具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。

现有LED显示器件在生产过程中，需要对生长基板上的LED芯片进行三次转移，这三次转移过程中需要用到光解胶和热解胶，由于这两种胶材具有一定厚度和流动性，而LED芯片厚度只有几微米，所以很容易发生胶材溢胶将LED芯片包裹，造成LED芯片转移率低。

基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。

请参照图1，本发明提供的一种转移方法，具体地，该转移方法包括如下步骤：

S1、对生长基板上的外延层上的预设切割道进行部分切割，得到切割后的待转移晶圆，其中，切割的深度小于所述外延层的深度。

其中，预设切割道是指生长基板上的磊晶在生长完成之后，会被预留多个切割道，以便于对磊晶进行切片。

作为一种实施方式，如图2所示为本发明实施例提供的一种转移方法的制程示意图，为了解决LED芯片转移过程中的溢胶问题，在生长基板21上制备出晶圆后，对生长基板21上的外延层上的预设切割道22进行部分切割，得到切割后的待转移晶圆24，且预设切割道22的切割深度小于外延层的深度，在待转移晶圆24间形成剩余切割道23，在待转移晶圆24转移过程中，剩余切割道23可以阻挡溢出的胶材，防止待转移晶圆24被胶材包裹，从而提高LED芯片转移成功率；且剩余切割道23提供的相互作用力使得待转移晶圆24相对位置不会发生改变，进一步地提高了LED芯片转移成功率。

S2、提供一暂态基板，所述暂态基板上设有第一释放胶，通过所述第一释放胶与所述待转移晶圆的第一侧面进行粘接，以将所述待转移晶圆粘附在所述暂态基板上，并剥离所述生长基板。

作为一种实施方式，在对生长基板上的外延层上的预设切割道进行部分切割，在待转移晶圆24之间形成剩余切割道23后，进一步提供一暂态基板26，所述暂态基板26上设有第一释放胶25。然后将第一释放胶25与待转移晶圆24的第一侧面进行粘接，使待转移晶圆24通过第一释放胶25粘附在所述暂态基板26上。最后剥离所述生长基板21，将待转移晶圆24转移到暂态基板26上。在这一过程中，虽然第一释放胶25具有一定厚度和流动性，但待转移晶圆24之间的剩余切割道23可以防止第一释放胶25溢胶将待转移晶圆24包裹。

可选地，第一释放胶25可以为光解胶或热解胶。

在一具体实施方式中，所述步骤S2具体包括：

S21、在所述暂态基板上涂覆或者贴覆第一释放胶，将所述暂态基板固定在所述待转移晶圆与所述生长基板相对的一面上；

S22、通过激光剥离所述生长基板，将所述待转移晶圆转移到所述暂态基板上。

具体实施时，所述待转移晶圆24的第一侧面为所述待转移晶圆24与所述生长基板21相对的一面，对生长基板21上的外延层上的预设切割道22进行部分切割，得到切割后的待转移晶圆24后，在暂态基板26上涂覆或贴覆第一释放胶25，通过第一释放胶25将暂态基板26固定在所述待转移晶圆24与所述生长基板21相对的一面上；然后通过激光剥离(LaserLift Off)所述生长基板21，将所述待转移晶圆24转移到所述暂态基板26上。在此过程中，虽然第一释放胶25具有一定厚度和流动性，但待转移晶圆24之间保留的剩余切割道23可以防止第一释放胶25溢胶将待转移晶圆24包裹。

在一具体实施方式中，所述步骤S22之后还包括：

S23、通过盐酸对所述待转移晶圆与所述生长基板接触的一面进行清洗。

具体实施时，通过激光剥离生长基板21后，待转移晶圆24与生长基板21接触的面上会存在残留的金属镓，为了后续步骤中通过第二释放胶27将蓝膜28固定在待转移晶圆24上，本实施例中进一步使用盐酸对所述待转移晶圆24与所述生长基板21接触的一面进行清洗，以去除残留的金属镓。由于浓盐酸具有腐蚀性，为了避免盐酸对待转移晶圆24造成腐蚀，本实施例中采用稀盐酸对所述待转移晶圆24与所述生长基板21接触的一面进行清洗。

