。可以使用这些术语将一个元件与另一元件区分开。在不脱离一个或多个实施例的教导的情况下，可以将第一元件称为第二元件。将元件描述为“第一”元件可以不需要或暗示第二元件或其它元件的存在。可以使用术语“第一”、“第二”等区分不同的类型或集合的元件。为了简洁，术语“第一”、“第二”等可以分别代表“第一类型(或第一集合)”、“第二类型(或第二集合)”等。术语“连接”可以意指“电连接”或“不通过中间元件电连接”。术语“绝缘”可以意指“电绝缘”或“电隔离”。术语“导(conductive)”可以意指“导电的”。术语“半导体元件”可以意指“开关元件”或“晶体管”。术语“图案”可以意指“构件”。材料清单可以意指所列材料中的至少一种。术语“有源”可以意指“半导体”。术语“包括”可以意指“由……形成”。
图1是示出根据实施例的显示装置的截面图。
参照图1，显示装置1000可以包括基底110、缓冲层120、栅极绝缘层140、层间绝缘层150、通孔绝缘层160、半导体元件300、像素限定层PDL和有机发光二极管OLED。半导体元件300可以包括源极电极131、漏极电极132、有源图案(也称为半导体构件)133、栅极电极135、源极图案136和漏极图案137。有机发光二极管OLED可以包括下电极170、发射层180和上电极190。
基底110可以包括一种或多种透明和/或不透明材料。基底110可以由柔性透明树脂形成。基底110可以包括顺序地堆叠的第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括无机材料。基底110可以是/包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、氟掺杂石英基底、钠钙玻璃基底和无碱玻璃基底中的至少一种。
缓冲层120可以设置在基底110上。缓冲层120可以覆盖基底110的整个面或表面。缓冲层120可以防止金属原子或杂质从基底110扩散到半导体元件300。如果基底110的表面不均匀，则缓冲层120可以改善基底110的表面的平坦度。可以在基底110上提供两个或多个缓冲层。缓冲层120可以是可选的。缓冲层120可以包括硅化合物、金属氧化物等。例如，缓冲层120可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化钛(TiOx)等中的至少一种。
有源图案133可以设置在缓冲层120上。有源图案133可以包括二维层，二维层各自包括原子的单个层。有源图案133可以决定半导体元件300的性能。
有源图案133可以包括过渡金属二硫属化物(TMDC：transition metaldichalcogenide)和石墨烯。过渡金属二硫属化物可以包括二硫化钼(MoS2)、二硒化钼(MoSe2)、二碲化钼(MoTe2)、二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)、二碲化钨(WTe2)、二硫化锆(ZrS2)、二硒化锆(ZrSe2)、二硫化铪(HfS2)、二硒化铪(HfSe2)、二硫化铂(PtS2)、二硒化铂(PtSe2)、二硫化铼(ReS2)和二硒化铼(ReSe2)等中的至少一种。石墨烯可以包括六方氮化硼石墨烯(hBN graphene：hexagonal boron nitride graphene)和硼-氮共掺杂石墨烯(BCNgraphene：boron-nitrogenco-doped graphene)等中的至少一种。有源图案133可以由二硫化钼(MoS2)形成。
有源图案133可以通过湿蚀刻工艺形成。可以使用次氯酸钠(NaOCl)进行湿蚀刻工艺。
与基于硅的有源图案或基于金属氧化物的有源图案相比，有源图案133可以具有更薄的厚度、更高的迁移率、更高的导通/截止(on/off)电流比和/或更高的稳定性。有源图案133可以具有纳米片状结构，可以具有带隙，并且可以适合于半导体元件300。此外，由于有源图案133具有柔性，因此有源图案133可以用于包括在柔性显示装置中的半导体元件300。有源图案133可以用作电连接源极电极131和漏极电极132的沟道。
有源图案133可以包括第一区域10、与第一区域10间隔开的第二区域20以及在第一区域10和第二区域20之间的第三区域30。
源极电极131可以设置在有源图案133的第一区域10上。漏极电极132可以设置在有源图案133的第二区域20上。源极电极131和漏极电极132可以包括钛(Ti)和/或银(Ag)。源极电极131和漏极电极132可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。例如，源极电极131和漏极电极132可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含有铝(Al)的合金、氮化铝(AlNx)、含有银(Ag)的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、含有铜(Cu)的合金、含有钼(Mo)的合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)和氧化铟锌(IZO)等。
源极电极131和漏极电极132可以通过平版印刷(lithography)工艺形成。
栅极绝缘层140可以设置在缓冲层120上。栅极绝缘层140可以覆盖有源图案133、源极电极131和漏极电极132。栅极绝缘层140可以具有基本平坦的顶表面，而不在有源图案133、源极电极131和漏极电极132周围产生台阶。可选地，栅极绝缘层140可以覆盖在缓冲层120上的有源图案133、源极电极131和漏极电极132，并且可以沿着有源图案133、源极电极131和漏极电极132的轮廓以基本均匀的厚度设置。
