阅读说明：本技术 一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺 (Chip contamination development special bonding mode production process ) 是由 艾育林 田光伟 于 2021-07-13 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺,方法步骤为：(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；(2)在金线键合前,使用空劈刀,采用空打模式,设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面,根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数,保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。本发明工艺针对芯片焊盘存在沾污的情况,本发明的工艺方法可以快速、有效地解决芯片沾污问题,明显提高引线的键合拉力,对制程良率提升有显著作用,提高了封装器件的可靠性。(The invention discloses a special bonding mode production process for chip contamination development, which comprises the following steps: (1) obtaining or measuring the pad material and thickness information of the chip; (2) before gold wire bonding, using an air chopper, setting a certain direction to enable the air chopper to rub the surface of a chip bonding pad by adopting an air beating mode, adjusting friction parameters of the air chopper according to the bonding pad material and thickness information obtained in the step (1), and ensuring that the chip is not scratched by the air chopper due to excessive friction; (3) and completing gold wire bonding operation on the pad after friction cleaning. Aiming at the condition that a chip bonding pad is contaminated, the process method can quickly and effectively solve the problem of contamination of the chip, obviously improve the bonding tension of the lead, have a remarkable effect on improving the process yield and improve the reliability of the packaged device.)

一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域，具体是涉及一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺。

背景技术

封装产品芯片，会经过研磨，切割，在这个制造过程中，可能会存在一些工艺异常造成芯片焊盘沾污情况，按照常规处理方式无法清洁，且无法直接完成键合。

发明内容

本发明的目的在于针对上述问题，提供一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，使得焊盘存在沾污情况的芯片也可以完成键合，并能保证加工品质。

本发明的技术方案是这样实现的。

一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，其特征在于，方法步骤为：

(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息；

(2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定一定方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；

(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。

进一步地，步骤(2)中空劈刀操作，线弧选择Free-Air-Ball，然后使用 Dry Run模式。

进一步地，步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/10～ 1/20。

进一步地，步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为圆形或者椭圆形，且其面积大于焊点的覆盖面积，且不能破坏周边线路。

本发明的有益效果是：针对芯片焊盘存在沾污的情况，本发明的工艺方法可以快速、有效地解决芯片沾污问题，明显提高引线的键合拉力，对制程良率提升有显著作用,提高了封装器件的可靠性。

具体实施方式

下面通过实施例对本发明的技术方案做进一步地详细说明。

实施例1：本发明的一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：

(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息，比如焊盘材料为AL层，厚度为12K；

(2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定X或Y方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；

(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。

步骤(2)中空劈刀操作采用Free-Air-Ball线弧，采用Dry run生产模式， BondUSG Time设定为1S；cap-bond-offset改为-1.5mil；contact Angle设置为3；contactoffset设置为5mil。

步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/20。

步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为椭圆形，面积为焊盘面积90％，其面积大于焊点的覆盖面积，焊点的覆盖面积占焊盘面积80％左右。

实施例2：本发明的另一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：

(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息，比如焊盘材料为AL材质，厚度为18K；

(2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定X或Y方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；

(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。

步骤(2)中空劈刀操作采用Free-Air-Ball线弧，采用Dry run生产模式，Bonding，USG Time设定为1.5S；cap-bond-offset改为-2mil；contact Angle 设置为3.5；contact offset设置为5mil。

步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/15。

步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为椭圆形，面积为焊盘面积90％，其面积大于焊点的覆盖面积，焊点的覆盖面积占焊盘面积80％左右。

实施例3：本发明的另一种芯片沾污开发特殊键合方式生产工艺，方法步骤为：

(1)获取或测量芯片的焊盘材料及厚度信息，比如焊盘材料AL层，厚度为 24K；

(2)在金线键合前，使用空劈刀，采用空打模式，设定X或Y方向使空劈刀摩擦芯片焊盘表面，根据步骤(1)获得的焊盘材料及厚度信息调整空劈刀的摩擦参数，保证空劈刀不过度摩擦而刮伤芯片；

(3)在摩擦清洁后的焊盘上再完成金线键合操作。

步骤(2)中空劈刀操作采用Free-Air-Ball线弧，采用Dry run生产模式，Bonding，USG Time设定为2S；cap-bond-offset改为-2milcontact Angle设置为4；contactoffset设置为5mil。

步骤(2)中空劈刀摩擦焊盘的磨损厚度为焊盘总厚度的1/10。

步骤(2)中空劈刀摩擦芯片焊盘表面的范围为椭圆形，面积为焊盘面积90％，其面积大于焊点的覆盖面积，焊点的覆盖面积占焊盘面积80％左右。

以上所述是本发明的优选实施例，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。