具体实施方式

参照附图对本发明的一个方式的实施方式进行说明。首先，对在第1实施方式中成为加工对象的圆盘状的晶片11进行说明。图1是晶片11的立体图。

晶片11由Si(硅)、SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、GaAs(砷化镓)等半导体材料形成。在晶片11的正面11a上呈格子状设定有多条分割预定线13。

在由多条分割预定线13划分的正面11a侧的各区域中形成有IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LSI(Large Scale Integration：大规模集成电路)等器件15。在各器件15上设置有多个凸块17。

多个凸块17分别由金、银、铜等金属材料形成。各凸块17与器件15电连接，并且与器件15的上表面相比例如突出约100μm。

配置有多个器件15的晶片11的中央区域是器件区域19a。器件区域19a的外周侧不具有器件15和凸块17等，并且被比器件区域19a平坦的外周剩余区域19b包围。

在从晶片11制造器件芯片时，在晶片11的背面11b侧的磨削之前，使用保护部件粘贴装置10(参照图2)将保护部件23(参照图3的(B))粘贴于晶片11的正面11a侧。

图2是示出第1实施方式的保护部件粘贴装置10等的概要的框图。首先，使用图3的(A)、图3的(B)、图4以及图6至图8对保护部件粘贴装置10的结构进行说明。

保护部件粘贴装置10具有用于形成不具有糊层的树脂制的片状的保护部件23的保护部件形成单元12。图3的(A)是保护部件形成单元12等的立体图。

保护部件形成单元12具有工作台14，该工作台14由不锈钢等金属形成，具有大致平坦的上表面。在工作台14的上方配置有由不锈钢等金属形成的大致圆柱形状的按压体16。

按压体16的底面大致平坦。另外，在按压体16的内部设置有电阻加热式的发热体(未图示)。在按压体16的上部连结有使按压体16沿上下方向移动的滚珠丝杠式的上下移动机构(未图示)。

在使用保护部件形成单元12形成保护部件23的情况下，首先，将由能够因热而软化的热可塑性树脂形成的颗粒21配置于工作台14的上表面。热可塑性树脂例如是聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等聚烯烃系树脂、或者聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯系树脂。

在本实施方式中，在根据热可塑性树脂的材料将按压体16的温度调节为规定的温度之后，一边利用按压体16对颗粒21进行加热一边按压于工作台14。此时，颗粒21被加热至超过软化点的规定的温度(例如，在颗粒21由聚丙烯形成的情况下为160℃以上且180℃以下的规定温度)。

由此，使颗粒21软化或熔融而成型为大致圆形，通过一次加热和按压工艺而形成一张保护部件23。这样，本实施方式的保护部件23是通过单片式的工艺形成的树脂片。图3的(B)是一张保护部件23的立体图。

保护部件23具有比晶片11的直径大的规定的直径。另外，保护部件23根据形成时的条件而产生若干偏差，但例如具有80μm以上且100μm以下的规定的厚度。

在本实施方式中，使用设置于保护部件粘贴装置10的保护部件形成单元12，从颗粒21形成保护部件23。因此，不需要从由长条的保护部件卷绕成辊状的辊体中取出保护部件23。

通常，在辊体的制作中需要比较大的工业用无尘室，但由于在本实施方式中不使用辊体，因此只要对在按压颗粒21时使用的比较小的空间的空气清洁度进行控制即可。因此，与使用辊体的情况相比，能够降低每一张保护部件23的制造成本。

接着，使用设置于保护部件粘贴装置10的保护部件粘贴单元20，将保护部件23粘贴于晶片11的正面11a侧。图4是保护部件粘贴单元20等的局部剖面侧视图。保护部件粘贴单元20具有凹状的下部主体20a，该下部主体20a由不锈钢等金属形成，在上方具有开口部。

在下部主体20a的开口部的内侧设置有能够支承保护部件23的环状板20b。在环状板20b的下方设置有圆盘状的卡盘工作台(支承工作台)22。卡盘工作台22具有金属制的框体24a。

在框体24a的上部固定有由多孔质部件形成的圆盘状的多孔板24b。在多孔板24b上形成有以多孔板24b的上表面的中心为中心的环状槽24c。环状槽24c具有比晶片11的直径大的规定的直径，作为在切割保护部件23时使用的切削刃34c(参照图7)的退刀槽而发挥功能。