栅极绝缘层140可以包括具有高介电常数的材料。例如，栅极绝缘层140可以包括诸如铪、锆或钽的过渡金属。
栅极电极135可以设置在栅极绝缘层140上并且可以与第三区域30重叠。栅极电极135可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。例如，栅极电极135可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含有铝(Al)的合金、氮化铝(AlNx)、含有银(Ag)的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、含有铜(Cu)的合金、含有钼(Mo)的合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)和氧化铟锌(IZO)等。可以单独或组合使用前述材料中的一种或多种形成栅极电极135。
层间绝缘层150可以设置在栅极绝缘层140上。层间绝缘层150可以覆盖栅极电极135。层间绝缘层150可以包括硅化合物或金属氧化物等等。例如，层间绝缘层150可以包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、氮碳化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)和氧化钛(TiOx)等。可以单独或组合使用前述材料中的一种或多种形成层间绝缘层150。
源极图案136和漏极图案137可以设置在层间绝缘层150上。源极图案136可以通过第一接触孔连接到源极电极131，第一接触孔形成在栅极绝缘层140和层间绝缘层150中。漏极图案137可以通过第二接触孔连接到漏极电极132，第二接触孔形成在栅极绝缘层140和层间绝缘层150中。源极图案136可以填充第一接触孔。漏极图案137可以填充第二接触孔。源极图案136和漏极图案137中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。可以单独或组合使用前述材料中的一种或多种形成源极图案136和漏极图案137。
参照图1，半导体元件300可以具有上栅极结构。在另一实施例中，半导体元件300可以具有下栅极结构。在又一实施例中，半导体元件300可以具有双栅极结构。单独的导电层和/或单独的绝缘层可以设置在源极图案136、漏极图案137和层间绝缘层150中的至少两个之间。
通孔绝缘层160可以设置在层间绝缘层150上。通孔绝缘层160可以覆盖源极图案136和漏极图案137。通孔绝缘层160可以比层间绝缘层150厚。通孔绝缘层160可以具有基本平坦的顶表面。可以将平坦化工艺施加到通孔绝缘层160，从而实现通孔绝缘层160的平坦顶表面。可选地，通孔绝缘层160可以具有基本均匀的厚度并且可以沿着源极图案136和漏极图案137的轮廓设置。通孔绝缘层160可以由有机材料和/或无机材料制成。通孔绝缘层160可以包括诸如聚丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂或环氧树脂的有机材料。
下电极170可以设置在通孔绝缘层160上。下电极170可以通过第三接触孔连接到漏极图案137，第三接触孔形成在通孔绝缘层160中。下电极170可以通过第三接触孔电连接到半导体元件300。下电极170可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。例如，下电极170可以包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、含有铝(Al)的合金、氮化铝(AlNx)、含有银(Ag)的合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、含有铜(Cu)的合金、含有钼(Mo)的合金、氮化钛(TiNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SrRuxOy)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)和氧化铟锌(IZO)等。可以单独或组合使用前述材料中的一种或多种形成下电极170。
像素限定层PDL可以设置在通孔绝缘层160上并且可以暴露下电极170的至少一部分。像素限定层PDL可以由有机材料和/或无机材料制成。
发射层180可以设置在下电极170的由像素限定层PDL暴露的面上。发射层180可以发射红光、绿光或蓝光。
上电极190可以设置在像素限定层PDL和发射层180上。上电极190可以包括与下电极170相同的材料。
下电极170可以是阳极电极，并且上电极190可以是阴极电极。在另一实施例中，下电极170可以是阴极电极，并且上电极190可以是阳极电极。
图2A、图2B、图2C、图2D、图2E、图2F和图2G是示出在根据至少一实施例的制造半导体元件的方法中形成的结构的图。
参照图1和图2A，可以准备基底110。基底110可以包括顺序地堆叠的第一有机层、第一阻挡层、第二有机层和第二阻挡层。第一阻挡层和第二阻挡层可以包括无机材料。
可以在基底110上形成缓冲层120。可以在基底110的整个面(例如，整个顶面)上形成缓冲层120。可以在缓冲层120上形成有源层(也称为半导体层)130。有源层130可以包括二维层，二维层各自包括原子的单个层。二维层中的至少一个可以是结晶的二维层。