具体实施时，所述第一释放胶25和所述第二释放胶27包括但不限于UV光解胶、热解胶和冷解胶。且所述第一释放胶25和所述第二释放胶27的释放条件不同，这样能够在满足第一释放胶25的释放条件下去除暂态基板26，而使第二释放胶27不受影响。

S3、提供一蓝膜，所述蓝膜上设有第二释放胶，通过所述第二释放胶与所述待转移晶圆的第二侧面进行粘接，以将所述待转移晶圆粘附在所述蓝膜上，并剥离所述暂态基板，其中，所述第一侧面与所述第二侧面正对设置；

具体实施时，将待转移晶圆24转移到暂态基板26上后，进一步提供一蓝膜28，所述蓝膜28上设有第二释放胶27。然后将第二释放胶27与待转移晶圆24与前述第一侧面相对的第二侧面进行粘接，使待转移晶圆24通过第二释放胶27粘附在所述蓝膜28上。最后剥离所述暂态基板26，将待转移晶圆24转移到蓝膜28上。在这一过程中，虽然第二释放胶27具有一定厚度和流动性，但待转移晶圆24之间的剩余切割道23可以防止第二释放胶27溢胶将待转移晶圆24包裹。

可选地，第二释放胶27可以是热解胶，也可以是光解胶。

需要说明的是，第一释放胶25与第二释放胶27为不同胶。也就是说，当第一释放胶25为光解胶时，第二释放胶27为热解胶。反之，当第一释放胶25为热解胶时，第二释放胶27为光解胶。

在一具体实施方式中，所述步骤S3具体包括：

S31、在所述蓝膜上涂覆或者贴覆第二释放胶，将所述蓝膜固定在所述待转移晶圆与所述暂态基板相对的一面上；

S32、去除所述暂停基板，将所述待转移晶圆转移到所述蓝膜上。

具体实施时，所述待转移晶圆24的第二侧面为所述待转移晶圆24与所述暂态基板26相对的一面，将待转移晶圆24转移到暂态基板26上后，进一步在蓝膜28上涂覆或贴覆第二释放胶27，通过第二释放胶27将蓝膜28固定在所述待转移晶圆24与所述暂态基板26相对的一面上；然后去除所述暂态基板26，将所述待转移晶圆24转移到所述蓝膜28上。在此过程中，虽然第二释放胶27具有一定厚度和流动性，但待转移晶圆24之间的剩余切割道23可以防止第二释放胶27溢胶将待转移晶圆24包裹。

在一具体实施方式中，所述第一释放胶25为光解胶，所述第二释放胶27为热解胶，步骤S32中所述去除所述暂态基板的步骤具体包括：

S321、通过激光照射所述暂态基板，解除所述第二释放胶的粘性，使所述暂态基板从所述待转移晶圆上剥离下来。

具体实施时，当第一释放胶25为光解胶，第二释放胶27为热解胶时，通过第二释放胶27将所述蓝膜28固定在所述待转移晶圆24与所述暂态基板26相对的一面上后，对所述暂态基板26进行光照，在光照条件下第一释放胶25分解，使待转移晶圆24与暂态基板26分离，从而使待转移晶圆24转移到蓝膜28上。在一具体实施例中，使用波长为266nm的激光照射暂态基板26，减小暂态基板26上第一释放胶25的粘性，将待转移晶圆24转移到蓝膜28上。

在一具体实施方式中，所述第一释放胶25为热解胶，所述第二释放胶27为光解胶，步骤S32中所述去除所述暂态基板的步骤具体包括：

S321’、通过对所述暂态基板进行加热，解除所述第二释放胶的粘性，使所述暂态基板从所述待转移晶圆上剥离下来。

具体实施时，当第一释放胶25为热解胶，第二释放胶27为光解胶时，通过第二释放胶27将所述蓝膜28固定在所述待转移晶圆24与所述暂态基板26相对的一面上后，对所述暂态基板26进行加热，在加热条件下第一释放胶25分解，使待转移晶圆24与暂态基板26分离，从而使待转移晶圆24转移到蓝膜28上。