多孔板24b经由形成于框体24a的流路24d等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。框体24a和多孔板24b的上表面成为同一平面，构成大致平坦的保持面22a。

在下部主体20a的底部设置有排气部26。排气部26具有一端与下部主体20a内的空间连接的圆筒状的排气管(排气路)26a。排气管26a的另一端与喷射器等吸引源26b连接。

在下部主体20a的上方配置有在下方具有开口部的凹状的上部主体20c。上部主体20c具有与下部主体20a的开口部大致相同形状的开口部。上部主体20c能够相对于下部主体20a相对地升降，当以各开口部重叠的方式在下部主体20a上配置上部主体20c时，形成与外部隔绝的空间。

在上部主体20c的顶部设置有排气部28。排气部28具有一端与上部主体20c内的空间连接的圆筒状的排气管(排气路)28a。排气管28a的另一端与喷射器等吸引源28b连接。

在上部主体20c的顶部中的与排气部28不同的位置设置有供气部30。供气部30具有一端与上部主体20c内的空间连接的圆筒状的供气管(供气路)30a。另外，在供气管30a上设置有电磁阀30b。

另外，虽然在图4中被省略，但在上部主体20c的凹部中配置有圆盘状的按压体32(参照图6)。按压体32由不锈钢等金属形成，具有大致平坦的下表面32a。

在按压体32的内部设置有电阻加热式的发热体32b。在按压体32的上部连结有使按压体32沿上下方向移动的滚珠丝杠式的上下移动机构(未图示)。

在下部主体20a的外侧配置有切断机构34(参照图7)。切断机构34能够通过未图示的移动机构而向下部主体20a的上方移动。切断机构34具有与保持面22a大致平行地配置的棒状的臂部34a。

在臂部34a的一端与另一端之间与垂直于保持面22a的方向大致平行地配置有电动机等旋转驱动源(未图示)的输出轴34b，该输出轴34b的下部与臂部34a连结。另外，在臂部34a的一端部连结有切削刃34c。

在保护部件粘贴单元20的附近配置有厚度测量单元36(参照图8)，该厚度测量单元36具有用于测量保护部件23的厚度的厚度测量器36a。厚度测量器36a例如是分光干涉式的激光位移计。

由厚度测量器36a测量出的保护部件23的厚度的信息通过发送部38(参照图2)向保护部件粘贴装置10的外部发送。发送部38经由无线LAN(Local Area Network：局域网)、有线LAN等发送保护部件23的厚度的信息。

例如，在使用无线LAN的情况下，发送部38是具有信号源、调制电路、放大器、天线等的发送机，将保护部件23的厚度的信息发送给后述的磨削装置50的接收部90。

发送部38等的动作由控制部40控制。控制部40除了控制发送部38以外，还对保护部件形成单元12、保护部件粘贴单元20、厚度测量单元36等的动作进行控制。

控制部40例如由计算机构成，该计算机包含以CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)为代表的处理器(处理装置)、DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)、SRAM(Static Random Access Memory：静态随机存取存储器)、ROM(ReadOnly Memory：只读存储器)等主存储装置、以及闪存、硬盘驱动器、固态驱动器等辅助存储装置。

在辅助存储装置中存储有包含规定的程序的软件。通过按照该软件使处理器等进行动作，实现控制部40的功能。接着，参照图9对磨削装置50进行说明。

磨削装置50具有圆盘状的卡盘工作台52。卡盘工作台52包含由陶瓷等形成的圆盘状的框体。在框体的上部形成有圆盘状的凹部，在该凹部中固定有由多孔质部件形成的大致圆盘状的多孔板。

多孔板经由形成于框体的流路(未图示)等而与喷射器等吸引源(未图示)连接。当使吸引源进行动作时，在多孔板的上表面产生负压。框体的上表面和多孔板的上表面为大致同一平面，作为吸引并保持晶片11等的保持面52a而发挥功能。

在卡盘工作台52的下方设置有具有电动机等的旋转驱动源(未图示)。旋转驱动源的输出轴与卡盘工作台52的下部连结，如果使旋转驱动源进行动作，则卡盘工作台52以输出轴为中心进行旋转。

