具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要说明的是，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、连接应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本申请实施例提供一种MIPI的偏置电路100，如图2所示，该偏置电路 100与MIPI模块的信号放大模块200连接，该电路包括：参考电流输出单元 10、微调单元20、电流镜单元30和偏置电流输出单元；参考电流输出单元 10分别与电流镜单元30和微调单元20连接，电流镜单元30与微调单元20 连接，偏置电流输出单元与电流镜单元30连接，微调单元20还与外部的控制源连接；

参考电流输出单元10用于根据其输入低压电流VLP输出参考电流；

微调单元20用于根据控制源控制电流镜单元30的镜像比例因子；

电流镜单元30用于根据镜像比例因子输出偏置电流；

偏置电流输出单元用于向信号放大模块200输出偏置电流。

上述实施例通过参考电流输出单元10输出参考电流，并通过微调单元20 根据控制源控制控制电流镜单元30的镜像比例因子，使得电流镜单元30能够根据该镜像比例因子输出偏置电流，从而使得偏置电流输出单元向信号放大模块200输出偏置电流，实现了偏置电流可调的效果。

在一实施例中，如图3所示，参考电流输出单元10包括：第一PMOS管 P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS 管P5、第一NMOS管N1、第二NMOS管N2，以及第一电阻R1和第二电阻R2；

第一PMOS管P1的源极为参考电流输出单元10的输入端，第一PMOS 管P1的栅极为使能控制端，第一PMOS管P1的漏极与第一电阻R1的一端连接，第一电阻R1的另一端与第一NMOS管N1的漏极连接，第一NMOS 管N1的栅极与第一NMOS管N1的漏极连接，第一NMOS管N1的源极接地，第一NMOS管N1的栅极还与第二NMOS管N2的栅极连接，第二NMOS 管N2的源极接地，第二NMOS管N2的漏极与第二PMOS管P2的栅极连接，第二PMOS管P2的源极与第一PMOS管P1的源极连接，第二PMOS管P2 的漏极与第三PMOS管P3的源极连接，第三PMOS管P3的栅极与第三PMOS 管P3的源极连接，第三PMOS管P3的漏极接地，第三PMOS管P3的栅极还与第四PMOS管P4的栅极连接，第四PMOS管P4的源极与第五PMOS管 P5的漏极连接，第四PMOS管P4的漏极与第二电阻R2的一端连接，第五 PMOS管P5的源极与第一PMOS管P1的源极连接，第五PMOS管P5的栅极与第二PMOS管P2的栅极连接，第二电阻R2的另一端接地，第五PMOS 管P5的源极还与电流镜单元30连接。

在一实施例中，微调单元20包括多个微调子单元21，各个微调子单元 21之间级联，且各个微调子单元21的第一端接地，其中一微调子单元21与参考电流输出单元10连接。通过控制源控制各个微调子单元21工作，可调整电流镜单元30的镜像比例因子。

具体地，微调子单元21包括：第三NMOS管N3、第四NMOS管N4和第五NMOS管N5；第三NMOS管N3的漏极与第四NMOS管N4的漏极连接，第三NMOS管N3的栅极与第四NMOS管N4的源极连接，第三NMOS 管N3的源极接地，第四NMOS管N4的源极还与第五NMOS管N5的漏极连接，第五NMOS管N5的源极接地；每一微调子单元21之间通过第四NMOS 管N4的漏极连接，其中一微调子单元21的第四NMOS管N4的漏极与第六 PMOS管P6的漏极连接；第四NMOS管和第五NMOS管的栅极与所述控制源连接，从而接收控制源发送的控制信号Trim_RN。

上述实施例通过控制源向的第四NMOS管N4和第五NMOS管N5输出控制信号，以控制第四NMOS管N4和第五NMOS管N5，从而实现控制各个微调子单元工作，进而控制电流镜单元30的镜像比例因子。

在一实施例中，电流镜单元30包括：第六PMOS管P6、第六NMOS管 N6和第七NMOS管N7；第六PMOS管P6的源极与参考电流输出单元10的输入端连接，第六PMOS管P6的栅极与第二NMOS管N2的漏极连接，第六 PMOS管P6的漏极与微调单元20连接；第六NMOS管N6的漏极分别与第四NMOS管N4的漏极和第六PMOS管P6的源极连接，第六NMOS管N6 的栅极分别与第六NMOS管N6的漏极和第七NMOS管N7的栅极连接，第六NMOS管N6的源极接地；第七NMOS管N7的漏极与偏置电流输出单元连接，第七NMOS管N7的源极接地。

在一实施例中，偏置电流输出单元40包括第七PMOS管P7和多个第八 PMOS管P8；第七PMOS管P7的源极与第六PMOS管P6的源极连接，第七PMOS管P7的栅极与其中一第八PMOS管P8的栅极连接，第七PMOS管 P7的漏极与第七PMOS管P7的漏极连接；各个第八PMOS管P8的源极均与第七PMOS管P7的源极连接，各个第八PMOS管P8的漏极均与MIPI模块的信号放大模块200连接。

在一实施例中，各个PMOS管为低压PMOS管，各个NMOS管均为低压 NMOS管。其中，低压指低压元器件，且低压所指的电压范围是1.0V-1.3V，通过使用低压元器件，可实现使用更高精度的制程，如TSMC40n,PSMC80n 来制作MIPI模块，从而减少MIPI模块的电路布线面积。

在一实施例中，提供一种MIPI模块，该MIPI模块包括上述实施例所提出的偏置电路。MIPI模块的说明可参照上述偏置电路的对应说明，此处不再赘述。

在一实施例中，提供一种显示设备，该显示设备包括上述MIPI模块。 MIPI模块的说明可参照上述偏置电路的对应说明，此处不再赘述。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，仅以上述各功能单元、模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能单元、模块完成，即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。

以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本申请的保护范围之内。