有源层130可以包括第一区域10、与第一区域10间隔开的第二区域20以及在第一区域10和第二区域20之间的第三区域30(即，图1中示出的有源图案133的第一区域10、第二区域20和第三区域30)。
有源层130可以包括过渡金属二硫属化物(TMDC)和石墨烯。有源层130可以包括钼化合物。例如，有源层130可以包括二硫化钼(MoS2)、二硒化钼(MoSe2)和二碲化钼(MoTe2)中的至少一种。
有源层130可以包括钨化合物。例如，有源层130可以包括二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)和二碲化钨(WTe2)中的至少一种。
有源层130可以包括锆化合物。例如，有源层130可以包括二硫化锆(ZrS2)和二硒化锆(ZrSe2)中的至少一种。
有源层130可以包括铪化合物。例如，有源层130可以包括二硫化铪(HfS2)和二硒化铪(HfSe2)中的至少一种。
有源层130可以包括铂化合物。例如，有源层130可以包括二硫化铂(PtS2)和二硒化铂(PtSe2)中的至少一种。
有源层130可以包括铼化合物。例如，有源层130可以包括二硫化铼(ReS2)和二硒化铼(ReSe2)中的至少一种。
石墨烯可以包括六方氮化硼石墨烯和硼-氮共掺杂石墨烯等中的至少一种。
在实施例中，有源层130可以包括二硫化钼(MoS2)。例如，有源层130可以包括结晶的二硫化钼(MoS2)。可以通过由氯化钼(MoCl5)和硫化氢(H2S)合成生产二硫化钼(MoS2)。二硫化钼(MoS2)的合成可以在大约650摄氏度至大约750摄氏度范围内的一个或多个温度下进行大约13分钟至大约17分钟范围内的时间段。二硫化钼(MoS2)的合成可以在大约700摄氏度下进行大约15分钟。
与基于硅的有源层或基于金属氧化物的有源层相比，有源层130可以具有更薄的厚度、更高的迁移率、更高的导通/截止电流比和/或更高的稳定性，为了半导体元件300的更期望的性能。
参照图1和图2B，源极电极131可以设置在有源层130的第一区域10上。漏极电极132可以设置在有源层130的第二区域20上。源极电极131和漏极电极132可以包括钛(Ti)和银(Ag)中的至少一种。源极电极131和漏极电极132可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物和透明导电材料等。
可以通过平版印刷工艺形成源极电极131和漏极电极132。例如，可以通过光刻(photolithography)工艺形成源极电极131和漏极电极132。在实施例中，在形成覆盖有源层130的面的导电层后，通过光刻工艺蚀刻导电层以形成源极电极131和漏极电极132。
参照图1、图2C和图2D，可以进行蚀刻工艺以形成有源图案133。蚀刻工艺可以是湿蚀刻工艺。当通过干蚀刻工艺蚀刻有源层130时，可能需要大型设备。如果通过干蚀刻工艺蚀刻有源层130，则蚀刻所需的时间可能不期望地长。因此，工艺产量可能不期望地低。
在实施例中，可以使用湿蚀刻工艺蚀刻有源层130。可以在湿蚀刻工艺中使用次氯酸钠(NaOCl)。如图2C所示，可以通过滴管200将次氯酸钠(NaOCl)施加到有源层130的除了第一区域10、第二区域20和第三区域30之外的其余区域40和50。可以由次氯酸钠(NaOCl)蚀刻在其余区域40和50中的有源层130的二硫化钼(MoS2)。可以在室温下进行湿蚀刻工艺。湿蚀刻工艺可以进行几秒钟。使用比常规干蚀刻方法所需的设备小的设备，可以在短时间内完成湿蚀刻工艺。
参照图1和图2D，在进行湿蚀刻工艺以形成有源图案133后，可以去除保留在缓冲层120上的残留物。可以使用纯净水和惰性气体进行残留物的去除。例如，在喷射纯净水后，可以使用惰性气体除去残留物。惰性气体可以包括氮气(N2)。惰性气体可以包括氩气(Ar)。惰性气体可以包括混合气体，混合气体包括氮气(N2)和氩气(Ar)。
参照图1和图2E，可以在有源图案133上形成栅极绝缘层140。栅极绝缘层140可以覆盖有源图案133、源极电极131和漏极电极132。
参照图1和图2F，可以在栅极绝缘层140上形成栅极电极135，以与有源图案133的第三区域30重叠。可以通过蚀刻形成在栅极绝缘层140上的导电图案，形成栅极电极135。栅极电极135可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
参照图1和图2G，可以在栅极绝缘层140上形成层间绝缘层150。层间绝缘层150可以覆盖栅极电极135。层间绝缘层150可以完全或基本覆盖栅极绝缘层140的面(例如，顶面)的暴露部分。
可以在层间绝缘层150上形成源极图案136和漏极图案137。可以通过去除层间绝缘层150和栅极绝缘层140的部分，形成用于暴露源极电极131的第一接触孔。源极图案136可以填充第一接触孔。可以通过去除层间绝缘层150和栅极绝缘层140的部分，形成用于暴露漏极电极132的第二接触孔。漏极图案137可以填充第二接触孔。源极图案136可以通过第一接触孔(直接)连接到源极电极131，并且漏极图案137可以通过第二接触孔(直接)连接到漏极电极132。
参照图1，可以在层间绝缘层150上形成覆盖层间绝缘层150、源极图案136和漏极图案137的通孔绝缘层160。可以在通孔绝缘层160上形成像素限定层PDL。可以在通孔绝缘层160上形成包括下电极170、发射层180和上电极190的有机发光二极管OLED。有机发光二极管OLED和半导体元件300可以电连接。
尽管已经描述了说明性实施例，但是各种修改可以适用于说明性实施例并且在所附权利要求的范围之内。
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