阅读说明：本技术 一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺 (Graphene heating wafer coating and packaging process ) 是由 庄狄烽 于 2021-08-13 设计创作，主要内容包括：本发明公开了一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺,包括如下步骤：1)成管：将金属线打盲孔,形成金属管；金属管的壁厚控制在0.2至0.3mm,金属管的盲孔孔径为0.5至1.5L,其中,L为石墨烯发热晶片的宽度；2)第一次扁压：将金属管进行扁压,形成扁平状的金属套,金属套的套孔的厚度为1.1至1.5H,宽度大于L,其中,H为石墨烯发热晶片的厚度；3)前端打尖：将金属套的端部进行打尖处理,形成前端为尖端的扁平状的金属套；4)嵌片：将石墨烯发热晶片的主体部插入扁平状金属套的套孔中；5)第二次扁压：将插入石墨烯发热晶片的扁平状金属套进行第二次扁压,以使得金属套的套孔的厚度达到H±0.02mm,从而使得金属套的套孔的内侧面与石墨烯发热晶片进行紧密贴合。(The invention discloses a graphene heating wafer coating and packaging process, which comprises the following steps: 1) tube forming: drilling blind holes on the metal wire to form a metal tube; the wall thickness of the metal tube is controlled to be 0.2-0.3 mm, the aperture of a blind hole of the metal tube is 0.5-1.5L, wherein L is the width of the graphene heating wafer; 2) first flattening: flattening the metal tube to form a flat metal sleeve, wherein the thickness of a sleeve hole of the metal sleeve is 1.1-1.5H, and the width of the sleeve hole is greater than L, wherein H is the thickness of the graphene heating wafer; 3) front end pointing: the end part of the metal sleeve is sharpened to form a flat metal sleeve with the pointed front end; 4) embedding sheets: inserting the main body part of the graphene heating wafer into a sleeve hole of a flat metal sleeve; 5) second flattening: and flattening the flat metal sleeve inserted into the graphene heating wafer for the second time to enable the thickness of the trepanning of the metal sleeve to reach H +/-0.02 mm, and enabling the inner side surface of the trepanning of the metal sleeve to be tightly attached to the graphene heating wafer.)

一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺

技术领域

本发明涉及封装工艺，特别涉及一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺。

背景技术

石墨烯发热晶片，导电发热，可用作电子香烟的发热片，其比传统的金属发热更优优势。传统的金属薄片发热，需要25瓦左右，而石墨烯发热晶片只需要5瓦左右便能做到。但石墨烯发热晶片在应用时，需要通过金属对其进行包覆封装。石墨烯发热晶片本身呈长条片状，较为脆弱，一端设置有两接线脚，主体部的表面涂覆有导热耐高温绝缘层。在采用金属进行包覆封装的过程中，需要考虑到对石墨烯发热晶片的保护性、与石墨烯发热晶片的接触性、前端部的打尖性等等问题。

发明内容

针对上述不足，本发明的目的在于，提供一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺，通过成管、一扁压、端部打尖、嵌片、二扁压等工序，实现石墨烯发热晶片高效率包覆封装的同时，避免对对石墨烯发热晶片的损伤，保证金属套与石墨烯发热晶片紧密接触，确保包覆封装品质。

本发明采用的技术方案为：一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺，其特征在于：包括如下步骤：

1)成管：将金属线打盲孔，形成金属管；所述金属管的壁厚控制在0.2至0.3mm，金属管的盲孔孔径为0.5至1.5L(优选0.8至1L)，其中，L为石墨烯发热晶片的宽度；

2)第一次扁压：将步骤1)所形成的金属管进行扁压，形成扁平状的金属套，所述金属套的套孔的厚度为1.1至1.5H，宽度大于L，其中，H为石墨烯发热晶片的厚度；

3)前端打尖：将步骤2)所形成的金属套的端部进行打尖处理，形成前端为尖端的扁平状的金属套；

4)嵌片：将石墨烯发热晶片的主体部插入步骤3)中的扁平状金属套的套孔中；

5)第二次扁压：将步骤4)中插入石墨烯发热晶片的扁平状金属套进行第二次的限定厚度扁压，以使得金属套的套孔的厚度达到H±0.02mm，从而使得金属套的套孔的内侧面与石墨烯发热晶片进行紧密贴合。