在卡盘工作台52的上方配置有磨削进给单元54。磨削进给单元54设置于与基台(未图示)大致铅垂地设置的棱柱状的柱(未图示)。

磨削进给单元54具有固定于柱的一侧面且与铅垂方向大致平行的一对导轨56。在一对导轨56上以能够滑动的方式安装有移动板58。

在移动板58的背面侧(柱侧)设置有螺母部60。与一对导轨56大致平行地配置的滚珠丝杠62以能够旋转的方式与螺母部60连结。

在滚珠丝杠62的上端部连结有脉冲电动机64。如果通过脉冲电动机64使滚珠丝杠62进行旋转，则移动板58沿着导轨56在铅垂方向(上下方向)上移动。

在移动板58的正面侧固定有磨削单元68。磨削单元68具有固定于移动板58的圆筒状的保持部件70。在保持部件70的内部设置有与铅垂方向大致平行地配置的圆筒状的主轴壳体72。

在主轴壳体72内以能够旋转的状态收纳有与铅垂方向大致平行地配置的圆柱状的主轴74的一部分。在主轴74的上端部设置有电动机(未图示)。

主轴74的下端部比保持部件70的下表面向下方突出，在主轴74的下端部固定有圆盘状的轮安装座76的上表面。在轮安装座76的下表面安装有圆环状的磨削磨轮78。

磨削磨轮78具有：圆环状的磨轮基台78a，其由不锈钢等金属材料形成；以及多个磨削磨具78b，它们安装于磨轮基台78a的下表面侧。多个磨削磨具78b沿着磨轮基台78a的下表面的圆周以在相邻的磨削磨具78b彼此之间设置有间隙的方式呈环状排列。

各磨削磨具78b例如是在金属、陶瓷、树脂等的结合材料中混合金刚石、cBN(cubicboron nitride：立方氮化硼)等磨粒而形成的。另外，结合材料和磨粒的材料没有特别限制，能够根据磨削磨具78b的规格而适当选择。

在保持面52a的上方配置有用于向磨削磨具78b和晶片11的接触区域提供纯水等磨削水80的喷嘴82。另外，在保持面52a的外周部中的远离磨削单元68的区域配置有用于测量磨削中的晶片11等的厚度的厚度测量器86。

厚度测量器86具有第1高度计86a，该第1高度计86a的前端部与保持面52a接触，用于测量保持面52a的高度。另外，厚度测量器86具有第2高度计86b，该第2高度计86b的前端部与保持面52a所保持的晶片11的背面11b接触，用于测量背面11b的高度。

通过计算保持面52a的高度与背面11b的高度之差，测量磨削中的晶片11和保护部件23的合计的厚度(即总厚度)。卡盘工作台52、磨削进给单元54、磨削单元68等的动作由控制部88控制。

控制部88例如由计算机构成，该计算机包含以CPU为代表的处理器(处理装置)88a、DRAM、SRAM、ROM等主存储装置(未图示)、以及闪存、硬盘驱动器、固态驱动器等辅助存储装置88b。

在辅助存储装置88b中存储有包含规定的程序的软件。通过按照该软件使处理器88a等进行动作，实现控制部88的功能。辅助存储装置88b包含具有规定的记录区域的记录部88c。

在记录部88c中记录有由厚度测量单元36测量出的保护部件23的厚度、带保护部件23的晶片11的总厚度以及晶片11的磨削后的目标完工厚度的各信息。

由厚度测量单元36测量出的保护部件23的厚度的信息从保护部件粘贴装置10的发送部38发送，并由磨削装置50的接收部90接收。例如，在使用无线LAN的情况下，接收部90是具有天线、放大器、解调电路等的接收机。

接着，参照图3的(A)至图10，对使用保护部件粘贴装置10和磨削装置50对晶片11进行加工的晶片11的加工方法进行说明。图10是晶片11的加工方法的流程图。

首先，使用图3的(A)所示的保护部件形成单元12，通过对由热可塑性树脂形成的颗粒21进行加热和按压，使颗粒21软化或熔融而成型为大致圆形，形成一张片状的保护部件23(参照图3的(B))(保护部件形成步骤S10)。