在一具体实施方式中，所述步骤S3之后还包括：

S41、提供一滚轮，将所述滚轮放置在所述蓝膜远离所述待转移晶圆的一面上；其中，所述滚轮位于所述剩余切割道的中间位置；

S42、通过所述滚轮将所述蓝膜顶起，使所述待转移晶圆上的剩余切割道在应力的作用下断裂，以对所述待转移晶圆自动进行裂片。

具体实施时，所述剩余切割道23为V型切割道或U型，将待转移晶圆24转移到蓝膜28后，进一步使用滚轮将蓝膜28顶起对待转移晶圆24进行裂片。具体地，将滚轮放置在所述蓝膜28远离所述待转移晶圆24的一面上，且所述滚轮位于所述剩余切割道23的中间位置；然后通过滚轮将所述蓝膜28顶起，对所述蓝膜28上的若干所述待转移晶圆24进行裂片。由于V型剩余切割道23或者U型剩余切割道23下端未切割区域较薄，会优先断裂，断裂后滚轮必须停止上顶，防止待转移晶圆24破裂。且在待转移晶圆24裂片过程中，由于剩余切割道23距离待转移晶圆24有一定距离，不会造成待转移晶圆24边缘破损。

S4、提供一滚轮，所述滚轮设于所述蓝膜底部，且与所述待转移晶圆相对设置，通过所述滚轮将所述蓝膜顶起，使所述待转移晶圆上的剩余切割道在应力的作用下自动进行裂片。

具体实施时，将待转移晶圆24转移到蓝膜28上后，进一步提供一滚轮，将滚轮放置于蓝膜28底部，且使滚轮与待转移晶圆24相对设置；然后通过滚轮将蓝膜28顶起，剩余切割道23在应力的作用下断裂，使得待转移晶圆24自动进行裂片。由于剩余切割道23距离待转移晶圆24有一定距离，不会造成待转移晶圆24边缘破损。

在一具体实施方式中，所述步骤S1之前还包括：

S01、提供一生长基板；

S02、在所述生长基板上形成外延层。

具体实施时，本实施例中首先提供一生长基板21，所述生长基板21可以包括但不限于蓝宝石、碳化硅或硅等；然后在生长基板21上采用MOCVD等方式形成外延层；最后在外延层上进行刻蚀、电极生长、减薄等多道工序，制备固定在生长基板21上的晶圆。

在一具体实施方式中，本实施例中还提供了一种显示装置，所述显示装置包括固定有LED芯片的显示基板，所述LED芯片采用上述所述的转移方法进行转移，由于上述转移方法对LED芯片进行转移前，对生长基板上的外延层上的预设切割道进行部分切割，即在待转移晶圆之间保留部分未切割区域，部分未切割区域可以阻挡溢出的胶材，防止待转移晶圆被胶材包裹；未切割区域提供的相互作用力使得待转移晶圆相对位置不会发生变化，提高了LED芯片转移成功率，降低了显示装置生产成本，提高了显示装置生产效率。

综上所述，本发明提供了一种转移方法及显示装置，所述方法包括：对生长基板上的外延层上的预设切割道进行部分切割，得到切割后的待转移晶圆，其中，切割的深度小于所述外延层的深度；提供一暂态基板，所述暂态基板上设有第一释放胶，通过所述第一释放胶与所述待转移晶圆的第一侧面进行粘接，以将所述待转移晶圆粘附在所述暂态基板上，并剥离所述生长基板；提供一蓝膜，所述蓝膜上设有第二释放胶，通过所述第二释放胶与所述待转移晶圆的第二侧面进行粘接，以将所述待转移晶圆粘附在所述蓝膜上，并剥离所述暂态基板，其中，所述第一侧面与所述第二侧面正对设置；提供一滚轮，所述滚轮设于所述蓝膜底部，且与所述待转移晶圆相对设置，通过所述滚轮将所述蓝膜顶起，使所述待转移晶圆上的剩余切割道在应力的作用下自动进行裂片。本申请通过对生长基板上的外延层上的预设切割道进行部分切割，在待转移晶圆之间保留部分未切割区域，在待转移晶圆转移过程中，部分未切割区域可以阻挡溢出的胶材，防止待转移晶圆被胶材包裹，从而提高LED芯片转移成功率；未切割区域提供的相互作用力使得待转移晶圆相对位置不会发生改变，进一步提高了LED芯片转移成功率。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。