进一步，步骤1)中，所述金属线采用铜线或铝线。

进一步，步骤1)中，所述金属管的前端部呈圆锥形。

进一步，所述石墨烯发热晶片的宽度L为2.5至4mm，厚度H为0.2至1mm。

进一步，步骤5)中，所述设定厚度为2*金属套的壁厚加石墨烯发热晶片的厚度H再加±0.02mm

本发明具有以下优点：通过成管、一扁压、端部打尖(即端部尖型化)、嵌片、二扁压等工序，实现石墨烯发热晶片高效率包覆封装的同时，避免对对石墨烯发热晶片的损伤，保证包覆封装品质。其核心在于二次扁压与端部打尖、嵌片步骤的相互配合，一次预扁压可以便于打尖操作，而且便于石墨烯发热晶片的插入与定位，然后再进行限定厚度的扁压(使用精密机器设备进行扁压工作，以便控制限制扁压程度)，保证石墨烯发热晶片在套孔内的致密接触性，而且不会对石墨烯发热晶片造成损坏。

下面结合

附图说明

与

具体实施方式

，对本发明作进一步说明。

附图说明

图1为石墨烯发热晶片的结构示意图；

图2为金属管的结构示意图；

图3为金属管经第一次扁压并打尖后形成金属套的结构示意图；

图4为石墨烯发热晶片插入后经第二次扁压包覆封装后的结构示意图；

图中：石墨烯发热晶片1；接线脚11；金属管2；金属套3；套孔31；打尖部32。

具体实施方式

下面将结合附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后、顶、底、内、外、垂向、横向、纵向，逆时针、顺时针、周向、径向、轴向……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，若本发明实施例中有涉及“第一”或者“第二”等的描述，则该“第一”或者“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

参见图1至4，本实施例所提供的石墨烯发热晶片包覆封装工艺，石墨烯发热晶片1的石墨烯发热晶片的宽度L为2.5至4mm，厚度H为0.2至1mm；其包括石墨烯发热晶片主体部及接线脚11。以宽3mm，后0.3mm为例。

工艺包括如下步骤：

1)成管：将金属线打盲孔，形成金属管2(金属管材料采用铜或铝，优选铜材质)；所述金属管2的壁厚控制在0.2至0.3mm，金属管2的盲孔21孔径为2.5mm，其中，金属管的前端部呈圆锥形。打盲孔可采用现有的打孔设备，在此不做赘述。

2)第一次扁压：将步骤1)所形成的金属管进行扁压，形成扁平状的金属套3，所述金属套3的套孔31的厚度为0.4mm，宽度大于3mm。此次预扁压可以便于打尖操作，而且便于后续石墨烯发热晶片的插入与定位。

3)前端打尖：将步骤2)所形成的金属套3的端部进行打尖处理，形成前端为尖端(打尖部32)的扁平状的金属套3。打尖处理可以通过模具进行冲压冲裁打尖，形成呈三角形的尖端。

4)嵌片：将石墨烯发热晶片1的主体部插入步骤3)中的扁平状金属套3的套孔31中。先打尖后插片，可以避免石墨烯发热晶片的损坏。而且经过第一次预扁压之后，可以对石墨烯发热晶片起到预定位的作用。

5)第二次扁压：将步骤4)中插入石墨烯发热晶片1的扁平状金属套进行第二次的限定厚度扁压(设定扁压厚度，不能超也不能少，目的是保证金属套与石墨烯发热晶片的紧密接触，又避免损坏石墨烯发热晶片，特别是石墨烯发热晶片表面的绝缘层；例如，设定厚度为2*金属套的壁厚(因为金属套有上下两个壁厚)加石墨烯发热晶片的厚度H，再加±0.02mm；当然，在实际生产制造当中，可以根据设备及模具的精度，进行相应的微调，以使得金属套3的套孔的厚度达到H±0.02mm，从而使得金属套的套孔的内侧面与石墨烯发热晶片进行紧密贴合。

通过成管、一扁压、端部打尖、嵌片、二扁压等工序，实现石墨烯发热晶片高效率包覆封装的同时，避免对对石墨烯发热晶片的损伤，保证包覆封装品质。其核心在于二次扁压与端部打尖、嵌片步骤的相互配合，一次预扁压可以便于打尖操作，而且便于石墨烯发热晶片的插入与定位，然后再进行限定厚度的扁压，保证石墨烯发热晶片在套孔内的致密接触性，而且不会对石墨烯发热晶片造成损坏。

本发明并不限于上述实施方式，采用与本发明上述实施例相同或近似的技术特征，而得到的其他一种石墨烯发热晶片包覆封装工艺，均在本发明的保护范围之内。