在保护部件形成步骤S10之后，使用保护部件粘贴单元20，使保护部件23与晶片11的正面11a侧密接(保护部件密接步骤S20)。在保护部件密接步骤S20中，首先，利用卡盘工作台22对晶片11的背面11b侧进行支承，利用保持面22a对背面11b侧进行吸引保持。

然后，使用具有多个吸附垫的片材搬送装置(未图示)搬送保护部件23，并载置在环状板20b上。此时，如图4所示，保护部件23以不与正面11a接触的方式被环状板20b支承。

例如，通过利用按压部件(未图示)将保护部件23的外周部向环状板20b按压，保护部件23以不与正面11a接触的方式被支承。另外，也可以减小环状板20b的开口以使由环状板20b的内周端规定的直径比晶片11稍大，从而代替使用按压部件。

接着，在下部主体20a上配置上部主体20c而形成与外部隔绝的空间之后，使吸引源26b、28b分别进行动作。由此，将由保护部件23和下部主体20a构成的第1空间20d和由保护部件23和上部主体20c构成的第2空间20e分别减压至1000Pa左右。

在减压后，停止吸引源26b、28b的动作，在保持着使第1空间20d的压力为1000Pa左右的状态下，通过使电磁阀30b为打开状态，使上部主体20c向大气开放。由此，上部主体20c的凹部内的气压急剧上升而成为大气压，通过气压差将保护部件23向正面11a侧按压。

保护部件23以仿照正面11a侧的凹凸形状的方式变形，从而与正面11a侧密接(保护部件密接步骤S20)。图5是示出利用气压差使保护部件23与正面11a侧密接的情形的图。

在保护部件密接步骤S20之后，在使发热体32b加热的状态下使按压体32向下方移动，利用下表面32a将保护部件23按压于正面11a侧(参照图6)。

例如，将按压体32设为50℃以上且120℃以下的规定的温度，并以0.2MPa以上且0.8MPa以下的规定的按压压力按压30秒左右。由此，将保护部件23粘贴于正面11a侧，形成带保护部件23的晶片11(带保护部件的晶片形成步骤S30)。

在带保护部件的晶片形成步骤S30中，由于通过加热使保护部件23软化，因此与不加热的情况相比，能够使保护部件23与正面11a侧进一步密接。在按压体32退避之后，带保护部件23的晶片11被冷却。

与带保护部件的晶片形成步骤S30前相比，保护部件23的厚度有时减少5％以上且20％以下(例如，10％左右)。在带保护部件的晶片形成步骤S30之后，如图7所示，使用切断机构34将保护部件23切开成与晶片11大致相同的直径(保护部件切开步骤S40)。

在保护部件切开步骤S40中，通过在保护部件23上形成规定的直径的切缝23a(参照图8)，将保护部件23切断为圆形。在保护部件切开步骤S40之后，使用厚度测量单元36对带保护部件23的晶片11中的保护部件23的厚度进行测量(厚度测量步骤S50)。在厚度测量步骤S50中，测量保护部件23的1个部位以上的厚度。

在本实施方式中，在利用厚度测量单元36测量保护部件23的多个部位的厚度之后，控制部40计算该多个部位的厚度的算术平均值，将平均的厚度作为保护部件23的代表厚度。另外，代表厚度的计算方法并不限定于算术平均值。保护部件23的厚度的信息经由发送部38和接收部90而记录于磨削装置50的记录部88c。

通过进行厚度测量步骤S50，能够取得带保护部件的晶片形成步骤S30之后且磨削步骤S60之前的保护部件23的厚度的信息。这样的保护部件23的厚度的信息成为能够在器件芯片的制造工序中追踪全部工序并在分析不良发生的原因等的情况下有用的信息。

在厚度测量步骤S50之后，使用晶片搬送单元(未图示)，将带保护部件23的晶片11搬送到磨削装置50。带保护部件23的晶片11以背面11b朝上的方式被卡盘工作台52的保持面52a吸引保持。

在该状态下，一边利用厚度测量器86测量带保护部件23的晶片11的总厚度，一边利用磨削进给单元54将磨削单元68朝向保持面52a进行磨削进给，对背面11b侧进行磨削直至晶片11成为目标完工厚度(磨削步骤S60)。

特别是，在磨削步骤S60中，控制部88从带保护部件23的晶片11的总厚度减去在厚度测量步骤S50中测量出的保护部件23的代表厚度，实时地计算晶片11的厚度，并且调整磨削进给量以成为目标完工厚度。

在本实施方式中，与带保护部件的晶片形成步骤S30之前相比，即使在保护部件23的厚度发生了变化的情况下，由于在对变化后的保护部件23的厚度进行了测量的基础上进行磨削，因此在磨削步骤S60中，也能够根据变化后的保护部件23的厚度来调整磨削进给量。因此，能够降低保护部件23的厚度的变化对磨削(加工)条件造成的影响。

另外，在第1实施方式的保护部件密接步骤S20中，在晶片11上配置保护部件23，但也可以在保护部件23上配置晶片11。另外，可以在卡盘工作台22中也设置有发热体(未图示)，在带保护部件的晶片形成步骤S30中，也可以在对晶片11和保护部件23中的至少一方进行了加热的状态下，将晶片11向下方按压。

接着，对第2实施方式进行说明。在第2实施方式中，使用具有保护部件粘贴装置110和磨削装置150的加工装置92来进行上述的S10至S60。图11是示出加工装置92的概要的框图。

保护部件粘贴装置110与除了发送部38和控制部40以外的保护部件粘贴装置10对应，磨削装置150与除了接收部90和控制部88以外的磨削装置50对应。加工装置92具有控制部94，该控制部94具有保护部件粘贴装置10的控制部40和磨削装置50的控制部88这两者的功能。

控制部94例如由计算机构成，该计算机包含以CPU为代表的处理器(处理装置)94a、DRAM、SRAM、ROM等主存储装置(未图示)、以及闪存、硬盘驱动器、固态驱动器等辅助存储装置94b。

辅助存储装置94b包含记录部94c。记录部94c与第1实施方式中的记录部88c对应。控制部94将由厚度测量单元36测量出的保护部件23的厚度(例如，代表厚度)记录于记录部94c。

另外，控制部94从带保护部件23的晶片11的总厚度减去保护部件23的代表厚度，实时地计算晶片11的厚度，并且调整磨削进给量以使晶片11成为目标完工厚度。因此，与第1实施方式相同，能够降低保护部件23的厚度的变化对磨削(加工)条件造成的影响。

接着，对第3实施方式进行叙述。在第1和第2实施方式中，通过使用保护部件形成单元12，在保护部件粘贴装置10内制作由热可塑性树脂形成且不具有糊层的片状的保护部件23。

但是，保护部件粘贴装置10也可以不一定具有保护部件形成单元12。在该情况下，使用片状的保护部件(未图示)，该保护部件具有：基材层，其由热可塑性树脂形成；以及糊层，其在基材层上设置于与正面11a对应的大致圆形的区域或设置于基材层上的外周部。

在第3实施方式中，在对晶片11进行加工时，省略了保护部件形成步骤S10，在保护部件密接步骤S20中，以糊层与正面11a相对的方式将保护部件23的缘部配置于环状板20b。接着，利用气压差，使糊层与正面11a侧密接。另外，S30至S60与第1实施方式同样地进行。

但是，在带保护部件的晶片形成步骤S30中，使用在内部具有电阻加热式的发热体的圆柱状的辊来代替按压体32。例如，将辊设为50℃以上且120℃以下的规定的温度，在将辊的侧面抵压于保护部件23的状态下，使辊在整个正面11a侧滚动并移动5秒钟左右。

在使辊退避之后，带保护部件23的晶片11被冷却，但与带保护部件的晶片形成步骤S30前相比，冷却后的保护部件23的厚度有时会减少5％以上且20％以下(例如，10％左右)。

但是，在第3实施方式中，也进行厚度测量步骤S50，测量带保护部件23的晶片11的保护部件23的厚度。然后，在后续的磨削步骤S60中，磨削装置50的控制部88从带保护部件23的晶片11的总厚度减去保护部件23的代表厚度，实时地计算晶片11的厚度，并且调整磨削进给量以成为目标完工厚度。

因此，与第1实施方式相同，能够降低由带保护部件的晶片形成步骤S30引起的保护部件23的厚度的变化对磨削(加工)条件造成的影响。此外，上述实施方式的构造、方法等能够在不脱离本发明的目的的范围内进行适当变更来实施。